JPH1020508A - 基板の現像処理方法および装置 - Google Patents
基板の現像処理方法および装置Info
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板の表面に形成されたフォトレジスト膜の
現像時間を基板上の各位置でほぼ等しくし、現像むらの
発生が防止され、現像後のレジストパターンの線幅の面
内寸法均一性が得られる方法を提供する。 【解決手段】 基板Ｗの直径と同等以上の吐出幅を有す
る現像液供給ノズル１４を静止状態の基板の表面と平行
に基板の一端の現像液供給開始位置から他端の現像液供
給終了位置まで直線的に移動させ、基板の表面全体に現
像液を供給して、所定時間経過した後に、基板の直径と
同等以上の吐出幅を有するリンス液供給ノズル１６を静
止状態の基板の表面と平行に基板の一端の現像液供給開
始位置から他端の現像液供給終了位置まで直線的に移動
させ、基板の表面全体に純水を供給して、基板の表面に
形成されたフォトレジスト膜の現像を停止させる。
現像時間を基板上の各位置でほぼ等しくし、現像むらの
発生が防止され、現像後のレジストパターンの線幅の面
内寸法均一性が得られる方法を提供する。 【解決手段】 基板Ｗの直径と同等以上の吐出幅を有す
る現像液供給ノズル１４を静止状態の基板の表面と平行
に基板の一端の現像液供給開始位置から他端の現像液供
給終了位置まで直線的に移動させ、基板の表面全体に現
像液を供給して、所定時間経過した後に、基板の直径と
同等以上の吐出幅を有するリンス液供給ノズル１６を静
止状態の基板の表面と平行に基板の一端の現像液供給開
始位置から他端の現像液供給終了位置まで直線的に移動
させ、基板の表面全体に純水を供給して、基板の表面に
形成されたフォトレジスト膜の現像を停止させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶表示装置（ＬＣＤ）用ガラス基板等の基板を水平姿
勢に保持し、静止した状態の基板の表面へ現像液を供給
して、基板の表面に形成された露光済みのフォトレジス
ト膜を現像する基板の現像処理方法、ならびに、その方
法の実施に使用される基板の現像処理装置に関する。
液晶表示装置（ＬＣＤ）用ガラス基板等の基板を水平姿
勢に保持し、静止した状態の基板の表面へ現像液を供給
して、基板の表面に形成された露光済みのフォトレジス
ト膜を現像する基板の現像処理方法、ならびに、その方
法の実施に使用される基板の現像処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスやＬＣＤ製造プロセ
スなどにおいて、基板の表面に形成された露光済みのフ
ォトレジスト膜を現像する場合、基板を水平姿勢に保持
して鉛直軸回りに回転させながら、スプレイ式吐出ノズ
ルから現像液を吐出することにより、回転する基板の表
面全体に均一かつ十分な量の現像液を供給して、フォト
レジスト膜を現像（いわゆるスプレイ現象）する方法
と、基板を水平姿勢に保持して鉛直軸回りに低速で回転
させながら、吐出ノズルから現像液を基板上へ緩やかに
供給し、基板の表面全体に現像液を拡がらせて現像液層
を形成し、基板を静止させもしくは低速で回転させなが
らフォトレジスト膜を現像（いわゆるパドル現象）する
方法とが一般に行われている。これらの現像方法のう
ち、後者の方法では、基板の表面に現像液が供給されて
から、その現像液が基板の表面全体に拡がるまでに時間
がかかる。このため、基板の位置によってフォトレジス
ト膜が現像され始める時期に差を生じ、これらが現像む
らの原因になるといった問題点がある。
スなどにおいて、基板の表面に形成された露光済みのフ
ォトレジスト膜を現像する場合、基板を水平姿勢に保持
して鉛直軸回りに回転させながら、スプレイ式吐出ノズ
ルから現像液を吐出することにより、回転する基板の表
面全体に均一かつ十分な量の現像液を供給して、フォト
レジスト膜を現像（いわゆるスプレイ現象）する方法
と、基板を水平姿勢に保持して鉛直軸回りに低速で回転
させながら、吐出ノズルから現像液を基板上へ緩やかに
供給し、基板の表面全体に現像液を拡がらせて現像液層
を形成し、基板を静止させもしくは低速で回転させなが
らフォトレジスト膜を現像（いわゆるパドル現象）する
方法とが一般に行われている。これらの現像方法のう
ち、後者の方法では、基板の表面に現像液が供給されて
から、その現像液が基板の表面全体に拡がるまでに時間
がかかる。このため、基板の位置によってフォトレジス
ト膜が現像され始める時期に差を生じ、これらが現像む
らの原因になるといった問題点がある。
【０００３】そこで、例えば特開昭６３−１８６２７号
公報には、図６の（Ａ）に概略図を示すように、基板Ｗ
を静止させ（或いは回転させながら）、基板Ｗの最大幅
と同等以上の長さを有する棒状の液出しノズル１（図６
の（Ｂ）に示す平面図を参照）を基板Ｗ面上に平行に設
置し、液出しノズル１から現像液２を基板上に滴下させ
ながら、液出しノズル１を、基板Ｗ上を平行にスライド
させることにより、基板Ｗ上の全面に現像液２を盛るよ
うにする現像方法が開示されている。
公報には、図６の（Ａ）に概略図を示すように、基板Ｗ
を静止させ（或いは回転させながら）、基板Ｗの最大幅
と同等以上の長さを有する棒状の液出しノズル１（図６
の（Ｂ）に示す平面図を参照）を基板Ｗ面上に平行に設
置し、液出しノズル１から現像液２を基板上に滴下させ
ながら、液出しノズル１を、基板Ｗ上を平行にスライド
させることにより、基板Ｗ上の全面に現像液２を盛るよ
うにする現像方法が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、特開昭６３
−１８６２７号公報に開示されているように、基板の表
面全体に現像液を盛ってフォトレジスト膜を現像する現
像方法において、現像液によるフォトレジスト膜の現像
を停止させるには、基板の表面に現像液が供給されてか
ら所定の現像時間（例えば１分）が経過した後に、基板
を高速で回転させて、基板上の現像液を遠心力で振り切
るとともに、リンス液、例えば純水を吐出ノズルから回
転させた基板の表面へ吐出し、基板全面を純水で置換さ
せて現像を停止させる方法が、従来から一般的に用いら
れている。したがって、フォトレジスト膜の現像停止
は、基板の表面全体においてほぼ同時になされるように
なっていた。
−１８６２７号公報に開示されているように、基板の表
面全体に現像液を盛ってフォトレジスト膜を現像する現
像方法において、現像液によるフォトレジスト膜の現像
を停止させるには、基板の表面に現像液が供給されてか
ら所定の現像時間（例えば１分）が経過した後に、基板
を高速で回転させて、基板上の現像液を遠心力で振り切
るとともに、リンス液、例えば純水を吐出ノズルから回
転させた基板の表面へ吐出し、基板全面を純水で置換さ
せて現像を停止させる方法が、従来から一般的に用いら
れている。したがって、フォトレジスト膜の現像停止
は、基板の表面全体においてほぼ同時になされるように
なっていた。
【０００５】ところが、特開昭６３−１８６２７号公報
に開示された現像方法のように、基板の最大幅と同等以
上の長さを有する液出しノズルを基板の表面と平行に移
動させながら、液出しノズルから基板の表面へ現像液を
供給して、基板の表面全体に液盛りした場合には、図６
の（Ｂ）に概略平面図を示すように、基板Ｗの表面全体
に被着形成されたフォトレジスト膜において先に現像液
と接触する部分と後から現像液と接触する部分とが生じ
る。図６の（Ｂ）においては、現像液が供給された部分
を斜線で示している。基板上の位置によってフォトレジ
スト膜に現像液が接触して現像が開始される時期が違う
と、従来のように、基板の表面に現像液が供給されてか
ら所定時間経過後に、基板を高速回転させて基板上から
現像液を除去するとともに、リンス液を回転させた基板
の表面へ吐出して基板全面を純水で置換させ、フォトレ
ジスト膜の現像を基板の表面全体において同時に停止さ
せる方法では、基板上の位置によってフォトレジスト膜
の現像時間に差を生じることになる。この結果、現像む
らが発生したり、現像後におけるレジストパターンの線
幅の面内寸法均一性が得られなかったりする、といった
問題を生じる。特に、基板が大型化すると、液出しノズ
ルが基板の一端から他端まで移動するのに時間がかかる
ため、基板上の位置による現像時間の差が大きくなり、
現像むらやレジストパターンの線幅寸法の不均一性の問
題がより深刻となる。
に開示された現像方法のように、基板の最大幅と同等以
上の長さを有する液出しノズルを基板の表面と平行に移
動させながら、液出しノズルから基板の表面へ現像液を
供給して、基板の表面全体に液盛りした場合には、図６
の（Ｂ）に概略平面図を示すように、基板Ｗの表面全体
に被着形成されたフォトレジスト膜において先に現像液
と接触する部分と後から現像液と接触する部分とが生じ
る。図６の（Ｂ）においては、現像液が供給された部分
を斜線で示している。基板上の位置によってフォトレジ
スト膜に現像液が接触して現像が開始される時期が違う
と、従来のように、基板の表面に現像液が供給されてか
ら所定時間経過後に、基板を高速回転させて基板上から
現像液を除去するとともに、リンス液を回転させた基板
の表面へ吐出して基板全面を純水で置換させ、フォトレ
ジスト膜の現像を基板の表面全体において同時に停止さ
せる方法では、基板上の位置によってフォトレジスト膜
の現像時間に差を生じることになる。この結果、現像む
らが発生したり、現像後におけるレジストパターンの線
幅の面内寸法均一性が得られなかったりする、といった
問題を生じる。特に、基板が大型化すると、液出しノズ
ルが基板の一端から他端まで移動するのに時間がかかる
ため、基板上の位置による現像時間の差が大きくなり、
現像むらやレジストパターンの線幅寸法の不均一性の問
題がより深刻となる。
【０００６】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、基板の直径もしくは幅と同等以上の
吐出幅を有する現像液供給ノズルを、水平姿勢に保持さ
れ静止した状態の基板の表面と平行に基板の一端から他
端まで直線的に移動させ、現像液供給ノズルから基板の
表面全体に現像液を供給して液盛りする基板の現像液処
理方法において、基板の表面に形成されたフォトレジス
ト膜の現像時間が基板上の各位置においてほぼ等しくな
り、現像むらが発生する心配が無く、現像後におけるレ
ジストパターンの線幅の面内寸法均一性が得られるよう
な方法を提供すること、ならびに、そのような方法を好
適に実施することができる基板の現像処理装置を提供す
ることを目的とする。
されたものであり、基板の直径もしくは幅と同等以上の
吐出幅を有する現像液供給ノズルを、水平姿勢に保持さ
れ静止した状態の基板の表面と平行に基板の一端から他
端まで直線的に移動させ、現像液供給ノズルから基板の
表面全体に現像液を供給して液盛りする基板の現像液処
理方法において、基板の表面に形成されたフォトレジス
ト膜の現像時間が基板上の各位置においてほぼ等しくな
り、現像むらが発生する心配が無く、現像後におけるレ
ジストパターンの線幅の面内寸法均一性が得られるよう
な方法を提供すること、ならびに、そのような方法を好
適に実施することができる基板の現像処理装置を提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
基板の直径もしくは幅と同等以上の吐出幅を有する現像
液供給ノズルを、水平姿勢に保持され静止した状態の基
板の表面と平行に基板の一端の現像液供給開始位置から
他端の現像液供給終了位置まで直線的に移動させ、現像
液供給ノズルから基板の表面全体に現像液を供給してか
ら、所定時間経過した後に、基板の直径もしくは幅と同
等以上の吐出幅を有するリンス液供給ノズルを、水平姿
勢に保持され静止した状態の前記基板の表面と平行に基
板の一端の前記現像液供給開始位置から他端の前記現像
液供給終了位置まで直線的に移動させ、リンス液供給ノ
ズルから基板の表面全体にリンス液を供給して、基板の
表面に形成されたフォトレジスト膜の現像を停止させる
ことを特徴とする。
基板の直径もしくは幅と同等以上の吐出幅を有する現像
液供給ノズルを、水平姿勢に保持され静止した状態の基
板の表面と平行に基板の一端の現像液供給開始位置から
他端の現像液供給終了位置まで直線的に移動させ、現像
液供給ノズルから基板の表面全体に現像液を供給してか
ら、所定時間経過した後に、基板の直径もしくは幅と同
等以上の吐出幅を有するリンス液供給ノズルを、水平姿
勢に保持され静止した状態の前記基板の表面と平行に基
板の一端の前記現像液供給開始位置から他端の前記現像
液供給終了位置まで直線的に移動させ、リンス液供給ノ
ズルから基板の表面全体にリンス液を供給して、基板の
表面に形成されたフォトレジスト膜の現像を停止させる
ことを特徴とする。
【０００８】請求項２に係る発明は、請求項１記載の現
像処理方法において、現像液供給ノズルから基板の表面
全体に現像液が供給された後、基板を鉛直軸回りに所定
の角度分だけ回動させ、その回動後に基板の一端の現像
液供給開始位置に対向する位置に配置されたリンス液供
給ノズルにより基板の表面へリンス液を供給することを
特徴とする。
像処理方法において、現像液供給ノズルから基板の表面
全体に現像液が供給された後、基板を鉛直軸回りに所定
の角度分だけ回動させ、その回動後に基板の一端の現像
液供給開始位置に対向する位置に配置されたリンス液供
給ノズルにより基板の表面へリンス液を供給することを
特徴とする。
【０００９】請求項３に係る発明は、請求項１または請
求項２記載の現像処理方法において、リンス液供給ノズ
ルを、その下端側がリンス液供給ノズルの移動方向に突
き出るように傾斜させ、リンス液供給ノズルの下端から
吐出されるリンス液の、基板に対する相対吐出速度が、
基板に対するリンス液供給ノズルの相対移動速度より大
きくなるようにしたことを特徴とする。
求項２記載の現像処理方法において、リンス液供給ノズ
ルを、その下端側がリンス液供給ノズルの移動方向に突
き出るように傾斜させ、リンス液供給ノズルの下端から
吐出されるリンス液の、基板に対する相対吐出速度が、
基板に対するリンス液供給ノズルの相対移動速度より大
きくなるようにしたことを特徴とする。
【００１０】請求項４に係る発明は、請求項１または請
求項２記載の現像処理方法において、リンス供給ノズル
を、その下端側がリンス液供給ノズルの移動方向と逆方
向に突き出るように傾斜させ、リンス液供給ノズルの下
端から吐出されるリンス液の、基板に対する相対吐出速
度が、基板に対するリンス液供給ノズルの相対移動速度
より小さくなるようにしたことを特徴とする。
求項２記載の現像処理方法において、リンス供給ノズル
を、その下端側がリンス液供給ノズルの移動方向と逆方
向に突き出るように傾斜させ、リンス液供給ノズルの下
端から吐出されるリンス液の、基板に対する相対吐出速
度が、基板に対するリンス液供給ノズルの相対移動速度
より小さくなるようにしたことを特徴とする。
【００１１】請求項５に係る発明は、表面にフォトレジ
スト膜が形成された基板を水平姿勢に保持する基板保持
手段と、基板の直径もしくは幅と同等以上の吐出幅を有
し、前記基板保持手段に保持された基板の表面に現像液
を供給する現像液供給ノズルと、この現像液供給ノズル
を、前記基板保持手段に保持され静止した状態の基板の
表面と平行に基板の一端の現像液供給開始位置から他端
の現像液供給終了位置まで直線的に移動させて、現像液
供給ノズルから基板の表面全体に現像液が供給されるよ
うにする現像液供給ノズル移動手段とを備えた基板の現
像処理装置において、基板の直径もしくは幅と同等以上
の吐出幅を有し、前記基板保持手段に保持された基板の
表面にリンス液を供給するリンス液供給ノズルと、この
リンス液供給ノズルを、前記基板保持手段に保持され静
止した状態の前記基板の表面と平行に基板の一端の前記
現像液供給開始位置から他端の前記現像液供給終了位置
まで直線的に移動させて、前記現像液供給ノズルから表
面全体に現像液が供給されて所定時間経過した後の基板
の表面全体に前記リンス液供給ノズルからリンス液が供
給され基板の表面に形成されたフォトレジスト膜の現像
が停止されるようにするリンス液供給ノズル移動手段と
を設けたことを特徴とする。
スト膜が形成された基板を水平姿勢に保持する基板保持
手段と、基板の直径もしくは幅と同等以上の吐出幅を有
し、前記基板保持手段に保持された基板の表面に現像液
を供給する現像液供給ノズルと、この現像液供給ノズル
を、前記基板保持手段に保持され静止した状態の基板の
表面と平行に基板の一端の現像液供給開始位置から他端
の現像液供給終了位置まで直線的に移動させて、現像液
供給ノズルから基板の表面全体に現像液が供給されるよ
うにする現像液供給ノズル移動手段とを備えた基板の現
像処理装置において、基板の直径もしくは幅と同等以上
の吐出幅を有し、前記基板保持手段に保持された基板の
表面にリンス液を供給するリンス液供給ノズルと、この
リンス液供給ノズルを、前記基板保持手段に保持され静
止した状態の前記基板の表面と平行に基板の一端の前記
現像液供給開始位置から他端の前記現像液供給終了位置
まで直線的に移動させて、前記現像液供給ノズルから表
面全体に現像液が供給されて所定時間経過した後の基板
の表面全体に前記リンス液供給ノズルからリンス液が供
給され基板の表面に形成されたフォトレジスト膜の現像
が停止されるようにするリンス液供給ノズル移動手段と
を設けたことを特徴とする。
【００１２】請求項６に係る発明は、請求項５記載の現
像処理装置において、現像液供給ノズルとリンス液供給
ノズルとを、平面視において基板を中心として所定の角
度をなすようにそれぞれ配置し、また、前記現像液供給
ノズルから表面全体に現像液が供給された基板を保持す
る基板保持手段を鉛直軸回りに回動させる回転駆動手段
と、この回動駆動手段によって回動させられる前記基板
保持手段に保持された基板の一端の現像液供給開始位置
の角度位置を検出する角度位置検出手段と、この角度位
置検出手段の検出結果に基づいて基板を、基板の一端の
前記現像液供給開始位置が前記リンス液供給ノズルに対
向する角度位置で停止させる回転停止手段とを設けたこ
とを特徴とする。
像処理装置において、現像液供給ノズルとリンス液供給
ノズルとを、平面視において基板を中心として所定の角
度をなすようにそれぞれ配置し、また、前記現像液供給
ノズルから表面全体に現像液が供給された基板を保持す
る基板保持手段を鉛直軸回りに回動させる回転駆動手段
と、この回動駆動手段によって回動させられる前記基板
保持手段に保持された基板の一端の現像液供給開始位置
の角度位置を検出する角度位置検出手段と、この角度位
置検出手段の検出結果に基づいて基板を、基板の一端の
前記現像液供給開始位置が前記リンス液供給ノズルに対
向する角度位置で停止させる回転停止手段とを設けたこ
とを特徴とする。
【００１３】請求項７に係る発明は、請求項５または請
求項６記載の現像処理装置において、リンス液供給ノズ
ルを、その下端側がリンス液供給ノズルの移動方向に突
き出るように傾斜して保持し、リンス液供給ノズルの下
端から吐出されるリンス液の、基板に対する相対吐出速
度が、基板に対するリンス液供給ノズルの相対移動速度
より大きくなるようにしたことを特徴とする。
求項６記載の現像処理装置において、リンス液供給ノズ
ルを、その下端側がリンス液供給ノズルの移動方向に突
き出るように傾斜して保持し、リンス液供給ノズルの下
端から吐出されるリンス液の、基板に対する相対吐出速
度が、基板に対するリンス液供給ノズルの相対移動速度
より大きくなるようにしたことを特徴とする。
【００１４】請求項８に係る発明は、請求項５または請
求項６記載の現像処理装置において、リンス液供給ノズ
ルを、その下端側がリンス液供給手段ノズルの移動方向
と逆方向に突き出るように傾斜して保持し、リンス液供
給ノズルの下端から吐出されるリンス液の、基板に対す
る相対吐出速度が、基板に対するリンス液供給ノズルの
相対移動速度より小さくなるようにしたことを特徴とす
る。
求項６記載の現像処理装置において、リンス液供給ノズ
ルを、その下端側がリンス液供給手段ノズルの移動方向
と逆方向に突き出るように傾斜して保持し、リンス液供
給ノズルの下端から吐出されるリンス液の、基板に対す
る相対吐出速度が、基板に対するリンス液供給ノズルの
相対移動速度より小さくなるようにしたことを特徴とす
る。
【００１５】請求項１に係る発明の基板の現像処理方法
では、基板の表面全体に現像液が供給されて所定時間経
過した後に、リンス液供給ノズルが基板と平行に、現像
液供給ノズルによる現像液の供給が開始された基板の一
端位置から現像液の供給が終了した基板の他端位置まで
直線的に移動することにより、基板の表面全体にリンス
液が供給される。したがって、基板の表面全体に被着形
成されたフォトレジスト膜において、先に現像液と接触
した部分ほど、早い時期にリンス液が供給されて現像液
による現像が停止させられ、後から現像液と接触した部
分ほど、遅い時期にリンス液が供給されて現像液による
現像が停止させられる。この結果、フォトレジスト膜の
現像時間が基板の各位置においてほぼ等しくなる。
では、基板の表面全体に現像液が供給されて所定時間経
過した後に、リンス液供給ノズルが基板と平行に、現像
液供給ノズルによる現像液の供給が開始された基板の一
端位置から現像液の供給が終了した基板の他端位置まで
直線的に移動することにより、基板の表面全体にリンス
液が供給される。したがって、基板の表面全体に被着形
成されたフォトレジスト膜において、先に現像液と接触
した部分ほど、早い時期にリンス液が供給されて現像液
による現像が停止させられ、後から現像液と接触した部
分ほど、遅い時期にリンス液が供給されて現像液による
現像が停止させられる。この結果、フォトレジスト膜の
現像時間が基板の各位置においてほぼ等しくなる。
【００１６】請求項２に係る発明の現像処理方法では、
現像液供給ノズルの待機位置とリンス液供給ノズルの待
機位置とを違えることができるため、両ノズルの配置関
係を適宜選定することにより、スペースの有効利用を図
ることが可能になる。
現像液供給ノズルの待機位置とリンス液供給ノズルの待
機位置とを違えることができるため、両ノズルの配置関
係を適宜選定することにより、スペースの有効利用を図
ることが可能になる。
【００１７】請求項３に係る発明の現像処理方法では、
リンス液供給ノズルの下端から基板の表面上のフォトレ
ジスト膜面に向かって吐出されるリンス液の、基板に対
する相対吐出速度が、基板に対するリンス液供給ノズル
の相対移動速度より大きくなるので、リンス液供給ノズ
ルが基板に対し垂直に保持されて移動する場合に比べ
て、リンス液がフォトレジスト膜面へ勢い良く吐出され
る。このため、リンス液により、フォトレジスト膜の現
像に伴って生じたレジストの滓や現像液中に溶解したレ
ジスト成分などが効果的に掻き出される。
リンス液供給ノズルの下端から基板の表面上のフォトレ
ジスト膜面に向かって吐出されるリンス液の、基板に対
する相対吐出速度が、基板に対するリンス液供給ノズル
の相対移動速度より大きくなるので、リンス液供給ノズ
ルが基板に対し垂直に保持されて移動する場合に比べ
て、リンス液がフォトレジスト膜面へ勢い良く吐出され
る。このため、リンス液により、フォトレジスト膜の現
像に伴って生じたレジストの滓や現像液中に溶解したレ
ジスト成分などが効果的に掻き出される。
【００１８】請求項４に係る発明の現像処理方法では、
リンス液供給ノズルの下端から基板の表面上のフォトレ
ジスト膜面に向かって吐出されるリンス液の、基板に対
する相対吐出速度が、基板に対するリンス液供給ノズル
の相対移動速度より小さくなるので、リンス液供給ノズ
ルが基板に対し垂直に保持されて移動する場合に比べ
て、リンス液がフォトレジスト膜面へ緩やかに吐出され
る。このため、フォトレジストの種類により、現像によ
って形成されたレジストパターンが損傷を受けやすいよ
うな場合でも、リンス液の吐出圧力によってレジストパ
ターンが損傷される心配を無くすことができる。
リンス液供給ノズルの下端から基板の表面上のフォトレ
ジスト膜面に向かって吐出されるリンス液の、基板に対
する相対吐出速度が、基板に対するリンス液供給ノズル
の相対移動速度より小さくなるので、リンス液供給ノズ
ルが基板に対し垂直に保持されて移動する場合に比べ
て、リンス液がフォトレジスト膜面へ緩やかに吐出され
る。このため、フォトレジストの種類により、現像によ
って形成されたレジストパターンが損傷を受けやすいよ
うな場合でも、リンス液の吐出圧力によってレジストパ
ターンが損傷される心配を無くすことができる。
【００１９】請求項５に係る発明の現像処理装置では、
現像液供給ノズル移動手段により、基板の直径もしくは
幅と同等以上の吐出幅をする現像液供給ノズルが、基板
保持手段によって水平姿勢に保持され静止した状態の基
板の表面と平行に基板の一端の現像液供給開始位置から
他端の現像液供給終了位置まで直線的に移動させられ
る。これにより、現像液供給ノズルから基板の表面全体
に現像液が供給され、基板の表面に形成されたフォトレ
ジスト膜が現像される。そして、所定時間経過した後
に、リンス液供給ノズル移動手段により、基板の直径も
しくは幅と同等以上の吐出幅をするリンス液供給ノズル
が、基板保持手段によって水平姿勢に保持され静止した
状態の基板の表面と平行に基板の一端の前記現像液供給
開始位置から他端の前記現像液供給終了位置まで直線的
に移動させられる。これにより、リンス液供給ノズルか
ら基板の表面全体にリンス液が供給され、基板の表面に
形成されたフォトレジスト膜の現像が停止させられる。
したがって、基板の表面全体に被着形成されたフォトレ
ジスト膜において、先に現像液と接触した部分ほど、早
い時期にリンス液が供給されて現像液による現像が停止
させられ、後から現像液と接触した部分ほど、遅い時期
にリンス液が供給されて現像液による現像が停止させら
れる。この結果、フォトレジスト膜の現像時間が基板の
各位置においてほぼ等しくなる。
現像液供給ノズル移動手段により、基板の直径もしくは
幅と同等以上の吐出幅をする現像液供給ノズルが、基板
保持手段によって水平姿勢に保持され静止した状態の基
板の表面と平行に基板の一端の現像液供給開始位置から
他端の現像液供給終了位置まで直線的に移動させられ
る。これにより、現像液供給ノズルから基板の表面全体
に現像液が供給され、基板の表面に形成されたフォトレ
ジスト膜が現像される。そして、所定時間経過した後
に、リンス液供給ノズル移動手段により、基板の直径も
しくは幅と同等以上の吐出幅をするリンス液供給ノズル
が、基板保持手段によって水平姿勢に保持され静止した
状態の基板の表面と平行に基板の一端の前記現像液供給
開始位置から他端の前記現像液供給終了位置まで直線的
に移動させられる。これにより、リンス液供給ノズルか
ら基板の表面全体にリンス液が供給され、基板の表面に
形成されたフォトレジスト膜の現像が停止させられる。
したがって、基板の表面全体に被着形成されたフォトレ
ジスト膜において、先に現像液と接触した部分ほど、早
い時期にリンス液が供給されて現像液による現像が停止
させられ、後から現像液と接触した部分ほど、遅い時期
にリンス液が供給されて現像液による現像が停止させら
れる。この結果、フォトレジスト膜の現像時間が基板の
各位置においてほぼ等しくなる。
【００２０】請求項６に係る発明の現像処理装置では、
現像液供給ノズルとリンス液供給ノズルとが、平面視に
おいて基板を中心として所定の角度をなすようにそれぞ
れ配置されるので、スペースの有効利用が図られる。そ
して、この装置では、基板の表面への現像液の供給後に
おいて、回転駆動手段により基板保持手段が鉛直軸回り
に回動させられ、この際に、角度位置検出手段により、
基板保持手段に保持された基板の一端の現像液供給開始
位置の角度位置が検出される。この角度位置検出手段の
検出結果に基づいて回転停止手段により、基板の一端の
現像液供給開始位置がリンス液供給ノズルに対向した時
に基板が停止させられる。したがって、基板の一端の現
像液供給開始位置とリンス液供給開始位置とが一致する
ことになる。
現像液供給ノズルとリンス液供給ノズルとが、平面視に
おいて基板を中心として所定の角度をなすようにそれぞ
れ配置されるので、スペースの有効利用が図られる。そ
して、この装置では、基板の表面への現像液の供給後に
おいて、回転駆動手段により基板保持手段が鉛直軸回り
に回動させられ、この際に、角度位置検出手段により、
基板保持手段に保持された基板の一端の現像液供給開始
位置の角度位置が検出される。この角度位置検出手段の
検出結果に基づいて回転停止手段により、基板の一端の
現像液供給開始位置がリンス液供給ノズルに対向した時
に基板が停止させられる。したがって、基板の一端の現
像液供給開始位置とリンス液供給開始位置とが一致する
ことになる。
【００２１】請求項７に係る発明の現像処理装置では、
リンス液供給ノズルの下端から基板の表面上のフォトレ
ジスト膜面に向かって吐出されるリンス液の、基板に対
する相対吐出速度が、基板に対するリンス液供給ノズル
の相対移動速度より大きくなる。したがって、リンス液
供給ノズルが基板に対し垂直に保持されて移動する場合
に比べて、リンス液がフォトレジスト膜面へ勢い良く吐
出されるため、リンス液により、フォトレジスト膜の現
像に伴って生じたレジストの滓や現像液中に溶解したレ
ジスト成分などが効果的に掻き出される。
リンス液供給ノズルの下端から基板の表面上のフォトレ
ジスト膜面に向かって吐出されるリンス液の、基板に対
する相対吐出速度が、基板に対するリンス液供給ノズル
の相対移動速度より大きくなる。したがって、リンス液
供給ノズルが基板に対し垂直に保持されて移動する場合
に比べて、リンス液がフォトレジスト膜面へ勢い良く吐
出されるため、リンス液により、フォトレジスト膜の現
像に伴って生じたレジストの滓や現像液中に溶解したレ
ジスト成分などが効果的に掻き出される。
【００２２】請求項８に係る発明の現像処理装置では、
リンス液供給ノズルの下端から基板の表面上のフォトレ
ジスト膜面に向かって吐出されるリンス液の、基板に対
する相対吐出速度が、基板に対するリンス液供給ノズル
の相対移動速度より小さくなる。したがって、リンス液
供給ノズルが基板に対し垂直に保持されて移動する場合
に比べて、リンス液がフォトレジスト膜面へ緩やかに吐
出されるため、フォトレジストの種類により、現像によ
って形成されたレジストパターンが損傷を受けやすいよ
うな場合でも、リンス液の吐出圧力によってレジストパ
ターンが損傷される心配を無くすことができる。
リンス液供給ノズルの下端から基板の表面上のフォトレ
ジスト膜面に向かって吐出されるリンス液の、基板に対
する相対吐出速度が、基板に対するリンス液供給ノズル
の相対移動速度より小さくなる。したがって、リンス液
供給ノズルが基板に対し垂直に保持されて移動する場合
に比べて、リンス液がフォトレジスト膜面へ緩やかに吐
出されるため、フォトレジストの種類により、現像によ
って形成されたレジストパターンが損傷を受けやすいよ
うな場合でも、リンス液の吐出圧力によってレジストパ
ターンが損傷される心配を無くすことができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
について図面を参照しながら説明する。
について図面を参照しながら説明する。
【００２４】この発明に係る基板の現像処理方法を実施
する装置の構成としては、図１にその１例を模式的に示
すように、表面に露光済みのフォトレジスト膜が被着形
成された基板Ｗを水平姿勢に保持するスピンチャック１
０、このスピンチャック１０の下面側中央に垂設されて
スピンチャック１０を鉛直軸回りに回転自在に支持する
回転支軸１２、この回転支軸１２を回転させてスピンチ
ャック１０に保持された基板Ｗを鉛直軸回りに回転させ
るスピンモータ（図示せず）などを備えているほか、現
像液供給ノズル１４およびリンス液供給ノズル１６を有
している。図１中の１８は待機ポット、２０は回収ポッ
トであり、そのほか、図示していないが、基板Ｗ上から
周囲へ飛散する洗浄液を回収するために、スピンチャッ
ク１０に保持された基板Ｗの側方および下方を取り囲む
ようにカップが配設されている。
する装置の構成としては、図１にその１例を模式的に示
すように、表面に露光済みのフォトレジスト膜が被着形
成された基板Ｗを水平姿勢に保持するスピンチャック１
０、このスピンチャック１０の下面側中央に垂設されて
スピンチャック１０を鉛直軸回りに回転自在に支持する
回転支軸１２、この回転支軸１２を回転させてスピンチ
ャック１０に保持された基板Ｗを鉛直軸回りに回転させ
るスピンモータ（図示せず）などを備えているほか、現
像液供給ノズル１４およびリンス液供給ノズル１６を有
している。図１中の１８は待機ポット、２０は回収ポッ
トであり、そのほか、図示していないが、基板Ｗ上から
周囲へ飛散する洗浄液を回収するために、スピンチャッ
ク１０に保持された基板Ｗの側方および下方を取り囲む
ようにカップが配設されている。
【００２５】現像液供給ノズル１４およびリンス液供給
ノズル１６はそれぞれ、詳細な構成は図示しないが、棒
状をなしていて水平姿勢に保持されており、基板Ｗの直
径もしくは幅と同等以上の吐出幅を有している。すなわ
ち、現像液供給ノズル１４およびリンス液供給ノズル１
６はそれぞれ、基板Ｗが半導体ウエハのように円形状を
なしているときは、基板Ｗの直径と同等もしくはそれ以
上の長さのスリット状吐出口を下端に有し、基板ＷがＬ
ＣＤ用ガラス基板のように短形状をなしているときは、
基板Ｗの、現像液供給ノズル１４およびリンス液供給ノ
ズル１６と直交する方向における幅と同等もしくはそれ
以上の長さのスリット状吐出口を下端に有している。ま
た、図示していないが、現像液供給ノズル１４およびリ
ンス液供給ノズル１６をそれぞれ別々に、スピンチャッ
ク１０に保持された基板Ｗの表面に各ノズルの下端を近
接させた状態で基板Ｗの一端位置から他端位置まで直線
的に移動させるための現像液供給ノズル移動機構および
リンス液供給ノズル移動機構が設けられている。
ノズル１６はそれぞれ、詳細な構成は図示しないが、棒
状をなしていて水平姿勢に保持されており、基板Ｗの直
径もしくは幅と同等以上の吐出幅を有している。すなわ
ち、現像液供給ノズル１４およびリンス液供給ノズル１
６はそれぞれ、基板Ｗが半導体ウエハのように円形状を
なしているときは、基板Ｗの直径と同等もしくはそれ以
上の長さのスリット状吐出口を下端に有し、基板ＷがＬ
ＣＤ用ガラス基板のように短形状をなしているときは、
基板Ｗの、現像液供給ノズル１４およびリンス液供給ノ
ズル１６と直交する方向における幅と同等もしくはそれ
以上の長さのスリット状吐出口を下端に有している。ま
た、図示していないが、現像液供給ノズル１４およびリ
ンス液供給ノズル１６をそれぞれ別々に、スピンチャッ
ク１０に保持された基板Ｗの表面に各ノズルの下端を近
接させた状態で基板Ｗの一端位置から他端位置まで直線
的に移動させるための現像液供給ノズル移動機構および
リンス液供給ノズル移動機構が設けられている。
【００２６】次に、図１に示した現像処理装置を使用し
て基板の現像処理を行う手順を図２に基づいて説明す
る。
て基板の現像処理を行う手順を図２に基づいて説明す
る。
【００２７】まず、図２の（ａ）に示すように、スピン
チャック１０に保持された基板Ｗを静止させた状態で、
現像液供給ノズル１４を基板Ｗの表面と平行に基板Ｗの
一端位置から他端位置まで直線的に移動させ、現像液供
給ノズル１４の下端のスリット状吐出口から基板Ｗの表
面へ現像液を液膜状に供給する。これにより、図２の
（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜が形成された基
板Ｗの表面全体を覆うように現像液２が表面張力で基板
Ｗ上に盛られて、現像液層２２が形成される。このとき
の現像液供給ノズル１４の移動速度は、例えば５０〜５
００ｍｍ／秒、好ましくは２００ｍｍ／秒程度とされ
る。また、現像液の吐出流量は、基板Ｗの大きさによっ
て現像液供給ノズル１４の吐出幅を変える必要があるた
め一定ではないが、直径が８インチである半導体ウエハ
を現像処理する場合には、例えば２．５ ｌ／分程度で
ある。現像液供給ノズル１４の下端と基板Ｗの表面との
間の距離は、現像液供給ノズル１４の移動速度や現像液
の種類などによって最適値が異なり、０．３〜１０ｍｍ
の範囲で適宜選択されるが、例えば０．５ｍｍ程度とさ
れる。
チャック１０に保持された基板Ｗを静止させた状態で、
現像液供給ノズル１４を基板Ｗの表面と平行に基板Ｗの
一端位置から他端位置まで直線的に移動させ、現像液供
給ノズル１４の下端のスリット状吐出口から基板Ｗの表
面へ現像液を液膜状に供給する。これにより、図２の
（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜が形成された基
板Ｗの表面全体を覆うように現像液２が表面張力で基板
Ｗ上に盛られて、現像液層２２が形成される。このとき
の現像液供給ノズル１４の移動速度は、例えば５０〜５
００ｍｍ／秒、好ましくは２００ｍｍ／秒程度とされ
る。また、現像液の吐出流量は、基板Ｗの大きさによっ
て現像液供給ノズル１４の吐出幅を変える必要があるた
め一定ではないが、直径が８インチである半導体ウエハ
を現像処理する場合には、例えば２．５ ｌ／分程度で
ある。現像液供給ノズル１４の下端と基板Ｗの表面との
間の距離は、現像液供給ノズル１４の移動速度や現像液
の種類などによって最適値が異なり、０．３〜１０ｍｍ
の範囲で適宜選択されるが、例えば０．５ｍｍ程度とさ
れる。
【００２８】基板Ｗの表面全体を覆うように現像液層２
２が形成されると、そのままの状態で基板Ｗを静止させ
て所定時間保持し、基板Ｗ上に盛られた現像液によって
基板Ｗ表面のフォトレジスト膜を現像する。この際、現
像液層２２中の泡を消すために、基板Ｗ上に盛られた現
像液が遠心力によって基板Ｗから振り落とされない程度
の低速で、基板Ｗを連続的に回転させ或いは間欠的に回
転させるようにしてもよい。
２が形成されると、そのままの状態で基板Ｗを静止させ
て所定時間保持し、基板Ｗ上に盛られた現像液によって
基板Ｗ表面のフォトレジスト膜を現像する。この際、現
像液層２２中の泡を消すために、基板Ｗ上に盛られた現
像液が遠心力によって基板Ｗから振り落とされない程度
の低速で、基板Ｗを連続的に回転させ或いは間欠的に回
転させるようにしてもよい。
【００２９】基板Ｗの表面全体に現像液層２２が形成さ
れて所定時間経過した後に、図２の（ｃ）に示すように
基板Ｗを静止させた状態で、リンス液供給ノズル１６を
基板Ｗの表面と平行に、基板Ｗの、現像液供給ノズル１
４による現像液の供給が開始された一端位置から現像液
の供給が終了した他端位置まで直線的に移動させ、リン
ス液供給ノズル１６の下端のスリット状吐出口から基板
Ｗの表面へリンス液、例えば純水を吐出して、現像液に
よるフォトレジスト膜の現像を停止させる。なお、現像
液によるフォトレジスト膜の現像を進行させる際に基板
Ｗを低速で回転させるようにした場合は、リンス液供給
ノズル１６による純水の供給を開始した基板Ｗの一端位
置が、現像液供給ノズル１４による現像液の供給を開始
した基板Ｗの一端位置に一致するように、基板Ｗの回転
角度を制御する必要がある。この制御は、後述するよう
な装置構成及び動作に準じて行うようにすればよい。
れて所定時間経過した後に、図２の（ｃ）に示すように
基板Ｗを静止させた状態で、リンス液供給ノズル１６を
基板Ｗの表面と平行に、基板Ｗの、現像液供給ノズル１
４による現像液の供給が開始された一端位置から現像液
の供給が終了した他端位置まで直線的に移動させ、リン
ス液供給ノズル１６の下端のスリット状吐出口から基板
Ｗの表面へリンス液、例えば純水を吐出して、現像液に
よるフォトレジスト膜の現像を停止させる。なお、現像
液によるフォトレジスト膜の現像を進行させる際に基板
Ｗを低速で回転させるようにした場合は、リンス液供給
ノズル１６による純水の供給を開始した基板Ｗの一端位
置が、現像液供給ノズル１４による現像液の供給を開始
した基板Ｗの一端位置に一致するように、基板Ｗの回転
角度を制御する必要がある。この制御は、後述するよう
な装置構成及び動作に準じて行うようにすればよい。
【００３０】リンス液供給ノズル１６の移動速度は、現
像液供給ノズル１４の移動速度と同等にする。このよう
にすることにより、基板Ｗ上において、現像液が順次供
給されていった方向に、純水が順次吐出されてフォトレ
ジスト膜の現像が停止されていく。したがって、基板Ｗ
の全面においてフォトレジスト膜の現像処理時間が均等
になる。但し、リンス液供給ノズル１６の移動速度を現
像液供給ノズル１４の移動速度と厳密に一致させる必要
は必ずしも無く、現像結果によっては若干調整するよう
にしてもよい。
像液供給ノズル１４の移動速度と同等にする。このよう
にすることにより、基板Ｗ上において、現像液が順次供
給されていった方向に、純水が順次吐出されてフォトレ
ジスト膜の現像が停止されていく。したがって、基板Ｗ
の全面においてフォトレジスト膜の現像処理時間が均等
になる。但し、リンス液供給ノズル１６の移動速度を現
像液供給ノズル１４の移動速度と厳密に一致させる必要
は必ずしも無く、現像結果によっては若干調整するよう
にしてもよい。
【００３１】リンス液供給ノズル１６からの純水の吐出
流量は、現像液の吐出流量と同じ程度か、或いは現像液
の吐出流量よりやや多くする。例えば、現像液の吐出流
量が２．５ ｌ／分であった場合に、純水の吐出流量を
４．０ ｌ／分程度とする。また、リンス液供給ノズル
１６の下端と基板Ｗの表面との間の距離は、現像液の供
給の場合と同様にしても構わないが、リンス液供給ノズ
ル１６の下端が基板Ｗ上に盛られた現像液に接触しない
程度の距離だけ、例えば５ｍｍ程度以上、リンス液供給
ノズル１６の下端を基板Ｗの表面から離した方が、リン
ス液供給ノズル１６の下端の吐出口の汚染を避ける点で
は望ましい。
流量は、現像液の吐出流量と同じ程度か、或いは現像液
の吐出流量よりやや多くする。例えば、現像液の吐出流
量が２．５ ｌ／分であった場合に、純水の吐出流量を
４．０ ｌ／分程度とする。また、リンス液供給ノズル
１６の下端と基板Ｗの表面との間の距離は、現像液の供
給の場合と同様にしても構わないが、リンス液供給ノズ
ル１６の下端が基板Ｗ上に盛られた現像液に接触しない
程度の距離だけ、例えば５ｍｍ程度以上、リンス液供給
ノズル１６の下端を基板Ｗの表面から離した方が、リン
ス液供給ノズル１６の下端の吐出口の汚染を避ける点で
は望ましい。
【００３２】なお、このリンス液供給ノズル１６による
純水の吐出工程は、現像液によるフォトレジスト膜の現
像を停止させることが目的であるので、基板Ｗの表面上
に存在する現像液のすべてを純水で置換する必要は無
い。これは、現像液が盛られた基板Ｗの表面へ純水が供
給された時点で、基板Ｗ上の現像液は純水によって薄め
られることにより、その規定度が低下することになるの
で、現像液の規定度の変化に敏感なフォトレジストの現
像反応は直ちに停止するためである。また、基板Ｗ上に
残留した現像液や現像液に溶解したレジスト成分など
は、次の工程で基板Ｗ上から洗い流すようにすればよ
い。
純水の吐出工程は、現像液によるフォトレジスト膜の現
像を停止させることが目的であるので、基板Ｗの表面上
に存在する現像液のすべてを純水で置換する必要は無
い。これは、現像液が盛られた基板Ｗの表面へ純水が供
給された時点で、基板Ｗ上の現像液は純水によって薄め
られることにより、その規定度が低下することになるの
で、現像液の規定度の変化に敏感なフォトレジストの現
像反応は直ちに停止するためである。また、基板Ｗ上に
残留した現像液や現像液に溶解したレジスト成分など
は、次の工程で基板Ｗ上から洗い流すようにすればよ
い。
【００３３】基板Ｗの表面へ純水の吐出が終了すると、
図２の（ｄ）に示すように、基板Ｗを回転させながら、
従来の装置に設けられているものと同様の純水供給ノズ
ル２４から純水２６を基板Ｗの中心部分へ或いは基板Ｗ
の中心部分およびその他の部分へ供給し、基板Ｗの表面
を所定時間洗浄して、基板Ｗ上に残留した現像液や現像
液に溶解したレジスト成分などを基板Ｗ上から洗い流
す。なお、純水供給ノズル２４の代わりにリンス液供給
ノズル１６を使用して基板Ｗの表面の洗浄を行うように
してもよい。この場合には、リンス液供給ノズル１６
を、その長手方向が基板Ｗの直径方向と一致する位置へ
移動（短形状の基板である場合は、リンス液供給ノズル
１６が基板の２本の対角線の交点を通る直線上に位置す
るように移動）させて停止させ、基板Ｗを回転させなが
らリンス液供給ノズル１６下端のスリット状吐出口から
基板Ｗの表面へ純水を吐出して、基板Ｗの表面を洗浄す
るようにすればよい。
図２の（ｄ）に示すように、基板Ｗを回転させながら、
従来の装置に設けられているものと同様の純水供給ノズ
ル２４から純水２６を基板Ｗの中心部分へ或いは基板Ｗ
の中心部分およびその他の部分へ供給し、基板Ｗの表面
を所定時間洗浄して、基板Ｗ上に残留した現像液や現像
液に溶解したレジスト成分などを基板Ｗ上から洗い流
す。なお、純水供給ノズル２４の代わりにリンス液供給
ノズル１６を使用して基板Ｗの表面の洗浄を行うように
してもよい。この場合には、リンス液供給ノズル１６
を、その長手方向が基板Ｗの直径方向と一致する位置へ
移動（短形状の基板である場合は、リンス液供給ノズル
１６が基板の２本の対角線の交点を通る直線上に位置す
るように移動）させて停止させ、基板Ｗを回転させなが
らリンス液供給ノズル１６下端のスリット状吐出口から
基板Ｗの表面へ純水を吐出して、基板Ｗの表面を洗浄す
るようにすればよい。
【００３４】基板Ｗの表面の洗浄が終わると、基板Ｗへ
の純水の供給を停止させた後、図２の（ｅ）に示すよう
に、基板Ｗを高速で回転させて、基板Ｗをスピン乾燥さ
せる。これで、一連の現像処理工程が終了する。
の純水の供給を停止させた後、図２の（ｅ）に示すよう
に、基板Ｗを高速で回転させて、基板Ｗをスピン乾燥さ
せる。これで、一連の現像処理工程が終了する。
【００３５】次に、図３に要部の概略構成を示した現像
処理装置では、図４の（Ａ）に平面図を示すように、現
像液供給ノズル１４の待機位置とリンス液供給ノズル１
６の待機位置とが、基板Ｗの回転中心に対し互いに１８
０°の角度をなすようにそれぞれ配置されている。そし
て、スピンチャック１０の回転支軸１２に、その回転角
度位置を検知する手段、例えばエンコーダ３０が付設さ
れている。また、エンコーダ３０からの信号を受けてス
ピンモータ２８を制御する制御器３２が設けられてい
る。
処理装置では、図４の（Ａ）に平面図を示すように、現
像液供給ノズル１４の待機位置とリンス液供給ノズル１
６の待機位置とが、基板Ｗの回転中心に対し互いに１８
０°の角度をなすようにそれぞれ配置されている。そし
て、スピンチャック１０の回転支軸１２に、その回転角
度位置を検知する手段、例えばエンコーダ３０が付設さ
れている。また、エンコーダ３０からの信号を受けてス
ピンモータ２８を制御する制御器３２が設けられてい
る。
【００３６】図３に示した現像処理装置を使用して基板
の現像処理を行う手順を説明すると、基板Ｗの表面への
現像液の供給および基板Ｗ上に盛られた現像液によるフ
ォトレジスト膜の現像の各工程（図２の（ａ）および
（ｂ）参照）は、図１に示した装置を使用した場合と同
様に行われる。この装置では、基板Ｗの表面全体に現像
液が盛られて所定時間経過した後に、基板Ｗがゆっくり
と回動させられ、エンコーダ３０から出力される信号に
基づいて制御器３２からスピンモータ２８へ制御信号が
送られることにより、現像液供給ノズル１４による現像
液の供給を開始した基板Ｗの一端位置がリンス液供給ノ
ズル１６の待機位置に対向する角度位置で基板Ｗが停止
させられる。なお、現像液によるフォトレジスト膜の現
像を進行させる際に基板Ｗを低速で回転させるようにし
た場合は、そのまま基板Ｗの回転を続けて、所定時間経
過した後に、基板Ｗを、現像液供給開始位置がリンス液
供給ノズル１６の待機位置に対向した角度位置で停止さ
せるようにすればよい。そして、上記した場合と同様
に、基板Ｗを静止させた状態で、リンス液供給ノズル１
６を、現像液供給開始位置である基板Ｗの一端位置から
現像液供給終了位置である基板Ｗの他端位置まで直線的
に基板Ｗの表面と平行に移動させながら、基板Ｗの表面
へ純水を吐出して、現像液によるフォトレジスト膜の現
像を停止させ、その後に、純水による基板Ｗの洗浄およ
びスピン乾燥を行う。
の現像処理を行う手順を説明すると、基板Ｗの表面への
現像液の供給および基板Ｗ上に盛られた現像液によるフ
ォトレジスト膜の現像の各工程（図２の（ａ）および
（ｂ）参照）は、図１に示した装置を使用した場合と同
様に行われる。この装置では、基板Ｗの表面全体に現像
液が盛られて所定時間経過した後に、基板Ｗがゆっくり
と回動させられ、エンコーダ３０から出力される信号に
基づいて制御器３２からスピンモータ２８へ制御信号が
送られることにより、現像液供給ノズル１４による現像
液の供給を開始した基板Ｗの一端位置がリンス液供給ノ
ズル１６の待機位置に対向する角度位置で基板Ｗが停止
させられる。なお、現像液によるフォトレジスト膜の現
像を進行させる際に基板Ｗを低速で回転させるようにし
た場合は、そのまま基板Ｗの回転を続けて、所定時間経
過した後に、基板Ｗを、現像液供給開始位置がリンス液
供給ノズル１６の待機位置に対向した角度位置で停止さ
せるようにすればよい。そして、上記した場合と同様
に、基板Ｗを静止させた状態で、リンス液供給ノズル１
６を、現像液供給開始位置である基板Ｗの一端位置から
現像液供給終了位置である基板Ｗの他端位置まで直線的
に基板Ｗの表面と平行に移動させながら、基板Ｗの表面
へ純水を吐出して、現像液によるフォトレジスト膜の現
像を停止させ、その後に、純水による基板Ｗの洗浄およ
びスピン乾燥を行う。
【００３７】なお、現像液供給ノズル１４とリンス液供
給ノズル１６との配置角度は、図４の（Ａ）に示すよう
に１８０°とするほか、他の機器との配置関係などを考
慮して適宜設計すればよく、例えば図４の（Ｂ）に示す
ように９０°としてもよい。また、基板Ｗを回動させた
後に、基板Ｗを、現像液供給ノズル１４による現像液の
供給が開始された基板Ｗの一端位置がリンス液供給ノズ
ル１６に対向する角度位置で停止させるための制御機構
としては、上記実施形態のようにエンコーダ３０を使用
して回転支軸１２の回転角度位置を検知する構成のもの
に限らず、種々の周知の技術を利用すればよい。
給ノズル１６との配置角度は、図４の（Ａ）に示すよう
に１８０°とするほか、他の機器との配置関係などを考
慮して適宜設計すればよく、例えば図４の（Ｂ）に示す
ように９０°としてもよい。また、基板Ｗを回動させた
後に、基板Ｗを、現像液供給ノズル１４による現像液の
供給が開始された基板Ｗの一端位置がリンス液供給ノズ
ル１６に対向する角度位置で停止させるための制御機構
としては、上記実施形態のようにエンコーダ３０を使用
して回転支軸１２の回転角度位置を検知する構成のもの
に限らず、種々の周知の技術を利用すればよい。
【００３８】また、図５に概略図を示すように、リンス
液供給ノズル１６を傾けて保持する機構を設けるように
することもできる。すなわち、図５の（Ａ）に示すよう
に、リンス液供給ノズル１６を、その下端側がノズル移
動方向に突き出るように傾斜させて保持し、リンス液供
給ノズル１６下端のスリット状吐出口から吐出される純
水の、基板Ｗに対する相対吐出速度が、基板Ｗに対する
リンス液供給ノズル１６の相対移動速度よりも大きくな
るようにする。これにより、リンス液供給ノズル１６が
基板Ｗに対し垂直に保持されて移動する場合に比べて、
純水が基板Ｗ表面のフォトレジスト膜面へ勢い良く吐出
されることになり、フォトレジスト膜の現像に伴って生
じたレジストの滓や現像液に溶解したレジスト成分など
が純水によって効果的に掻き出されることになる。ま
た、図５の（Ｂ）に示すように、リンス液供給ノズル１
６を、その下端側がノズル移動方向と逆方向に突き出る
ように傾斜させて保持し、リンス液供給ノズル１６下端
のスリット状吐出口から吐出される純水の、基板Ｗに対
する相対吐出速度が、基板Ｗに対するリンス液供給ノズ
ル１６の相対移動速度よりも小さくなるようにしてもよ
い。このようにしたときは、リンス液供給ノズル１６が
基板Ｗに対し垂直に保持されて移動する場合に比べて、
純水がフォトレジスト膜面へ緩やかに吐出されることに
なり、現像後に形成されたレジストパターンが損傷を受
けやすいような場合でも、純水の吐出圧力によってレジ
ストパターンが損傷されることを防止することができ
る。リンス液供給ノズル１６を基板に対し垂直に保持す
るか、ノズル移動方向の側へ傾けるか或いはノズル移動
方向の反対側へ傾けるかは、使用するフォトレジストの
種類などによって適宜選定すればよい。
液供給ノズル１６を傾けて保持する機構を設けるように
することもできる。すなわち、図５の（Ａ）に示すよう
に、リンス液供給ノズル１６を、その下端側がノズル移
動方向に突き出るように傾斜させて保持し、リンス液供
給ノズル１６下端のスリット状吐出口から吐出される純
水の、基板Ｗに対する相対吐出速度が、基板Ｗに対する
リンス液供給ノズル１６の相対移動速度よりも大きくな
るようにする。これにより、リンス液供給ノズル１６が
基板Ｗに対し垂直に保持されて移動する場合に比べて、
純水が基板Ｗ表面のフォトレジスト膜面へ勢い良く吐出
されることになり、フォトレジスト膜の現像に伴って生
じたレジストの滓や現像液に溶解したレジスト成分など
が純水によって効果的に掻き出されることになる。ま
た、図５の（Ｂ）に示すように、リンス液供給ノズル１
６を、その下端側がノズル移動方向と逆方向に突き出る
ように傾斜させて保持し、リンス液供給ノズル１６下端
のスリット状吐出口から吐出される純水の、基板Ｗに対
する相対吐出速度が、基板Ｗに対するリンス液供給ノズ
ル１６の相対移動速度よりも小さくなるようにしてもよ
い。このようにしたときは、リンス液供給ノズル１６が
基板Ｗに対し垂直に保持されて移動する場合に比べて、
純水がフォトレジスト膜面へ緩やかに吐出されることに
なり、現像後に形成されたレジストパターンが損傷を受
けやすいような場合でも、純水の吐出圧力によってレジ
ストパターンが損傷されることを防止することができ
る。リンス液供給ノズル１６を基板に対し垂直に保持す
るか、ノズル移動方向の側へ傾けるか或いはノズル移動
方向の反対側へ傾けるかは、使用するフォトレジストの
種類などによって適宜選定すればよい。
【００３９】
【発明の効果】基板の直径もしくは幅と同等以上の吐出
幅を有する現像液供給ノズルを、水平姿勢に保持され静
止した状態の基板の表面と平行に基板の一端から他端ま
で直線的に移動させ、現像液供給ノズルから基板の表面
全体に現像液を供給し液盛りする方法で基板の現像処理
を行う場合において、請求項１に係る発明の方法を使用
するようにしたときは、基板の表面に形成されたフォト
レジスト膜の現像時間が基板上の各位置においてほぼ等
しくなるため、現像むらが発生する心配が無くなり、ま
た、現像後におけるレジストパターンの線幅の面内寸法
均一性が得られることとなる。
幅を有する現像液供給ノズルを、水平姿勢に保持され静
止した状態の基板の表面と平行に基板の一端から他端ま
で直線的に移動させ、現像液供給ノズルから基板の表面
全体に現像液を供給し液盛りする方法で基板の現像処理
を行う場合において、請求項１に係る発明の方法を使用
するようにしたときは、基板の表面に形成されたフォト
レジスト膜の現像時間が基板上の各位置においてほぼ等
しくなるため、現像むらが発生する心配が無くなり、ま
た、現像後におけるレジストパターンの線幅の面内寸法
均一性が得られることとなる。
【００４０】請求項２に係る発明の現像処理方法では、
現像液供給ノズルとリンス液供給ノズルとの配置関係を
適宜選定することにより、スペースの有効利用を図っ
て、装置の小型化を実現することができる。
現像液供給ノズルとリンス液供給ノズルとの配置関係を
適宜選定することにより、スペースの有効利用を図っ
て、装置の小型化を実現することができる。
【００４１】請求項３に係る発明の現像処理方法では、
現像後における通常の洗浄の前に、フォトレジスト膜の
現像に伴って生じたレジストの滓や現像液に溶解したレ
ジスト成分などがリンス液によって効果的に掻き出され
るので、基板の洗浄効果が高まる。
現像後における通常の洗浄の前に、フォトレジスト膜の
現像に伴って生じたレジストの滓や現像液に溶解したレ
ジスト成分などがリンス液によって効果的に掻き出され
るので、基板の洗浄効果が高まる。
【００４２】請求項４に係る発明の現像処理方法では、
現像後に形成されたレジストパターンが損傷を受けやす
いような場合でも、リンス液の吐出圧力によってレジス
トパターンが損傷されることが防止される。
現像後に形成されたレジストパターンが損傷を受けやす
いような場合でも、リンス液の吐出圧力によってレジス
トパターンが損傷されることが防止される。
【００４３】請求項５に係る発明の装置を使用したとき
は、基板の直径もしくは幅と同等以上の吐出幅を有する
現像液供給ノズルを、水平姿勢に保持され静止した状態
の基板の表面と平行に基板の一端から他端まで直線的に
移動させ、現像液供給ノズルから基板の表面全体に現像
液を供給し液盛りして基板の現像処理を行う場合に、基
板の表面に形成されたフォトレジスト膜の現像時間が基
板上の各位置においてほぼ等しくなるため、現像むらが
発生する心配が無くなり、また、現像液におけるレジス
トパターンの線幅の面内寸法均一性が得られる。
は、基板の直径もしくは幅と同等以上の吐出幅を有する
現像液供給ノズルを、水平姿勢に保持され静止した状態
の基板の表面と平行に基板の一端から他端まで直線的に
移動させ、現像液供給ノズルから基板の表面全体に現像
液を供給し液盛りして基板の現像処理を行う場合に、基
板の表面に形成されたフォトレジスト膜の現像時間が基
板上の各位置においてほぼ等しくなるため、現像むらが
発生する心配が無くなり、また、現像液におけるレジス
トパターンの線幅の面内寸法均一性が得られる。
【００４４】請求項６に係る発明の現像処理装置は、ス
ペースが有効利用されて、小型化される。
ペースが有効利用されて、小型化される。
【００４５】請求項７に係る発明の現像処理装置では、
現像後における通常の洗浄の前に、フォトレジスト膜の
現像に伴って生じたレジストの滓や現像液に溶解したレ
ジスト成分などがリンス液によって効果的に掻き出され
るので、基板の洗浄効果を高めることができる。
現像後における通常の洗浄の前に、フォトレジスト膜の
現像に伴って生じたレジストの滓や現像液に溶解したレ
ジスト成分などがリンス液によって効果的に掻き出され
るので、基板の洗浄効果を高めることができる。
【００４６】請求項８に係る発明の現像処理装置では、
現像後に形成されたレジストパターンが損傷を受けやす
いような場合でも、リンス液の吐出圧力によってレジス
トパターンが損傷されることを防止することができる。
現像後に形成されたレジストパターンが損傷を受けやす
いような場合でも、リンス液の吐出圧力によってレジス
トパターンが損傷されることを防止することができる。
【図１】請求項１に係る発明の基板の現像処理方法を実
施する装置の構成の１例を模式的に示す概略図である。
施する装置の構成の１例を模式的に示す概略図である。
【図２】図１に示した現像処理装置を使用して基板の現
像処理を行う手順を説明するための要部概略図である。
像処理を行う手順を説明するための要部概略図である。
【図３】請求項２に係る発明の現像処理方法を実施する
装置の構成の１例を示す要部概略図である。
装置の構成の１例を示す要部概略図である。
【図４】現像処理装置の現像液供給ノズルとリンス液供
給ノズルとの配置関係の例を示す概略平面図である。
給ノズルとの配置関係の例を示す概略平面図である。
【図５】（Ａ）は、請求項３に係る発明の現像処理方法
を説明するための概略図であり、（Ｂ）は、請求項４に
係る発明の現像処理方法を説明するための概略図であ
る。
を説明するための概略図であり、（Ｂ）は、請求項４に
係る発明の現像処理方法を説明するための概略図であ
る。
【図６】従来の基板の現像処理方法を説明するための図
であって、（Ａ）は装置要部の概略正面図、（Ｂ）は装
置要部の概略平面図である。
であって、（Ａ）は装置要部の概略正面図、（Ｂ）は装
置要部の概略平面図である。
１０ スピンチャック １２ 回転支軸 １４ 現像液供給ノズル １６ リンス液供給ノズル ２２ 現像液層 ２８ スピンモータ ３０ エンコーダ ３２ 制御器 Ｗ 基板
Claims (8)
- 【請求項１】 基板の直径もしくは幅と同等以上の吐出
幅を有する現像液供給ノズルを、水平姿勢に保持され静
止した状態の基板の表面と平行に基板の一端の現像液供
給開始位置から他端の現像液供給終了位置まで直線的に
移動させ、現像液供給ノズルから基板の表面全体に現像
液を供給して、基板の表面に形成されたフォトレジスト
膜を現像する基板の現像処理方法において、 前記現像液供給ノズルから基板の表面全体に現像液が供
給されて所定時間経過した後に、基板の直径もしくは幅
と同等以上の吐出幅を有するリンス液供給ノズルを、水
平姿勢に保持され静止した状態の前記基板の表面と平行
に基板の一端の前記現像液供給開始位置から他端の前記
現像液供給終了位置まで直線的に移動させ、リンス液供
給ノズルから基板の表面全体にリンス液を供給して、基
板の表面に形成されたフォトレジスト膜の現像を停止さ
せることを特徴とする基板の現像処理方法。 - 【請求項２】 現像液供給ノズルから基板の表面全体に
現像液が供給された後、基板が鉛直軸回りに所定の角度
分だけ回動させられ、その回動後に基板の一端の現像液
供給開始位置に対向する位置に配置されたリンス液供給
ノズルにより基板の表面へリンス液が供給される請求項
１記載の基板の現像処理方法。 - 【請求項３】 リンス液供給ノズルが、その下端側がリ
ンス液供給ノズルの移動方向に突き出るように傾斜し、
リンス液供給ノズルの下端から吐出されるリンス液の、
基板に対する相対吐出速度が、基板に対するリンス液供
給ノズルの相対移動速度より大きくなるようにされる請
求項１または請求項２記載の基板の現像処理方法。 - 【請求項４】 リンス供給ノズルが、その下端側がリン
ス液供給ノズルの移動方向と逆方向に突き出るように傾
斜し、リンス液供給ノズルの下端から吐出されるリンス
液の、基板に対する相対吐出速度が、基板に対するリン
ス液供給ノズルの相対移動速度より小さくなるようにさ
れる請求項１または請求項２記載の基板の現像処理方
法。 - 【請求項５】 表面にフォトレジスト膜が形成された基
板を水平姿勢に保持する基板保持手段と、 基板の直径もしくは幅と同等以上の吐出幅を有し、前記
基板保持手段に保持された基板の表面に現像液を供給す
る現像液供給ノズルと、 この現像液供給ノズルを、前記基板保持手段に保持され
静止した状態の基板の表面と平行に基板の一端の現像液
供給開始位置から他端の現像液供給終了位置まで直線的
に移動させて、現像液供給ノズルから基板の表面全体に
現像液が供給されるようにする現像液供給ノズル移動手
段とを備えた基板の現像処理装置において、 基板の直径もしくは幅と同等以上の吐出幅を有し、前記
基板保持手段に保持された基板の表面にリンス液を供給
するリンス液供給ノズルと、 このリンス液供給ノズルを、前記基板保持手段に保持さ
れ静止した状態の前記基板の表面と平行に基板の一端の
前記現像液供給開始位置から他端の前記現像液供給終了
位置まで直線的に移動させて、前記現像液供給ノズルか
ら表面全体に現像液が供給されて所定時間経過した後の
基板の表面全体に前記リンス液供給ノズルからリンス液
が供給され基板の表面に形成されたフォトレジスト膜の
現像が停止されるようにするリンス液供給ノズル移動手
段とを設けたことを特徴とする基板の現像処理装置。 - 【請求項６】 現像液供給ノズルとリンス液供給ノズル
とが、平面視において基板を中心として所定の角度をな
すようにそれぞれ配置され、 前記現像液供給ノズルから表面全体に現像液が供給され
た基板を保持する基板保持手段を鉛直軸回りに回動させ
る回転駆動手段と、 この回動駆動手段によって回動させられる前記基板保持
手段に保持された基板の一端の現像液供給開始位置の角
度位置を検出する角度位置検出手段と、 この角度位置検出手段の検出結果に基づいて基板を、基
板の一端の前記現像液供給開始位置が前記リンス液供給
ノズルに対向する角度位置で停止させる回転停止手段と
が設けられた請求項５記載の基板の現像処理装置。 - 【請求項７】 リンス液供給ノズルが、その下端側がリ
ンス液供給ノズルの移動方向に突き出るように傾斜して
保持され、リンス液供給ノズルの下端から吐出されるリ
ンス液の、基板に対する相対吐出速度が、基板に対する
リンス液供給ノズルの相対移動速度より大きくなる請求
項５または請求項６記載の基板の現像処理装置。 - 【請求項８】 リンス液供給ノズルが、その下端側がリ
ンス液供給手段ノズルの移動方向と逆方向に突き出るよ
うに傾斜して保持され、リンス液供給ノズルの下端から
吐出されるリンス液の、基板に対する相対吐出速度が、
基板に対するリンス液供給ノズルの相対移動速度より小
さくなる請求項５または請求項６記載の基板の現像処理
装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18881996A JP3401141B2 (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 基板の現像処理方法および装置 |
| KR1019970024773A KR980003828A (ko) | 1996-06-28 | 1997-06-14 | 기판의 현상처리방법 및 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18881996A JP3401141B2 (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 基板の現像処理方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1020508A true JPH1020508A (ja) | 1998-01-23 |
| JP3401141B2 JP3401141B2 (ja) | 2003-04-28 |
Family
ID=16230378
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18881996A Expired - Fee Related JP3401141B2 (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 基板の現像処理方法および装置 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3401141B2 (ja) |
| KR (1) | KR980003828A (ja) |
Cited By (10)
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|---|---|---|---|---|
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| US6656277B2 (en) | 2002-03-08 | 2003-12-02 | Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. | Apparatus for and method of processing substrate |
| WO2003105201A1 (ja) * | 2002-06-07 | 2003-12-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び現像装置 |
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| US6752544B2 (en) | 2002-03-28 | 2004-06-22 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Developing apparatus and developing method |
| US6869234B2 (en) | 2002-03-28 | 2005-03-22 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Developing apparatus and developing method |
| KR100485755B1 (ko) * | 2002-04-16 | 2005-04-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 4 마스크 어레이 기판의 제조방법 |
| US7018481B2 (en) | 2002-01-28 | 2006-03-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate treating method, substrate-processing apparatus, developing method, method of manufacturing a semiconductor device, and method of cleaning a developing solution nozzle |
| KR100944594B1 (ko) | 2002-05-29 | 2010-02-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 현상처리방법 및 그 장치 |
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|---|---|---|---|---|
| JP6545464B2 (ja) * | 2015-01-07 | 2019-07-17 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 現像方法 |
-
1996
- 1996-06-28 JP JP18881996A patent/JP3401141B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-06-14 KR KR1019970024773A patent/KR980003828A/ko active IP Right Grant
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| US7018481B2 (en) | 2002-01-28 | 2006-03-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate treating method, substrate-processing apparatus, developing method, method of manufacturing a semiconductor device, and method of cleaning a developing solution nozzle |
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| US6869234B2 (en) | 2002-03-28 | 2005-03-22 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Developing apparatus and developing method |
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