JPH01175230A - レジストの現像工程を有する半導体装置の製造方法 - Google Patents
レジストの現像工程を有する半導体装置の製造方法Info
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- JPH01175230A JPH01175230A JP33542187A JP33542187A JPH01175230A JP H01175230 A JPH01175230 A JP H01175230A JP 33542187 A JP33542187 A JP 33542187A JP 33542187 A JP33542187 A JP 33542187A JP H01175230 A JPH01175230 A JP H01175230A
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
レジストの現像工程を有する半導体装置の製造方法の改
良に関し、 容易に実施し得るプログラムの変更により、現像液の供
給方法を改善し、現像液の使用量を減少することが可能
なレジストの現像工程を有する半導体装置の製造方法の
提供を目的とし、回転テーブルに搭載した半導体基板表
面に形成したレジスト膜の現像を行う際に、前記回転テ
ーブルが減速する状態及び停止した状態において、現像
液の供給を前記基板表面に行うよう構成する。
良に関し、 容易に実施し得るプログラムの変更により、現像液の供
給方法を改善し、現像液の使用量を減少することが可能
なレジストの現像工程を有する半導体装置の製造方法の
提供を目的とし、回転テーブルに搭載した半導体基板表
面に形成したレジスト膜の現像を行う際に、前記回転テ
ーブルが減速する状態及び停止した状態において、現像
液の供給を前記基板表面に行うよう構成する。
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特にレジスト
の現像工程を有する半導体装置の製造方法の改良に関す
るものである。
の現像工程を有する半導体装置の製造方法の改良に関す
るものである。
回転テーブルに搭載した基板表面に形成したレジスト膜
の現像の際の現像液の供給は、プログラムによって回転
テーブルの回転数が増加している状態から供給し始め、
回転数が最高に達した後に回転数が減少し、更に停止す
る状態まで供給を続けて現像を行っている。
の現像の際の現像液の供給は、プログラムによって回転
テーブルの回転数が増加している状態から供給し始め、
回転数が最高に達した後に回転数が減少し、更に停止す
る状態まで供給を続けて現像を行っている。
このため、現像液の使用量が多くなり、現像コストの上
昇を招いている。
昇を招いている。
以上のような状況から現像液の使用量が少なくても充分
な現像処理を行うことが可能なレジストの現像工程を有
する半導体装置の製造方法が要望されている。
な現像処理を行うことが可能なレジストの現像工程を有
する半導体装置の製造方法が要望されている。
従来のレジストの現像方法を第２図〜第３図により説明
する。
する。
レジストの現像は、第２図に示すような現像装置を用い
、処理チャンバ３の中心に設けた回転テーブル６に、レ
ジスト膜２を形成したシリコン半導体基板１を搭載し、
現像液供給ノズル４から現像液を供給して現像を行って
いる。現像処理後の現像液は現像液ドレイン７から排出
される。
、処理チャンバ３の中心に設けた回転テーブル６に、レ
ジスト膜２を形成したシリコン半導体基板１を搭載し、
現像液供給ノズル４から現像液を供給して現像を行って
いる。現像処理後の現像液は現像液ドレイン７から排出
される。
従来のレジストの現像液の供給は、１本の現像液供給ノ
ズル或いは被現像基板の中心と同心の円周上に配置した
４〜５本の現像液供給ノズルにより行っている。
ズル或いは被現像基板の中心と同心の円周上に配置した
４〜５本の現像液供給ノズルにより行っている。
いずれの場合でも１本の現像液供給ノズルにより供給す
る液量は変えずに、本数の増加に応じて現像液の供給時
間を減少させており、総供給量を離開等になるようにし
ている。
る液量は変えずに、本数の増加に応じて現像液の供給時
間を減少させており、総供給量を離開等になるようにし
ている。
従来の現像工程のタイムチャートを第３図に示し、これ
により従来のレジストの現像方法を説明する。
により従来のレジストの現像方法を説明する。
総現像時間を長くすることが必要な場合には、連続して
長時間現像を行うことによる弊害を避けるため、タイム
チャートに図示するように現像液供給工程を３度行うよ
うにしているが、現像条件に応じて、現像■或いは現像
■を行わず、現像■のみを行う場合や、現像■を行わず
現像■及び現像■を行う場合もある。
長時間現像を行うことによる弊害を避けるため、タイム
チャートに図示するように現像液供給工程を３度行うよ
うにしているが、現像条件に応じて、現像■或いは現像
■を行わず、現像■のみを行う場合や、現像■を行わず
現像■及び現像■を行う場合もある。
現像工程終了後、図に示すように回転テーブル６を回転
しながら、水洗用スプレーノズル５から水を供給して水
洗し、その後回転テーブル６を更に高速回転してスピン
乾燥する。
しながら、水洗用スプレーノズル５から水を供給して水
洗し、その後回転テーブル６を更に高速回転してスピン
乾燥する。
上記の従来のレジストの現像方法では１度の現像に約４
０ｃｃ程度の現像液が必要である。
０ｃｃ程度の現像液が必要である。
以上説明の従来のレジストの現像方法で問題となるのは
、現像液の使用量が多くなり、現像コストが高くつくこ
とである。
、現像液の使用量が多くなり、現像コストが高くつくこ
とである。
即ち、回転テーブルの回転数が増加している状態から現
像液の供給をし始めるため、高速回転状態で供給される
現像液は殆どレジストと反応することなく回転テーブル
の遠心力によって飛散し、無駄に消費されているのであ
る。
像液の供給をし始めるため、高速回転状態で供給される
現像液は殆どレジストと反応することなく回転テーブル
の遠心力によって飛散し、無駄に消費されているのであ
る。
本発明は以上のような状況から容易に実施し得るプログ
ラムの変更により、現像液の供給方法を改善し、現像液
の使用量を減少することが可能なレジストの現像工程を
有する半導体装置の製造方法の提供を目的としたもので
ある。
ラムの変更により、現像液の供給方法を改善し、現像液
の使用量を減少することが可能なレジストの現像工程を
有する半導体装置の製造方法の提供を目的としたもので
ある。
上記問題点は、回転テーブルに搭載した基板表面に形成
したレジスト膜の現像を行う際に、回転テーブルが減速
する状態及び停止した状態において、現像液の供給を基
板表面に行う本発明によるレジストの現像方法によって
解決される。
したレジスト膜の現像を行う際に、回転テーブルが減速
する状態及び停止した状態において、現像液の供給を基
板表面に行う本発明によるレジストの現像方法によって
解決される。
即ち本発明においては、基板表面に形成したレジスト膜
の現像の際に、回転テーブルが減速する状態及び停止し
た状態において、現像液の供給を基板表面に行うから、
減速回転中に現像液が基板の全面に短時間に拡がるので
、静止状態における現像に必要な現像液が確実に供給さ
れ、現像液が無駄に消費されるのを防止することが可能
となり、現像コストを低減することが可能となる。
の現像の際に、回転テーブルが減速する状態及び停止し
た状態において、現像液の供給を基板表面に行うから、
減速回転中に現像液が基板の全面に短時間に拡がるので
、静止状態における現像に必要な現像液が確実に供給さ
れ、現像液が無駄に消費されるのを防止することが可能
となり、現像コストを低減することが可能となる。
以下第１図〜第２図について本発明の一実施例を説明す
る。
る。
レジストの現像に用いる現像装置は従来用いているもの
と同じである。
と同じである。
本実施例では、レジストとしては富士ハント社製のＨＰ
Ｒ２０４を、現像液としては同じメーカーのＨＰＲＤ４
２９を用いた。
Ｒ２０４を、現像液としては同じメーカーのＨＰＲＤ４
２９を用いた。
現像液の供給と回転テーブル６の回転状態との関係を示
すタイムチャート第１図により、本実施例を詳細に説明
する。
すタイムチャート第１図により、本実施例を詳細に説明
する。
現像液供給ノズル４から供給される現像液は、稼動開始
後１．５秒の回転テーブル６の回転数が最大となる時点
以降４秒後まで行うようにプログラムにより設定されて
おり、回転テーブル６は３秒後には停止し、再び回転テ
ーブル６が回転し始める２１．５秒後までの間に現像が
進行する。
後１．５秒の回転テーブル６の回転数が最大となる時点
以降４秒後まで行うようにプログラムにより設定されて
おり、回転テーブル６は３秒後には停止し、再び回転テ
ーブル６が回転し始める２１．５秒後までの間に現像が
進行する。
２１．５秒後から３１．５秒後までの間に回転テーブル
６を１ 、０００回転で回転させながら、水をスプレー
ノズル４からレジスト膜２に吹きつけて水洗を行う。
６を１ 、０００回転で回転させながら、水をスプレー
ノズル４からレジスト膜２に吹きつけて水洗を行う。
３１．５秒後から回転テーブル６の回転数を５．０００
回転にし、４５秒後までの間、回転テーブル６を回転し
ながらスピン乾燥を行いレジストの現像が完了する。
回転にし、４５秒後までの間、回転テーブル６を回転し
ながらスピン乾燥を行いレジストの現像が完了する。
このように現像液の供給を回転テーブル６の回転数が最
大となる時点以降に行うことにより、無駄に消費される
現像液が減少し、従来の三度の現像では現像液消費量が
１２０ｃｃ（４０ｃｃ ｘ ３ ）であったのを、−度
の現像で現像液消費量を１０ｃｃと１／１０以下に減少
できるので、現像コストの低減、が可能となる。
大となる時点以降に行うことにより、無駄に消費される
現像液が減少し、従来の三度の現像では現像液消費量が
１２０ｃｃ（４０ｃｃ ｘ ３ ）であったのを、−度
の現像で現像液消費量を１０ｃｃと１／１０以下に減少
できるので、現像コストの低減、が可能となる。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば極めて
容易に実施し得るプログラムの変更により、現像液の使
用量を減少することが可能となる利点があり、著しい経
済的効果が期待でき工業的には極めて有用なものである
。
容易に実施し得るプログラムの変更により、現像液の使
用量を減少することが可能となる利点があり、著しい経
済的効果が期待でき工業的には極めて有用なものである
。
第１図は本発明による一実施例を示すタイムチャート、
第２図は現像装置の概略を示す側断面図、第３図は従来
のレジストの現像方法を示すタイムチャート、 である。 図において、 ｌは基板、 ２はレジスト膜、 ３は処理チャンバ、 ４は現像液供給ノズル、 ５は水洗用スプレーノズル、 ６は回転テーブル、 ７は現像液ドレイン、 を示す。 本発明による一実施例を示すタイムチャート第 １ 図 現像装置の概略を示す側断面図 第 ２ 図
のレジストの現像方法を示すタイムチャート、 である。 図において、 ｌは基板、 ２はレジスト膜、 ３は処理チャンバ、 ４は現像液供給ノズル、 ５は水洗用スプレーノズル、 ６は回転テーブル、 ７は現像液ドレイン、 を示す。 本発明による一実施例を示すタイムチャート第 １ 図 現像装置の概略を示す側断面図 第 ２ 図
Claims (1)
- 回転テーブル（６）に搭載した半導体基板（１）表面
に形成したレジスト膜（２）の現像を行う際に、前記回
転テーブル（６）が減速する状態及び停止した状態にお
いて、現像液の供給を前記基板（１）表面に行うように
することを特徴とするレジストの現像工程を有する半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33542187A JPH01175230A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | レジストの現像工程を有する半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33542187A JPH01175230A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | レジストの現像工程を有する半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01175230A true JPH01175230A (ja) | 1989-07-11 |
Family
ID=18288369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33542187A Pending JPH01175230A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | レジストの現像工程を有する半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01175230A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100344989B1 (ko) * | 2000-01-27 | 2002-07-20 | 주식회사 실리콘 테크 | 반도체 제조 장치 모니터용 프로그램을 기록한 컴퓨터로읽을 수 있는 기록매체 |
-
1987
- 1987-12-28 JP JP33542187A patent/JPH01175230A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100344989B1 (ko) * | 2000-01-27 | 2002-07-20 | 주식회사 실리콘 테크 | 반도체 제조 장치 모니터용 프로그램을 기록한 컴퓨터로읽을 수 있는 기록매체 |
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