JP3119616B2 - 現像装置 - Google Patents
現像装置Info
- Publication number
- JP3119616B2 JP3119616B2 JP34337397A JP34337397A JP3119616B2 JP 3119616 B2 JP3119616 B2 JP 3119616B2 JP 34337397 A JP34337397 A JP 34337397A JP 34337397 A JP34337397 A JP 34337397A JP 3119616 B2 JP3119616 B2 JP 3119616B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- lead plate
- chemical solution
- developing
- developing device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
に現像液を半導体基板上に均一に滴下する構造に関す
る。
される現像装置には、図3または図4に示すものがあ
る。図3に示す従来の現像装置は、半導体基板1を真空
吸着してモータ2で回転させる基体3と、排水口4を有
する下蓋5と、薬液6を滴下あるいは噴出するノズル7
と上蓋8とから主に構成されている。半導体基板1表面
に各種薬液を滴下するノズル7は、半導体基板1上の空
間あるいは側面空間に設置され、固定または移動する支
持体9を通して、半導体基板1の表面へと薬液6を滴下
あるいは噴霧する構造となっている。ノズル7から一定
量の薬液を半導体基板1に滴下し、モーター2を低速度
で駆動して半導体基板1を回転させると、薬液の空気に
接触している部分と空気間でわずかな摩擦力が働き、薬
液は半導体基板1上で循環する。所定の時間が経過した
ら、半導体基板1を回転させながら、純水を放水し半導
体基板1に残留する薬液及び薬液と感光性樹脂の混合液
を洗い流す。その後、半導体基板1を高速で回転させ表
面上の水分を乾燥させる。
基板1を真空吸着してモータ2で回転させる基体3と、
排水口4を有する下蓋5と、可動式の中蓋11と、薬液
6を滴下あるいは噴出すノズル7と上蓋8とから主に構
成されている。ノズル7から滴下あるいは噴霧した薬液
6は中蓋11上に蓄積され、半導体基板1を薬液6中に
浸漬する。所定の時間が経過したら、中蓋11が下方に
移動し、薬液6が排水口4から排出される。その後、純
水が放水され半導体基板1に残留する薬液及び薬液と感
光性樹脂の混合液を洗い流され、半導体基板1を高速で
回転させ表面上の水分を乾燥させる。
うな現像装置を用いた現像方法では、半導体基板1の歩
留まりを向上させることが出来ない。図3に示した現像
装置のように、半導体基板1上に直接薬液6を滴下ある
いは噴霧する場合には、半導体基板1上に薬液6を均一
に滴下することが困難である。薬液6の噴霧圧や吐出圧
の変動やノズル7を持つ支持体9の移動速度の変動、あ
るいは、半導体基板1を保持する基体3の回転数の変動
によって半導体基板1上の感光性樹脂と薬液との接触時
間の差による現像処理時間の差が生じ、感光性樹脂の半
導体基板1表面での面内寸法ばらつきを生じさせてい
た。特に変動が大きい場合には、半導体基板1表面の周
辺部へ十分に薬液が回り込まないことが生じ、部分的に
感光性樹脂膜現像残りが発生していたからである。これ
らの減少は、特に半導体基板1の大口径化が進むと顕著
に現れてくる。この半導体基板1表面での面内寸法ばら
つきや部分的な感光性樹脂膜現像残りを誘発させ、結果
として、半導体基板1の歩留まりを低下させてしまう要
因となっていた。
中に浸漬する場合には、前回処理したときに発生した薬
液と感光性樹脂の混合液が半導体基板1にゴミとして付
着し、正常なパターンが形成できないという問題点が発
生した。現像工程では、露光された感光性樹脂を薬液に
溶解させるポジ型の場合と未露光部分が薬液に溶解する
ネガ型の場合があるが、そのどちらの場合も現像処理に
よって薬液と感光性樹脂に混合液が発生する。この発生
した混合液は現像・水洗槽内、特に下蓋5あるいは中蓋
11に付着する。現像処理工程では所定の現像時間終了
後に純水によってこの混合液を洗浄する。しかし、付着
した混合液については、完全に洗浄することが難しく、
洗浄では除去できない混合液が現像・水洗槽内に残って
しまう。この除去できない混合液が次回の半導体基板1
の現像処理時に半導体基板上の感光性樹脂に付着してパ
ターン形成不良を誘発してしまう。このパターン形成不
良により結果として、半導体基板1の歩留まりを低下さ
せてしまっていた。
発明の請求項1に記載の発明は、半導体装置の製造工程
のうちフォトリソグラフィ工程でのフォトレジストの現
像に使用される現像装置において、半導体基板を保持ま
たは固定し回転させる基体と、一端から前記半導体基板
の外周部の該半導体基板表面よりも高い位置で薬液を前
記半導体基板上に滴下すると共に前記一端よりも外方で
且つ前記一端の位置よりも高い位置に他端を有するリー
ド板と、前記リード板の他端側から前記リード板上に薬
液を吐出する複数のノズルとを備えたことを特徴とする
現像装置である。また本発明の請求項2に記載の現像装
置は、半導体装置の製造工程のうちフォトリソグラフィ
工程でのフォトレジストの現像に使用される現像装置に
おいて、半導体基板を保持または固定し回転させる基体
と、一端から前記半導体基板の外周部の該半導体基板表
面よりも高い位置で薬液を前記半導体基板上に滴下する
と共に前記一端よりも外方で且つ前記一端の位置よりも
高い位置に他端を有するリード板と、前記リード板上に
位置し、側壁を有してドーナツ状に配置されて薬液を前
記リード板上に向けて吐出可能に貯留する薬受けと、前
記薬液を前記薬受けに吐出するノズルとを有することを
特徴とする。
1で説明する。図1(a)は本発明の一実施の形態の上
面図であり、(b)はA−A縦断面図、(c)はリード
板12付近の拡大図である。本発明の一実施の形態であ
る現像装置は、半導体基板1を真空吸着してモータ2で
回転させる基体3と、排水口4を有する下蓋5と、薬液
6を滴下あるいは噴出する複数のノズル7とノズル7か
ら吐出された薬液6を半導体基板1上に滴下するための
リード板12と上蓋8とから主に構成されている。図1
(a)に示したように、リード板12は、半導体基板1
の外側にドーナツ状に設けられており、リード板12上
の任意の位置に複数のノズル7が設置されている。また
図1(c)に示すように、リード板12は半導体基板1
に対して、任意の高さTの位置に、任意の角度Θをもっ
て設置される。このリード板12の高さT及び角度Θ
は、容易に変更が可能で、半導体基板1の口径に合わせ
て、薬液6が半導体基板1の外周から流れる位置に設定
される。ノズル7から吐出された薬液6は、リード板1
2に沿って流れ、半導体基板1上に流れ込む。リード板
12を通過するときに、薬液6は半導体基板1の外周か
ら中心方向に向かう力を得る。この力の方向及び大きさ
は、リード板12の高さT及び角度Θによって任意に設
定することができる。以上のように、半導体基板1上に
設けられたリード板12は、ノズル7から吐出された薬
液6を任意の角度Θ及び高さTで半導体基板1上に滴下
するため、半導体基板1の外周から中心方向に向かって
薬液6を広げることができる。このため、半導体基板1
上の感光性樹脂と薬液6の接触時間が均一になる。ま
た、リード板12は薬液6と半導体基板1上の感光樹脂
との混合液とは接触しないため、混合液により生じるゴ
ミが付着することはない。
態は、図3に示した現像装置のドーナツ状のリード板1
2の上方に同じくドーナツ状でかつ側壁を有す薬受け1
3が設けられている。この場合、ノズル7は薬受け13
上の任意の一ヶ所に設けられている。リード板12の構
造等は、図3に示した本発明の一実施の形態と同様であ
る。ノズル7から吐出された薬液6は、いったん薬受け
13に保持される。そして任意の液量を保持した後、薬
受け13の下面が開いて薬液が吐出され、吐出された薬
液6はリード板12に沿って流れ、半導体基板1上流れ
込む。その後は、図3に示した本発明の一実施の形態と
同様である。
脂の寸法面内均一性が良好であるため、半導体装置の歩
留まり向上に大きく貢献することが出来ることである。
この効果は、特に、半導体基板の大口径化に有効であ
る。その理由は、半導体基板表面の感光性樹脂と薬液と
の接触時間(現像処理時間)が、半導体基板表面全体で
均一であるためである。第2の効果は、半導体基板表面
の部分的なパターン形成不良を防ぐことができることで
ある。これにより半導体装置の歩留まり向上に大きく貢
献することができる。この効果は、特に、半導体基板の
大口径化に有効である。その理由は、半導体基板上に薬
液が均一にのりやすくなるためである。第3の効果は、
浸漬による現像処理で問題となるゴミによるパターン形
成不良を防止することができることであり、これも半導
体装置の歩留まり向上に大きく貢献することができる。
その理由は、半導体基板上の感光性樹脂と薬液の混合液
が半導体基板に付着しないためである。また請求項2に
記載の発明は、前記効果に加えて、ノズルの本数が少な
くても半導体基板表面に薬液を均一に滴下することがで
きるという利点がある。これは 、薬受けに所定量溜まっ
た薬液を、リード板の円周上に一斉に流すことが可能な
ことによる。
る。 (b)本発明の一実施の形態を示す断面図である。 (c)本発明の一実施の形態のリード板を示す拡大図で
ある。
ある。 (b)本発明の他の実施の形態を示す断面図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 半導体装置の製造工程のうちフォトリソ
グラフィ工程でのフォトレジストの現像に使用される現
像装置において、 半導体基板を保持または固定し回転させる基体と、一端から前記半導体基板の外周部の該半導体基板表面よ
りも高い位置で薬液を前記半導体基板上に滴下すると共
に前記一端よりも外方で且つ前記一端の位置よりも高い
位置に他端を有するリード板と、 前記リード板の他端側から前記リード板上に薬液を吐出
する複数のノズルとを備えたことを特徴とする現像装
置。 - 【請求項2】 半導体装置の製造工程のうちフォトリソ
グラフィ工程でのフォトレジストの現像に使用される現
像装置において、 半導体基板を保持または固定し回転させる基体と、一端から前記半導体基板の外周部の該半導体基板表面よ
りも高い位置で薬液を前記半導体基板上に滴下すると共
に前記一端よりも外方で且つ前記一端の位置よりも高い
位置に他端を有するリード板と、 前記リード板上に位置し、側壁を有してドーナツ状に配
置されて薬液を前記リード板上に向けて吐出可能に貯留
する薬受けと、 前記薬液を前記薬受けに吐出するノズルとを有すること
を特徴とする現像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34337397A JP3119616B2 (ja) | 1997-12-12 | 1997-12-12 | 現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34337397A JP3119616B2 (ja) | 1997-12-12 | 1997-12-12 | 現像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000031002A JP2000031002A (ja) | 2000-01-28 |
JP3119616B2 true JP3119616B2 (ja) | 2000-12-25 |
Family
ID=18361021
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34337397A Expired - Fee Related JP3119616B2 (ja) | 1997-12-12 | 1997-12-12 | 現像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3119616B2 (ja) |
-
1997
- 1997-12-12 JP JP34337397A patent/JP3119616B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000031002A (ja) | 2000-01-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6265323B1 (en) | Substrate processing method and apparatus | |
JPH10232498A (ja) | 現像装置 | |
TWI799290B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
JPH11329960A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JPS623971B2 (ja) | ||
JP3119616B2 (ja) | 現像装置 | |
JP3118858B2 (ja) | レジスト塗布装置とその洗浄方法 | |
JPH09260278A (ja) | レジスト現像方法およびレジスト現像装置 | |
KR100269318B1 (ko) | 웨이퍼상에형성된감광막의현상방법 | |
JP4490555B2 (ja) | フォトレジスト層の現像方法 | |
JPH039328Y2 (ja) | ||
JPH031823B2 (ja) | ||
JP2593465B2 (ja) | 半導体ウエーハの液処理装置 | |
JPH11181584A (ja) | 基板処理装置 | |
JPS60127730A (ja) | 半導体装置製造装置 | |
KR101087791B1 (ko) | 스핀 척 및 이를 이용한 스핀 척 장치 | |
JPH03256321A (ja) | レジスト膜形成装置 | |
JPH10270318A (ja) | 飛散防止カップの洗浄方法及び塗布装置 | |
JP2002367889A (ja) | 現像装置 | |
KR20000042115A (ko) | 포토마스킹의 현상 방법 및 그 장치 | |
JPH0262549A (ja) | スピンデベロッパ、レジスト処理装置及びレジスト処理方法 | |
JPH10199791A (ja) | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 | |
KR100800964B1 (ko) | 감광막 현상 장치 | |
JPH08330211A (ja) | フォトレジスト現像装置、およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造装置、ならびに現像処理方法 | |
JP2643656B2 (ja) | ウェハ現像処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081013 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091013 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091013 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101013 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101013 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101013 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111013 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111013 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121013 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 12 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121013 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131013 Year of fee payment: 13 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |