JPS5888749A - 現像装置 - Google Patents
現像装置Info
- Publication number
- JPS5888749A JPS5888749A JP18701781A JP18701781A JPS5888749A JP S5888749 A JPS5888749 A JP S5888749A JP 18701781 A JP18701781 A JP 18701781A JP 18701781 A JP18701781 A JP 18701781A JP S5888749 A JPS5888749 A JP S5888749A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- spinner
- developing
- developer
- rinsing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体基板上のホトレジストの現像装置に関す
るものである。
るものである。
従来、半導体製品の製造過程において半導体基板上のホ
トレジストに対して現像処理たとえばポジ覗像処理？施
こす場合、現像液の供給、現像、純水による１）ンス、
乾燥という手順で現像処理が進められている。
トレジストに対して現像処理たとえばポジ覗像処理？施
こす場合、現像液の供給、現像、純水による１）ンス、
乾燥という手順で現像処理が進められている。
ところが、従来のホトレジストの塗布および現像処理は
１つの処理槽で行われ、処理に要する時間が各処理ｒ加
算したものとなるので、全処理時間が長くなり、特に現
像、リンスの両処Ｐトに長い時間？要する土に、廃液た
とえは現像時の現像液と１１ンス液が分離もれない１１
でおるので、廃液処理量が非常に多くなり、コストも高
くなる等の問題がある。
１つの処理槽で行われ、処理に要する時間が各処理ｒ加
算したものとなるので、全処理時間が長くなり、特に現
像、リンスの両処Ｐトに長い時間？要する土に、廃液た
とえは現像時の現像液と１１ンス液が分離もれない１１
でおるので、廃液処理量が非常に多くなり、コストも高
くなる等の問題がある。
本発明の目的は、前記従来技術の欠点全解消し、現像処
理の能率全同上爆ぜることができ、廃液処理のコストも
低減させることのできる現像装置全提供することＫある
。
理の能率全同上爆ぜることができ、廃液処理のコストも
低減させることのできる現像装置全提供することＫある
。
この目的ケ達成Ｔるため、本発明による現１Ｗ装置は、
現像工程と１１ンス乾燥工程とに分かれ、現像工程では
、基板會載せたスピンナを低速回転部ぜなから現像ノズ
ルから基板上に現像液を滴下した後、所定時間だけスピ
ンナ全静止８ゼた状態で現９Ｊ全行い、ＩＩリンス乾燥
工程は、スピンナｋ Ａｌｌ記低速回転より速い所定の
回転速度で中速回転ちゼなから基板を純水洗浄した後、
スピンナヶ高速回転芒せて乾燥を行うことよりなり、現
像工程とリンス乾燥工程は別のチャンバで行われる。
現像工程と１１ンス乾燥工程とに分かれ、現像工程では
、基板會載せたスピンナを低速回転部ぜなから現像ノズ
ルから基板上に現像液を滴下した後、所定時間だけスピ
ンナ全静止８ゼた状態で現９Ｊ全行い、ＩＩリンス乾燥
工程は、スピンナｋ Ａｌｌ記低速回転より速い所定の
回転速度で中速回転ちゼなから基板を純水洗浄した後、
スピンナヶ高速回転芒せて乾燥を行うことよりなり、現
像工程とリンス乾燥工程は別のチャンバで行われる。
以下、本発明ケ図面に示す実施例にしたがって詳細に説
明する。
明する。
飴１図（Ａ）、（Ｂ）および第２図はそれぞれ本発明の
現像装置全実施するための装置の部分断面図と概略平面
図である。
現像装置全実施するための装置の部分断面図と概略平面
図である。
木実節制において、現像処理は第１図体）に示す現像工
程と同図（Ｂ）に示すリンス乾燥工程とに分れており、
各工程は第２図に示す如くそれぞれ別の槽で行われる。
程と同図（Ｂ）に示すリンス乾燥工程とに分れており、
各工程は第２図に示す如くそれぞれ別の槽で行われる。
木実節制において、符号１は現像會行うための現像槽、
２はリンス乾燥全行うための乾燥槽である。チャンバ１
と２にはそれぞれ、回転可能なスピンナ３か設けらｊｌ
、このスピンナ３上ＶＣｎ、上面ニホトレジスト？ｒ塗
布したシリコンウェハよりなる基板４が保持されている
。なお、５は処理槽１．２から現像液や１１ンス液ある
いは気体全排出するための排出管である。また、６は現
像液や１１ンス液（純水）全供給するノズルである。ち
らに、７は基板４の周囲に付溜したレジス）ｋアセトン
等で溶かして除去する裏面洗浄ノズルである。
２はリンス乾燥全行うための乾燥槽である。チャンバ１
と２にはそれぞれ、回転可能なスピンナ３か設けらｊｌ
、このスピンナ３上ＶＣｎ、上面ニホトレジスト？ｒ塗
布したシリコンウェハよりなる基板４が保持されている
。なお、５は処理槽１．２から現像液や１１ンス液ある
いは気体全排出するための排出管である。また、６は現
像液や１１ンス液（純水）全供給するノズルである。ち
らに、７は基板４の周囲に付溜したレジス）ｋアセトン
等で溶かして除去する裏面洗浄ノズルである。
木実節制において現１′４処理を行う場合、１ず現像工
程においては、第３図およびＰ４図に示すように、区間
Ａで示す０．３秒の間だけ現像液全滴下準備完了状態で
保ち、次に区間Ｂでは基板４の静止状態で基板４上にノ
ズル６から現像ｉ’に０．４秒間滴下爆ぜ、次いで現像
液ヶ滴下ちゼなからスピンナ３を図示しなりモータによ
り約４０〜４５ｒｐｍの回転速度で区間Ｃで示す如＜３
．４秒だけ低速回転ちせる。
程においては、第３図およびＰ４図に示すように、区間
Ａで示す０．３秒の間だけ現像液全滴下準備完了状態で
保ち、次に区間Ｂでは基板４の静止状態で基板４上にノ
ズル６から現像ｉ’に０．４秒間滴下爆ぜ、次いで現像
液ヶ滴下ちゼなからスピンナ３を図示しなりモータによ
り約４０〜４５ｒｐｍの回転速度で区間Ｃで示す如＜３
．４秒だけ低速回転ちせる。
スピンナ３が静止した後、区間りで示す如＜５５秒間だ
け静止現像會行う。その後、区間Ｅにおいては、乾燥槽
２内でスピンナ３に４００ｒｐｍの回転速度で回転ちぜ
ながらリンス液（純水）を３５秒間にわたって２５０ｃ
ｃ供給して１１ンス作業會行う。この段階ではレジスト
の現像はとまり、定着されている。
け静止現像會行う。その後、区間Ｅにおいては、乾燥槽
２内でスピンナ３に４００ｒｐｍの回転速度で回転ちぜ
ながらリンス液（純水）を３５秒間にわたって２５０ｃ
ｃ供給して１１ンス作業會行う。この段階ではレジスト
の現像はとまり、定着されている。
その後、区間Ｆにおいては、スピンナ３ ｉ３０００ｒ
ｐｍの回転速度で１５秒間だけ高速回転ちぜることによ
り基板４をスピン乾燥場せる。
ｐｍの回転速度で１５秒間だけ高速回転ちぜることによ
り基板４をスピン乾燥場せる。
以上により、現像処理は終了するか、スピン乾燥を行う
以前に、＋１ンスを予備１１ンスと木」ンスとに分けて
行う本のとしてもよい。
以前に、＋１ンスを予備１１ンスと木」ンスとに分けて
行う本のとしてもよい。
木実節制によれば、現像工程とリンス乾燥工程を２権力
式で分離処理することにより、処理能率が非常に同上し
、連続自動化が図られる上に、現像液と１１ンス液とを
分離することにより、廃液処理ｔが減少し、廃液処理コ
ストが低減する。
式で分離処理することにより、処理能率が非常に同上し
、連続自動化が図られる上に、現像液と１１ンス液とを
分離することにより、廃液処理ｔが減少し、廃液処理コ
ストが低減する。
なお、ノズル６から基板４上に現像液全滴下する場合、
ノズル６の先端内の空気が現像液の中にまき込まれたま
ま供給されることを阻止するため、ノズル６から現像液
會予め滴下式ぜ、ノズル先端の空気全排除した後、ノズ
ル６會スピンナ３上の基板４の上方に移動もぜて現像液
の滴下を行うのが好ましい。七れによシ、現像むらの発
生等を防止Ｔることができる。
ノズル６の先端内の空気が現像液の中にまき込まれたま
ま供給されることを阻止するため、ノズル６から現像液
會予め滴下式ぜ、ノズル先端の空気全排除した後、ノズ
ル６會スピンナ３上の基板４の上方に移動もぜて現像液
の滴下を行うのが好ましい。七れによシ、現像むらの発
生等を防止Ｔることができる。
また、現像液とｌンス液？完全分離する０とにより、現
像液の回収による省資源化を図ることもできる。
像液の回収による省資源化を図ることもできる。
以上欽明したように、本発明によれば、現像処理の能率
か同士し、また廃液処理コス）？！−低減できる。
か同士し、また廃液処理コス）？！−低減できる。
第１図（Ａ）と（Ｂ）はそれぞれ本発明の現像装置にお
ける現像工程とリンス乾燥工程にある状態を示す部分断
面図、第２図は装置の概略的平面図、第３図は本発明に
よる現像処理手順全示す説明図、第４図はその１部の拡
大図である。 １・・・現ｉｌＪ槽、２・・・乾燥槽、３・・・スピン
ナ、４・・・基板、５・・・排ｔＪ′３管、６・・・ノ
ズル、７・・・裏面洗浄ノズルＬ１ 代理人 弁理士 薄 １）利 幸、 （°２）
ける現像工程とリンス乾燥工程にある状態を示す部分断
面図、第２図は装置の概略的平面図、第３図は本発明に
よる現像処理手順全示す説明図、第４図はその１部の拡
大図である。 １・・・現ｉｌＪ槽、２・・・乾燥槽、３・・・スピン
ナ、４・・・基板、５・・・排ｔＪ′３管、６・・・ノ
ズル、７・・・裏面洗浄ノズルＬ１ 代理人 弁理士 薄 １）利 幸、 （°２）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に現像液を供給して現像処理全行う現像工程
と、１】ンス乾燥工程とからな９、現像工程は、基板金
載ぜ几スピンナ全低速回転ちぜながら現像液ノズルから
基板上に現像液を滴下した後、所定時間だけスピンナ？
静止芒ぜた状態で現像全行うことよりなシ、１１ンス乾
燥工程は、スピンナ會前記＠速回転より速い所定の回転
速度で中連回転芒ぜながら基板を純水洗浄した後、スピ
ンナ全高速回転させて乾燥ヶ行うことよシなる現像装置
。 ２、前記現像液ノズルは、現像液金子め滴下部ぜた後で
、基板上に移動場ぜて該基板上への現像液の滴下ケ行う
ことを特徴とする特許請求の範囲ＩＩ １項記載の現像
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18701781A JPS5888749A (ja) | 1981-11-24 | 1981-11-24 | 現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18701781A JPS5888749A (ja) | 1981-11-24 | 1981-11-24 | 現像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5888749A true JPS5888749A (ja) | 1983-05-26 |
Family
ID=16198735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18701781A Pending JPS5888749A (ja) | 1981-11-24 | 1981-11-24 | 現像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5888749A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63168025A (ja) * | 1986-12-29 | 1988-07-12 | Tokyo Electron Ltd | 現像方法 |
| JPS63232431A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | Tokyo Electron Ltd | 現像方法 |
| WO2002008832A3 (en) * | 2000-07-25 | 2002-05-02 | Silicon Valley Group | Method for an improved developing process in wafer photolithography |
| US7208262B2 (en) | 1998-09-17 | 2007-04-24 | Asml Holdings N.V. | Yield and line width performance for liquid polymers and other materials |
-
1981
- 1981-11-24 JP JP18701781A patent/JPS5888749A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63168025A (ja) * | 1986-12-29 | 1988-07-12 | Tokyo Electron Ltd | 現像方法 |
| JPS63232431A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | Tokyo Electron Ltd | 現像方法 |
| JPH0740545B2 (ja) * | 1987-03-20 | 1995-05-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像方法 |
| US7208262B2 (en) | 1998-09-17 | 2007-04-24 | Asml Holdings N.V. | Yield and line width performance for liquid polymers and other materials |
| US7255975B2 (en) | 1998-09-17 | 2007-08-14 | Asml Holding N.V. | Yield and line width performance for liquid polymers and other materials |
| US7625692B2 (en) | 1998-09-17 | 2009-12-01 | Asml Holding N.V. | Yield and line width performance for liquid polymers and other materials |
| WO2002008832A3 (en) * | 2000-07-25 | 2002-05-02 | Silicon Valley Group | Method for an improved developing process in wafer photolithography |
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