KR20050004482A - 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치 및 방법 - Google Patents

반도체 기판의 가장자리부 처리 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 기판의 가장자리부를 처리하는 장치에 관한 것으로, 상기 장치는 반도체 기판이 놓여지는 지지부, 상기 반도체 기판의 보호면으로 유체가 유입되는 것을 방지하며 상하로 이동 가능한 보호커버, 상기 반도체 기판의 가장자리부에 약액을 공급하는 약액공급노즐, 그리고 상기 반도체 기판의 가장자리부를 세정하는 세정부를 가진다. 세정부는 순수를 분사하여 세정공정을 수행하는 순수공급부와 브러쉬에 의해 세정공정을 수행하는 브러쉬 세정부를 가진다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼의 가장자리부 식각이 이루어진 후에 가장자리부에 잔존하는 이물질 등을 효과적으로 제거할 수 있다.

Description

반도체 기판의 가장자리부 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE'S EDGE}
본 발명은 반도체 소자를 제조하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 반도체 기판의 가장자리부에 잔존하는 막질을 제거하고 이를 세정하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 제조를 위해서 웨이퍼와 같은 반도체 기판 상에 산화막, 질화막, 금속막과 같은 복수의 막들이 적층된다. 이들 막 상에는 포토레지스트와 같은 감광막을 도포한 후 레티클에 형성된 패턴을 웨이퍼 위로 전사하는 포토공정이 수행된다. 이후 식각공정에 의해 웨이퍼 상에는 원하는 패턴만이 남게 된다. 그러나 웨이퍼의 가장자리부와 베벨부에 막(산화막, 질화막, 금속막, 포토레지스트막)들이 잔존하면, 후속공정에서 웨이퍼를 이송하는 과정에서 아암 등에 의해 웨이퍼의 가장자리가 파지될 때, 파지부위의 막이 떨어져 설비 내를 부유하게 되고, 이들은 파티클로 작용된다.
이를 방지하기 위해 웨이퍼의 가장자리부에 막들을 제거하는 공정이 요구되며, 종래에는 웨이퍼 가장자리를 식각하기 위해서 패턴이 형성된 웨이퍼의 상부면 중 식각하고자 하는 웨이퍼 가장자리를 제외한 부분을 보호용 액 또는 마스크로 보호한 후 웨이퍼 전체에 식각액을 분사하거나, 웨이퍼를 식각액이 채워진 배쓰에 담그는 방법을 사용하였다. 그러나 이러한 방법은 보호용 액 또는 마스크로 패턴부가 형성된 부분을 보호하는 과정과, 식각 후에 이들을 다시 제거하는 과정을 가지므로 작업시간이 오래 걸리고, 식각액이 다량 소모되는 문제가 있다.
또한, 상술한 방법으로 식각 공정이 수행된 이후에도 막들이 완전하게 제거되지 않아 막들이 웨이퍼 가장자리 베벨부에는 미세하게 돌출된 형상으로 잔존한다. 웨이퍼 가장자리 베벨부에 폴리막과 질화막과 같은 막들이 잔존하면, 후속공정인 스토리지 노드(storage node) 분리후, 이들 막상에 증착된 산화막을 습식하는 식각 공정이 진행될 때, 질화막과 폴리막의 이물질들이 스토리지 노드들 사이로 유입된다. 이는 TR간 브릿지(bridge)를 유발하며 불량을 초래하며, 이로 인해 전체적인 수율이 감소된다.
본 발명은 웨이퍼의 가장자리부 상에 불필요 막들을 효과적으로 제거할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1a와 도 1b는 웨이퍼의 부분별 명칭을 정의하기 위한 웨이퍼의 정면도와 측면도;
도 2는 본 발명의 바람직한 일실시예에 의한 웨이퍼 가장자리부 처리 장치의 사시도;
도 3은 도 2의 보호체와 하우징을 아래에서 바라본 사시도;
도 4는 약액분사부와 세정부가 결합된 상태의 보호커버 사시도;
도 5는 약액분사부의 구조를 개략적으로 보여주는 도면;
도 6은 순수공급부의 구조를 개략적으로 보여주는 도면;
도 7은 브러쉬 세정부의 제 1실시예를 개략적으로 보여주는 도면;
도 8은 웨이퍼 가장자리 베벨부에 부분적으로 잔존하는 막질을 보여주는 도면;
도 9는 약액 공급부를 보여주기 위한 샤프트의 단면도;
도 10은 도 7의 브러쉬 세정부의 변형된 예를 개략적으로 보여주는 도면;
도 11a는 브러쉬 세정부의 제 2실시예를 개략적으로 보여주는 도면;
도 11b는 도 11a의 브러쉬 세정부를 사용시 웨이퍼의 가장자리 베벨부의 세정 공정이 수행되는 상태를 도시한 도면;
도 12는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 웨이퍼 가장자리부 처리 방법을 순차적으로 보여주는 플로우차트;그리고
도 13는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 브러쉬 세정부에 의한 세정공정방법을 순차적으로 보여주는 플로우차트이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
14 : 웨이퍼 가장자리부 14a : 가장자리 상부
14b : 가장자리 베벨부 120 : 서셉터
200 : 보호커버부 220 : 보호체
240 : 하우징 260 : 보호체 이동부
300 : 약액분사부 320 : 약액분사노즐
400 : 순수공급부 420 : 세정노즐
500 : 브러쉬 세정부 510 : 브러쉬
520 : 샤프트 580 : 약액 공급부
상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명인 웨이퍼 가장자리부 및 베벨부 처리 장치는 반도체 기판이 놓여지는 지지부와 상기 반도체 기판의 보호면으로 유체가 유입되는 것을 방지하며 상하로 이동 가능한 보호커버를 가진다. 또한, 상기 반도체 기판의 가장자리부에 제 1약액을 공급하는 약액공급노즐과 상기 반도체 기판의 가장자리부를 세정하는 세정부가 제공된다.
상기 세정부는 상기 반도체 기판의 가장자리부에 순수를 공급하여 세정공정을 수행하는 순수공급부와 브러쉬에 의해 세정공정을 수행하는 브러쉬 세정부를 가진다. 상기 브러쉬 세정부는 브러쉬, 상기 브러쉬 내에 삽입되는 샤프트, 그리고 상기 샤프트를 그 중심축에 대해 회전시키는 구동부를 포함한다.
브러쉬 세정부의 일예에 의하면 상기 샤프트는 상기 서셉터와 수직하게 배치되고, 상기 반도체 기판의 가장자리 베벨부는 상기 브러쉬의 측면과 접촉된다. 또한, 상기 브러쉬에 의해 세정 공정이 진행되는 도중에 상기 브러쉬를 길이방향으로 수직 이동시키는 수직구동부가 제공될 수 있다.
브러쉬 세정부의 다른예에 의하면 상기 샤프트는 상기 서셉터 외부에 상기서셉터의 반경방향과 일직선으로 배치되고, 상기 반도체 기판의 베벨부는 상기 브러쉬의 전면과 접촉된다.
브러쉬 세정부의 또 다른 예에 의하면 상기 브러쉬 세정부는 내부에 샤프트가 삽입된 상부 브러쉬와 내부에 샤프트가 삽입되며 상기 상부 브러쉬와 접촉 또는 일정거리 이격되어 상기 상부 브러쉬와 마주보도록 배치된 하부 브러쉬를 가지며 상기 반도체 기판의 가장자리 베벨부는 상기 상부 브러쉬와 상기 하부 브러쉬 사이에 삽입되어 상기 상부 브러쉬 및 상기 하부 브러쉬와 접촉된다. 또한, 상기 브러쉬에 의해 세정 공정이 진행되는 도중에 상기 상부 브러쉬와 상기 하부 브러쉬를 길이방향으로 수평 이동시키는 수평구동부가 제공될 수 있다.
또한 본 발명에 의하면 상기 브러쉬 세정부는 상기 브러쉬에 제 2약액을 공급하는 약액 공급부를 더 포함하며, 상기 약액 공급부는 상기 샤프트의 내부에 형성된 메인공급로, 상기 메인공급로로부터 상기 샤프트의 외주면까지 관통된 복수의 서브공급로들, 그리고 상기 메인공급로로 상기 제 2약액이 공급되는 공급라인을 가진다.
또한, 본 발명에 의한 반도체 기판의 가장자리부 처리 방법에 의하면, 상기 방법은 반도체 기판이 서셉터에 의해 지지되는 단계, 보호커버가 하강되어 상기 반도체 기판의 보호면을 보호하는 단계, 약액 공급 노즐로부터 제 1약액이 공급되어 상기 반도체 기판의 가장자리부를 식각하는 단계, 상기 반도체 기판의 가장자리부에 순수를 공급하는 단계, 그리고 상기 반도체 기판의 가장자리 베벨부를 브러쉬 세정부를 사용하여 세정하는 단계를 포함한다. 상기 브러쉬 세정부에 의해 세정 공정이 진행시 상기 반도체 기판의 가장자리 베벨부에 순수가 공급될 수 있다.
상기 브러쉬 세정부를 사용하여 세정하는 단계는 상기 반도체 기판의 가장자리 베벨부와 접촉되도록 브러쉬를 이동하는 단계, 상기 브러쉬 내부에 삽입된 샤프트 내에 형성된 약액 공급부를 통해 제 2약액을 상기 브러쉬로 제공하는 단계, 그리고 상기 브러쉬를 내부에 삽입된 샤프트의 길이방향으로 직선 이동시키는 단계를 포함한다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 13을 참조하면서 보다 상세히 설명한다. 상기 도면들에 있어서 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 동일한 참조번호가 병기되어 있다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
본 발명에서 칭하는 웨이퍼(10)의 각부분별 명칭은 다음과 같다. 웨이퍼(10)의 정면도와 측면도를 각각 도시한 1a와 도 1b를 참조하면, 본 실시예에서 사용되는 용어 중 웨이퍼의 상부면은 웨이퍼의 양면중 패턴이 형성된 면을 칭하고, 웨이퍼의 하부면은 그 반대면을 칭한다. 또한, 웨이퍼의 보호면(12)은 상기 웨이퍼의 상부면 중 미완성의 칩이 위치되는 웨이퍼 가장자리부(14)를 제외한 부분으로 가장자리부에 분사되는 약액이 닿는 것으로부터 보호되는 면을 칭한다. 웨이퍼 가장자리부(14)는 웨이퍼의 상부면 가장자리에 해당되는 평행한 부분인 상부 가장자리(14a)와 측면으로 볼록하게 돌출된 부분에 해당되는 가장자리 베벨부(14b)로 구성된다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 기판 가장자리부 처리 장치(100)의 사시도이다. 도 2를 참조하면, 장치(100)는 서셉터(susceptor)(120), 보호커버부(shielding cover)(200), 약액분사부(etchant spray part)(300), 그리고 세정부(cleaner part)(600)를 가진다. 서셉터(120)는 웨이퍼(10)가 놓여지는 부분으로 원형의 판 형상을 가질 수 있다. 웨이퍼(10)는 기계적 고정수단인 클램프에 의해 서셉터(120)에 고정되거나, 진공에 의해 서셉터(120)에 흡착 고정될 수 있다. 서셉터(120)의 아래에는 일단이 서셉터(120)에 고정된 지지로드(도시되지 않음)가 위치되며, 지지로드는 공정진행 중 모터(도시되지 않음)에 의해 서셉터와 함께 회전될 수 있다. 서셉터(120)의 둘레에는 공정진행 중 약액이 주변으로 튀는 것을 방지하기 위해 상부가 개방된 바울(bowl)(140)이 배치될 수 있다.
보호커버부(200)는 공정진행시 웨이퍼의 가장자리부(14)에 공급되는 식각액이 웨이퍼의 보호면(12)으로 유입되는 것을 방지하기 위한 것으로, 보호커버부(200)는 보호체(220), 하우징(240), 그리고 보호체 이동부(260)를 가진다.
도 3은 보호체(220)의 하부면이 보이도록 아래에서 바라본 사시도이다. 도 3을 참조하면, 보호체(220)는 공정진행중 웨이퍼의 상부면과 대향되어 웨이퍼의 보호면(12)을 약액으로부터 직접 보호하는 부분이고, 하우징(240)은 보호체(220)로부터 상부로 연장되며 후술하는 약액분사노즐(320), 세정노즐(420), 그리고 브러쉬(510)를 이동하는 구동부를 삽입하는 부분이다.
보호체(220)는 원형의 형상으로, 평평한 판 형상의 중앙부와 원형의 링형상으로 아래방향으로 돌출된 돌기(224)가 형성된 가장자리부를 가진다. 돌기(224)는 웨이퍼의 보호면(12)과 상응되는 크기로 형성된다. 공정진행 중 보호체의 돌기(224)는 웨이퍼의 보호면(12)으로부터 기설정된 간격으로 이격된 상태로 위치된다. 이로 인해 웨이퍼의 보호면(12)과 보호체의 하부면(225) 사이에는 소정공간이 제공되며 보호체의 하부면(225) 중앙에는 상술한 공간으로 질소와 같은 비활성가스를 분사하는 분사구(226)가 형성된다. 비활성 가스는 보호체의 돌기(224) 바깥쪽으로 제공되는 식각액이 상술한 공간 내로 유입되는 것을 방지한다.
하우징(240)은 이를 상하로 수직 이동하는 보호체 이동부(260)에 결합된다. 하우징(240)은 공정진행 전에는 서셉터(120)로부터 상당거리 이격되어 위치되나, 공정진행시에는 서셉터(120)에 놓인 웨이퍼(10)와 매우 적은 간격 이격되도록 위치된다. 보호체 이동부(260)는 하우징(240)의 상부면에 그 일단이 결합되는 지지아암(262)과 지지아암(262)의 타단에 결합되어 유공압 실린더(도시되지 않음)에 의해 상하로 구동되는 이동로드(264)를 가질 수 있다. 또한, 이동로드(264)는 수직으로 직선 이동할 수 있도록 중공원통형의 가이드(266)에 삽입되어, 가이드(266) 내의 통로를 따라 이동될 수 있다.
도 4는 약액분사부와 세정부가 결합된 보호체와 하우징의 사시도이고, 도 5는 약액분사부를 개략적으로 보여주는 도면이다. 약액분사부(300)는 웨이퍼의 가장자리부(14)에 식각액을 분사하는 부분으로, 도 5를 참조하면, 약액분사부(300)는 약액분사노즐(etchant spray nozzle)(320), 약액공급라인(etchant supply line)(360), 그리고 노즐이동부(nozzle moving part)를 가진다. 약액분사노즐(320)은 웨이퍼의 가장자리 상부에 배치되며, 그 분사구(322)는 웨이퍼(10)에 수직하게 놓이거나 웨이퍼(10)의 바깥쪽을 향해 경사지도록 배치될 수 있다. 약액분사노즐의 분사구(322)는 보호체의 최외곽부(상술한 돌기가 형성된 부분보다 바깥쪽에 위치된 부분)에 형성된 홈(228a)에 삽입되거나 그 상부에 위치되도록 배치될 수 있다. 약액분사노즐(320)은 웨이퍼의 가장자리부(14)에 형성된 상층막을 식각하기에 적합한 약액을 분사한다. 예컨대, 상층막이 산화막인 경우, 약액분사노즐(320)로부터 분사되는 약액은 플루오르화수소(HF)일 수 있다.
약액분사노즐(320)은 노즐이동부(340)에 의해 수평방향으로 직선 이동될 수 있다. 노즐이동부(340)는 약액분사노즐(320)을 지지하는 지지로드(342)와 지지로드(342)에 결합되어 유공압 실린더와 같은 노즐 구동부(346)에 의해 직선 이동되는 브라켓(344)을 가질 수 있다. 지지로드(342)는 하우징(240)의 측벽에 형성된 홀(242a)을 관통하도록 삽입되며, 구동부(346)는 하우징(240) 내에 배치될 수 있다. 상술한 노즐이동부(340)의 구조는 일예에 불과하며, 약액분사노즐(320)을 직선으로 이동시키기 위해, 노즐이동부(340)는 다양한 구조 및 메커니즘을 가질 수 있다. 약액공급라인(360)은 약액분사노즐(320)로 공급되는 약액의 이동통로로, 약액공급라인(360)은 지지로드(342) 내에 홀을 형성함으로써 제공될 수 있다. 상술한 약액분사부(300)는 공정에 소요되는 시간의 단축을 위해 복수개가 제공될 수 있다.
세정부(600)는 약액분사노즐(320)에 의해 식각된 웨이퍼의 가장자리부(14)를 세정하는 부분이다. 세정부(600)는 웨이퍼의 가장자리부(14)에 순수를 분사하여 세정공정을 수행하는 순수공급부(pure water supply part)(400)와 회전하는 브러쉬에 의해 세정공정을 수행하는 브러쉬 세정부(brush cleaner part)(500)를 가진다.
순수공급부(400)를 개략적으로 보여주는 도 6을 참조하면, 순수공급부(400)는 세정노즐(420), 세정노즐(420)과 연결되는 순수공급라인(440), 세정노즐(420)을 직선 이동시키는 세정노즐 이동부(420), 그리고 순수공급라인(440)을 흐르는 유체에 초음파를 인가하는 초음파 발생부(megasonic generator)(460)를 가진다. 순수공급부(400)에 의한 세정은 웨이퍼 가장자리부(14)에 식각 공정이 완료된 후 수행되거나 후술할 브러쉬에 의한 세정 공정이 수행되는 동안에도 순수를 분사할 수 있다.
세정노즐의 분사구(422)는 보호체의 가장자리에 형성된 홈(228b)의 상부에 웨이퍼(10)와 수직으로 배치되거나 일정각도 경사진 상태로 배치될 수 있다. 세정노즐(420)은 세정노즐 이동부(440)에 의해 직선으로 이동될 수 있으며, 세정노즐 이동부(440)는 세정노즐(420)에 결합되는 지지아암(442)과, 지지아암(442)을 부착하며 세정노즐 구동부(446)에 의해 직선 이동되는 브라켓(444)을 가진다.
지지아암(442)은 하우징 측벽에 형성된 홀(242b)을 관통하도록 삽입되며, 세정노즐 구동부는 하우징 내에 배치될 수 있다. 순수공급라인(460)은 세정노즐(420)에 공급되는 순수의 이동통로로 지지아암(442)의 내부에 홀을 형성하여 이루어질 수 있다. 초음파 발생부(460)는 웨이퍼(10)에 초순수를 공급하는 부분으로 세정노즐(420) 또는 순수공급라인(440)을 흐르는 유체에 초음파를 인가한다. 상술한 순수공급라인(400)는 공정에 소요되는 시간의 단축을 위해 복수개가 제공될 수 있다.
브러쉬 세정부(500)는 웨이퍼의 가장자리 베벨부(14b) 세정하기 위한 부분이다. 브러쉬 세정부(500)의 제 1실시예를 개략적으로 보여주는 도 7을 참조하면, 브러쉬 세정부는 브러쉬(brush)(510), 샤프트(shaft)(520), 회전 구동부(rotating driving part)(530), 수평 구동부(horizontal driving)(550), 수직 구동부(vertical driving)(570), 그리고 약액 공급부(etchant supply part)(680)를 가진다. 샤프트(520)는 웨이퍼(10)와 수직하게 위치된다. 샤프트(520)의 외측 일부에는 브러쉬(510)가 삽입된다. 브러쉬(510)는 통모양의 브러쉬가 사용되거나, 솔모양의 브러쉬가 사용될 수 있다. 샤프트의 양단은 브러쉬(510)의 고정을 위해 중앙보다 넓은 단면을 가지며, 브러쉬의 재질로는 테프론 계열의 PVA가 사용될 수 있다.
샤프트(520)의 일단에는 샤프트(520)를 회전시키는 모터와 같은 회전구동부(530)가 연결된다. 모터(530)는 수평 구동부(550)에 의해 수평으로 직선 이동되는 지지아암(540)에 결합된다. 지지아암(540)은 원통형의 로드형상으로 형성되며, 보호커버부의 하우징(240) 측면에 형성된 홀(242c)을 관통하도록 삽입된다.
지지아암(540)은 브러쉬 세정 공정이 진행될 때에는 브러쉬(510)의 측면이 웨이퍼의 가장자리 베벨부(14b)에 접촉되도록 하우징(240) 안쪽을 향해 직선 이동되고, 브러쉬 세정 공정이 진행되지 않을 때에는 브러쉬(510)의 측면이 웨이퍼 가장자리 베벨부(14b)로부터 이격되도록 하우징(240)의 바깥쪽으로 직선 이동된다.또한, 브러쉬 세정부(500)는 브러쉬(510)를 상하로 직선 이동시키기 위해 수평구동부(550)가 결합된 브라켓(560)을 상하로 수직 이동시키는 수직구동부(570)를 가진다. 이는 브러쉬(510)의 손상을 줄이기 위해 공정이 진행되는 동안 웨이퍼의 가장자리 베벨부(14b)에 브러쉬(510)의 측면 일단부터 타단이 고르게 접촉되도록 하기 위한 것이다.
웨이퍼의 가장자리부(14)에 약액 공급부(300)로부터 식각액이 분사되어 식각 공정이 수행될 때, 도 8에서 보는 바와 같이 웨이퍼의 가장자리 베벨부(14b)에 부분적으로 식각되지 않는 막(20)이 존재한다. 막(20)이 폴리막이나 질화막인 경우에는 다음과 같은 문제가 있다. 후속되는 공정에서 막의 상층에 BPSG막과 같은 산화막이 증착된 후 스토리지 노드(storage node)를 분리하고, 이후에 산화막 습식 식각이 진행될 때, 산화막의 아래에 형성된 폴리막이나 질화막이 보호면 내에 형성된 패턴들 중 스토리지 노드들 사이로 유입되어 TR간 브릿지(bridge)를 유발한다. 이를 방지하기 위해 브러쉬 세정부(500)는 브러쉬 세정 공정이 수행되는 동안 웨이퍼의 가장자리 베벨부(14)에 잔존하는 폴리막이나 질화막과 같은 막을 제거하기 위해 브러쉬(510)로 식각액을 공급하는 약액 공급부(580)를 가진다. 약액으로는 예컨대, 질산과 플루오르화 수소(HF)가 사용될 수 있다. 약액 공급부(580)는 메인 공급로(582)와 서브 공급로들(584), 그리고 약액 공급라인(520)을 가진다.
약액 공급부(580)의 구조를 개략적으로 보여주는 도 9를 참조하면, 메인공급로(582)는 브러쉬(510)에 삽입된 샤프트(520)의 내부에 샤프트(520)의 길이방향으로 형성된다. 서브공급로(584)는 메인공급로(582)부터 샤프트(520)의 반경방향으로연장되어 샤프트의 외측벽까지 관통된 부분으로, 브러쉬(510)에 의해 둘러싸인 부분에 형성된다. 약액 공급라인(526)은 그 일단은 외부의 약액 저장부(도시되지 않음)와 연결되고, 타단은 메인공급로(582)와 연결된다. 브러쉬 세정공정 진행 중 약액공급라인(526), 메인공급로(582) 및 서브공급로(584)를 통해 제공되는 약액이 배어 든 상태에서 브러쉬(510)는 상하로 직선 이동되며 웨이퍼의 가장자리 베벨부(14b)에 잔존하는 막질을 제거하며, 이를 세정한다.
본 실시예에서 약액 분사부(300), 순수공급부(400), 그리고 브러쉬 세정부(500)는 각각 하우징(240)과 결합되도록 도시되었다. 그러나 이는 일예에 불과하며, 약액 분사부(300), 순수공급부(400), 그리고 브러쉬 세정부(500)는 서셉터(120) 또는 보호커버부(200) 주변에 배치된 프레임이나 베이스에 결합될 수 있다.
브러쉬는 공정조건, 제거하고자 하는 이물질 상태, 및 제거하고자 하는 이물질의 종류에 따라 다양한 형태로 배치될 수 있다. 도 10은 제 1실시예에 의한 브러쉬 세정부(500)의 변형된 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 10을 참조하면, 브러쉬 세정부(700)는 브러쉬(710), 샤프트(720), 회전구동부(730), 수평구동부(750), 그리고 약액 공급부(도시되지 않음)를 가진다. 샤프트(720)는 웨이퍼(10)의 반경방향으로 웨이퍼(10)로부터 일정거리 이격된 상태로 배치되고, 샤프트(720)의 일단에는 샤프트를 회전시키는 모터와 같은 회전구동부(730)가 연결된다. 모터(730)는 수평구동부(750)에 의해 웨이퍼의 반경방향으로 직선 이동되는 브라켓(740)에 장착된다. 샤프트(720)의 일측은 브러쉬(710)에 삽입되며, 약액공급로를 통해 공급되는 식각액이 브러쉬(710)에 배어 든 상태에서 브러쉬(710)에 의한 세정 공정이 수행된다. 약액공급로는 제 1실시예와 동일하도록 샤프트(720) 내부에 형성된 메인공급로와 서브공급로들, 그리고 메인공급로에 연결된 약액공급라인으로 구성될 수 있다. 본 실시예에 의하면 수평구동부(750)에 의해 브러쉬(710)는 그 전면(front side)(712)이 웨이퍼의 가장자리 베벨부(14b)에 접촉되도록 이동되고, 이후에 약액이 배어든 상태에서 회전된다.
도 11a는 제 2실시예에 의한 브러쉬 세정부(800)를 개략적으로 보여주는 정면도이고, 도 11b는 도 11a에 의해 브러쉬 세정부(800)에 의해 브러쉬 세정이 진행되는 것을 보여주는 도면이다.
도 11a와 도 11b를 참조하면, 브러쉬 세정부(800)는 상부브러쉬(812)와 하부브러쉬(814)를 가진다. 하부브러쉬(814)와 상부브러쉬(812)는 웨이퍼의 접선방향과 평행한 방향으로 서로 상하로 마주보도록 배치되며, 그 측면은 일정부분 겹쳐지도록 놓여진다. 웨이퍼의 가장자리 베벨부는 상부브러쉬(812)와 하부브러쉬(814) 사이에 형성된 오목한 부분으로 삽입된다. 상부브러쉬(812)의 내부에는 일단이 회전모터(832)와 연결된 상부샤프트(822)가 삽입되고, 하부브러쉬(814)의 내부에는 일단이 회전모터(834)와 연결된 하부샤프트(824)가 삽입된다. 회전모터들(832, 834)은 상부브러쉬(812)와 하부브러쉬(814)를 각각 웨이퍼의 가장자리 베벨부(14)에 접촉 또는 이격시키기 위해 웨이퍼(10)의 반경방향으로 이동시키는 이동부(도시되지 않음)와 브러쉬에 의한 세정공정이 수행되는 도중에 상부브러쉬(812)와 하부브러쉬(814)를 동시에 웨이퍼(10)의 접선방향으로 수평 이동시키는수평이동부(도시되지 않음)와 연결된다.
비록 도면에서 웨이퍼의 가장자리 베벨부가 상부브러쉬와 하부브러쉬에 접촉되도록 도시되었으나, 이외에 웨이퍼의 상부가장자리 및 하부가장자리가 상부브러쉬와 하부브러쉬에 접촉될 수 있다.
도 12는 상술한 구조를 가지는 웨이퍼 가장자리부 처리 장치를 사용하여 웨이퍼 가장자리부 처리 공정이 진행되는 것을 순차적으로 보여주는 플로차트이고, 도 13은 브러쉬 세정부에 의해 웨이퍼 가장자리부가 세정되는 공정을 순차적으로 보여주는 플로차트이다.
도 12와 도 13을 참조하면, 처음에 보호체(220)가 승강된 상태에서 웨이퍼(10)가 이송아암(도시되지 않음)에 의해 서셉터(120) 상에 놓여진다(스텝 S10). 이후 웨이퍼(10)로부터 설정간격만큼 이격되도록 보호체(220)가 아래로 하강되고, 보호체(220)에 형성된 분사구(226)를 통해 질소가스가 분사된다(스텝 S20). 이후에 약액분사노즐(320)을 통해 약액이 분사되고 서셉터(120)가 일정속도로 회전되어 웨이퍼 가장자리부(14)의 식각이 시작된다(스텝 S30). 이후에 세정노즐(420)을 통해 웨이퍼의 가장자리부(14)로 초순수가 공급되어 세정이 시작된다(스텝 S40). 초순수에 의한 세정이 완료되면, 브러쉬(510)에 의한 세정이 수행된다(스텝 S50). 브러쉬(510)에 의한 세정이 수행되는 동안에 세정노즐(420)로부터 초순수가 계속적으로 분사될 수 있다.
브러쉬에 의한 세정공정이 수행되는 과정은 다음과 같다. 브러쉬의 측면(512)이 웨이퍼의 가장자리 베벨부(14b)와 접촉되도록 이동된 후, 샤프트(520)가 회전되면서 세정공정이 시작된다(스텝 S51, S52). 브러쉬 세정부(500)에 의해 세정이 이루어지는 동안 세정노즐(420)로부터 순수는 계속적으로 공급될 수 있다. 브러쉬(510)에 의해 세정이 이루어질 때, 샤프트(520) 내에 형성된 약액 공급부(580)를 통해 브러쉬(510)로 질산과 플루오르화 수소와 같은 약액이 공급된다(스텝 S53). 세정공정이 진행되는 동안 브러쉬는 수평 또는 수직으로 이동되어 웨이퍼의 가장자리부(14)가 브러쉬 측면의 일단에서 타단까지 순차적으로 접촉되도록 한다(스텝 S54). 이로 인해 브러쉬 세정부(500)는 웨이퍼 가장자리부 베벨부에 일부 잔존하는 막질을 제거함과 동시에 세정을 할 수 있다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼의 가장자리부 식각이 이루어진 후에 가장자리부에 잔존하는 이물질 등을 신속하게 제거할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 웨이퍼의 가장자리부 식각시 가장자리 베벨부에 식각되지 않고 부분적으로 잔존하는 막질을 완전히 제거할 수 있으므로, 후속공정에서 이들 막질이 스토리지 노드들 사이로 유입되어 TR간 브릿지를 유발에 의한 불량 발생을 방지할 수 있는 효과가 있다.

Claims (18)

  1. 반도체 기판의 가장자리부를 처리하는 장치에 있어서,
    반도체 기판이 놓여지는 지지부와;
    상기 반도체 기판의 보호면으로 유체가 유입되는 것을 방지하는, 그리고 상하로 이동 가능한 보호커버와;
    상기 반도체 기판의 가장자리부에 제 1약액을 공급하는 약액공급노즐과; 그리고
    상기 반도체 기판의 가장자리부를 세정하는 세정부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 세정부는 상기 반도체 기판의 가장자리부에 순수를 공급하는 순수공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 세정부는 브러쉬에 의해 세정을 수행하는 브러쉬 세정부를 포함하되,
    상기 브러쉬 세정부는,
    브러쉬와;
    상기 브러쉬 내에 삽입되는 샤프트와; 그리고
    상기 샤프트를 그 중심축에 대해 회전시키는 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 샤프트는 상기 서셉터와 수직하게 배치되고,
    상기 반도체 기판의 가장자리 베벨부는 상기 브러쉬의 측면과 접촉되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 브러쉬 세정부는 상기 브러쉬에 의해 세정공정이 진행되는 도중에 상기 브러쉬를 길이방향으로 직선 이동시키는 수직구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치.
  6. 제 3항에 있어서,
    상기 샤프트는 상기 서셉터 외부에 상기 서셉터의 반경방향과 일직선으로 배치되고,
    상기 반도체 기판의 베벨부는 상기 브러쉬의 전면과 접촉되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치.
  7. 제 3항에 있어서,
    상기 브러쉬 세정부는,
    내부에 샤프트가 삽입된 상부 브러쉬와;
    내부에 샤프트가 삽입되며, 상기 상부 브러쉬와 접촉 또는 일정거리 이격되어 상기 상부 브러쉬와 마주보도록 배치된 하부 브러쉬를 가지며,
    상기 반도체 기판의 가장자리 베벨부는 상기 상부 브러쉬와 상기 하부 브러쉬 사이에 삽입되어 상기 상부 브러쉬 및 상기 하부 브러쉬와 접촉되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 브러쉬 세정부는 상기 브러쉬에 의해 세정 공정이 진행되는 도중에 상기 상부 브러쉬와 상기 하부 브러쉬를 길이방향으로 직선 이동시키는 수평구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치.
  9. 제 3항에 있어서,
    상기 브러쉬 세정부는 상기 브러쉬에 제 2약액을 공급하는 약액 공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치.
  10. 제 3항에 있어서,
    상기 약액 공급부는,
    상기 샤프트의 내부에 형성된 메인공급로와;
    상기 메인공급로로부터 상기 샤프트의 외주면까지 관통된 복수의 서브공급로들과; 그리고
    상기 메인공급로로 상기 제 2약액이 공급되는 공급라인을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치.
  11. 반도체 기판의 가장자리부를 처리하는 장치에 있어서,
    반도체 기판이 놓여지는 서셉터와 상기 서셉터를 회전시키는 회전축을 가지는 서셉터부와;
    상기 서셉터부의 상부에 배치되며 상하로 이동되는, 그리고 공정진행시 상기 반도체 기판의 보호면으로 외부의 유체가 유입되는 것을 보호하는 보호커버와;
    상기 보호커버와 결합되며, 상기 반도체 기판의 가장자리부에 제 1약액을 공급하는 제 1약액공급노즐과;
    상기 제 1약액에 의해 식각된 상기 반도체 기판의 가장자리 베벨부를 세정하는 브러쉬 세정부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 브러쉬 세정부는,
    브러쉬와;
    상기 브러쉬 내에 삽입되어 상기 브러쉬를 회전시키는, 그리고 내부에 상기브러쉬로 제 2약액을 공급하는 통로가 형성된 샤프트와; 그리고
    상기 샤프트를 회전시키는 구동부를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 장치는,
    상기 보호커버에 결합되며, 상기 반도체 기판의 가장자리부를 세정하는 순수를 공급하는 순수공급노즐을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치.
  14. 반도체 기판의 가장자리부 처리 방법에 있어서,
    반도체 기판이 서셉터에 의해 지지되는 단계와;
    보호커버가 하강되어 상기 반도체 기판의 보호면을 보호하는 단계와;
    약액 공급 노즐로부터 제 1약액이 공급되어 상기 반도체 기판의 가장자리부를 식각하는 단계와; 그리고
    상기 반도체 기판의 가장자리 베벨부를 브러쉬 세정부를 사용하여 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 가장자리부 처리 방법.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 브러쉬 세정부를 사용하여 세정하는 단계는,
    상기 반도체 기판의 가장자리 베벨부와 접촉되도록 브러쉬를 이동하는 단계와;
    상기 브러쉬 내부에 삽입된 샤프트 내에 형성된 약액 공급부를 통해 제 2약액을 상기 브러쉬로 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 가장자리부 처리 방법.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 브러쉬 세정부를 사용하여 세정하는 단계는,
    상기 브러쉬를 내부에 삽입된 샤프트의 길이방향으로 직선 이동시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 가장자리부 처리 방법.
  17. 제 15항에 있어서,
    상기 방법은,
    상기 브러쉬 세정부를 사용하여 세정하는 단계 이후에,
    상기 반도체 기판의 가장자리 베벨부에 순수를 공급하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 가장자리부 및 베벨부 처리 방법.
  18. 제 14항에 있어서,
    상기 제 1약액이 공급되어 상기 반도체 기판의 가장자리부를 식각하는 단계 이후에,
    상기 반도체 기판의 가장자리부에 순수를 공급하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 가장자리부 처리 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101414717B1 (ko) * 2008-04-25 2014-07-07 한미반도체 주식회사 반도체 패키지 제조장치의 브러쉬 어셈블리

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3933670B2 (ja) * 2005-03-29 2007-06-20 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法及び基板洗浄装置
US20060266383A1 (en) * 2005-05-31 2006-11-30 Texas Instruments Incorporated Systems and methods for removing wafer edge residue and debris using a wafer clean solution
US20070093067A1 (en) * 2005-10-24 2007-04-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer edge cleaning process
JP2007158161A (ja) * 2005-12-07 2007-06-21 Elpida Memory Inc ウエハ洗浄装置及びウエハ洗浄方法
JP5132108B2 (ja) * 2006-02-02 2013-01-30 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
US20090004865A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Kastenmeier Bernd E E Method for treating a wafer edge
JP5035405B2 (ja) * 2009-11-26 2012-09-26 旭硝子株式会社 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法
US20120308346A1 (en) 2011-06-03 2012-12-06 Arthur Keigler Parallel single substrate processing system loader
KR101390659B1 (ko) * 2012-08-21 2014-04-30 (주)미래컴퍼니 파티클 방지용 보호 커버를 구비한 기판 연마 장치 및 기판 연마 방법
US9079210B2 (en) * 2013-07-22 2015-07-14 Infineon Technologies Ag Methods for etching a workpiece, an apparatus configured to etch a workpiece, and a non-transitory computer readable medium
JP6426499B2 (ja) * 2015-02-27 2018-11-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法
TWI661479B (zh) 2015-02-12 2019-06-01 日商思可林集團股份有限公司 基板處理裝置、基板處理系統以及基板處理方法
JP7224128B2 (ja) * 2018-08-09 2023-02-17 株式会社荏原製作所 基板用洗浄具、基板洗浄装置、基板処理装置、基板処理方法および基板用洗浄具の製造方法
JP7166132B2 (ja) * 2018-10-12 2022-11-07 株式会社荏原製作所 基板洗浄部材および基板洗浄装置
CN111162201A (zh) * 2018-11-08 2020-05-15 陕西坤同半导体科技有限公司 柔性组件清洁方法及清洁设备
KR20230021878A (ko) 2021-08-06 2023-02-14 정주용 반도체 웨이퍼의 에지부 및 베벨부를 세정하는 장치

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02130922A (ja) * 1988-11-11 1990-05-18 Toshiba Corp 半導体基板エッチング装置
JPH04363022A (ja) * 1991-06-06 1992-12-15 Enya Syst:Kk 貼付板洗浄装置
US5365031A (en) * 1992-03-23 1994-11-15 Hughes Aircraft Company Apparatus and method for shielding a workpiece holding mechanism from depreciative effects during workpiece processing
US5639311A (en) * 1995-06-07 1997-06-17 International Business Machines Corporation Method of cleaning brushes used in post CMP semiconductor wafer cleaning operations
KR19980022571A (ko) * 1996-09-23 1998-07-06 김광호 반도체 스크러버(Scrubber)장비
US5937469A (en) * 1996-12-03 1999-08-17 Intel Corporation Apparatus for mechanically cleaning the edges of wafers
US5868857A (en) * 1996-12-30 1999-02-09 Intel Corporation Rotating belt wafer edge cleaning apparatus
US6055694A (en) * 1998-11-30 2000-05-02 Tsk America, Inc. Wafer scrubbing machine
US6827814B2 (en) * 2000-05-08 2004-12-07 Tokyo Electron Limited Processing apparatus, processing system and processing method
US6805769B2 (en) * 2000-10-13 2004-10-19 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101414717B1 (ko) * 2008-04-25 2014-07-07 한미반도체 주식회사 반도체 패키지 제조장치의 브러쉬 어셈블리

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