KR20230021878A - 반도체 웨이퍼의 에지부 및 베벨부를 세정하는 장치 - Google Patents

반도체 웨이퍼의 에지부 및 베벨부를 세정하는 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼를 세정하는 장치에 관한 것이다. 보다 구체적으로는, 폴리비닐알콜(PVA) 브러쉬와 폴리우레탄(Polyurethane) 롤러 가스킷을 이용해서 웨이퍼의 에지부와 베벨부에 남은 이물질을 제거하는 장치에 관한 것으로, 강산 또는 강염기와 같은 화학물질을 사용하지 않고 증류수만을 사용하더라도 90~100%의 세정효과를 보여준다.

Description

반도체 웨이퍼의 에지부 및 베벨부를 세정하는 장치{A device for cleaning the edge portion and the bevel portion of a semiconductor wafer}
본 발명은 반도체 웨이퍼를 세정하는 장치에 관한 것이다. 보다 구체적으로는, 폴리비닐알콜(PVA) 브러쉬와 폴리우레탄(Polyurethane) 롤러 가스킷을 이용해서 웨이퍼의 에지부와 베벨부에 남은 이물질을 제거하는 장치에 관한 것으로, 강산 또는 강염기와 같은 화학물질을 사용하지 않고 증류수만을 사용하더라도 90~100%의 세정효과를 보여준다.
일반적으로 반도체 웨이퍼에 패턴을 새기기 위해 DEP 공정을 진행하고, CMP 공정 폴리싱을 한 후, 포토 공정에서 마스킹이 진행된다. 그 후 에칭 공정에서 식각(화학약품을 이용한 표면가공)을 하고, 클리닝 공정에서 세정한다. 그리고 또 다시 DEP, 포토, 에치, CMP 등 위의 공정들을 반복하는데, 이 과정을 500~600번 반복되면, 하나의 완성된 웨이퍼가 비로소 제조된다.
기본적으로 웨이퍼에는 산화막, 질화막, 금속막과 같은 복수의 막들이 적층된다. 이들은 상기와 같은 증착공정, 식각공정, 포토리소그라피공정 등을 거치면서 웨이퍼 표면에 다양한 불순물 또는 이물질이 잔류하게 되는데, 이는 반도체 소자의 성능과 수율을 좌우하는 중요한 요소이기 때문에, 각 공정을 진행하기 전에 세정공정을 거치고 있다.
이러한 오염물질을 제거하는 방법에는 유해한 화학물질을 포함하는 세정액을 사용하거나 복수개의 브러쉬들을 이용할 수 있다.
현재 대부분의 반도체 공정에서 사용되고 있는 대표적인 습식 세정공정은 RCA법으로 매우 효과가 뛰어나 신뢰성 및 재현성이 우수한 것이 장점이지만, 독성이 강한 강염기 및 강산 같은 용액을 사용하므로 다루기가 위험할 뿐만 아니라 이를 처리할 때도 환경적인 문제가 야기된다. 그래서 공정 후 처리되는 폐수는 지역 환경안전법의 규제를 받는다. 그러므로 폐수처리 문제가 환경오염문제를 야기 하기도 한다.
한편 CMP(Chemical Mechanical Polishing) Cleaner의 브러쉬 경우는 웨이퍼의 전면(front side)와 후면(back side)에 회전 접촉하여 웨이퍼에 남은 이물질을 제거할 수 있지만, 웨이퍼의 양끝단에 위치한 에지부와 베벨부에는 브러쉬들이 강하게 접촉하지 않는다. 이로 인하여 특히 베벨부에 묻은 이물질이 제거되지 않아서, 후속 공정에서 웨이퍼 표면 내로 오염이 확산될 수 있으며, 잔여물과 파티클로 인해 심각한 결함(defect)을 유발하여 효율이 떨어진다.
또한 베벨부를 세정하기 위해 CMP 공정에서는 브러쉬를 이용한 스크러버와 화학물질(HF, NH4OH, H2O2 등)을 사용하거나 슬러리(Slurry)를 사용하여 별도의 연마(Buffing)공정을 진행할 수도 있다.
이 경우 화학물질을 사용하면 막대한 재료비용 외에 환경규제 때문에 별도의 배수라인 설치 및 하수처리비용이 발생하며, 별도 장비를 이용하게 되면 공정 단계가 증가하여 생산효율이 떨어진다.
따라서, 유해한 화학물질을 사용하지 않고 막대한 시설 및 장비 투자도 필요하지 않는 친환경적이고 경제적인 세정장치가 필요하다.
미국특허공보 제5,937,469호(등록일 1999.08.17.) 미국특허공개 US 2003/0061675 A1(공개일 2003.04.03.) 국내등록특허 제10-0562502호(등록일 2006.03.13.) 미국특허공개 US 2009/0044831 A1(공개일 2009.02.19.) 국내공개특허 제2014-0043376호(공개일 2014.04.09.)
본 발명은 웨이퍼의 에지부와 베벨부에 묻은 이물질을 효과적으로 제거할 수 있는 웨이퍼 세정장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위하여, 반도체 웨이퍼(300)의 에지부와 베벨부를 세정함에 있어서, 상기 웨이퍼의 양측면에 위치한 전면 및 후면 브러쉬(101, 100)를 구비하되, 상기 브러쉬들은 그 외부 표면상에 복수개의 노듈(nodule) 또는 논-노듈(non-nodule)을 포함하며, 전면 브러쉬(101)는 양끝단이 모두 부채꼴 형상이고 후면 브러쉬(100)는 웨이퍼의 지름과 같거나 조금 작은 길이의 원통형상으로 설치되며, 웨이퍼를 회전시키기 위한 가이드 수단으로 복수개의 롤러(210)와 톱니모양의 가스킷(211, 212)을 포함하는 장치가 제공된다.
또한 본 발명의 또 다른 브러쉬들(102, 103)은 그 외부 표면상에 복수개의 노듈 또는 논-노듈(non-nodule)을 포함하며, 브러쉬 양끝단의 어느 한쪽이 부채꼴 형상을 가지고 전면과 후면에 교차하여 설치될 수 있다.
상기 부채꼴 형상인 브러쉬들(101, 102, 103)의 굴곡점(C)은 웨이퍼 에지부(311, 313)보다는 중심 내부 안쪽 위치에서 경사지게 시작되어야 하며, 부채꼴의 경사각도는 웨이퍼의 베벨부(312, 314) 각도보다 작은 범위에서 설계되는 것을 특징으로 한다.
상기 후면 롤러 가스킷(212)은 웨이퍼(300)에 대해 90°로 설계하고, 전면 롤러 가스킷(211)의 각도는 웨이퍼 베벨부(312, 314)의 각도보다 작게 설계하는 것을 특징으로 한다.
상기 브러쉬의 재질은 폴리비닐알콜(PVA)이고 롤러의 가스킷의 재질은 폴리우레탄(PU)인 것을 특징으로 한다.
상기 브러쉬들과 웨이퍼 사이의 접촉 지점 근처에 액체인 증류수를 제공하기 위한 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
반도체 웨이퍼의 CMP 세정공정에서 화학물질을 사용하지 않고 브러쉬와 롤러만을 개조하여 에지부 및 베벨부를 세정하는 것이므로, 기존의 세정장치 및 하드웨어를 거의 그대로 사용하면서 단지 증류수(DIW, deionized water)만 사용하더라도 90%~100%의 세정효과를 보여줄 수 있다.
단지 브러쉬와 롤러만을 교체하기 때문에, 베벨부 전용 세정장비를 구매하기 위한 투자비를 절감할 수 있다.
HF, NH4OH, H2O2 등과 같은 강산 또는 강염기를 사용하지 않으므로, 친환경적이고 별도의 시설 및 하수처리 비용 등이 필요하지 않으므로 비용 절감 효과가 크다.
나아가 상기 화학물질을 사용하지 않고 증류수만으로도 베벨부의 결함을 손쉽게 제거하므로 반도체 소자의 성능 및 수율이 향상되었다.
도 1은 웨이퍼(300) 양면에 각각 위치한 원통형 브러쉬(100)를 사용하는 세정장치의 개략도이다.
도 2은 웨이퍼 끝단(310)의 에지부(311, 313)와 베벨부(312, 314)를 구분하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 브러쉬들(100, 101)에 대한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 브러쉬들(102, 103)에 대한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 개조된 롤러(210)와 가스킷(211, 212)에 대한 단면도이다.
이하, 본 발명을 도 1~도 5를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.
이하 본 명세서에 기재된 실시예에 기재된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
도 1은 웨이퍼 양면에 각각 위치한 원통형 브러쉬(100)를 사용하는 세정장치를 개략적으로 그린 도면이다. 웨이퍼(300)를 세정하는 스크러버 장치의 정면도(a)와 측면도(b)를 각각 도시한 것으로 웨이퍼의 전면(front side)와 후면(back side)에 원통형 브러쉬(100)가 각각 위치하며, 웨이퍼를 회전하기 위한 가이드 역할을 하며 회전영역 밖으로 벗어나지 않도록 하는 롤러(200)들이 다수 설치되어 있다.
종래의 원통형 브러쉬는 웨이퍼를 세척하는데 도움을 주기 위해 그 외부 표면 상에 복수개의 노듈(nodule) 또는 노듈 없이 평평한 모양을 가질 수 있고 이것이 웨이퍼의 표면에 접촉되면서 오염물질을 제거한다. 하지만 상기의 세정장치에서는 구조적인 메카니즘으로 인해 웨이퍼의 가장자리인 에지부와 베벨부에 남아있는 오염물질을 완벽하게 제거할 수가 없다.
여기서 웨이퍼 끝단(310)에 위치한 에지부(311, 313)와 베벨부(312, 314)의 구분은 도 2를 참고하여 설명한다. 웨이퍼의 에지 비드 제거(EBR, Edge Bead Removal) 지점(B)을 기준으로 웨이퍼 중심방향으로 대략 2~3mm정도(200mm wafer 기준) 거리(A)까지를 에지부라고 하고, B를 기준으로 웨이퍼 끝단 부분까지를 베벨부(꼭짓점 포함)라고 한다.
웨이퍼의 전면 브러쉬와 후면 브러쉬가 압력을 받아 맞물려 회전하면서 세정하지만, 가장자리인 베벨부 영역은 크게 압력을 받지 않아 별도의 화학물질을 사용하지 않으면 깨끗하게 세정되지 않는다. 이것은 브러쉬가 웨이퍼를 사이에 두고 서로 맞닿을때 웨이퍼 에지부에 닿는 힘이 분산되기 때문이다.
특히 웨이퍼의 꼭짓점(APEX, 315)만 롤러에 접촉되어 회전되고 있고 베벨부(312, 414) 영역은 접촉하지 않는 구조로 되어 있다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 브러쉬(100, 101)에 대한 단면도이다. 상기의 종래기술 브러쉬를 개조하여 에지부와 베벨부를 집중적으로 접촉할 수 있는 구조를 가진 새로운 브러쉬를 고안한 것이다. 이는 회전하는 브러쉬 샤프트(110)를 중심으로 좌우 양끝에 부채꼴 형상을 가진 덤벨모양을 가진 브러쉬(101)를 사용한다. 물론 외부 표면에는 복수개의 돌출형상을 가진 노듈 또는 평평한 표면을 가진다.
세정하고자 하는 웨이퍼의 양측면에 각각 설치되는 브러쉬 중에서 전면에만 본 발명의 개조된 브러쉬(101)를 사용하고 후면에는 종래의 일반적인 원통형 브러쉬(100)를 사용하여도 된다. 또 다른 일실시예로 전면과 후면에 한쪽 끝단에만 부채꼴 형상으로 개조된 브러쉬(102, 103)를 각각 사용할 수 있으며, 이에 대해서는 도 4를 참조할 수 있다.
본 발명의 개조된 브러쉬들(101, 102, 103)은 기존의 세정장비에 단순히 브러쉬를 교체하는 방식으로 충분히 사용할 수 있으며, 브러쉬 양끝단의 부채꼴 모양이 경사지게 시작하는 굴곡점(C)은, 웨이퍼 에지부에서 수mm 이상 안쪽에서 시작하게 만들면 된다. 한편, 도 3의 후면 브러쉬(100)의 양쪽 끝은 웨이퍼 길이(예, 6”, 8”, 12” 등) 끝선에 맞춰서 같거나 수mm 작게 설치하는 것이 바람직하다.
즉 후면의 브러쉬 길이(L1)를 기준으로 할 때, 전면의 개조된 브러쉬(101)의 굴곡점이 시작하는 위치는 L2 만큼 안쪽으로 위치하여야 한다. 즉 L1은 웨이퍼 길이(지름)와 같거나 수mm 정도 작게 만드는 것이 바람직하다. 또한 웨이퍼의 전면 및 후면 모두를 세정할 필요가 있는 경우(도 4 참조), 한쪽 끝단만 부채꼴 형상인 브러쉬(102, 103)를 교차로 사용하게 되는데, 이때 브러쉬의 반대편(다른 끝단)도 웨이퍼 길이(지름)보다 같거나 수mm정도 작게 만들 필요가 있다.
또한 브러쉬 양끝의 부채꼴 경사각도는 웨이퍼의 베벨부 각도보다 작게 만들어야 회전시 강하게 접촉할 수 있다. 이에 대해서는 아래 롤러(210)에서 추가적으로 설명하도록 한다(도 5 참조).
일반적으로 웨이퍼 제작업체에 따라 베벨의 각도는 다르고, 전면과 후면의 각도도 다르다. 따라서 이에 맞춰서 개조할 브러쉬의 부채꼴 경사각도를 정하면 된다.
브러쉬의 재질은 일반 반도체용이면 충분하고 나일론 또는 폴리비닐알콜 중에서 선택할 수 있다. 이 중에서 폴리비닐알콜(PVA)이 가장 바람직하다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 개조된 롤러(210)와 가스킷(211, 212)에 대한 단면도이다.
일반적인 CMP 세정장치에는 1개의 브러쉬 유니트(BU)에 3개 이상의 롤러를 가지고 있다. 롤러는 웨이퍼의 가이드 역할을 하며 웨이퍼가 회전영역 밖으로 벗어나지 않게 한다. 상기 개조된 브러쉬에 대응하여, 세정력을 높이기 위해서 회전하는 웨이퍼를 지지할 수 있는 롤러 역시 개조할 필요가 있으며, 특히 화학물질을 투입하지 않고 웨이퍼의 에지부 및 베벨부를 세정하기 위해서는 기본적으로 롤러가 물리적으로 강하게 접촉할 수 있는 구조가 필요하다.
그래서 개조된 롤러(210) 1~2개는 웨이퍼(300)의 전면 베벨부의 각도에 맞추고 다른 1~2개는 웨이퍼 후면 각도에 맞춰 제작한 톱니모양의 폴리우레탄 재질의 가스킷(211, 212)을 중간에 끼워서 기존의 롤러를 개조하여 사용한다.
후면 롤러 가스킷(212)을 웨이퍼에 대해 90°로 만드는 이유는 전면 베벨부에 접촉되는 압력을 최대화하기 위한 것이고, 전면 롤러 가스킷(211)의 각도는 웨이퍼 베벨부의 각도보다 작게 만들어서 베벨부에 강하게 접촉할 수 있도록 설계할 필요가 있다.
가스킷의 톱니모양 때문에 기계적인 세정효과가 보다 높아지게 되며, 상기와 같은 각도를 유지함으로 인해 웨이퍼의 베벨부에 롤러가 물리적으로 강하게 접촉하게 되므로, 추가적인 화학물질 투여 없이도 충분히 오염물질을 제거할 수 있는 것이다.
웨이퍼에 접촉하는 롤러 가스킷은 폴리우레탄(PU) 재질이 바람직하며, 이는 PVA 브러쉬보다 경도가 세야 하며 물리적으로 기계적으로 문질러 주어야 하므로 보통 50~110 Shore A를 가지는 것이 적당하다. PVA와 PU는 웨이퍼 재질보다 약해서 웨이퍼에 스크래치(scratch)를 유발하지 않는다.
따라서 본 발명에 의하면, 개조된 브러쉬와 롤러를 기존의 장치에서 단순 교체하는 방식을 채택하면서, 증류수(DIW)만을 사용하더라도 웨이퍼의 베벨부의 이물질 제거율을 90~100%까지 올릴 수 있다.
이는 폴리우레탄 가스킷(211, 212)이 끼워진 롤러(210)에서 물리적 또는 기계적으로 베벨부를 문지른 후에, 물을 적신 개조된 PVA 브러쉬로 추가로 닦아주는 원리를 이용한 것이다.
한편 화학물질없이 증류수로만 웨이퍼의 베벨부를 세정하면 브러쉬와 롤러 가스킷에 마모현상이 발생할 수 있으므로, 공정에 따른 마모층의 두께와 시간이나 브러쉬/가스킷 경도 등을 감안하여 마모도를 측정한 후 수명(Life Time)을 결정하는 것이 바람직하다.
본 발명의 개조된 브러쉬와 롤러(가스킷 포함)를 적용한 세정장치를 사용하여 웨이퍼의 이물질 제거율을 KLA-Tencor 장비로 측정한 결과는 다음 표 1과 같다. 2개의 브러쉬 유니트(BU#1, BU#2)을 연속적으로 거친 후의 최종 제거율을 살펴보았으며, 개조된 브러쉬로는 도면 3의 전면 브러쉬(101)을 사용하였고 개조된 롤러는 도 5 (a)의 롤러(220)를 선택하였다. 실험과정에 있어서 HF 등과 같은 화학물질은 전혀 사용하지 않고 증류수만을 사용한 결과이다.
BU #1 BU #2 이물질 제거율
브러쉬 롤러 브러쉬 롤러
TEST 1 X X O O 40%~50%
TEST 2 O O X X 40%~50%
TEST 3 X O X O 45%~55%
TEST 4 O X O X 45%~60%
TEST 5 O O O O 90%~100%
* 상기 브러쉬 유니트(BU #1, BU #2)의 O는 브러쉬 또는 롤러를 개조한 것을 의미하고, X는 브러쉬 또는 롤러를 개조하지 않은 기존의 것을 의미함.
단지 1개이상 개조된 브러쉬 또는 롤러를 사용하더라도, 기존의 세정장치보다는 40~60% 향상된 이물질 제거율을 보여주고, 브러쉬만을 개조한 경우가(TEST 4) 롤러만을 개조한 경우(TEST 3)보다는 조금 더 향상된 수치를 보여준다.
그러나 개조된 브러쉬와 롤러를 모두 다 적용한 2개의 브러쉬 유니트를 거치게 되면(TEST 5), 거의 완벽하게 제거됨을 알 수 있다.
100 원통형 후면 브러쉬
101 부채꼴 형상의 전면 브러쉬
102, 103 부채꼴 형상의 전면 및 후면 브러쉬
110 브러쉬 샤프트
200, 210 롤러
211, 212 전면 및 후면 롤러 가스킷
300 웨이퍼
310 웨이퍼의 끝단
311, 313 웨이퍼의 전면 및 후면 에지부
312, 314 웨이퍼의 전면 및 후면 베벨부
315 웨이퍼의 꼭짓점

Claims (8)

  1. 반도체 웨이퍼(300)의 에지부와 베벨부를 세정하는 장치에 있어서,
    상기 웨이퍼의 양측면에 위치한 전면 및 후면 브러쉬(101, 100)를 구비하되,
    상기 브러쉬들은 그 외부 표면상에 복수개의 노듈 또는 논-노듈을 포함하며, 전면 브러쉬(101)는 양끝단이 모두 부채꼴 형상이고 후면 브러쉬(100)는 웨이퍼의 지름과 같거나 조금 작은 길이의 원통형상으로 설치되며,
    웨이퍼를 회전시키기 위한 가이드 수단으로 복수개의 롤러(210)와 톱니모양의 가스킷(211, 212)을 포함하는 장치
  2. 반도체 웨이퍼(300)의 에지부와 베벨부를 세정하는 장치에 있어서,
    상기 웨이퍼의 양측면에 위치한 전면 및 후면 브러쉬(102, 103)를 구비하되,
    상기 브러쉬들은 그 외부 표면상에 복수개의 노듈 또는 논-노듈을 포함하며, 양끝단의 어느 한쪽이 부채꼴 형상을 가지고 교차 설치되며,
    웨이퍼를 회전시키기 위한 가이드 수단으로 복수개의 롤러(210)와 톱니모양의 가스킷(211, 212)을 포함하는 장치
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 부채꼴 형상의 브러쉬들(101, 102, 103)의 굴곡점(C)이 웨이퍼 에지부(311, 313)보다는 중심 내부 안쪽 위치에서 경사지게 시작되어야 하며, 부채꼴의 경사각도는 웨이퍼의 베벨부(312, 314) 각도보다 작은 범위에서 설계되는 것을 특징으로 하는 장치
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 후면 롤러 가스킷(212)은 웨이퍼(300)에 대해 90°로 설계하고, 전면 롤러 가스킷(211)의 각도는 웨이퍼 베벨부(312, 314)의 각도보다 작게 설계하는 것을 특징으로 하는 장치
  5. 제 2항에 있어서, 전면 또는 후면 브러쉬(102, 103)의 반대편 끝단은 웨이퍼 지름보다 같거나 조금 작은 길이의 원통형상으로 설치되는 것을 특징으로 하는 장치
  6. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 브러쉬의 재질은 폴리비닐알콜(PVA)이고 롤러의 가스킷의 재질은 폴리우레탄(PU)인 것을 특징으로 하는 장치
  7. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 브러쉬들과 웨이퍼 사이의 접촉 지점 근처에 액체인 증류수를 제공하기 위한 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치
  8. 제 1항 또는 제 2항의 장치를 2개 연속으로 설치한 브러쉬 유니트를 포함하는 반도체 소자 생산용 CMP 장비
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5937469A (en) 1996-12-03 1999-08-17 Intel Corporation Apparatus for mechanically cleaning the edges of wafers
US20030061675A1 (en) 2001-10-03 2003-04-03 Applied Materials. Inc Scrubber with sonic nozzle
KR100562502B1 (ko) 2003-07-02 2006-03-21 삼성전자주식회사 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치 및 방법
US20090044831A1 (en) 2003-10-28 2009-02-19 Applied Materials, Inc. Wafer edge cleaning
KR20140043376A (ko) 2011-06-08 2014-04-09 일리노이즈 툴 워크스 인코포레이티드 Ｐｖａ 스폰지 브러시를 위한 브러시 굴대

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5937469A (en) 1996-12-03 1999-08-17 Intel Corporation Apparatus for mechanically cleaning the edges of wafers
US20030061675A1 (en) 2001-10-03 2003-04-03 Applied Materials. Inc Scrubber with sonic nozzle
KR100562502B1 (ko) 2003-07-02 2006-03-21 삼성전자주식회사 반도체 기판의 가장자리부 처리 장치 및 방법
US20090044831A1 (en) 2003-10-28 2009-02-19 Applied Materials, Inc. Wafer edge cleaning
KR20140043376A (ko) 2011-06-08 2014-04-09 일리노이즈 툴 워크스 인코포레이티드 Ｐｖａ 스폰지 브러시를 위한 브러시 굴대

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