JPH09244258A - レジスト現像方法 - Google Patents
レジスト現像方法Info
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- JPH09244258A JPH09244258A JP7831496A JP7831496A JPH09244258A JP H09244258 A JPH09244258 A JP H09244258A JP 7831496 A JP7831496 A JP 7831496A JP 7831496 A JP7831496 A JP 7831496A JP H09244258 A JPH09244258 A JP H09244258A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 微細なレジストパターンを精度よく形成する
ことができ、かつ、現像欠陥を有効に抑えることができ
るレジスト現像方法を提供する。 【解決手段】 露光済みレジストが形成されたウェハー
1上に現像ノズル6から現像液の吐出を行うことにより
レジストを現像する場合に、現像液の吐出を複数回、例
えば2回に分けて行うか、あるいは、現像液の吐出を1
回行った後、ウェハー1の回転および停止を交互に複数
回繰り返し行う。
ことができ、かつ、現像欠陥を有効に抑えることができ
るレジスト現像方法を提供する。 【解決手段】 露光済みレジストが形成されたウェハー
1上に現像ノズル6から現像液の吐出を行うことにより
レジストを現像する場合に、現像液の吐出を複数回、例
えば2回に分けて行うか、あるいは、現像液の吐出を1
回行った後、ウェハー1の回転および停止を交互に複数
回繰り返し行う。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、レジスト現像方
法に関し、例えば、半導体装置の製造工程におけるレジ
ストの現像に適用して好適なものである。
法に関し、例えば、半導体装置の製造工程におけるレジ
ストの現像に適用して好適なものである。
【0002】
【従来の技術】LSIの集積度の向上とともにそのデザ
インルールは縮小し、それに伴ってLSI製造工程にお
けるリソグラフィー工程に用いられるレジストの性能お
よびレジスト現像方法も、より高度なものが要求されて
いる。レジストの性能は、一般に、現像時の露光部と未
露光部との溶解速度の差、すなわちいわゆる溶解コント
ラストが大きいほどよいとされている。それは、この溶
解コントラストが大きいほど現像により得られるレジス
トパターンの断面形状は矩形に近くなるが、このように
現像により得られるレジストパターンの断面形状が矩形
に近いほど、次の工程、例えばエッチング工程において
このレジストパターンをマスクとして行われるエッチン
グ時のパターン変換差やばらつきが小さくなり、高精度
の加工が可能となるからである。また、溶解コントラス
トが大きいほど、レジストの解像度は高く、より微細な
パターンの形成が可能となる。
インルールは縮小し、それに伴ってLSI製造工程にお
けるリソグラフィー工程に用いられるレジストの性能お
よびレジスト現像方法も、より高度なものが要求されて
いる。レジストの性能は、一般に、現像時の露光部と未
露光部との溶解速度の差、すなわちいわゆる溶解コント
ラストが大きいほどよいとされている。それは、この溶
解コントラストが大きいほど現像により得られるレジス
トパターンの断面形状は矩形に近くなるが、このように
現像により得られるレジストパターンの断面形状が矩形
に近いほど、次の工程、例えばエッチング工程において
このレジストパターンをマスクとして行われるエッチン
グ時のパターン変換差やばらつきが小さくなり、高精度
の加工が可能となるからである。また、溶解コントラス
トが大きいほど、レジストの解像度は高く、より微細な
パターンの形成が可能となる。
【0003】これまで、この溶解コントラストを大きく
するために、レジストに様々な改良が加えられてきた。
その一つに、レジストに表面難溶化効果を持たせること
が挙げられる。これは、未露光部のレジストに現像液が
接触すると、レジストの溶解速度が極端に減少するとい
う効果である。この表面難溶化効果をレジストに持たせ
ることにより、レジストの解像度や現像により得られる
レジストパターンの形状は大きく向上した。一方、レジ
ストの現像方法も、より微細なパターンを精度よく形成
するために改良が加えられた。一般に、レジストの解像
度やレジストパターンの断面形状は現像液の攪拌が少な
い方がよく、また、現像の均一性についてはできるだけ
レジストに物理的アタックを与えない方がよいことがわ
かっている。
するために、レジストに様々な改良が加えられてきた。
その一つに、レジストに表面難溶化効果を持たせること
が挙げられる。これは、未露光部のレジストに現像液が
接触すると、レジストの溶解速度が極端に減少するとい
う効果である。この表面難溶化効果をレジストに持たせ
ることにより、レジストの解像度や現像により得られる
レジストパターンの形状は大きく向上した。一方、レジ
ストの現像方法も、より微細なパターンを精度よく形成
するために改良が加えられた。一般に、レジストの解像
度やレジストパターンの断面形状は現像液の攪拌が少な
い方がよく、また、現像の均一性についてはできるだけ
レジストに物理的アタックを与えない方がよいことがわ
かっている。
【0004】そこで、レジストに対する物理的アタック
を少なくし、レジスト上によりソフトに現像液を盛るこ
とができ、微細なレジストパターンを精度よく形成する
ことができるレジスト現像方法およびそれに用いる現像
液供給用ノズル(以下「現像ノズル」ともいう。)が開
発され、実用化されている。その一例について、図3、
図4および図5を参照しながら説明する。ここで、図3
は平面図、図4は側面図、図5は図3および図4に示す
現像ノズルの拡大底面図である。図3、図4および図5
に示すように、この従来のレジスト現像方法において
は、現像を行うべき露光済みのレジスト(図示せず)が
形成されたウェハー101の一直径上にこの直径とほぼ
同一の長さを有する現像ノズル102を配置し、この現
像ノズル102の底部に互いに隣接して一列に多数設け
られた現像液吐出用の穴103からウェハー101上に
現像液を吐出した状態でこのウェハー101を1/2回
転させることにより、ウェハー101の全面に現像液を
供給し、レジストの現像を行う。
を少なくし、レジスト上によりソフトに現像液を盛るこ
とができ、微細なレジストパターンを精度よく形成する
ことができるレジスト現像方法およびそれに用いる現像
液供給用ノズル(以下「現像ノズル」ともいう。)が開
発され、実用化されている。その一例について、図3、
図4および図5を参照しながら説明する。ここで、図3
は平面図、図4は側面図、図5は図3および図4に示す
現像ノズルの拡大底面図である。図3、図4および図5
に示すように、この従来のレジスト現像方法において
は、現像を行うべき露光済みのレジスト(図示せず)が
形成されたウェハー101の一直径上にこの直径とほぼ
同一の長さを有する現像ノズル102を配置し、この現
像ノズル102の底部に互いに隣接して一列に多数設け
られた現像液吐出用の穴103からウェハー101上に
現像液を吐出した状態でこのウェハー101を1/2回
転させることにより、ウェハー101の全面に現像液を
供給し、レジストの現像を行う。
【0005】図6および図7は、レジストに対する物理
的アタックを少なくした従来のレジスト現像方法の他の
例を示す。図6および図7に示すように、この従来のレ
ジスト現像方法においては、現像を行うべき露光済みの
レジスト(図示せず)が形成されたウェハー201の中
心付近の真上に現像ノズル202がくるようにし、ウェ
ハー201を回転させながら、現像ノズル202の先端
に設けられた5個の現像液吐出用の穴203からウェハ
ー201上に現像液を図6および図7中矢印で示すよう
に吐出することにより、ウェハー201の全面に現像液
を供給し、レジストの現像を行う。
的アタックを少なくした従来のレジスト現像方法の他の
例を示す。図6および図7に示すように、この従来のレ
ジスト現像方法においては、現像を行うべき露光済みの
レジスト(図示せず)が形成されたウェハー201の中
心付近の真上に現像ノズル202がくるようにし、ウェ
ハー201を回転させながら、現像ノズル202の先端
に設けられた5個の現像液吐出用の穴203からウェハ
ー201上に現像液を図6および図7中矢印で示すよう
に吐出することにより、ウェハー201の全面に現像液
を供給し、レジストの現像を行う。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、溶解コ
ントラストが高い高解像度レジストを用い、しかもレジ
ストに対する物理的アタックが少ないレジスト現像方法
を採用することにより高集積度のLSIの製造が可能に
なったが、新たな問題としてレジストの現像欠陥が発生
するようになった。ここで、この現像欠陥とは、コンタ
クトホール形成用のフォトマスクを用いて露光されたレ
ジストを現像したときに、ウェハー上数個から数十個の
コンタクトホールが開口されない現象である。この現像
欠陥についてより具体的に説明すると、次の通りであ
る。すなわち、図8Aに示すように、ウェハー301上
にレジスト302を塗布した後、図示省略したフォトマ
スクを用いてこのレジスト302の露光を行うと、この
レジスト302に潜像303が形成される。次に、図8
Bに示すように、レジスト302の現像を行うために、
ウェハー301上に現像ノズル(図示せず)から現像液
304を吐出すると、潜像303が形成された部分のレ
ジスト302が溶解する。このとき、現像ノズルからの
吐出時に圧力が加えられた現像液304がウェハー30
1上に供給されて大気圧に戻ることにより、この現像液
304中に溶存していた気体が溶出して泡となり、いわ
ゆるマイクロバブル305が形成される。そして、この
マイクロバブル305が、レジスト302のうちの溶解
すべき部分、すなわち潜像303が形成された部分の上
にかぶさると、この部分に対する現像液304の供給が
不十分となり、現像が進まなくなる。この結果、図8C
に示すように、現像により得られるレジストパターン3
06にコンタクトホール306aが開口されない部分、
すなわち現像欠陥307が発生する。
ントラストが高い高解像度レジストを用い、しかもレジ
ストに対する物理的アタックが少ないレジスト現像方法
を採用することにより高集積度のLSIの製造が可能に
なったが、新たな問題としてレジストの現像欠陥が発生
するようになった。ここで、この現像欠陥とは、コンタ
クトホール形成用のフォトマスクを用いて露光されたレ
ジストを現像したときに、ウェハー上数個から数十個の
コンタクトホールが開口されない現象である。この現像
欠陥についてより具体的に説明すると、次の通りであ
る。すなわち、図8Aに示すように、ウェハー301上
にレジスト302を塗布した後、図示省略したフォトマ
スクを用いてこのレジスト302の露光を行うと、この
レジスト302に潜像303が形成される。次に、図8
Bに示すように、レジスト302の現像を行うために、
ウェハー301上に現像ノズル(図示せず)から現像液
304を吐出すると、潜像303が形成された部分のレ
ジスト302が溶解する。このとき、現像ノズルからの
吐出時に圧力が加えられた現像液304がウェハー30
1上に供給されて大気圧に戻ることにより、この現像液
304中に溶存していた気体が溶出して泡となり、いわ
ゆるマイクロバブル305が形成される。そして、この
マイクロバブル305が、レジスト302のうちの溶解
すべき部分、すなわち潜像303が形成された部分の上
にかぶさると、この部分に対する現像液304の供給が
不十分となり、現像が進まなくなる。この結果、図8C
に示すように、現像により得られるレジストパターン3
06にコンタクトホール306aが開口されない部分、
すなわち現像欠陥307が発生する。
【0007】溶解コントラストが高い高解像度レジスト
を用いたときに現像欠陥307が発生するのは、次のよ
うな理由による。すなわち、一般に、溶解コントラスト
が高い高解像度レジストは表面の疎水性が高く、表面難
溶化層が形成されやすい。このため、レジストの表面と
この表面に付着したマイクロバブルとの隙間に現像液が
入り込めないことから、マイクロバブルは長時間付着し
た状態になり、これによって現像欠陥が発生する。ま
た、物理的アタックの少ないレジスト現像方法を用いた
ときに現像欠陥307が発生するのは、次のような理由
による。すなわち、このレジスト現像方法においては、
レジストに対する物理的アタックを弱くするために、そ
のアタックの強さの分布がウェハー上で不均一になって
しまう。この結果、レジスト表面に付着したマイクロバ
ブルを除去することができず、現像欠陥が発生してしま
う。
を用いたときに現像欠陥307が発生するのは、次のよ
うな理由による。すなわち、一般に、溶解コントラスト
が高い高解像度レジストは表面の疎水性が高く、表面難
溶化層が形成されやすい。このため、レジストの表面と
この表面に付着したマイクロバブルとの隙間に現像液が
入り込めないことから、マイクロバブルは長時間付着し
た状態になり、これによって現像欠陥が発生する。ま
た、物理的アタックの少ないレジスト現像方法を用いた
ときに現像欠陥307が発生するのは、次のような理由
による。すなわち、このレジスト現像方法においては、
レジストに対する物理的アタックを弱くするために、そ
のアタックの強さの分布がウェハー上で不均一になって
しまう。この結果、レジスト表面に付着したマイクロバ
ブルを除去することができず、現像欠陥が発生してしま
う。
【0008】一方、レジスト膜厚むらが周期的に放射状
に発生する、いわゆるストライエーションを防止する目
的でレジスト中に界面活性剤を添加することがあるが、
この界面活性剤の影響でレジスト表面の疎水性が高くな
り過ぎることによっても、同様な現像欠陥が発生してい
る。さらに、現像液をウェハー上に盛る時の現像液のぶ
つかり合いにより現像液中に空気が巻き込まれ、マイク
ロバブルとなる現象も確認されている。以上のような現
像欠陥の発生は、LSIの製造歩留まりを確実に低下さ
せる大きな問題であることから、微細なレジストパター
ンを精度よく形成し、かつ、現像欠陥を抑える技術が強
く望まれている。
に発生する、いわゆるストライエーションを防止する目
的でレジスト中に界面活性剤を添加することがあるが、
この界面活性剤の影響でレジスト表面の疎水性が高くな
り過ぎることによっても、同様な現像欠陥が発生してい
る。さらに、現像液をウェハー上に盛る時の現像液のぶ
つかり合いにより現像液中に空気が巻き込まれ、マイク
ロバブルとなる現象も確認されている。以上のような現
像欠陥の発生は、LSIの製造歩留まりを確実に低下さ
せる大きな問題であることから、微細なレジストパター
ンを精度よく形成し、かつ、現像欠陥を抑える技術が強
く望まれている。
【0009】したがって、この発明の目的は、微細なレ
ジストパターンを精度よく形成することができ、かつ、
現像欠陥を有効に抑えることができるレジスト現像方法
を提供することにある。
ジストパターンを精度よく形成することができ、かつ、
現像欠陥を有効に抑えることができるレジスト現像方法
を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明者は、従来技術が
有する上述の課題を解決すべく、鋭意検討を行った。こ
の結果、現像欠陥の原因となるマイクロバブルがレジス
トの表面に付着するのは、基板上に現像液を吐出して液
盛りを行ったときであることを見い出した。そして、こ
のレジストの表面に付着したマイクロバブルは、基板上
に盛られた現像液上にさらに現像液の吐出を行うことに
より除去することができ、これによって現像欠陥を抑え
ることができることを見い出した。さらに、マイクロバ
ブルの除去には、基板上に現像液を吐出して液盛りを行
った後、基板の回転、特に高加速度の回転を行い、その
後直ぐに回転を停止し、これを必要に応じて繰り返すこ
とも有効であることを見い出した。この発明は、本発明
者の以上の検討に基づいて案出されたものである。
有する上述の課題を解決すべく、鋭意検討を行った。こ
の結果、現像欠陥の原因となるマイクロバブルがレジス
トの表面に付着するのは、基板上に現像液を吐出して液
盛りを行ったときであることを見い出した。そして、こ
のレジストの表面に付着したマイクロバブルは、基板上
に盛られた現像液上にさらに現像液の吐出を行うことに
より除去することができ、これによって現像欠陥を抑え
ることができることを見い出した。さらに、マイクロバ
ブルの除去には、基板上に現像液を吐出して液盛りを行
った後、基板の回転、特に高加速度の回転を行い、その
後直ぐに回転を停止し、これを必要に応じて繰り返すこ
とも有効であることを見い出した。この発明は、本発明
者の以上の検討に基づいて案出されたものである。
【0011】すなわち、上記目的を達成するために、こ
の発明の第1の発明は、レジストが形成された基板上に
現像液供給用ノズルから現像液を吐出することによりレ
ジストの現像を行うようにしたレジスト現像方法におい
て、現像液の吐出を複数回に分けて行うようにしたこと
を特徴とするものである。
の発明の第1の発明は、レジストが形成された基板上に
現像液供給用ノズルから現像液を吐出することによりレ
ジストの現像を行うようにしたレジスト現像方法におい
て、現像液の吐出を複数回に分けて行うようにしたこと
を特徴とするものである。
【0012】この発明の第2の発明は、レジストが形成
された基板上に現像液供給用ノズルから現像液を吐出す
ることによりレジストの現像を行うようにしたレジスト
現像方法において、現像液の吐出を1回行った後、基板
の回転および停止を交互に複数回繰り返すようにしたこ
とを特徴とするものである。
された基板上に現像液供給用ノズルから現像液を吐出す
ることによりレジストの現像を行うようにしたレジスト
現像方法において、現像液の吐出を1回行った後、基板
の回転および停止を交互に複数回繰り返すようにしたこ
とを特徴とするものである。
【0013】上述のように構成されたこの発明によるレ
ジスト現像方法によれば、現像液の吐出を複数回に分け
て行うようにしているので、1回目の現像液の吐出によ
る液盛り時にレジストの表面に付着したマイクロバブル
を2回目以降の現像液の吐出により有効に除去すること
ができる。また、現像液の吐出を1回行った後、基板の
回転および停止を交互に複数回繰り返すことによって
も、基板の回転時の加速度により、基板上への現像液の
吐出による液盛り時にレジストの表面に付着したマイク
ロバブルを有効に除去することができる。
ジスト現像方法によれば、現像液の吐出を複数回に分け
て行うようにしているので、1回目の現像液の吐出によ
る液盛り時にレジストの表面に付着したマイクロバブル
を2回目以降の現像液の吐出により有効に除去すること
ができる。また、現像液の吐出を1回行った後、基板の
回転および停止を交互に複数回繰り返すことによって
も、基板の回転時の加速度により、基板上への現像液の
吐出による液盛り時にレジストの表面に付着したマイク
ロバブルを有効に除去することができる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。まず、この発明の実施
形態において用いられる現像装置について説明する。図
1および図2はこの現像装置を示す。ここで、図1は平
面図、図2は断面図である。
て図面を参照しながら説明する。まず、この発明の実施
形態において用いられる現像装置について説明する。図
1および図2はこの現像装置を示す。ここで、図1は平
面図、図2は断面図である。
【0015】図1および図2に示すように、この現像装
置においては、現像を行うべき露光済みのレジスト(図
示せず)が形成されたウェハー1を保持するウェハーチ
ャック2が、現像カップ3内に設けられている。このウ
ェハーチャック2は、モーター4により、その中心軸の
周りに回転可能になっている。一方、このウェハーチャ
ック2の上方には現像ノズルアーム5が設けられてい
る。この現像ノズルアーム5は、ウェハーチャック2に
保持されたウェハー1に平行な面内で、その一端の回転
軸を中心として回転可能になっている。この現像ノズル
アーム5の先端には、現像液を供給するための現像ノズ
ル6が設けられている。ここでは、この現像ノズル6と
して、その先端に現像液吐出用の穴が5個設けられた、
図6および図7に示す現像ノズル202と同様なものが
用いられる。この現像ノズル6は、現像ノズルアーム5
の回転により、ウェハー1の半径方向に移動可能になっ
ている。また、現像ノズル6とは別に、リンス用純水供
給用ノズル(以下「リンスノズル」という。)7が設け
られている。
置においては、現像を行うべき露光済みのレジスト(図
示せず)が形成されたウェハー1を保持するウェハーチ
ャック2が、現像カップ3内に設けられている。このウ
ェハーチャック2は、モーター4により、その中心軸の
周りに回転可能になっている。一方、このウェハーチャ
ック2の上方には現像ノズルアーム5が設けられてい
る。この現像ノズルアーム5は、ウェハーチャック2に
保持されたウェハー1に平行な面内で、その一端の回転
軸を中心として回転可能になっている。この現像ノズル
アーム5の先端には、現像液を供給するための現像ノズ
ル6が設けられている。ここでは、この現像ノズル6と
して、その先端に現像液吐出用の穴が5個設けられた、
図6および図7に示す現像ノズル202と同様なものが
用いられる。この現像ノズル6は、現像ノズルアーム5
の回転により、ウェハー1の半径方向に移動可能になっ
ている。また、現像ノズル6とは別に、リンス用純水供
給用ノズル(以下「リンスノズル」という。)7が設け
られている。
【0016】次に、この発明の第1の実施形態によるレ
ジスト現像方法について説明する。この第1の実施形態
によるレジスト現像方法においては、図1および図2に
示す現像装置を用いて、次のようにしてレジストの現像
を行う。すなわち、まず、現像を行うべき露光済みのレ
ジスト(図示せず)が形成されたウェハー1をウェハー
チャック2に保持した後、モーター4によりこのウェハ
ーチャック2を例えば1000rpmの回転数で回転さ
せる。次に、現像ノズルアーム5によりその先端の現像
ノズル6をウェハー1の中心付近(図2中のb点)に移
動させ、そこで現像ノズル6からウェハー1上に1回目
の現像液(図示せず)の吐出を行う。このようにして1
回目の現像液の吐出を行った後、現像液の吐出を一旦停
止するとともに、ウェハー1の回転を停止する。
ジスト現像方法について説明する。この第1の実施形態
によるレジスト現像方法においては、図1および図2に
示す現像装置を用いて、次のようにしてレジストの現像
を行う。すなわち、まず、現像を行うべき露光済みのレ
ジスト(図示せず)が形成されたウェハー1をウェハー
チャック2に保持した後、モーター4によりこのウェハ
ーチャック2を例えば1000rpmの回転数で回転さ
せる。次に、現像ノズルアーム5によりその先端の現像
ノズル6をウェハー1の中心付近(図2中のb点)に移
動させ、そこで現像ノズル6からウェハー1上に1回目
の現像液(図示せず)の吐出を行う。このようにして1
回目の現像液の吐出を行った後、現像液の吐出を一旦停
止するとともに、ウェハー1の回転を停止する。
【0017】任意の時間経過後、ウェハー1の中心付近
で現像ノズル6から2回目の現像液の吐出を行いなが
ら、ウェハー1を再び例えば1000rpmの回転数で
回転させる。この2回目の現像液の吐出により、1回目
の現像液の吐出による液盛り時にウェハー1上のレジス
トの表面に付着したマイクロバブル(図示せず)がウェ
ハー1外に除去される。この後、現像液の吐出を停止す
るとともに、ウェハー1の回転を停止する。任意の時間
経過後、現像ノズルアーム5により現像ノズル6をウェ
ハー1から外れた位置に移動させ、代わりにウェハー1
上にリンスノズル7を位置させ、このリンスノズル7か
らウェハー1上に純水を供給するとともに、ウェハー1
を例えば1000rpmの回転数で回転させ、現像を停
止する。次に、リンスノズル7からの純水の供給を停止
するとともに、ウェハー1を例えば4000rpmの回
転数で回転させ、ウェハー1上の純水を振り切る。この
後、ウェハー1の回転を停止する。以上により、レジス
トの現像工程が終了する。
で現像ノズル6から2回目の現像液の吐出を行いなが
ら、ウェハー1を再び例えば1000rpmの回転数で
回転させる。この2回目の現像液の吐出により、1回目
の現像液の吐出による液盛り時にウェハー1上のレジス
トの表面に付着したマイクロバブル(図示せず)がウェ
ハー1外に除去される。この後、現像液の吐出を停止す
るとともに、ウェハー1の回転を停止する。任意の時間
経過後、現像ノズルアーム5により現像ノズル6をウェ
ハー1から外れた位置に移動させ、代わりにウェハー1
上にリンスノズル7を位置させ、このリンスノズル7か
らウェハー1上に純水を供給するとともに、ウェハー1
を例えば1000rpmの回転数で回転させ、現像を停
止する。次に、リンスノズル7からの純水の供給を停止
するとともに、ウェハー1を例えば4000rpmの回
転数で回転させ、ウェハー1上の純水を振り切る。この
後、ウェハー1の回転を停止する。以上により、レジス
トの現像工程が終了する。
【0018】以上のようにしてレジストの現像を行った
ところ、ウェハー1当たりの現像欠陥は、従来10個程
度であったものが1個に減少した。また、現像の均一性
も、0.35μm径のコンタクトホールに対して±0.
02μmが得られた。以上のように、この第1の実施形
態によれば、ウェハー1上への現像液の吐出を2回に分
けて行っていることにより、1回目の現像液の吐出によ
る液盛り時にウェハー1上のレジストの表面に付着した
マイクロバブルを有効に除去することができる。これに
よって、レジストの現像欠陥を有効に抑えることがで
き、現像歩留まりの向上を図ることができる。また、微
細なレジストパターンを形成することもできる。
ところ、ウェハー1当たりの現像欠陥は、従来10個程
度であったものが1個に減少した。また、現像の均一性
も、0.35μm径のコンタクトホールに対して±0.
02μmが得られた。以上のように、この第1の実施形
態によれば、ウェハー1上への現像液の吐出を2回に分
けて行っていることにより、1回目の現像液の吐出によ
る液盛り時にウェハー1上のレジストの表面に付着した
マイクロバブルを有効に除去することができる。これに
よって、レジストの現像欠陥を有効に抑えることがで
き、現像歩留まりの向上を図ることができる。また、微
細なレジストパターンを形成することもできる。
【0019】次に、この発明の第2の実施形態によるレ
ジスト現像方法について説明する。この第2の実施形態
によるレジスト現像方法においては、図1および図2に
示す現像装置を用いて、次のようにしてレジストの現像
を行う。すなわち、まず、現像を行うべき露光済みのレ
ジスト(図示せず)が形成されたウェハー1をウェハー
チャック2に保持した後、モーター4によりこのウェハ
ーチャック2を例えば1000rpmの回転数で回転さ
せる。次に、現像ノズルアーム5によりその先端の現像
ノズル6をウェハー1の中心付近(図2中のb点)に移
動させ、そこで現像ノズル6からウェハー1上に1回目
の現像液(図示せず)の吐出を行う。このようにして1
回目の現像液の吐出を行った後、現像液の吐出を一旦停
止するとともに、ウェハー1の回転を停止する。
ジスト現像方法について説明する。この第2の実施形態
によるレジスト現像方法においては、図1および図2に
示す現像装置を用いて、次のようにしてレジストの現像
を行う。すなわち、まず、現像を行うべき露光済みのレ
ジスト(図示せず)が形成されたウェハー1をウェハー
チャック2に保持した後、モーター4によりこのウェハ
ーチャック2を例えば1000rpmの回転数で回転さ
せる。次に、現像ノズルアーム5によりその先端の現像
ノズル6をウェハー1の中心付近(図2中のb点)に移
動させ、そこで現像ノズル6からウェハー1上に1回目
の現像液(図示せず)の吐出を行う。このようにして1
回目の現像液の吐出を行った後、現像液の吐出を一旦停
止するとともに、ウェハー1の回転を停止する。
【0020】任意の時間経過後、ウェハー1を例えば3
0〜100rpmの回転数で再び回転させながら、上述
と同様にしてウェハー1の中心付近で現像ノズル6から
2回目の現像液の吐出を例えば0.7秒間行う。この2
回目の現像液の吐出により、1回目の現像液の吐出によ
る液盛り時にウェハー1上のレジストの表面に付着した
マイクロバブル(図示せず)がウェハー1外に除去され
る。この後、現像液の吐出を停止するとともに、ウェハ
ー1の回転を停止する。任意の時間経過後、現像ノズル
アーム5により現像ノズル6をウェハー1から外れた位
置に移動させ、代わりにウェハー1上にリンスノズル7
を位置させ、このリンスノズル7からウェハー1上に純
水を供給するとともに、ウェハー1を例えば1000r
pmの回転数で回転させ、現像を停止する。次に、リン
スノズル7からの純水の供給を停止するとともに、ウェ
ハー1を例えば4000rpmの回転数で回転させ、ウ
ェハー1上の純水を振り切る。この後、ウェハー1の回
転を停止する。以上により、レジストの現像工程が終了
する。
0〜100rpmの回転数で再び回転させながら、上述
と同様にしてウェハー1の中心付近で現像ノズル6から
2回目の現像液の吐出を例えば0.7秒間行う。この2
回目の現像液の吐出により、1回目の現像液の吐出によ
る液盛り時にウェハー1上のレジストの表面に付着した
マイクロバブル(図示せず)がウェハー1外に除去され
る。この後、現像液の吐出を停止するとともに、ウェハ
ー1の回転を停止する。任意の時間経過後、現像ノズル
アーム5により現像ノズル6をウェハー1から外れた位
置に移動させ、代わりにウェハー1上にリンスノズル7
を位置させ、このリンスノズル7からウェハー1上に純
水を供給するとともに、ウェハー1を例えば1000r
pmの回転数で回転させ、現像を停止する。次に、リン
スノズル7からの純水の供給を停止するとともに、ウェ
ハー1を例えば4000rpmの回転数で回転させ、ウ
ェハー1上の純水を振り切る。この後、ウェハー1の回
転を停止する。以上により、レジストの現像工程が終了
する。
【0021】以上のようにしてレジストの現像を行った
ところ、ウェハー1当たりの現像欠陥は、従来10個程
度であったものが1個に減少した。また、現像の均一性
も、0.35μm径のコンタクトホールに対して±0.
02μmが得られた。以上のように、この第2の実施形
態によれば、第1の実施形態と同様に、ウェハー1上へ
の現像液の吐出を2回に分けて行っていることにより、
1回目の現像液の吐出による液盛り時にウェハー1上の
レジストの表面に付着したマイクロバブルを有効に除去
することができ、これによってレジストの現像欠陥を有
効に抑えることができ、現像歩留まりの向上を図ること
ができるとともに、微細なレジストパターンを形成する
ことができる。
ところ、ウェハー1当たりの現像欠陥は、従来10個程
度であったものが1個に減少した。また、現像の均一性
も、0.35μm径のコンタクトホールに対して±0.
02μmが得られた。以上のように、この第2の実施形
態によれば、第1の実施形態と同様に、ウェハー1上へ
の現像液の吐出を2回に分けて行っていることにより、
1回目の現像液の吐出による液盛り時にウェハー1上の
レジストの表面に付着したマイクロバブルを有効に除去
することができ、これによってレジストの現像欠陥を有
効に抑えることができ、現像歩留まりの向上を図ること
ができるとともに、微細なレジストパターンを形成する
ことができる。
【0022】次に、この発明の第3の実施形態によるレ
ジスト現像方法について説明する。この第3の実施形態
によるレジスト現像方法においては、図1および図2に
示す現像装置を用いて、次のようにしてレジストの現像
を行う。すなわち、まず、現像を行うべき露光済みのレ
ジスト(図示せず)が形成されたウェハー1をウェハー
チャック2に保持した後、モーター4によりこのウェハ
ーチャック2を例えば1000rpmの回転数で回転さ
せる。次に、現像ノズルアーム5によりその先端の現像
ノズル6をウェハー1の中心付近(図2中のb点)に移
動させ、そこで現像ノズル6からウェハー1上に1回目
の現像液(図示せず)の吐出を行う。このようにして1
回目の現像液の吐出を行った後、現像液の吐出を一旦停
止する。
ジスト現像方法について説明する。この第3の実施形態
によるレジスト現像方法においては、図1および図2に
示す現像装置を用いて、次のようにしてレジストの現像
を行う。すなわち、まず、現像を行うべき露光済みのレ
ジスト(図示せず)が形成されたウェハー1をウェハー
チャック2に保持した後、モーター4によりこのウェハ
ーチャック2を例えば1000rpmの回転数で回転さ
せる。次に、現像ノズルアーム5によりその先端の現像
ノズル6をウェハー1の中心付近(図2中のb点)に移
動させ、そこで現像ノズル6からウェハー1上に1回目
の現像液(図示せず)の吐出を行う。このようにして1
回目の現像液の吐出を行った後、現像液の吐出を一旦停
止する。
【0023】次に、ウェハー1の回転数を1000rp
mから例えば30〜100rpmに落とした後、上述と
同様にしてウェハー1の中心付近で現像ノズル6から2
回目の吐出を例えば0.7秒間行う。この2回目の現像
液の吐出により、1回目の現像液の吐出による液盛り時
にウェハー1上のレジストの表面に付着したマイクロバ
ブル(図示せず)がウェハー1外に除去される。この
後、現像液の吐出を停止するとともに、ウェハー1の回
転を停止する。任意の時間経過後、現像ノズルアーム5
により現像ノズル6をウェハー1から外れた位置に移動
させ、代わりにウェハー1上にリンスノズル7を位置さ
せ、このリンスノズル7からウェハー1上に純水を供給
するとともに、ウェハー1を例えば1000rpmの回
転数で回転させ、現像を停止する。次に、リンスノズル
7からの純水の供給を停止するとともに、ウェハー1を
例えば4000rpmの回転数で回転させ、ウェハー1
上の純水を振り切る。この後、ウェハー1の回転を停止
する。以上により、レジストの現像工程が終了する。
mから例えば30〜100rpmに落とした後、上述と
同様にしてウェハー1の中心付近で現像ノズル6から2
回目の吐出を例えば0.7秒間行う。この2回目の現像
液の吐出により、1回目の現像液の吐出による液盛り時
にウェハー1上のレジストの表面に付着したマイクロバ
ブル(図示せず)がウェハー1外に除去される。この
後、現像液の吐出を停止するとともに、ウェハー1の回
転を停止する。任意の時間経過後、現像ノズルアーム5
により現像ノズル6をウェハー1から外れた位置に移動
させ、代わりにウェハー1上にリンスノズル7を位置さ
せ、このリンスノズル7からウェハー1上に純水を供給
するとともに、ウェハー1を例えば1000rpmの回
転数で回転させ、現像を停止する。次に、リンスノズル
7からの純水の供給を停止するとともに、ウェハー1を
例えば4000rpmの回転数で回転させ、ウェハー1
上の純水を振り切る。この後、ウェハー1の回転を停止
する。以上により、レジストの現像工程が終了する。
【0024】以上のようにしてレジストの現像を行った
ところ、ウェハー1当たりの現像欠陥は、従来10個程
度であったものが1個に減少した。また、現像の均一性
も、0.35μm径のコンタクトホールに対して±0.
02μmが得られた。以上のように、この第3の実施形
態によれば、第1の実施形態と同様に、ウェハー1上へ
の現像液の吐出を2回に分けて行っていることにより、
1回目の現像液の吐出による液盛り時にウェハー1上の
レジストの表面に付着したマイクロバブルを有効に除去
することができ、これによってレジストの現像欠陥を有
効に抑えることができ、現像歩留まりの向上を図ること
ができるとともに、微細なレジストパターンを形成する
ことができる。
ところ、ウェハー1当たりの現像欠陥は、従来10個程
度であったものが1個に減少した。また、現像の均一性
も、0.35μm径のコンタクトホールに対して±0.
02μmが得られた。以上のように、この第3の実施形
態によれば、第1の実施形態と同様に、ウェハー1上へ
の現像液の吐出を2回に分けて行っていることにより、
1回目の現像液の吐出による液盛り時にウェハー1上の
レジストの表面に付着したマイクロバブルを有効に除去
することができ、これによってレジストの現像欠陥を有
効に抑えることができ、現像歩留まりの向上を図ること
ができるとともに、微細なレジストパターンを形成する
ことができる。
【0025】次に、この発明の第4の実施形態によるレ
ジスト現像方法について説明する。この第4の実施形態
によるレジスト現像方法においては、図1および図2に
示す現像装置を用いて、次のようにしてレジストの現像
を行う。すなわち、まず、現像を行うべき露光済みのレ
ジスト(図示せず)が形成されたウェハー1をウェハー
チャック2に保持した後、モーター4によりこのウェハ
ーチャック2を例えば1000rpmの回転数で回転さ
せる。次に、現像ノズルアーム5によりその先端の現像
ノズル6をウェハー1の中心付近(図2中のb点)に移
動させ、そこで現像ノズル6からウェハー1上に現像液
(図示せず)の吐出を行う。このようにして現像液の吐
出を1回行った後、現像液の吐出を停止するとともに、
ウェハー1の回転を停止する。
ジスト現像方法について説明する。この第4の実施形態
によるレジスト現像方法においては、図1および図2に
示す現像装置を用いて、次のようにしてレジストの現像
を行う。すなわち、まず、現像を行うべき露光済みのレ
ジスト(図示せず)が形成されたウェハー1をウェハー
チャック2に保持した後、モーター4によりこのウェハ
ーチャック2を例えば1000rpmの回転数で回転さ
せる。次に、現像ノズルアーム5によりその先端の現像
ノズル6をウェハー1の中心付近(図2中のb点)に移
動させ、そこで現像ノズル6からウェハー1上に現像液
(図示せず)の吐出を行う。このようにして現像液の吐
出を1回行った後、現像液の吐出を停止するとともに、
ウェハー1の回転を停止する。
【0026】任意の時間経過後、ウェハー1を例えば3
0〜100rpmの回転数で再び回転させ、その後直ち
に回転を停止する。このようなウェハー1の回転および
停止を任意の時間毎に必要な回数繰り返し行う。これに
よって、現像液の吐出による液盛り時にウェハー1上に
付着したマイクロバブル(図示せず)がウェハー1外に
除去される。任意の時間経過後、現像ノズルアーム5に
より現像ノズル6をウェハー1から外れた位置に移動さ
せ、代わりにウェハー1上にリンスノズル7を位置さ
せ、このリンスノズル7からウェハー1上に純水を供給
するとともに、ウェハー1を例えば1000rpmの回
転数で回転させ、現像を停止する。次に、リンスノズル
7からの純水の供給を停止するとともに、ウェハー1を
例えば4000rpmの回転数で回転させ、ウェハー1
上の純水を振り切る。この後、ウェハー1の回転を停止
する。以上により、レジストの現像工程が終了する。
0〜100rpmの回転数で再び回転させ、その後直ち
に回転を停止する。このようなウェハー1の回転および
停止を任意の時間毎に必要な回数繰り返し行う。これに
よって、現像液の吐出による液盛り時にウェハー1上に
付着したマイクロバブル(図示せず)がウェハー1外に
除去される。任意の時間経過後、現像ノズルアーム5に
より現像ノズル6をウェハー1から外れた位置に移動さ
せ、代わりにウェハー1上にリンスノズル7を位置さ
せ、このリンスノズル7からウェハー1上に純水を供給
するとともに、ウェハー1を例えば1000rpmの回
転数で回転させ、現像を停止する。次に、リンスノズル
7からの純水の供給を停止するとともに、ウェハー1を
例えば4000rpmの回転数で回転させ、ウェハー1
上の純水を振り切る。この後、ウェハー1の回転を停止
する。以上により、レジストの現像工程が終了する。
【0027】以上のようにしてレジストの現像を行った
ところ、ウェハー1当たりの現像欠陥は、従来10個程
度であったものが1個に減少した。また、現像の均一性
も、0.35μm径のコンタクトホールに対して±0.
02μmが得られた。以上のように、この第4の実施形
態によれば、ウェハー1上への現像液の吐出を1回行っ
た後、ウェハー1の回転および停止を繰り返しているこ
とにより、現像液の吐出による液盛り時にウェハー1上
のレジストの表面に付着したマイクロバブルを有効に除
去することができ、これによってレジストの現像欠陥を
有効に抑えることができ、現像歩留まりの向上を図るこ
とができるとともに、微細なレジストパターンを形成す
ることができる。
ところ、ウェハー1当たりの現像欠陥は、従来10個程
度であったものが1個に減少した。また、現像の均一性
も、0.35μm径のコンタクトホールに対して±0.
02μmが得られた。以上のように、この第4の実施形
態によれば、ウェハー1上への現像液の吐出を1回行っ
た後、ウェハー1の回転および停止を繰り返しているこ
とにより、現像液の吐出による液盛り時にウェハー1上
のレジストの表面に付着したマイクロバブルを有効に除
去することができ、これによってレジストの現像欠陥を
有効に抑えることができ、現像歩留まりの向上を図るこ
とができるとともに、微細なレジストパターンを形成す
ることができる。
【0028】次に、この発明の第5の実施形態によるレ
ジスト現像方法について説明する。この第5の実施形態
によるレジスト現像方法においては、図1および図2に
示す現像装置を用いて、次のようにしてレジストの現像
を行う。すなわち、まず、現像を行うべき露光済みのレ
ジスト(図示せず)が形成されたウェハー1をウェハー
チャック2に保持した後、モーター4によりこのウェハ
ーチャック2を例えば1000rpmの回転数で回転さ
せる。次に、現像ノズルアーム5によりその先端の現像
ノズル6をウェハー1の中心付近(図2中のb点)に移
動させ、そこで現像ノズル6からウェハー1上に現像液
(図示せず)の吐出を行う。このようにして現像液の吐
出を1回行った後、現像液の吐出を停止するとともに、
ウェハー1の回転を停止する。
ジスト現像方法について説明する。この第5の実施形態
によるレジスト現像方法においては、図1および図2に
示す現像装置を用いて、次のようにしてレジストの現像
を行う。すなわち、まず、現像を行うべき露光済みのレ
ジスト(図示せず)が形成されたウェハー1をウェハー
チャック2に保持した後、モーター4によりこのウェハ
ーチャック2を例えば1000rpmの回転数で回転さ
せる。次に、現像ノズルアーム5によりその先端の現像
ノズル6をウェハー1の中心付近(図2中のb点)に移
動させ、そこで現像ノズル6からウェハー1上に現像液
(図示せず)の吐出を行う。このようにして現像液の吐
出を1回行った後、現像液の吐出を停止するとともに、
ウェハー1の回転を停止する。
【0029】任意の時間経過後、ウェハー1を例えば3
0〜100rpmの回転数で再び回転させる。このウェ
ハー1の回転時の加速度は100〜20000rpm/
分とする。この後、直ちにウェハー1の回転を停止す
る。このようなウェハー1の高加速度の回転および停止
を任意の時間毎に必要な回数繰り返す。これによって、
現像液の吐出による液盛り時にウェハー1上のレジスト
の表面に付着したマイクロバブル(図示せず)がウェハ
ー1外に除去される。任意の時間経過後、現像ノズルア
ーム5により現像ノズル6をウェハー1から外れた位置
に移動させ、代わりにウェハー1上にリンスノズル7を
位置させ、このリンスノズル7からウェハー1上に純水
を供給するとともに、ウェハー1を例えば1000rp
mの回転数で回転させ、現像を停止する。次に、リンス
ノズル7からの純水の供給を停止するとともに、ウェハ
ー1を例えば4000rpmの回転数で回転させ、ウェ
ハー1上の純水を振り切る。この後、ウェハー1の回転
を停止する。以上により、レジストの現像工程が終了す
る。
0〜100rpmの回転数で再び回転させる。このウェ
ハー1の回転時の加速度は100〜20000rpm/
分とする。この後、直ちにウェハー1の回転を停止す
る。このようなウェハー1の高加速度の回転および停止
を任意の時間毎に必要な回数繰り返す。これによって、
現像液の吐出による液盛り時にウェハー1上のレジスト
の表面に付着したマイクロバブル(図示せず)がウェハ
ー1外に除去される。任意の時間経過後、現像ノズルア
ーム5により現像ノズル6をウェハー1から外れた位置
に移動させ、代わりにウェハー1上にリンスノズル7を
位置させ、このリンスノズル7からウェハー1上に純水
を供給するとともに、ウェハー1を例えば1000rp
mの回転数で回転させ、現像を停止する。次に、リンス
ノズル7からの純水の供給を停止するとともに、ウェハ
ー1を例えば4000rpmの回転数で回転させ、ウェ
ハー1上の純水を振り切る。この後、ウェハー1の回転
を停止する。以上により、レジストの現像工程が終了す
る。
【0030】以上のようにしてレジストの現像を行った
ところ、ウェハー1当たりの現像欠陥は、従来10個程
度であったものが1個に減少した。また、現像の均一性
も、0.35μm径のコンタクトホールに対して±0.
02μmが得られた。以上のように、この第5の実施形
態によれば、ウェハー1上への現像液の吐出を1回行っ
た後、ウェハー1の高加速度の回転および停止を繰り返
していることにより、現像液の吐出による液盛り時にウ
ェハー1上のレジストの表面に付着したマイクロバブル
を有効に除去することができ、これによってレジストの
現像欠陥を有効に抑えることができ、現像歩留まりの向
上を図ることができるとともに、微細なレジストパター
ンを形成することができる。
ところ、ウェハー1当たりの現像欠陥は、従来10個程
度であったものが1個に減少した。また、現像の均一性
も、0.35μm径のコンタクトホールに対して±0.
02μmが得られた。以上のように、この第5の実施形
態によれば、ウェハー1上への現像液の吐出を1回行っ
た後、ウェハー1の高加速度の回転および停止を繰り返
していることにより、現像液の吐出による液盛り時にウ
ェハー1上のレジストの表面に付着したマイクロバブル
を有効に除去することができ、これによってレジストの
現像欠陥を有効に抑えることができ、現像歩留まりの向
上を図ることができるとともに、微細なレジストパター
ンを形成することができる。
【0031】以上、この発明の実施形態について具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。例えば、上述の実施形態において挙
げた数値はあくまでも例に過ぎず、これと異なる数値を
用いてもよい。また、上述の第1、第2および第3の実
施形態においては、現像液の吐出を2回に分けて行って
いるが、必要に応じて、3回またはそれ以上の回数に分
けて現像液の吐出を行うようにしてもよい。さらに、上
述の実施形態において用いられた図1および図2に示す
現像装置においては、現像液吐出用の穴が5個設けられ
た現像ノズル6を用いているが、この現像液吐出用の穴
の個数は5個以外の個数であってもよく、場合によって
は1個だけでもよい。
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。例えば、上述の実施形態において挙
げた数値はあくまでも例に過ぎず、これと異なる数値を
用いてもよい。また、上述の第1、第2および第3の実
施形態においては、現像液の吐出を2回に分けて行って
いるが、必要に応じて、3回またはそれ以上の回数に分
けて現像液の吐出を行うようにしてもよい。さらに、上
述の実施形態において用いられた図1および図2に示す
現像装置においては、現像液吐出用の穴が5個設けられ
た現像ノズル6を用いているが、この現像液吐出用の穴
の個数は5個以外の個数であってもよく、場合によって
は1個だけでもよい。
【0032】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によるレ
ジスト現像方法によれば、現像液の吐出を複数回に分け
て行い、あるいは、現像液を1回吐出した後、基板の回
転および停止を交互に複数回繰り返すようにしているこ
とにより、微細なレジストパターンを精度よく形成する
ことができ、かつ、現像欠陥を有効に抑えることができ
る。
ジスト現像方法によれば、現像液の吐出を複数回に分け
て行い、あるいは、現像液を1回吐出した後、基板の回
転および停止を交互に複数回繰り返すようにしているこ
とにより、微細なレジストパターンを精度よく形成する
ことができ、かつ、現像欠陥を有効に抑えることができ
る。
【図1】この発明の実施形態において用いられる現像装
置の概略構成を示す平面図である。
置の概略構成を示す平面図である。
【図2】この発明の実施形態において用いられる現像装
置の概略構成を示す断面図である。
置の概略構成を示す断面図である。
【図3】従来のレジスト現像方法の一例を説明するため
の平面図である。
の平面図である。
【図4】従来のレジスト現像方法の一例を説明するため
の側面図である。
の側面図である。
【図5】従来のレジスト現像方法の一例を説明するため
の拡大底面図である。
の拡大底面図である。
【図6】従来のレジスト現像方法の他の例を説明するた
めの平面図である。
めの平面図である。
【図7】従来のレジスト現像方法の他の例を説明するた
めの側面図である。
めの側面図である。
【図8】従来のレジスト現像方法によりレジストの現像
を行った場合に発生する現像欠陥を説明するための断面
図である。
を行った場合に発生する現像欠陥を説明するための断面
図である。
1・・・ウェハー、2・・・ウェハーチャック、3・・
・現像カップ、4・・・モーター、5・・・現像ノズル
アーム、6・・・現像ノズル、7・・・リンスノズル
・現像カップ、4・・・モーター、5・・・現像ノズル
アーム、6・・・現像ノズル、7・・・リンスノズル
Claims (6)
- 【請求項1】 レジストが形成された基板上に現像液供
給用ノズルから現像液を吐出することにより上記レジス
トの現像を行うようにしたレジスト現像方法において、 上記現像液の吐出を複数回に分けて行うようにしたこと
を特徴とするレジスト現像方法。 - 【請求項2】 上記現像液の吐出を2回に分けて行うよ
うにしたことを特徴とする請求項1記載のレジスト現像
方法。 - 【請求項3】 2回目以降の上記現像液の吐出時に上記
基板を30〜100rpmの回転数で回転させるように
したことを特徴とする請求項1記載のレジスト現像方
法。 - 【請求項4】 レジストが形成された基板上に現像液供
給用ノズルから現像液を吐出することにより上記レジス
トの現像を行うようにしたレジスト現像方法において、 上記現像液の吐出を1回行った後、上記基板の回転およ
び停止を交互に複数回繰り返すようにしたことを特徴と
するレジスト現像方法。 - 【請求項5】 上記基板の回転数は10〜60rpmで
あることを特徴とする請求項4記載のレジスト現像方
法。 - 【請求項6】 上記基板の回転時の加速度は1000〜
20000rpm/分であることを特徴とする請求項4
記載のレジスト現像方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7831496A JPH09244258A (ja) | 1996-03-06 | 1996-03-06 | レジスト現像方法 |
US08/811,261 US5821035A (en) | 1996-03-06 | 1997-03-04 | Resist developing apparatus and resist developing method |
KR1019970007234A KR970067576A (ko) | 1996-03-06 | 1997-03-05 | 레지스트 현상 장치 및 레지스트 현상 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7831496A JPH09244258A (ja) | 1996-03-06 | 1996-03-06 | レジスト現像方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09244258A true JPH09244258A (ja) | 1997-09-19 |
Family
ID=13658486
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7831496A Pending JPH09244258A (ja) | 1996-03-06 | 1996-03-06 | レジスト現像方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPH09244258A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100441708B1 (ko) * | 2001-12-22 | 2004-07-27 | 동부전자 주식회사 | 포토리소그래피 공정에서의 현상방법 |
KR100485755B1 (ko) * | 2002-04-16 | 2005-04-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 4 마스크 어레이 기판의 제조방법 |
JP2007318087A (ja) * | 2006-04-26 | 2007-12-06 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置、現像処理方法、現像処理プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP2012191168A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-10-04 | Tokyo Electron Ltd | 有機溶剤を含有する現像液を用いた現像処理方法及び現像処理装置 |
JP2013115274A (ja) * | 2011-11-29 | 2013-06-10 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法、現像装置、及び半導体装置 |
DE102014211512A1 (de) | 2013-06-20 | 2014-12-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
CN112255884A (zh) * | 2020-09-27 | 2021-01-22 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 一种光刻图形的制造方法与制造系统 |
-
1996
- 1996-03-06 JP JP7831496A patent/JPH09244258A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100441708B1 (ko) * | 2001-12-22 | 2004-07-27 | 동부전자 주식회사 | 포토리소그래피 공정에서의 현상방법 |
KR100485755B1 (ko) * | 2002-04-16 | 2005-04-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 4 마스크 어레이 기판의 제조방법 |
JP2007318087A (ja) * | 2006-04-26 | 2007-12-06 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置、現像処理方法、現像処理プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP2012191168A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-10-04 | Tokyo Electron Ltd | 有機溶剤を含有する現像液を用いた現像処理方法及び現像処理装置 |
JP2013115274A (ja) * | 2011-11-29 | 2013-06-10 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法、現像装置、及び半導体装置 |
DE102014211512A1 (de) | 2013-06-20 | 2014-12-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
US9063428B2 (en) | 2013-06-20 | 2015-06-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
CN112255884A (zh) * | 2020-09-27 | 2021-01-22 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 一种光刻图形的制造方法与制造系统 |
CN112255884B (zh) * | 2020-09-27 | 2024-04-12 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 一种光刻图形的制造方法与制造系统 |
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