JPH0888168A - スピンナ - Google Patents

スピンナ

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Publication number
JPH0888168A
JPH0888168A JP25142394A JP25142394A JPH0888168A JP H0888168 A JPH0888168 A JP H0888168A JP 25142394 A JP25142394 A JP 25142394A JP 25142394 A JP25142394 A JP 25142394A JP H0888168 A JPH0888168 A JP H0888168A
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JP
Japan
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wafer
inner ring
liquid
cleaning
cleaning liquid
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Pending
Application number
JP25142394A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Ito
隆志 伊藤
Hiroyuki Saito
博之 斎藤
Toshinori Konaka
敏典 小中
Kenkichi Hoshi
健吉 星
Osamu Ogawa
修 小川
Kiyoshi Kamibayashi
清 上林
Yoshiaki Kashiwakura
義昭 柏倉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
M SETETSUKU KK
Setetsuku Kk M
Nagase and Co Ltd
Original Assignee
M SETETSUKU KK
Setetsuku Kk M
Nagase and Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by M SETETSUKU KK, Setetsuku Kk M, Nagase and Co Ltd filed Critical M SETETSUKU KK
Priority to JP25142394A priority Critical patent/JPH0888168A/ja
Publication of JPH0888168A publication Critical patent/JPH0888168A/ja
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 処理液と洗浄液とが分離出来て処理液の回収
が完全に行え、排水処理も簡単で装置内部や配管系統の
処理液による汚染がないスピンナを開発する。 【構成】 ハウジング1に穿設された処理液用の排液口
3、洗浄液用の排出口4と、この内に回転自在に配設され
たウェハーチャック2及びウェハー9に処理液を供給する
処理液供給ノズル5と、洗浄液供給ノズル6と、排液口3
と排水口4とを仕切る仕切り壁7と、昇降自在に配設さ
れ、その上部にウェハー出入口10が形成され、ウェハー
の周囲を囲繞するインナーリング8とで構成されたスピ
ンナAにおいて、リング8の上端がチャック2に固定され
たウェハーの上部に位置する場合、その下端が仕切り壁
7の内側に位置し又その上端がウェハーの下方に位置す
る場合、リング8の外面が仕切り壁7の外側に位置するよ
うに形成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、処理液と洗浄液とを明
確に分離して回収する事が出来るスピンナに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路をウェハー上に形成する
プロセスの種類として、例えば、現像液をウェハー上
に均一に塗布したり、回路パターンを露光して、表面
に現像液が塗布されたウェハーに半導体回路を焼き付
け、これを現像処理したり、現像処理されたウェハー
をエッチング処理したり、ウェハー表面を洗浄して異
物を除去したりする工程がある。スピンナはこれらの工
程で使用されるもので、基本的にはウェハーをチャック
して回転させるウェハーチャック、ウェハーに処理液を
供給する処理液供給ノズル、ウェハーに洗浄液を供給す
る洗浄液供給ノズル、洗浄液や処理液の飛散を防止する
インナーリングを備えている。
【0003】図6は従来のスピンナの第1例で、固定の
アッパーカップ(31)の下にアンダーカップ(32)が昇降自
在に取り付けられており、アンダーカップ(32)の内周に
インナーリング(33)が設けられており、インナーリング
(33)とアンダーカップ(32)との間に排気路(34)が形成さ
れている。この排気路(34)の上端には排気系が接続され
ており、スピンナ(B)内の空気を吸引するようになって
いる。又、アンダーカップ(32)の底部には排液路(35)が
穿設されており、処理液の廃液や洗浄廃液を流出させる
ようになっている。
【0004】このスピンナスピンナ(B)にあっては、ウ
ェハーチャック(39)にウェハー(38)を装着した後、ウェ
ハーチャック(39)を回転させつつ処理液ノズル(36)で処
理液をウェハー(38)上にスプレーし、ウェハー(38)の遠
心力でウェハー(38)上に処理液を均一に付着させる。処
理液はウェハー(38)上にを流れ、ウェハー(38)の表面を
処理しつつウェハー(38)の縁からインナーリング(33)に
衝突して、滴下して排液路(35)から流出する。一定時間
が経過すると処理液ノズル(36)が移動してウェハー(38)
から離脱した後、洗浄液ノズル(37)がウェハー(38)上に
移動して来、洗浄液をウェハー(38)上に散布する。これ
により、ウェハー(38)上の洗浄液は洗い流される。ウェ
ハー(38)の洗浄が完了するとウェハーチャック(39)を高
速回転させてウェハー(9)上の水分を遠心力で振り払
い、ウェハー(38)の遠心乾燥を行う。然る後、アンダー
カップ(32)が下がり、アッパーカップ(31)との間に間隙
が出来、ここから洗浄された清浄ウェハー(38)が搬出さ
れる。
【0005】ここで、問題となるのは、第1に、処理液
によるウェハー(38)の表面処理時に、インナーリング(3
3)に処理液が衝突して飛散し、その飛沫が排気に乗って
排気路(34)や排気系に回り込み、排気路(34)や排気系を
洗浄液にて汚染する事である。第2の問題点は、処理液
も洗浄液も共に同一の排液路(35)に通すために、処理廃
液に洗浄廃液の一部が混入するので、処理廃液を回収し
て再利用出来ず、処理コストのアップになるという点で
ある。
【0006】そこで、図7に示すようにインナーリング
(33)を独立した機構にして、ハウジング(40)中にインナ
ーリング(33)を昇降自在に配設し、処理廃液、洗浄廃液
を排液路(35)から一括に排出するようにした。この配管
系統を図8に示す。これによれば、排液路(35)はミスト
セパレータ(42)に接続され、ミストセパレータ(42)に接
続された排気ファン(43)によって吸引され、ミストセパ
レータ(42)で気液分離が図られるようになっている。ミ
ストセパレータ(42)の排出経路には処理液用切替弁(44)
と洗浄廃液切替弁(45)とが直列接続されており、処理液
用切替弁(44)は処理液タンク(46)に接続され、洗浄廃液
切替弁(45)は濃厚液回収タンク(47)にそれぞれ接続され
ている。洗浄廃液切替弁(45)を通過した希薄液は希薄タ
ンク(48)に回収される。
【0007】この場合の処理手順を説明すると、揚水ポ
ンプ(P)にて処理液タンク(46)から供給された処理液を
一定時間ウェハー(38)上に供給してウェハー(38)の表面
処理を行う。排液路(35)を通過した処理廃液は、排気と
共にミストセパレータ(42)に流入し、前述同様気液分離
がなされ、排気のみが排気ファン(43)により大気放出さ
れる。この時点でミストセパレータ(42)に回収される処
理液は十分再利用が可能であるから、処理液用切替弁(4
4)を通って処理液タンク(46)に戻される。
【0008】表面処理が終了する、処理液用切替弁(44)
と洗浄廃液切替弁(45)とを切り替え、ミストセパレータ
(42)の回収廃液が処理液タンク(46)側に流れ込まないよ
うにする。このように弁を切り替えた後、洗浄液をウェ
ハー(38)上に流して表面洗浄を行うと、ウェハー(38)や
インナーリング(33)、配管系統その他に付着している処
理液が洗浄液によって洗浄される。この時点の廃液は処
理液を多量に含む濃厚廃液であるから、排水処理をしな
ければ河川放流する事が出来ないので、洗浄廃液切替弁
(45)により濃厚液回収タンク(47)に回収される。一定時
間が経過すると洗浄が進行し、洗浄廃液は処理液をほと
んど含まない希薄液となるので、この時点で洗浄廃液切
替弁(45)を切り替えて洗浄廃液を希薄液回収タンク(48)
に回収する。
【0009】インナーリング(33)は独立した部材である
ので、必要に応じて装置から外して洗浄する事が出来る
し、配管系統への処理液の付着は、洗浄液を毎回通水す
ることにより解決出来、洗浄液による装置汚染の問題は
解消された。しかしながら、回収処理液についての問題
がなお未解決であった。即ち、ウェハー(38)の洗浄処理
が完了すると次のウェハー(38)がウェハーチャック(39)
に供給され、ウェハー(38)の表面処理が開始する。この
時、スピンナ(C)内部から処理液用切替弁(44)に至る配
管系統には多量の希薄洗浄液が残留しており、処理液が
この配管系統を流れると、残留希薄洗浄液が処理廃液に
混入してこれを希釈してしまう事になる。この希釈処理
廃液を処理液タンク(46)に戻すと処理液タンク(46)内の
処理液が希釈されてしまう事になる。その結果、ウェハ
ー(38)の表面処理の進行により急速に処理液タンク(46)
内の処理液が使用に耐えぬほどの希薄濃度になり、処理
液の交換を余儀なくされるという事になり、処理コスト
の増大を招く結果となっていた。又、前述のように表面
処理から洗浄処理に切り替えた場合、排水処理の必要な
濃厚液が大量に発生し、排水処理設備が不可欠であると
いう問題もある。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、完全
に処理液と洗浄液とが分離出来て処理液の回収が完全に
行うことが出来、排水処理も簡単であってしかも装置内
部や配管系統の処理液による汚染がないスピンナを開発
する事にある。
【0011】
【課題を解決するための手段】請求項1は『ハウジング
(1)内に回転自在に配設されたウェハーチャック(2)と、
ハウジング(1)に穿設された処理液用の排液口(3)と、ハ
ウジング(1)に穿設された洗浄液用の排出口(4)と、ウェ
ハー(9)に処理液を供給する処理液供給ノズル(5)と、洗
浄液をウェハー(9)に供給する洗浄液供給ノズル(6)と、
排液口(3)と排水口(4)とを仕切る仕切り壁(7)と、昇降
自在に配設され、その上部にウェハー出入口(10)が形成
され、ウェハー(9)の周囲を囲繞するインナーリング(8)
とで構成されたスピンナ(A)において、インナーリング
(8)の上端がウェハーチャック(2)に固定されたウェハー
(9)の上部に位置する場合、インナーリング(8)の下端が
仕切り壁(7)の内側に位置し、インナーリング(8)の上端
がウェハーチャック(2)に固定されたウェハー(9)の下方
に位置する場合、インナーリング(8)の外面が仕切り壁
(7)の外側に位置するように形成されている』事を特徴
とする。
【0012】これによれば、インナーリング(8)の上端
がウェハーチャック(2)に固定されたウェハー(9)の上部
に位置する場合、インナーリング(8)の下端が仕切り壁
(7)の内側に位置するので、ウェハー(9)の上面にスプレ
ーされた流体はインナーリング(8)の内側を流れて排出
口(3)側に流れ込み、逆にインナーリング(8)の上端がウ
ェハーチャック(2)に固定されたウェハー(9)の下方に位
置する場合、インナーリング(8)の外面が仕切り壁(7)の
外側に位置するように形成されているので、ウェハー
(9)の上面にスプレーされた流体はインナーリング(8)の
外面に沿って流れ、仕切り壁(7)の外側から排出口(4)内
に流入する。このように、インナーリング(8)が昇降し
て仕切り壁(7)を境に排出口(4)側と排出口(3)側とに完
全にセパレートするために処理液と洗浄液の流出経路が
区別される事になり、処理液に洗浄液が混入せず、処理
液の長期にわたる再利用が可能となる。そして、洗浄液
側でも処理液の混入量が少ないので、従来のように廃液
処理を行うために濃縮廃液だけを回収する必要がなく、
洗浄廃液が極めて簡単となる。
【0013】請求項2はインナリング(8)をより具体的
に説明したもので『インナーリング(8)が2重構造とな
っており、インナーリング(8)の上端がウェハーチャッ
ク(2)に固定されたウェハー(9)の上部に位置する場合、
インナーリング本体(8a)の下端が仕切り壁(7)の内側に
位置し、インナーリング(8a)の上端がウェハーチャック
(2)に固定されたウェハー(9)の下方に位置する場合、イ
ンナーリング本体(8a)の外周に配設された外周スカート
部(8b)が仕切り壁(7)の外側に位置するように形成され
ている』事を特徴とすもので、請求項1と同じ作用をな
す。
【0014】
【実施例】以下、本発明方法をについて説明する。図1
は本発明に係るスピンナ(A)の要部断面図で、ハウジン
グ(1)の中央にウェハーチャック(2)が回転自在に配設さ
れている。ハウジング(1)の底部には排出口(3)と排出口
(4)とが穿設してあり、排出口(3)と排出口(4)との間に
仕切り壁(7)が配設されていて排出口(3)と排出口(4)と
を分割している。仕切り壁(7)はウェハーチャック(2)の
全周を取り囲むように立設されており、仕切り壁(7)の
内側に流れ込んだ流体は排出口(3)に、仕切り壁(7)の外
側に流れ込んだ流体は排出口(4)に流れ込むようになっ
ている。ハウジング(1)は上面開口となっており、天井
蓋(1a)が載置されている。又、ハウジング(1)の底部中
央にはウェハーチャック(2)の下部を覆う内周壁部(23)
が設置されている。
【0015】ウェハーチャック(2)の上面にはウェハー
(9)が固定されるようになっており、そのメカニズムは
静電チャック方式とか真空チャック方式などが採用され
ている。ウェハーチャック(2)の周囲には処理液供給ノ
ズル(5)、洗浄液供給ノズル(6)や必要に応じにバックリ
ンスノズル(11)が回動自在に設置されており、ウェハー
(9)の外周から外れた部分に待機していて、必要に応じ
てウェハー(9)の直上に移動して来る。処理液供給ノズ
ル(5)、洗浄液供給ノズル(6)には、その先端下面にスプ
レー口が形成されており、処理液や洗浄液をウェハー
(9)の上面に吹き付けて処理するようになっている。バ
ックリンスノズル(11)には、その先端上面にスプレー口
が形成されており、ウェハー(9)のエッジに回り込んだ
処理液を洗浄するようになっている。
【0016】インナーリング(8)はウェハー(9)の周囲を
覆うように配設されており、その上面開口(13)はウェハ
ー(9)より若干大きく形成されていて、インナーリング
(8)の昇降時にウェハー(9)が上面開口(13)を通過する事
ができるようになっている。上面開口(13)の周囲には止
水片部(14)が立設されており、インナーリング(8)が降
下した時にウェハーチャック(2)の外周に近接するよう
になっている。止水片部(14)から外方に水平片部(15)が
延出しており、水平片部(15)の外縁からインナーリング
本体(8a)が垂設されている。インナーリング本体(8a)は
仕切り壁(7)の内側に位置するように(換言すれば、イ
ンナーリング本体(8a)の最大外径は仕切り壁(7)の内径
より小さく)形成されている。
【0017】インナーリング本体(8a)の外周には傘状に
て外周スカート部(8b)が形成されており、その内径は仕
切り壁(7)の外径より大きく形成されており、インナー
リング(8)が降下した時には仕切り壁(7)の上端を全周に
わたって覆うようになっている。図1のインナーリング
(8)は2重構造になっているが、勿論これに限られず、
インナーリング本体(8a)の上部を大きく外に張り出さ
せ、仕切り壁(7)より外に位置させるようにしてもよ
い。これにより、前記張り出し部分が外周スカート部(8
b)と同様の働きをする事になる。インナーリング(8)は
昇降装置(図示せず)により昇降アーム(12)にて昇降す
るようになっている。ハウジング(1)の上面中央には通
気孔(16)が穿設された保護蓋(17)が配設されており、後
述する配管系統によってハウジング(1)内に吸引される
清浄外気が流入するようになっている。
【0018】配管系統は図5に示す通りで、処理液タン
ク(18)は処理液供給ノズル(5)に接続され、洗浄液供給
源(19)は洗浄液供給ノズル(6)及びバックリンスノズル
(11)に接続されている。一方、ハウジング(1)の排出口
(3)は処理液タンク(18)に接続され、排出口(4)はミスト
セパレタ(20)に接続されている。ミストセパレタ(20)に
は吸引ファン(21)が設置されており、ミストセパレタ(2
0)内の空気を吸引している。ミストセパレタ(20)の形式
には各種のものがあるが、ここでは例えばサイクロン形
式のものが使用されている。ミストセパレタ(20)の底部
には廃液管路(22)が接続されており、廃液処理設備(図
示せず)に接続されている。
【0019】しかして、ウェハーチャック(2)上に表面
処理前のウェハー(9)を載置し、インナーリング(8)を図
3に示すように上部に引き上げた状態でウェハーチャッ
ク(2)をウェハー(9)と共に回転させ、且つ処理液供給ノ
ズル(5)をウェハー(9)の中心付近に移動させ、処理液を
ウェハー(9)の上面にスプレーする。図3から分かるよ
うに、インナーリング本体(8a)の下端は仕切り壁(7)の
内側に位置し、且つ若干隙間が形成されている。これに
より、吸引ファン(21)を作動させると、ミストセパレタ
(20)を通じてハウジング(1)内の空気が吸引され、前記
隙間を通って排気の一部は排出口(4)からミストセパレ
タ(20)に流れる。一方、ウェハー(9)の表面にスプレー
された処理液は、ウェハー(9)上を均一に流れ、ウェハ
ー(9)の表面に均一な表面処理(エッチングや現像)を
施す。そして処理液は回転しているウェハー(9)の端部
からインナーリング本体(8a)の内壁に向かって液滴又は
水膜となって飛び出し、インナーリング本体(8a)の内壁
に当たってから内壁に沿って流下する。
【0020】この時、前記排気がインナーリング本体(8
a)の下縁から液滴乃至水膜となって流れ落ちている処理
廃液に接触し、その内の飛散飛沫を巻き込んで流出して
行く。その結果、若干ではあるが、排出口(4)に続く排
気系統は処理廃液で汚染される事になる。ただし、図3
から分かるように、排気の大部分は流通抵抗の差(即
ち、インナーリング本体(8a)の内側を通り、インナーリ
ング本体(8a)の下縁と仕切り壁(7)の上端に形成される
極く僅かな間隙を通って排出口(4)に流れ込むよりは、
外周スカート部(8b)とハウジング(1)の間の広い通気路
を通る方が遥かに通気抵抗が少ないという事。)から前
記隙間を通るより外周スカート部(8b)とハウジング(1)
との間の通気路を通過するので、前記汚染は極めて少な
い。
【0021】一方、インナーリング本体(8a)の内壁を流
下する処理液は、再利用が可能であるので、排出口(3)
に流れ込み続いて処理液タンク(18)に回収される。この
ようにして所定時間ウェハー(9)の表面処理が行われた
後、処理液供給ノズル(5)がウェハー(9)上からウェハー
(9)の周縁外にスイング移動し、続いてインナーリング
(8)が降下し、インナーリング(8)の上面開口(13)がウェ
ハー(9)を通過して止水片部(14)がウェハー(9)の下側に
位置する所まで降下する。そして、図4に示すようにイ
ンナーリング本体(8a)が仕切り壁(7)の内側に嵌まり込
み、且つ外周スカート部(8b)が仕切り壁(7)の上端全周
を覆う。この時、インナーリング(8)の止水片部(14)は
ウェハーチャック(2)の外周に近接する。図1の場合、
ウェハー(9)は図2に示すように正方形であるから、図
1のウェハー(9)の対角線に沿って切った断面を示す仮
想線より止水片部(14)が下側に位置するように記載され
ているが、ウェハー(9)が円形の場合には図1の実線断
面で示すように、止水片部(14)の内側にウェハー(9)の
外縁が位置する事になる。このようにインナーリング
(8)が降下位置に固定された後、洗浄液供給ノズル(6)と
バックリンスノズル(11)とがウェハー(9)側に移動して
来る。
【0022】洗浄液供給ノズル(6)はウェハー(9)の中心
近傍直上に位置し、バックリンスノズル(11)はインナー
リング(8)の水平片部(15)の直上で且つウェハー(9)の外
周直下に位置する。これにより、洗浄液供給ノズル(6)
の先端下面及びバックリンスノズル(11)の先端上面から
洗浄液が噴出し、ウェハー(9)の表面と裏面の外周部分
を洗浄する。洗浄液はウェハー(9)の回転によってハウ
ジング(1)の内壁に向かって飛び出し、排出口(4)を通っ
てミストセパレタ(20)に入る。最初の洗浄液には、ウェ
ハー(9)の表面に付着している処理液が洗浄液と共に流
出するので、洗浄液中の処理液の濃度はある程度濃い
が、処理液の量は極く少ないので、短時間で極く薄い濃
度になり、全体としては低濃度であって特別な排水処理
が必要でなくなる。
【0023】洗浄が終了に近づき、ウェハー(9)の回転
数が減少するとウェハー(9)の遠心力も小さくなって次
第にウェハー(9)の縁から洗浄液が垂れ落ちるようにな
るが、この場合でもインナーリング(8)の止水片部(14)
がウェハーチャック(2)の外周近傍に位置するので、ウ
ェハーチャック(2)を伝って洗浄液が流下しない限りは
水平片部(15)上に滴下し、外周スカート部(8b)の外面に
沿って流下して排出口(4)に流れ込む。これにより、洗
浄液が排出口(3)側に流れ込まない。
【0024】又、排出口(4)に流れ込んだ洗浄液は、排
出口(4)からミストセパレタ(20)迄の配管系統も洗浄し
て行く事になるので、特にこの配管系統を洗浄しなけれ
ばならないというような事もない。洗浄が終了すると、
洗浄液供給ノズル(6)とバックリンスノズル(11)とをウ
ェハー(9)の外周の外に移動させ且つウェハーチャック
(2)を高速回転させて表面に付着している水分を遠心除
去乾燥する。最後に、インナーリング(8)を上昇させ、
然る後ウェハー(9)を未処理のものと交換し、前期動作
を繰り返す。又、インナーリング(8)が処理液で汚染さ
れてメンテナンスを行わねばならないような場合には、
インナーリング(8)は昇降アーム(12)にて単独で設置さ
れているので、簡単に外すことができ、装置を分解する
事なく洗浄できる。
【0025】以上のように表面処理と洗浄並びに乾燥を
行うのであるが、処理液はウェハー(9)の表面に付着し
ているものを除き、排出口(3)を通じて処理液タンク(1
8)に洗浄液が混入しない状態で回収する事ができ、処理
液の回収率が従来に比べて格段に向上するだけでなく、
繰り返しての再利用が可能となる。一方、洗浄液に混入
する処理液はウェハー(9)の上面に付着しているものの
みであるから、その量は極めて少なく洗浄液の廃液処理
は極めて簡単となる。
【0026】
【発明の効果】本発明によれば、インナーリングが昇降
して仕切り壁を境に排出口側と排出口側とに完全にセパ
レートするために処理液と洗浄液の流出経路が区別され
る事になり、処理液に洗浄液が混入せず、処理液の長期
にわたる再利用が可能となる。そして、洗浄液側でも処
理液の混入量が少ないので、従来のように廃液処理を行
うために濃縮廃液だけを回収する必要がなく、洗浄廃液
が極めて簡単となるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るスピンナの正縦断面図。
【図2】図1の平断面図。
【図3】本発明のウェハー表面処理時の断面図。
【図4】本発明のウェハー表面洗浄時の断面図。
【図5】本発明の配管系統図。
【図6】従来例の縦断面図。
【図7】他の従来例の縦断面図。
【図8】従来例の配管系統図。
【符号の説明】
(A)…スピンナ (1)…ハウ
ジング (2)…ウェハーチャック (3)…排液
口 (4)…排出口 (5)…処理
液供給ノズル (6)…洗浄液供給ノズル (7)…仕切
り壁 (8)…インナーリング (8a)…イン
ナーリング本体 (8b)…外周スカート部 (9)…ウェ
ハー (10)…出入口 (11)…バッ
クリンス (12)…昇降アーム (13)…上面
開口 (14)…止水片部 (15)…水平
片部 (16)…通気孔 (17)…保護
蓋 (18)…処理液タンク (19)…洗浄
液供給源 (20)…ミストセパレータ (21)…吸引
ファン (22)…廃液管路 (23)…内周
壁部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小中 敏典 東京都台東区谷中3丁目6番16号 エム・ セテック株式会社内 (72)発明者 星 健吉 東京都台東区谷中3丁目6番16号 エム・ セテック株式会社内 (72)発明者 小川 修 東京都中央区日本橋小舟町5丁目1番地 長瀬産業株式会社内 (72)発明者 上林 清 東京都中央区日本橋小舟町5丁目1番地 長瀬産業株式会社内 (72)発明者 柏倉 義昭 東京都中央区日本橋小舟町5丁目1番地 長瀬産業株式会社内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ハウジング内に回転自在に配設さ
    れたウェハーチャックと、ハウジングに穿設された処理
    液用の排液口と、ハウジングに穿設された洗浄液用の排
    出口と、ウェハーに処理液を供給する処理液供給ノズル
    と、洗浄液をウェハーに供給する洗浄液供給ノズルと、
    排液口と排水口とを仕切る仕切り壁と、昇降自在に配設
    され、その上部にウェハー出入口が形成され、ウェハー
    の周囲を囲繞するインナーリングとで構成されたスピン
    ナにおいて、 インナーリングの上端がウェハーチャックに固定された
    ウェハーの上部に位置する場合、インナーリングの下端
    が仕切り壁の内側に位置し、インナーリングの上端がウ
    ェハーチャックに固定されたウェハーの下方に位置する
    場合、インナーリングの外面が仕切り壁の外側に位置す
    るように形成されている事を特徴とするスピンナ。
  2. 【請求項2】 インナーリングが2重構造となっ
    ており、インナーリングの上端がウェハーチャックに固
    定されたウェハーの上部に位置する場合、インナーリン
    グ本体の下端が仕切り壁の内側に位置し、インナーリン
    グの上端がウェハーチャックに固定されたウェハーの下
    方に位置する場合、インナーリング本体の外周に配設さ
    れた外周スカート部が仕切り壁の外側に位置するように
    形成されている事を特徴とする請求項1に記載のスピン
    ナ。
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