JPH039328Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は、例えばポジ型フオトレジストのパド
ル方式による現像処理等に利用される半導体製造
装置に関するものである。

従来の技術 半導体素子は、多数の処理工程を経た半導体ウ
エーハに複数個が一括して形成され、この後各素
子毎に細分割して得られる。

上記処理工程の１つに、フオトレジスト現象工
程があり、このフオトレジスト現像工程では、上
記半導体ウエーハ上のフオトレジスト膜に潜像と
して形成されているマスクパターンを実際のエツ
チングに対するマスクパターンとする現像処理が
行なわれる。ところで上記フオトレジスト材には
ポジ型とネガ型とがあり、夫々には別個の現像液
が用いられている。上記ポジ型フオトレジスト材
に用いられる現像液は、特に毒性が強く、使用量
を抑える必要があるため、第５図に示すような現
像装置が用いられている。

図面において、１は半導体ウエーハＷの吸着保
持機構を備えたターンテーブル、２は現像液の供
給ノズル、３は純水等の洗浄液の供給ノズル、４
は上記ターンテーブル１を囲繞するように配設さ
れた回収槽、５は上記ターンテーブル１の外周縁
に近接させて配設され、上方に向けて開口する複
数の噴出孔５ａ，５ａ…を形成した半導体ウエー
ハＷ裏面用洗浄ノズル、６は、上記回収槽４の底
部に配設され、上記回収槽４を内側槽４ａと外側
槽４ｂとに区画する分離壁、７ａ，７ｂは夫々上
記内側槽４ａ並びに外側槽４ｂの底部に設けた排
出管を示す。

以下、上記の現像装置によるフオトレジスト現
像処理について説明する。尚、上記の半導体ウエ
ーハＷ表面のフオトレジスト膜〔図示せず〕に
は、半導体素子のマスクパターンが予め露光工程
を経て潜像として形成されているものとする。

先ず、上記半導体ウエーハＷをフオトレジスト
膜を上方に向けた状態で、上記ターンテーブル１
上に芯出しして位置決め載置し、吸着固定する。

次に、上記半導体ウエーハＷの表面に、供給ノ
ズル２から所定の現像液を滴下して所定量を供給
する。この現像液は、上記半導体ウエーハＷの表
面全体を覆うように供給され、表面張力によつて
所定の厚さに盛上がつた状態となつている。

次に、ターンテーブル１を静止、あるいは１秒
当り0.1〜数回転程度の超低速で回転させ、この
状態を所定時間維持して現像処理する。

次に、上記ターンテーブル１を低速で回転させ
て遠心力により半導体ウエーハＷ上の現像液を回
収槽４の内側槽４ａに振り落し、この内側槽４ａ
の底部の排液管７ａから排出して回収する。

次に上記ターンテーブル１を更に高速で回転さ
せながら、供給ノズル３から半導体ウエーハＷの
上面に洗浄液を供給する。上記半導体ウエーハＷ
に供給された洗浄液は、遠心力により半導体ウエ
ーハＷの表面上を流れ広がり、半導体ウエーハＷ
に僅かに残存する現像液を洗い流し、半導体ウエ
ーハＷの周縁から上記の現像液との混合液として
外側槽４ｂに向けて振り飛ばされる。そして上記
の混合液は、排出管７ｂから回収される。尚、こ
の洗浄時において、半導体ウエーハＷの下方に位
置する洗浄ノズル５は、上記ターンテーブル１か
ら露呈する半導体ウエーハＷの裏面に向けて洗浄
液を噴射することにより、上記洗浄液と現像液の
混合液が、回収槽４の内側壁や分離壁５に衝突し
て跳ね返り、霧状の飛沫が上記半導体ウエーハＷ
の回転に伴つて生じる気流に乗つて回収槽４内を
流動して、半導体ウエーハＷの裏面に付着するの
を防止している。

最後に、上記半導体ウエーハＷへの洗浄液の供
給を中止し、遠心乾燥させて現像処理を終了す
る。

考案が解決しようとする問題点 ところで上記の如き、半導体製造装置において
は、稼動時間の経過につれて半導体ウエーハＷ上
から遠心力で振り切つた現像液や使用済みの汚れ
た洗浄液が、回収槽４の内側壁や分離壁６の内側
壁に付着残存し、上記回収槽４や分離壁６の内側
壁が汚染されてくる。そしてこのように回収槽４
や分離壁６が汚染されてくると、これらが、半導
体ウエーハＷの現像並びに洗浄時の現像液や洗浄
液によつて再び霧状の飛沫となり、半導体ウエー
ハＷの表面を汚染する汚染源となる可能性が高か
つた。

問題点を解決するための手段 本考案は、上記問題点に鑑みてなされたもの
で、半導体ウエーハを吸着保持するターンテーブ
ルと、上記ターンテーブルを囲繞するように配設
された回収槽と、上記ターンテーブルの外方位置
に上下動可能に設けられ、上記回収槽の内側壁面
に向けて洗浄液を噴出する洗浄ノズルとを具備し
た半導体製造装置である。

作 用 本考案に係る半導体製造装置は、洗浄ノズルか
ら洗浄液を上記回収槽の内側壁に向けて噴出する
ことにより回収槽を洗浄して上述の汚染源を取り
除くことができる。

実施例 第１図乃至第３図は、本考案に係る半導体製造
装置の一実施例を示すもので、第５図に示す半導
体装置と同一部材には同一参照番号を附して説明
を省略する。

本考案に係る半導体製造装置においては、上記
ターンテーブル１の外方位置に洗浄ノズル１０を
配設したことを特徴としている。

上記洗浄ノズル１０は、ターンテーブル１と半
導体ウエーハＷの洗浄ノズル５との間の隙間に、
上下動可能に配設されており、更にこの洗浄ノズ
ル１０は、上記の隙間に沿つてターンテーブル１
の円周方向に移動し得るように配設されている。
更に、この洗浄ノズル１０からの洗浄液の噴出方
向は、回収槽４の内側壁あるいは分離壁６の内側
壁に略垂直に洗浄液が噴出されるようにターンテ
ーブル１の半径方向外側に向けて設定されてお
り、また、上記洗浄ノズル１０は、第３図に示す
ように、上記の噴出方向に向けて洗浄液が略円錘
状に広がつて噴霧されるピンホール状の噴出口１
０ａを有するストレートノズルを用いてある。

更に上記本考案実施例においては、上記半導体
ウエーハＷ用の洗浄ノズル５の噴出孔５ａ，５ａ
…の外側に斜め上方に向けて開口する分離壁６の
洗浄用の噴出孔１１，１１…を形成してある。

上記構成において、半導体ウエーハＷの現像処
理、並びに現像処理後の洗浄処理は、上記洗浄ノ
ズル１０をターンテーブル１より下方に退入さ
せ、かつ、噴出孔１１，１１…からの洗浄液の噴
出を停止させた状態で、従来同様にして行なう。

そして、上記回収槽４並びに分離壁６の洗浄に
際しては、半導体ウエーハＷをターンテーブル１
から搬出した状態で、以下の如くして行なう。

先ず、回収槽４の内側壁の洗浄については、上
記洗浄ノズル１０をターンテーブル１より上方に
上昇突出させておき、この状態で洗浄ノズル１０
に洗浄液を供給することにより、上記洗浄ノズル
１０と対向する回収槽４の内側壁に洗浄液を噴射
させ、そして、第２図に矢印で示すように、ター
ンテーブル１と洗浄ノズル５との隙間に沿つて上
記洗浄ノズル１０を円周方向に移動させることに
よつて、上記内側壁を全周にわたつて洗浄し、こ
の洗浄後の洗浄液は、前記の外側槽４ｂより排出
管７ｂから排出する。

次に、分離壁６の内側壁の洗浄については、上
記の半導体ウエーハＷ用の洗浄ノズル５の外側に
斜め上方に向けて複数個形成した噴出孔１１，１
１…に洗浄液を供給して、上記噴出孔１１，１１
…から洗浄液を上記分離壁６の内側壁に向けて斜
め上方に向けて噴出させることによつて行ない、
洗浄後の洗浄液は内側槽４ａから排出管７ａによ
つて排出する。

上記回収槽４並びに分離壁６の内側壁の洗浄が
終了すれば、上記洗浄ノズル１０並びに噴出孔１
１，１１…への洗浄液の供給を停止し、上記洗浄
ノズル１０をターンテーブル１の上面より下方に
退入させた後、通常の現像並びに洗浄処理を行な
えばよい。

尚、上記の実施例においては、洗浄ノズル１０
として、第３図に示すようなピンホール状の噴出
孔１０ａを有するストレートノズルを用いたが、
本考案装置は上記の如きものに限らず、例えば第
４図に示す洗浄ノズル１０′のような、スリツト
状の噴出孔１０a′を有するスプレーノズルを用
い、洗浄液を上下方向に幅広く噴出させるように
してもよい。

更に、上記の実施例においては、分離壁６の内
側壁は、半導体ウエーハＷ用の洗浄ノズル５の外
側に噴出孔１１，１１…を形成してこの噴出孔１
１，１１…からの洗浄液によつて洗浄するように
したが、別にこのような噴出孔１１，１１…を設
けずとも、上記洗浄ノズル１０，１０′からの洗
浄液の噴出力を低下させたり、洗浄ノズル１０，
１０′を下方に移動させる等して、この洗浄ノズ
ル１０，１０′からの洗浄液を分離壁６の内側壁
に向けて噴出させることによつて洗浄するように
してもよい。

更に、本考案は、上記の如く回収槽４を分離壁
６によつて内側槽４ａと外側槽４ｂに区画したパ
ドル方式の現像装置のみならず、回収槽４のみの
１重の槽を有するパドル方式の現像装置に適用し
てもよく、また、本考案を適用する装置は、上述
の如き現像装置の外、フオトレジスト塗布装置で
あつてもよい。

また、上記実施例では１本の洗浄ノズル１０あ
るいは１０′をターンテーブル１と洗浄ノズル５
との間の隙間に沿つて回動せしめる場合について
説明したが、回収槽４を回動せしめてもよい。い
ずれにしろ、上記隙間に沿つて洗浄ノズル１０，
１０′をｎ本等間隔で配設すれば、洗浄ノズル１
０，１０′または回収槽４を360゜／ｎだけ回動す
ればよくなり、構造が簡単になる。更には、洗浄
ノズル１０，１０′を洗浄ノズル５，１１のよう
に円筒状体に一体に配設すれば、洗浄ノズル１
０，１０′または回収槽４の回動は全く不要にな
る。

考案の効果 以上説明したように、本考案に係る半導体製造
装置は、洗浄ノズルから洗浄液を上記回収槽の内
側壁に向けて噴出することにより回収槽を洗浄し
て上述の汚染源を取り除くことができ、従つて、
回収槽を常に清浄状態に保つことができるため、
半導体ウエーハの汚染が防止されて半導体製造装
置の歩留りが向上し、更に、本考案の実施に際し
ては洗浄ノズルを付設することのみであるため、
極めて低コストで、上記の効果を得ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第４図は、本考案に係る半導体製造
装置の一実施例を示すもので、第１図は装置全体
の概略を示す縦断側面図、第２図は第１図の平面
図、第３図はノズルの拡大斜視図である。第４図
は上記ノズルの変形例を示す拡大斜視図である。
第５図は在来の半導体装置の一例の概略を示す縦
断側面図である。 Ｗ……半導体ウエーハ、１……ターンテーブ
ル、４……回収槽、１０，１０′……洗浄ノズル。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 半導体ウエーハを吸着保持するターンテーブル
   と、 上記ターンテーブルを囲繞するように配置され
   た回収槽と、 上記ターンテーブルの外方位置に上下動可能に
   設けられ、上記回収槽の内側壁面に向けて洗浄液
   を噴出する洗浄ノズルとを具備したことを特徴と
   する半導体製造装置。