JPS60127730A - 半導体装置製造装置 - Google Patents
半導体装置製造装置Info
- Publication number
- JPS60127730A JPS60127730A JP58236573A JP23657383A JPS60127730A JP S60127730 A JPS60127730 A JP S60127730A JP 58236573 A JP58236573 A JP 58236573A JP 23657383 A JP23657383 A JP 23657383A JP S60127730 A JPS60127730 A JP S60127730A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- semiconductor substrate
- back surface
- nozzles
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野の説明〕
本発明は半導体装置製造におけるフォトレジスト工程の
塗布工程あるいは現像処理工程に使用される半導体製造
装置に関するものである。
塗布工程あるいは現像処理工程に使用される半導体製造
装置に関するものである。
一般的な感光性樹脂薄膜を形成する塗布工程で使用され
る装置は半導体基板を回転軸の中央に固定し、該基板の
表面に感光性樹脂液を滴下口より適量滴下し、その後高
速回転を行い半導体基板表面に均一な感光性樹脂膜を形
成し７ている。
る装置は半導体基板を回転軸の中央に固定し、該基板の
表面に感光性樹脂液を滴下口より適量滴下し、その後高
速回転を行い半導体基板表面に均一な感光性樹脂膜を形
成し７ている。
年々、半導体装置パターンの縮少化が進むにつれ、塗布
工程の次工程にある回合・露光工程における位置合せ精
度も厳シ、＜なってきており、半導体基板裏面に旧著し
ているゴミによる影響−Ｃ目金・露光時に半導体基板表
面に部分的歪を生じ、フォトレジスト工程における部分
的パターン形成不良を誘発し半導体装置の歩留低下を招
いていた。又、現像処理工程では、回合・露光工程の終
了し７た半導体基板を回転軸の中央に固定し、その上に
現像処理液を適量滴下し７現像処理を行っているが、こ
の場合、半導体基板上に表面張力を利用し２て載ぜられ
ている現像液の表面張力が外れ、半導体基板裏面に回シ
込み、半導体装置を真空吸着する基体内部よりポンプ内
に液が入り込み、装置に障害を起したり、裏面に回り込
んだ現像液が、後工程のエツチング処理工程で異常エッ
チの原因となり、半導体装置の歩留、品質低下を招いて
いた。
工程の次工程にある回合・露光工程における位置合せ精
度も厳シ、＜なってきており、半導体基板裏面に旧著し
ているゴミによる影響−Ｃ目金・露光時に半導体基板表
面に部分的歪を生じ、フォトレジスト工程における部分
的パターン形成不良を誘発し半導体装置の歩留低下を招
いていた。又、現像処理工程では、回合・露光工程の終
了し７た半導体基板を回転軸の中央に固定し、その上に
現像処理液を適量滴下し７現像処理を行っているが、こ
の場合、半導体基板上に表面張力を利用し２て載ぜられ
ている現像液の表面張力が外れ、半導体基板裏面に回シ
込み、半導体装置を真空吸着する基体内部よりポンプ内
に液が入り込み、装置に障害を起したり、裏面に回り込
んだ現像液が、後工程のエツチング処理工程で異常エッ
チの原因となり、半導体装置の歩留、品質低下を招いて
いた。
本発明の目的は、塗布工程においては半導体基板裏面の
ゴミ除去、現像処理工程においては半導体基板への液の
回シ込みを防止し７、半導体基板表面のパターン形成時
に悪影響を与えない半導体製造装置を提供することにあ
る。
ゴミ除去、現像処理工程においては半導体基板への液の
回シ込みを防止し７、半導体基板表面のパターン形成時
に悪影響を与えない半導体製造装置を提供することにあ
る。
本発明は、半導体基板を真空吸着し２、これを回転運動
させる基体を有し２、半導体基板−表面を現像処理液或
いは感光性樹脂液を適量滴下するノズルを前記基体の上
方に設置した半導体装置の製造装置において、半導体基
板を真空吸着する前記基体の周囲に半導体基板裏面へ洗
乳液を噴出する複数のノズルを設置し７たことを特徴と
する半導体製造装置である。
させる基体を有し２、半導体基板−表面を現像処理液或
いは感光性樹脂液を適量滴下するノズルを前記基体の上
方に設置した半導体装置の製造装置において、半導体基
板を真空吸着する前記基体の周囲に半導体基板裏面へ洗
乳液を噴出する複数のノズルを設置し７たことを特徴と
する半導体製造装置である。
〔実施例の説明〕
次に本発明の一実施例につき図を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するだめの半導体製造
装置の断面図、第２図は半導体基板裏面における洗浄液
の広がる状態を示し７た図である。
装置の断面図、第２図は半導体基板裏面における洗浄液
の広がる状態を示し７た図である。
第１図において、塗布工程あるいは現像処理工程に使用
される半導体製造装置は、半導体基板１を真空吸着する
基体２と、基体２を上端に固着し７た回転軸３と該回転
軸３を回転駆動し７、かつ該軸３を通して基体２を真空
引きするポンプ４と、基体２の上方に設置され、半導体
基板１表面に感光性樹脂液あるいは現像処理液を適量滴
下するノズル５から構成される。更に本発明は、半導体
基板１を載置する前記基体２の周囲に、ポンプ６あるい
は他の装置を介して半導体基板１の裏面に洗浄液を噴出
する複数のノズル７、・・・を上向きに設置６シ７たも
のである。
される半導体製造装置は、半導体基板１を真空吸着する
基体２と、基体２を上端に固着し７た回転軸３と該回転
軸３を回転駆動し７、かつ該軸３を通して基体２を真空
引きするポンプ４と、基体２の上方に設置され、半導体
基板１表面に感光性樹脂液あるいは現像処理液を適量滴
下するノズル５から構成される。更に本発明は、半導体
基板１を載置する前記基体２の周囲に、ポンプ６あるい
は他の装置を介して半導体基板１の裏面に洗浄液を噴出
する複数のノズル７、・・・を上向きに設置６シ７たも
のである。
これにより基体２の下部に設けられた複数のノズル７、
・・・から半導体基板１の裏面に洗浄液を噴出すること
により、塗布工程においては半導体基板１の裏面に付着
したゴミを洗浄し７、また現像処理工程においては半導
体基板の裏面に廻り込む現像液に対し７て第２図に示す
ように洗浄液による壁８を形成して液の廻９込みを阻止
する。
・・・から半導体基板１の裏面に洗浄液を噴出すること
により、塗布工程においては半導体基板１の裏面に付着
したゴミを洗浄し７、また現像処理工程においては半導
体基板の裏面に廻り込む現像液に対し７て第２図に示す
ように洗浄液による壁８を形成して液の廻９込みを阻止
する。
以上説明し７たように本発明によれば、塗布工程におい
ては半導体基板の裏面に旧著し７たゴミが洗浄されるか
ら、次工程の目金・露光時における半導体基板の裏面の
ゴミによる影響で起る感光性樹脂の部分的パターン形成
不良を低減することができる。又、現像処理工程におい
ては半導体基板の表面に現像液を適量滴下し７た後行な
われる静止、現像処理時に半導体基板の裏面に廻り込む
現像液に対し７て、第２図に示すように基体２の周囲に
設けられた複数のノズル７から液を噴出させ、半導体基
板１を真空吸着する基体に現像液が廻り込まぬように液
の壁８を形成することにより、半導体基板１の表面より
廻り込んだ現像液は、この液の壁の中に溶は込み、それ
以」ニ果へとは進行しなくなり、基体に液が入り装置に
障害を起こすことを防止でき、静止現像後に高速回転を
行うことにより裏面には現像液も残らずきれいな裏面状
態を得ることがてき、次工程のガスを用いたエツチング
処理工程での異常エッチの発生がなくなり半導体装置の
歩留向上に貢献できる効果を有するものである。
ては半導体基板の裏面に旧著し７たゴミが洗浄されるか
ら、次工程の目金・露光時における半導体基板の裏面の
ゴミによる影響で起る感光性樹脂の部分的パターン形成
不良を低減することができる。又、現像処理工程におい
ては半導体基板の表面に現像液を適量滴下し７た後行な
われる静止、現像処理時に半導体基板の裏面に廻り込む
現像液に対し７て、第２図に示すように基体２の周囲に
設けられた複数のノズル７から液を噴出させ、半導体基
板１を真空吸着する基体に現像液が廻り込まぬように液
の壁８を形成することにより、半導体基板１の表面より
廻り込んだ現像液は、この液の壁の中に溶は込み、それ
以」ニ果へとは進行しなくなり、基体に液が入り装置に
障害を起こすことを防止でき、静止現像後に高速回転を
行うことにより裏面には現像液も残らずきれいな裏面状
態を得ることがてき、次工程のガスを用いたエツチング
処理工程での異常エッチの発生がなくなり半導体装置の
歩留向上に貢献できる効果を有するものである。
尚、上述の実施例において、基体下部に設けられたノズ
ルの数・形状は任意であり、数・形状に関係なく同様の
効果が得られるのは言うまでもない。
ルの数・形状は任意であり、数・形状に関係なく同様の
効果が得られるのは言うまでもない。
第１図は本発明の一実施例を説明するだめの半導体製造
装置の断面図、第２図は半導体基板裏面へ液を噴出して
いる様子を表わした図である。 １・・・半導体基板、２・基体、３・・・回転軸、４
・ポンプ、５・・・ノズル、６・・・ポンプ、７・ノズ
ル、８・・・液の壁 特許出願人 九州日本電気株式会社
装置の断面図、第２図は半導体基板裏面へ液を噴出して
いる様子を表わした図である。 １・・・半導体基板、２・基体、３・・・回転軸、４
・ポンプ、５・・・ノズル、６・・・ポンプ、７・ノズ
ル、８・・・液の壁 特許出願人 九州日本電気株式会社
Claims (1)
- （１）半導体基板を真空吸着し、これを回転運動させる
基体を有し７、半導体基板表面に現像処理液或いは感光
性樹脂液を適量滴下するノズルを前記基体の上方に設置
し２だ半導体装置の製造装置において、半導体基板を真
空吸着させる前記基体の周囲に半導体基板裏面へ洗浄液
を噴出する複数のノズルを設置し７たことを特徴とする
半導体装置製造装置扛。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58236573A JPS60127730A (ja) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | 半導体装置製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58236573A JPS60127730A (ja) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | 半導体装置製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60127730A true JPS60127730A (ja) | 1985-07-08 |
Family
ID=17002633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58236573A Pending JPS60127730A (ja) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | 半導体装置製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60127730A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100412318B1 (ko) * | 2001-10-18 | 2003-12-31 | 주식회사 라셈텍 | 양면 동시 세정이 가능한 매엽식 웨이퍼 세정장치 |
| KR100429096B1 (ko) * | 2001-04-28 | 2004-04-28 | 주식회사 라셈텍 | 양면 동시세정이 가능한 매엽식 웨이퍼 세정장치 |
| CN103186049A (zh) * | 2011-12-30 | 2013-07-03 | 北大方正集团有限公司 | 一种涂胶显影机及其使用方法 |
-
1983
- 1983-12-14 JP JP58236573A patent/JPS60127730A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100429096B1 (ko) * | 2001-04-28 | 2004-04-28 | 주식회사 라셈텍 | 양면 동시세정이 가능한 매엽식 웨이퍼 세정장치 |
| KR100412318B1 (ko) * | 2001-10-18 | 2003-12-31 | 주식회사 라셈텍 | 양면 동시 세정이 가능한 매엽식 웨이퍼 세정장치 |
| CN103186049A (zh) * | 2011-12-30 | 2013-07-03 | 北大方正集团有限公司 | 一种涂胶显影机及其使用方法 |
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