JPH04196212A - 現像前洗浄装置 - Google Patents

現像前洗浄装置

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Publication number
JPH04196212A
JPH04196212A JP32687190A JP32687190A JPH04196212A JP H04196212 A JPH04196212 A JP H04196212A JP 32687190 A JP32687190 A JP 32687190A JP 32687190 A JP32687190 A JP 32687190A JP H04196212 A JPH04196212 A JP H04196212A
Authority
JP
Japan
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wafer
development
nozzles
ultrasonic
particles
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Pending
Application number
JP32687190A
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English (en)
Inventor
Yutaka Akami
豊 赤見
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Landscapes

  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体製造工程のフォトリングラフ技術に関
するものであるっ 〔従来の技術〕 従来の半導体製債工程ではウェハは露光後洗浄すること
なしに現像を行なっていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の現像装置は、現像前に洗浄を行なっておらず、パ
ーティクルが現像後のパターンに欠陥を与えるなどの問
題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、パーティクルを除去するとともに小スペース
で装着ができる現像前洗浄装置を得ることを目的とする
〔課題を解決するだめの手段〕
この発明に係る現像前洗浄装置は、従来現像後納水にて
、ウェハ洗浄を行なっていたリンスノズルに、超音波ノ
ズルを取付けることにより小スペースでウェハ上のパー
ティクルを除去できるようにしだものであるっ 〔作用〕 この発明に2ける現像前洗浄装置は、超音波ノズ、ルに
より発生する水流によシウェハ上に付着し7’c パー
ティクルを除去する。
〔実施例〕
以下、この発明の一実歴例を図について説明する。
図はこの発明の一実施例である現像前洗浄装置の斜視図
である。
図において、(1)はウェハ、(2)はウェハ(1)を
図示矢印A方向に回転させるスピンチャック、(3)は
リンスノズルのスキャンアームで、図示B方向に往復回
転させている。(4)は超音波ノズル、(5)はノズル
(4)のスキャン方向である。
次に動作について説明するっ 従来、現像後の洗浄に使用していたリンスノズルのスキ
ャンアーム(3)に超音波ノズル(4)を取付はスキャ
ン動作(5)が可能のものとしたつ現像ユニットに入っ
たウニノ・(1)を回転させながら超音波ノズル(4)
をスキャンさせてパーティクルを除去する。その復水を
回転除去し、従来通りの現像プロセスを行なう、ただし
、現像後のリンスノズルとして便用する時は超音波ノズ
ル(4)の電源を切って便用する。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、ウニノーの現像前の洗
浄が極めて簡単に従来のリンスノズルの装着可能で、か
つこの現像前洗浄によってウニノ・上のパーティクルを
小スペースで除去できるなどの効果がある。
【図面の簡単な説明】
図はこの発明の一実施例による現像前洗浄装置の斜視図
である。 図において、(1)はウェハ、(2)はスピンチャック
、(3)はスキャンアーム、(4)は超音波ノズル、(
5)はスキャン範囲を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 露光後現像を行なう間にウェハ洗浄を行なうことを特徴
    とする現像前洗浄装置。
JP32687190A 1990-11-27 1990-11-27 現像前洗浄装置 Pending JPH04196212A (ja)

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JP32687190A JPH04196212A (ja) 1990-11-27 1990-11-27 現像前洗浄装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07263400A (ja) * 1994-03-22 1995-10-13 Shin Etsu Handotai Co Ltd 枚葉式ウェーハ処理装置
JP2007012997A (ja) * 2005-07-01 2007-01-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理システム
US7766565B2 (en) 2005-07-01 2010-08-03 Sokudo Co., Ltd. Substrate drying apparatus, substrate cleaning apparatus and substrate processing system

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07263400A (ja) * 1994-03-22 1995-10-13 Shin Etsu Handotai Co Ltd 枚葉式ウェーハ処理装置
JP2007012997A (ja) * 2005-07-01 2007-01-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理システム
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