JP2002075834A - 半導体製造工程における現像方法 - Google Patents
半導体製造工程における現像方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体製造工程のフォトリソグラフ工程にお
けるレジストパターン形成時に、パーティクルの付着を
有効に防止して、パターン欠陥を低減し得る現像方法を
提供することを課題とする。 【解決手段】 現像カップを有する現像装置で露光処理
されたフォトレジスト膜を有する半導体基板を回転させ
ながら現像、リンスおよび乾燥処理を行う半導体製造工
程における現像方法であって、現像工程と、現像液に溶
解したフォトレジストが現像カップの内壁に付着しない
ような第１の回転数で半導体基板を回転させながらリン
ス液を滴下する第１リンス工程と、第１の回転数よりも
高い第２の回転数で半導体基板を回転させながらリンス
液を滴下して、現像液をリンス液で完全に置換する第２
リンス工程と、乾燥工程とを含むことを特徴とする半導
体製造工程における現像方法により、上記の課題を解決
する。
けるレジストパターン形成時に、パーティクルの付着を
有効に防止して、パターン欠陥を低減し得る現像方法を
提供することを課題とする。 【解決手段】 現像カップを有する現像装置で露光処理
されたフォトレジスト膜を有する半導体基板を回転させ
ながら現像、リンスおよび乾燥処理を行う半導体製造工
程における現像方法であって、現像工程と、現像液に溶
解したフォトレジストが現像カップの内壁に付着しない
ような第１の回転数で半導体基板を回転させながらリン
ス液を滴下する第１リンス工程と、第１の回転数よりも
高い第２の回転数で半導体基板を回転させながらリンス
液を滴下して、現像液をリンス液で完全に置換する第２
リンス工程と、乾燥工程とを含むことを特徴とする半導
体製造工程における現像方法により、上記の課題を解決
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造工程の
うち、フォトリソグラフ工程において、半導体基板に塗
布後、露光されたフォトレジスト膜を現像する方法に関
する。
うち、フォトリソグラフ工程において、半導体基板に塗
布後、露光されたフォトレジスト膜を現像する方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程のフォトリソグラフ工程
では、半導体基板にフォトレジスト膜を塗布形成し、選
択的に露光し、現像液で現像し、さらにリンス液でリン
ス（洗浄）し、乾燥してパターンを形成する。従来、こ
のような現像からリンス、乾燥までの工程は、図４に示
すようなパドル方式が採用されている。
では、半導体基板にフォトレジスト膜を塗布形成し、選
択的に露光し、現像液で現像し、さらにリンス液でリン
ス（洗浄）し、乾燥してパターンを形成する。従来、こ
のような現像からリンス、乾燥までの工程は、図４に示
すようなパドル方式が採用されている。
【０００３】まず、現像装置１１において、フォトレジ
スト膜１３の塗布および露光が終了した半導体基板１２
を、回転軸１４に連結された回転可能なスピンチャック
１５上に固定し、半導体基板１２の中心上に誘導された
現像液供給ノズル１７から現像液１６を滴下する。次
に、スピンチャック１５を低速（１０〜１００ｒｐｍ）
で短時間回転させて、現像液１６を半導体基板１２上の
フォトレジスト膜１３の全面に行き渡らせ、かつ表面張
力により液盛りする［図４（Ａ）］。図中、１９は現像
装置を囲む現像カップである。
スト膜１３の塗布および露光が終了した半導体基板１２
を、回転軸１４に連結された回転可能なスピンチャック
１５上に固定し、半導体基板１２の中心上に誘導された
現像液供給ノズル１７から現像液１６を滴下する。次
に、スピンチャック１５を低速（１０〜１００ｒｐｍ）
で短時間回転させて、現像液１６を半導体基板１２上の
フォトレジスト膜１３の全面に行き渡らせ、かつ表面張
力により液盛りする［図４（Ａ）］。図中、１９は現像
装置を囲む現像カップである。
【０００４】次いで、スピンチャック１５の回転を停止
し、所定時間だけ保持して、半導体基板１２上の現像液
１６によりフォトレジスト膜１３を現像する［図４
（Ｂ）］。図中、２１はフォトレジスト膜１３が除去さ
れた開孔部分を示す。
し、所定時間だけ保持して、半導体基板１２上の現像液
１６によりフォトレジスト膜１３を現像する［図４
（Ｂ）］。図中、２１はフォトレジスト膜１３が除去さ
れた開孔部分を示す。
【０００５】次いで、スピンチャック１５を中速（１０
００〜２０００ｒｐｍ）で回転させて、フォトレジスト
が溶解した現像液１６を振り切った後、半導体基板１２
の中心上に誘導されたリンス液供給ノズル１８からリン
ス液２０（例えば、純水）を滴下し、フォトレジストが
溶解した現像液１６を洗い流す［図４（Ｃ）］。このと
きのスピンチャック１５の回転数は、リンス液２０が半
導体基板１２の全面に行き渡り、フォトレジストが溶解
した現像液１６がリンス液２０に最も効率よく置換され
るように設定する。
００〜２０００ｒｐｍ）で回転させて、フォトレジスト
が溶解した現像液１６を振り切った後、半導体基板１２
の中心上に誘導されたリンス液供給ノズル１８からリン
ス液２０（例えば、純水）を滴下し、フォトレジストが
溶解した現像液１６を洗い流す［図４（Ｃ）］。このと
きのスピンチャック１５の回転数は、リンス液２０が半
導体基板１２の全面に行き渡り、フォトレジストが溶解
した現像液１６がリンス液２０に最も効率よく置換され
るように設定する。
【０００６】所定時間、リンスを行った後、リンス液２
０の滴下を停止し、スピンチャック１５を高速（３００
０〜５０００ｒｐｍ）で回転させて、半導体基板１２を
乾燥する［図４（Ｄ）］。
０の滴下を停止し、スピンチャック１５を高速（３００
０〜５０００ｒｐｍ）で回転させて、半導体基板１２を
乾燥する［図４（Ｄ）］。
【０００７】しかしながら、上記の方法では、フォトレ
ジストが溶解した現像液とリンス液とが十分に置換され
ず、リンス液中に残存したフォトレジストが半導体基板
に再付着する、すなわち残存したフォトレジストが半導
体基板上にパーティクルとして付着するという問題があ
った。そこで、特開平８−５５７８１号公報には、上記
の問題を解決するための方法が開示されている。
ジストが溶解した現像液とリンス液とが十分に置換され
ず、リンス液中に残存したフォトレジストが半導体基板
に再付着する、すなわち残存したフォトレジストが半導
体基板上にパーティクルとして付着するという問題があ
った。そこで、特開平８−５５７８１号公報には、上記
の問題を解決するための方法が開示されている。
【０００８】この公報に記載の方法は、図４に示す現像
方法の改良であり、図５に示すようにスピンチャックの
回転数を変化させるものである。具体的には、リンス液
を滴下する際に、最初の数秒間のみ１０００〜２０００
ｒｐｍ程度（第１の回転数）でスピンチャックを高速回
転させる。この短時間の高速回転により、周囲（現像カ
ップ）からの跳ね返りによる半導体基板へのパーティク
ルの付着が防止される。次いで、リンス液の滴下を継続
しつつ、スピンチャックの回転数を３００ｒｐｍ程度ま
で落とし、所定時間経過後、リンス液の滴下を停止し、
同時にスピンチャックの回転数を３００〜５００ｒｐｍ
程度（第２の回転数）に上げる。このとき、半導体基板
に付着しているパーティクルが飛散する。さらに、スピ
ンチャックの回転数を４０００ｒｐｍ程度（第３の回転
数）に上げて、半導体基板を乾燥させる。
方法の改良であり、図５に示すようにスピンチャックの
回転数を変化させるものである。具体的には、リンス液
を滴下する際に、最初の数秒間のみ１０００〜２０００
ｒｐｍ程度（第１の回転数）でスピンチャックを高速回
転させる。この短時間の高速回転により、周囲（現像カ
ップ）からの跳ね返りによる半導体基板へのパーティク
ルの付着が防止される。次いで、リンス液の滴下を継続
しつつ、スピンチャックの回転数を３００ｒｐｍ程度ま
で落とし、所定時間経過後、リンス液の滴下を停止し、
同時にスピンチャックの回転数を３００〜５００ｒｐｍ
程度（第２の回転数）に上げる。このとき、半導体基板
に付着しているパーティクルが飛散する。さらに、スピ
ンチャックの回転数を４０００ｒｐｍ程度（第３の回転
数）に上げて、半導体基板を乾燥させる。
【０００９】しかしながら、上記の方法では、短時間の
高速回転によって、周囲からの跳ね返りによる半導体基
板へのパーティクルの付着を防止することができるもの
の、後工程によって、半導体基板へのパーティクルの付
着が起こり、パターン欠陥を引き起こす。このパターン
欠陥は、半導体製品の歩留り低下や品質不良をもたら
す。
高速回転によって、周囲からの跳ね返りによる半導体基
板へのパーティクルの付着を防止することができるもの
の、後工程によって、半導体基板へのパーティクルの付
着が起こり、パターン欠陥を引き起こす。このパターン
欠陥は、半導体製品の歩留り低下や品質不良をもたら
す。
【００１０】つまり、リンス工程の短時間の高速回転に
よって、現像液に溶解したフォトレジストがリンス液と
共に、スピンチャックの周囲に設置された現像カップの
内壁に付着する。一方、洗浄後の乾燥工程で、半導体基
板から振り切られたリンス液が現像カップの内壁に衝突
し、ミストが発生する。このミストが、現像カップの内
壁に付着したフォトレジストを抱き込み、再びレジスト
のパーティクルとして半導体基板上に付着して、パター
ン欠陥を誘引する。
よって、現像液に溶解したフォトレジストがリンス液と
共に、スピンチャックの周囲に設置された現像カップの
内壁に付着する。一方、洗浄後の乾燥工程で、半導体基
板から振り切られたリンス液が現像カップの内壁に衝突
し、ミストが発生する。このミストが、現像カップの内
壁に付着したフォトレジストを抱き込み、再びレジスト
のパーティクルとして半導体基板上に付着して、パター
ン欠陥を誘引する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、半
導体製造工程のフォトリソグラフ工程におけるレジスト
パターン形成時に、パーティクルの付着を有効に防止し
て、パターン欠陥を低減し得る現像方法を提供すること
を課題とする。
導体製造工程のフォトリソグラフ工程におけるレジスト
パターン形成時に、パーティクルの付着を有効に防止し
て、パターン欠陥を低減し得る現像方法を提供すること
を課題とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者は、半導体製造
工程のフォトリソグラフ工程におけるフォトレジスト膜
の現像、リンスおよび乾燥に際して、リンス中に、半導
体基板を装着したスピンチャックの回転数を低速度から
連続的に、あるいは２段階以上に変化させて高くするこ
とにより、乾燥中に発生するミスト中へのフォトレジス
トの混入が抑えられ、ミストが半導体基板に付着して
も、パターン欠陥の発生が低減できることを見出し、本
発明を完成するに到った。
工程のフォトリソグラフ工程におけるフォトレジスト膜
の現像、リンスおよび乾燥に際して、リンス中に、半導
体基板を装着したスピンチャックの回転数を低速度から
連続的に、あるいは２段階以上に変化させて高くするこ
とにより、乾燥中に発生するミスト中へのフォトレジス
トの混入が抑えられ、ミストが半導体基板に付着して
も、パターン欠陥の発生が低減できることを見出し、本
発明を完成するに到った。
【００１３】かくして、この発明によれば、現像カップ
を有する現像装置で露光処理されたフォトレジスト膜を
有する半導体基板を回転させながら現像、リンスおよび
乾燥処理を行う半導体製造工程における現像方法であっ
て、フォトレジスト膜に現像液を滴下し、表面張力を利
用して現像液をフォトレジスト膜の表面に保持して、フ
ォトレジスト膜を現像する現像工程と、現像液に溶解し
たフォトレジストが現像カップの内壁に付着しないよう
な第１の回転数で半導体基板を回転させながらリンス液
を滴下する第１リンス工程と、第１の回転数よりも高い
第２の回転数で半導体基板を回転させながらリンス液を
滴下して、現像液をリンス液で完全に置換する第２リン
ス工程と、リンス液の滴下を中止した状態で、第２の回
転数よりも高い第３の回転数で基板を回転させ、リンス
液を飛散させて、半導体基板を乾燥させる乾燥工程とを
含むことを特徴とする半導体製造工程における現像方法
が提供される。
を有する現像装置で露光処理されたフォトレジスト膜を
有する半導体基板を回転させながら現像、リンスおよび
乾燥処理を行う半導体製造工程における現像方法であっ
て、フォトレジスト膜に現像液を滴下し、表面張力を利
用して現像液をフォトレジスト膜の表面に保持して、フ
ォトレジスト膜を現像する現像工程と、現像液に溶解し
たフォトレジストが現像カップの内壁に付着しないよう
な第１の回転数で半導体基板を回転させながらリンス液
を滴下する第１リンス工程と、第１の回転数よりも高い
第２の回転数で半導体基板を回転させながらリンス液を
滴下して、現像液をリンス液で完全に置換する第２リン
ス工程と、リンス液の滴下を中止した状態で、第２の回
転数よりも高い第３の回転数で基板を回転させ、リンス
液を飛散させて、半導体基板を乾燥させる乾燥工程とを
含むことを特徴とする半導体製造工程における現像方法
が提供される。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図１〜３に基づいて、本発
明の現像方法の好適な実施の形態について説明するが、
本発明はこれらの形態に限定されるものではない。
明の現像方法の好適な実施の形態について説明するが、
本発明はこれらの形態に限定されるものではない。
【００１５】図１は、本発明の現像方法に使用し得る現
像装置の概略構成を示す図である。図１の現像装置１
は、現像処理される半導体基板２、半導体基板２に塗布
後、露光されたフォトレジスト膜３、現像装置１内の所
定位置に配置された回転軸４、回転軸４に接続された半
導体基板２を保持するためのスピンチャック５、半導体
基板２上に液盛られた現像液６、現像液供給ノズル７、
リンス液供給ノズル８、現像カップ９から構成される。
本発明において、半導体基板２は半導体装置が形成され
た半導体基板を含む。
像装置の概略構成を示す図である。図１の現像装置１
は、現像処理される半導体基板２、半導体基板２に塗布
後、露光されたフォトレジスト膜３、現像装置１内の所
定位置に配置された回転軸４、回転軸４に接続された半
導体基板２を保持するためのスピンチャック５、半導体
基板２上に液盛られた現像液６、現像液供給ノズル７、
リンス液供給ノズル８、現像カップ９から構成される。
本発明において、半導体基板２は半導体装置が形成され
た半導体基板を含む。
【００１６】（実施の形態１）現像装置１において、フ
ォトレジスト膜３の塗布および露光が終了した半導体基
板２を、スピンチャック５に真空吸着・保持する。半導
体基板２が静止した状態で、スピンチャック５の上方に
配置されている現像液供給ノズル７から、半導体基板２
上に適量の現像液６を滴下する。そして、図１に示すよ
うに、表面張力により現像液６を半導体基板２上のフォ
トレジスト膜３の全面に液盛りし、所定時間だけ保持し
て、フォトレジスト膜３を現像する（現像工程）。この
現像の後、スピンチャック５の上方に配置されているリ
ンス液供給ノズル７からリンス液（例えば、純水）を滴
下しながら、スピンチャック５を回転させることによ
り、半導体基板２をリンス（洗浄）する。
ォトレジスト膜３の塗布および露光が終了した半導体基
板２を、スピンチャック５に真空吸着・保持する。半導
体基板２が静止した状態で、スピンチャック５の上方に
配置されている現像液供給ノズル７から、半導体基板２
上に適量の現像液６を滴下する。そして、図１に示すよ
うに、表面張力により現像液６を半導体基板２上のフォ
トレジスト膜３の全面に液盛りし、所定時間だけ保持し
て、フォトレジスト膜３を現像する（現像工程）。この
現像の後、スピンチャック５の上方に配置されているリ
ンス液供給ノズル７からリンス液（例えば、純水）を滴
下しながら、スピンチャック５を回転させることによ
り、半導体基板２をリンス（洗浄）する。
【００１７】図２は、スピンチャック５上に保持された
半導体基板２を回転させるときのスピン回転数の変化を
示している。なお、図２では、リンス液供給ノズル８か
らのリンス液を滴下している時間を実線で示し、滴下し
ていない時間を点線で示している。リンス液供給時にお
いて、先ず最初の数秒間では図２の実線により示される
ように、２００〜３００ｒｐｍ程度（この例では２５０
ｒｐｍ）の低速回転でスピンチャック５を回転させる。
この洗浄の初期段階では、現像液６に溶解したフォトレ
ジストがスピンチャックの周囲に設置された現像カップ
９の内壁に接触しない程度に、スピンチャック５の回転
数を制御することが重要である。この回転により、フォ
トレジストが溶解した現像液６の大部分が、リンス液に
置換される（第１リンス工程）。
半導体基板２を回転させるときのスピン回転数の変化を
示している。なお、図２では、リンス液供給ノズル８か
らのリンス液を滴下している時間を実線で示し、滴下し
ていない時間を点線で示している。リンス液供給時にお
いて、先ず最初の数秒間では図２の実線により示される
ように、２００〜３００ｒｐｍ程度（この例では２５０
ｒｐｍ）の低速回転でスピンチャック５を回転させる。
この洗浄の初期段階では、現像液６に溶解したフォトレ
ジストがスピンチャックの周囲に設置された現像カップ
９の内壁に接触しない程度に、スピンチャック５の回転
数を制御することが重要である。この回転により、フォ
トレジストが溶解した現像液６の大部分が、リンス液に
置換される（第１リンス工程）。
【００１８】次に、１０００〜２０００ｒｐｍ程度（こ
の例では１５００ｒｐｍ）の中速回転でスピンチャック
５を回転させて、引き続きリンス液による洗浄を行う。
この回転により、フォトレジストが溶解した現像液６
が、完全にリンス液に置換される（第２リンス工程）。
の例では１５００ｒｐｍ）の中速回転でスピンチャック
５を回転させて、引き続きリンス液による洗浄を行う。
この回転により、フォトレジストが溶解した現像液６
が、完全にリンス液に置換される（第２リンス工程）。
【００１９】所定時間経過後、リンス液供給ノズル８か
らのリンス液の滴下を中止し、図２の点線で示されるよ
うに３０００〜５０００ｒｐｍ程度（この例では４００
０ｒｐｍ）の高速回転でスピンチャック５を回転させ
る。この回転により、半導体基板２が乾燥する。
らのリンス液の滴下を中止し、図２の点線で示されるよ
うに３０００〜５０００ｒｐｍ程度（この例では４００
０ｒｐｍ）の高速回転でスピンチャック５を回転させ
る。この回転により、半導体基板２が乾燥する。
【００２０】（実施の形態２）図３は、スピンチャック
５上に保持された半導体基板２を回転させるときのスピ
ン回転数の変化を示している。この例では、連続的に増
加する回転数で半導体基板を回転させながらリンス液を
滴下している。なお、図３では、リンス液供給ノズル８
からのリンス液を滴下している時間を実線で示し、滴下
していない時間を点線で示している。実施の形態１と同
様にして、フォトレジスト膜３を現像する（現像工
程）。この現像の後、スピンチャック５の上方に配置さ
れているリンス液供給ノズル７からリンス液（例えば、
純水）を滴下しながら、スピンチャック５を回転させる
ことにより、半導体基板２を洗浄する。
５上に保持された半導体基板２を回転させるときのスピ
ン回転数の変化を示している。この例では、連続的に増
加する回転数で半導体基板を回転させながらリンス液を
滴下している。なお、図３では、リンス液供給ノズル８
からのリンス液を滴下している時間を実線で示し、滴下
していない時間を点線で示している。実施の形態１と同
様にして、フォトレジスト膜３を現像する（現像工
程）。この現像の後、スピンチャック５の上方に配置さ
れているリンス液供給ノズル７からリンス液（例えば、
純水）を滴下しながら、スピンチャック５を回転させる
ことにより、半導体基板２を洗浄する。
【００２１】リンス液供給時において、先ず最初の数秒
間では図３の実線により示されるように、２００〜３０
０ｒｐｍ程度（この例では２５０ｒｐｍ）の低速回転で
スピンチャック５を回転させる。この洗浄の初期段階で
は、現像液６に溶解したフォトレジストがスピンチャッ
ク５の周囲に設置された現像カップ９の内壁に接触しな
い程度に、スピンチャック５の回転数を制御することが
重要である。この回転により、フォトレジストが溶解し
た現像液６の大部分が、リンス液に置換される（第１リ
ンス工程）。
間では図３の実線により示されるように、２００〜３０
０ｒｐｍ程度（この例では２５０ｒｐｍ）の低速回転で
スピンチャック５を回転させる。この洗浄の初期段階で
は、現像液６に溶解したフォトレジストがスピンチャッ
ク５の周囲に設置された現像カップ９の内壁に接触しな
い程度に、スピンチャック５の回転数を制御することが
重要である。この回転により、フォトレジストが溶解し
た現像液６の大部分が、リンス液に置換される（第１リ
ンス工程）。
【００２２】次に、スピンチャック５の回転数を加速度
１５０〜２５０ｒｐｍ／ｓｅｃ程度（この例では２００
ｒｐｍ／ｓｅｃ）で上昇させながらリンス液を滴下す
る。このとき、所定時間でフォトレジストが溶解した現
像液６とリンス液とが完全に置換される回転数を適宜決
定する（第２リンス工程）。
１５０〜２５０ｒｐｍ／ｓｅｃ程度（この例では２００
ｒｐｍ／ｓｅｃ）で上昇させながらリンス液を滴下す
る。このとき、所定時間でフォトレジストが溶解した現
像液６とリンス液とが完全に置換される回転数を適宜決
定する（第２リンス工程）。
【００２３】所定時間経過後、リンス液供給ノズル８か
らのリンス液の滴下を中止し、図３の点線で示されるよ
うに３０００〜５０００ｒｐｍ程度（この例では４００
０ｒｐｍ）の高速回転でスピンチャック５を回転させ
る。この回転により、半導体基板２が乾燥する（乾燥工
程）。
らのリンス液の滴下を中止し、図３の点線で示されるよ
うに３０００〜５０００ｒｐｍ程度（この例では４００
０ｒｐｍ）の高速回転でスピンチャック５を回転させ
る。この回転により、半導体基板２が乾燥する（乾燥工
程）。
【００２４】このように、半導体基板２の第２リンス工
程において連続的にスピンチャック５の回転数を高くし
ていくと、洗い流されたリンス液は、始めのうち現像カ
ップ９の内側の下側に当たり、回転数の上昇に伴って、
リンス液の当たる現像カップの位置が上に移動し、ある
程度の高速回転（この例では２５００ｒｐｍ）になれ
ば、半導体基板２の面とほぼ同一の高さの位置にまで達
する。一方、時間の経過と共に、リンス液中に含まれる
フォトレジストの量（当初、現像液に溶解されている）
が減少し、洗い流されたリンス液が徐々に清浄な状態に
なる。
程において連続的にスピンチャック５の回転数を高くし
ていくと、洗い流されたリンス液は、始めのうち現像カ
ップ９の内側の下側に当たり、回転数の上昇に伴って、
リンス液の当たる現像カップの位置が上に移動し、ある
程度の高速回転（この例では２５００ｒｐｍ）になれ
ば、半導体基板２の面とほぼ同一の高さの位置にまで達
する。一方、時間の経過と共に、リンス液中に含まれる
フォトレジストの量（当初、現像液に溶解されている）
が減少し、洗い流されたリンス液が徐々に清浄な状態に
なる。
【００２５】このように現像カップの内壁が清浄なリン
ス液で洗浄され、現像カップの内壁が清浄に保たれる、
すなわち現像カップの内壁へのフォトレジストのパーテ
ィクルの付着が少ないので、高速回転で半導体基板を乾
燥する際にミストが発生しても、半導体基板上へのフォ
トレジストの混入、すなわちパーティクルの付着が抑制
できる。
ス液で洗浄され、現像カップの内壁が清浄に保たれる、
すなわち現像カップの内壁へのフォトレジストのパーテ
ィクルの付着が少ないので、高速回転で半導体基板を乾
燥する際にミストが発生しても、半導体基板上へのフォ
トレジストの混入、すなわちパーティクルの付着が抑制
できる。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、半導体製造工程のフォ
トリソグラフ工程において、現像液に溶解したフォトレ
ジストが半導体基板上に再付着するのを抑制し、レジス
トパターン形成後にパーティクルが半導体基板上に付着
するのを有効に防止することができるので、パターン欠
陥を飛躍的に減少させることができ、半導体製品の歩留
りや品質の向上を達成することができる
トリソグラフ工程において、現像液に溶解したフォトレ
ジストが半導体基板上に再付着するのを抑制し、レジス
トパターン形成後にパーティクルが半導体基板上に付着
するのを有効に防止することができるので、パターン欠
陥を飛躍的に減少させることができ、半導体製品の歩留
りや品質の向上を達成することができる
【図１】本発明の現像方法に使用し得る現像装置の概略
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の現像方法における半導体基板のスピン
回転数の変化を示す図である（実施の形態１）。
回転数の変化を示す図である（実施の形態１）。
【図３】本発明の現像方法における半導体基板のスピン
回転数の変化を示す図である（実施の形態２）。
回転数の変化を示す図である（実施の形態２）。
【図４】従来の現像方法の工程を示す概略断面図であ
る。
る。
【図５】従来の現像方法における半導体基板のスピン回
転数の変化を示す図である。
転数の変化を示す図である。
１、１１ 現像装置 ２、１２ 半導体基板 ３、１３ フォトレジスト膜 ４、１４ 回転軸 ５、１５ スピンチャック ６、１６ 現像液 ７、１７ 現像液供給ノズル ８、１８ リンス液供給ノズル ９、１９ 現像カップ ２０ リンス液 ２１ 開孔部分
Claims (3)
- 【請求項１】 現像カップを有する現像装置で露光処理
されたフォトレジスト膜を有する半導体基板を回転させ
ながら現像、リンスおよび乾燥処理を行う半導体製造工
程における現像方法であって、 フォトレジスト膜に現像液を滴下し、表面張力を利用し
て現像液をフォトレジスト膜の表面に保持して、フォト
レジスト膜を現像する現像工程と、 現像液に溶解したフォトレジストが現像カップの内壁に
付着しないような第１の回転数で半導体基板を回転させ
ながらリンス液を滴下する第１リンス工程と、 第１の回転数よりも高い第２の回転数で半導体基板を回
転させながらリンス液を滴下して、現像液をリンス液で
完全に置換する第２リンス工程と、 リンス液の滴下を中止した状態で、第２の回転数よりも
高い第３の回転数で基板を回転させ、リンス液を飛散さ
せて、半導体基板を乾燥させる乾燥工程とを含むことを
特徴とする半導体製造工程における現像方法。 - 【請求項２】 第２リンス工程において、第１の回転数
から第２の回転数に段階的に半導体基板を回転させなが
ら、あるいは第１の回転数から第２の回転数に連続的に
増加する回転数で半導体基板を回転させながらリンス液
を滴下することを特徴とする請求項１に記載の現像方
法。 - 【請求項３】 第１の回転数が、２００〜３００ｒｐｍ
である請求項１または２に記載の現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000259707A JP2002075834A (ja) | 2000-08-29 | 2000-08-29 | 半導体製造工程における現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000259707A JP2002075834A (ja) | 2000-08-29 | 2000-08-29 | 半導体製造工程における現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002075834A true JP2002075834A (ja) | 2002-03-15 |
Family
ID=18747838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000259707A Pending JP2002075834A (ja) | 2000-08-29 | 2000-08-29 | 半導体製造工程における現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002075834A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007157827A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 液体の除去方法およびこれを用いたレジストパターンの評価方法 |
| CN100353488C (zh) * | 2003-11-25 | 2007-12-05 | 恩益禧电子股份有限公司 | 半导体器件的制造方法 |
| WO2012004976A1 (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-12 | 住友ベークライト株式会社 | 硬化膜形成方法 |
-
2000
- 2000-08-29 JP JP2000259707A patent/JP2002075834A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100353488C (zh) * | 2003-11-25 | 2007-12-05 | 恩益禧电子股份有限公司 | 半导体器件的制造方法 |
| JP2007157827A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 液体の除去方法およびこれを用いたレジストパターンの評価方法 |
| WO2012004976A1 (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-12 | 住友ベークライト株式会社 | 硬化膜形成方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040518 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040928 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |