JPH01164036A - 現像装置 - Google Patents

現像装置

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Publication number
JPH01164036A
JPH01164036A JP32350287A JP32350287A JPH01164036A JP H01164036 A JPH01164036 A JP H01164036A JP 32350287 A JP32350287 A JP 32350287A JP 32350287 A JP32350287 A JP 32350287A JP H01164036 A JPH01164036 A JP H01164036A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
definite
auxiliary sheet
chuck
nozzle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP32350287A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Mochizuki
晃 望月
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH01164036A publication Critical patent/JPH01164036A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路等でフォトリソグラフィを行う
際に用いるフォトレジストを現像するための現像装置に
関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の現像装置は露光装置(図示しない)で露
光されたフォトレジスト上に一定量の専用現像液を滴下
し、静止状態で一定時間放置した後、純水で現像液を洗
い流し、その後ウェハーを高速で回転させて乾燥する機
構からなっていた。
上述した従来の現像装置は第3図(a)に示すようにウ
ェハー1上に配置されたノズル9から一定量の現像液5
をフォトレジスト3上に滴下し、表面張力を利用して現
像液をフォトレジスト3上に盛る方式となっている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、上記方式では(i)第3図(b)のよう
に滴下時に発生した気泡8a 、 8b 、 8c・・
・により不均一な現像(現像ムラ)が生じ、パターン精
度の低下が起こったり、また(…)第3図(c)のよう
にGaAs。
InP等の化合物半導体10においてウェハーサイズが
不定形の場合、滴下量の制御が困難になり、ウェハー形
状によってはウェハー10の裏面に現像液5がまわり込
んでしまい、スピン乾燥後もウェハー裏面に現像液が付
着したままになってしまう等の問題がある。
本発明の目的は前記問題点を解消した現像装置を提供す
ることにある。
〔発明の従来技術に対する相違点〕
上述した従来の現像装置に対し、本発明はウェバー表面
から一定距離(1m+から3m程度)はなれた位置にウ
ェハー形状(円形又は四角形)とほぼ同等の形状を有す
る補助板を対向配置させることにより、現像液がウェハ
ーと上記補助板との空間に常に閉じ込められた状態にな
るという相違点を有する。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明はウェハーを固定するウェハー保持部と。
固定保持されたウェハー表面上に微小空間部を形成する
ように配設され、該ウェハーの形状とほぼ同形状の補助
板と、a空間部に現像液を導入する手段とを有すること
を特徴とする現像装置である。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図により説明する。
(実施例1) 第1図(a)において1本発明の現像装置はウェハー1
を吸着固定するチャック4と、現像液滴下ノズル2とを
有し、その滴下ノズル2の滴下口に、ウェハー形状とほ
ぼ同等の形状を有し、かつウェハー表面との距離が一定
になるように配設される補助板6を具備している。
第1図(ωに示すようにウェハー1をチャック4に吸着
固定後、補助板6(例えばテフロン材質)との距離が一
定値(約1m〜3mm)になるところまで上昇させる6
次に、同図(b)に示すように、ウェハー1と補助板6
とにより形成される微小空間内に滴下ノズル2から一定
量(約5〜15cc)の現像液5を供給する。一定時間
、静止状態又はウェハーを低速回転(50〜10100
rpさせながら保持させた後、同図(c)に示すように
純水ノズルから一定量の純水を供給し、ウェハーの表面
を洗い流す、その後はチャックを高速で回転させウェハ
ーを乾燥させる。
(実施例2) 第2図は本発明の実施例2を示す断面図である。
第2図(a)に示すように、ウェハー1をチャック4に
吸着固定後、補助板6との距離が一定値になるところま
でチャック4を上昇させる。次に同図(b)に示すよう
にウェハー1と補助板6とにより微小空間を形成し、該
微小空間内に、補助板6の横に配置された滴下ノズル7
から現像液5を導入する。
その後は、第1図の実施例と同様な方法で水洗及び乾燥
を行う。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明はウェハー表面から一定の距
離のところに、ウェハー形状とほぼ同等の形状を有する
補助板を対向配置し、ウェハーと補助板との間に微小空
間を形成し、該微小空間内に現像液を注入して現像を行
うため、滴下時に生じる気泡の発生を防止できるととも
に、レジストパターンの転写精度の低下を防止でき、さ
らには不定形ウェハーにおけるウェハー裏面への現像液
のまわり込みを防止できる等の効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は(a)は本発明の実施例1を示す断面図、第1
図(b)、(c)は現像工程順に示す断面図、第2図(
a)、(b)は本発明の実施例2を示す断面図、第3図
(a) 、 (b) 、 (c)は従来の現像工程を示
す断面図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ウェハーを固定するウェハー保持部と、固定保持
    されたウェハー表面上に微小空間部を形成するように配
    設され、該ウェハーの形状とほぼ同形状の補助板と、該
    空間部に現像液を導入する手段とを有することを特徴と
    する現像装置。
JP32350287A 1987-12-21 1987-12-21 現像装置 Pending JPH01164036A (ja)

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JP32350287A JPH01164036A (ja) 1987-12-21 1987-12-21 現像装置

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JP32350287A JPH01164036A (ja) 1987-12-21 1987-12-21 現像装置

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JPH01164036A true JPH01164036A (ja) 1989-06-28

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ID=18155408

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JP (1) JPH01164036A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6832616B2 (en) * 1999-01-04 2004-12-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Substrate treating apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6832616B2 (en) * 1999-01-04 2004-12-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Substrate treating apparatus

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