JPH03148110A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH03148110A JPH03148110A JP28626489A JP28626489A JPH03148110A JP H03148110 A JPH03148110 A JP H03148110A JP 28626489 A JP28626489 A JP 28626489A JP 28626489 A JP28626489 A JP 28626489A JP H03148110 A JPH03148110 A JP H03148110A
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Links
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体ウェーハの表面を薬液処理する半導体
製造装置に関する。
製造装置に関する。
従来の半導体ウェーハ（以下単にウェーハと記す〉表面
を薬液処理する半導体製造装置には、例えば、半導体製
造工程の写真食刻工程（以下ＰＲ工程と記す）でウェー
ハ上に塗布したフォトレジストに所望のパターンで露出
した後現像する工程において用いる半導体現像装置があ
る。従来技術における半導体現像装置は第２図に示すよ
うにウェーハ１を真空吸収し、回転させるスピンナチャ
ック８及びウェーハ上に現像液及びリンス液をウェーハ
中央から周辺部に移動させながら吐出するスキャンノズ
ル９から構成されていた。
を薬液処理する半導体製造装置には、例えば、半導体製
造工程の写真食刻工程（以下ＰＲ工程と記す）でウェー
ハ上に塗布したフォトレジストに所望のパターンで露出
した後現像する工程において用いる半導体現像装置があ
る。従来技術における半導体現像装置は第２図に示すよ
うにウェーハ１を真空吸収し、回転させるスピンナチャ
ック８及びウェーハ上に現像液及びリンス液をウェーハ
中央から周辺部に移動させながら吐出するスキャンノズ
ル９から構成されていた。
上述した従来のスキャンノズルを有する半導体現像装置
は、ウェーハ中央部から周辺に向けて現像液をウェーハ
上に吐出していくため現像がウェーハ中央部から進行し
ウェーハ中央部と周辺部でパターン寸法に差が生ずると
いう欠点がある。従来の半導体現像装置で現像を行なっ
たときの残しパターンのレジスト寸法のウェーハ面内の
分布を第３図の破線で示す。ＰＲＩ工程を経たウェーハ
はエツチング工程によりポリシリコン膜、タングステン
シリサイド膜、酸化シリコン膜などによる所望のパター
ンを得る工程で、レジスト寸法のウェーハ面内の分布に
従ってパターンが形成されるため従来のスキャンノズル
による現像において良好なパターンが得られなければそ
れ以降の工程で良好な結果が得られないことは言うまで
もない。
は、ウェーハ中央部から周辺に向けて現像液をウェーハ
上に吐出していくため現像がウェーハ中央部から進行し
ウェーハ中央部と周辺部でパターン寸法に差が生ずると
いう欠点がある。従来の半導体現像装置で現像を行なっ
たときの残しパターンのレジスト寸法のウェーハ面内の
分布を第３図の破線で示す。ＰＲＩ工程を経たウェーハ
はエツチング工程によりポリシリコン膜、タングステン
シリサイド膜、酸化シリコン膜などによる所望のパター
ンを得る工程で、レジスト寸法のウェーハ面内の分布に
従ってパターンが形成されるため従来のスキャンノズル
による現像において良好なパターンが得られなければそ
れ以降の工程で良好な結果が得られないことは言うまで
もない。
また更に従来方式には複数ウェーハを搭載したキャリア
ごと現像液に浸漬するという手法があるがウェーハ裏面
からの発塵によりパターン不良を生じさせるという大き
な欠点がある。
ごと現像液に浸漬するという手法があるがウェーハ裏面
からの発塵によりパターン不良を生じさせるという大き
な欠点がある。
本発明の半導体製造装置は、半導体ウェーハの一表面の
少なくとも主要部分を露出した状態で保持するウェーハ
保持機構と、前記ウェーハ保持機構を所定方向に移動さ
せる移動機構と、前記ウェーハ保持機構に取付けられた
半導体ウェーハに振動を伝達する振動機構と、前記半導
体ウェーハの露出面に接触させる薬液を収納する液槽と
を有するというものである。
少なくとも主要部分を露出した状態で保持するウェーハ
保持機構と、前記ウェーハ保持機構を所定方向に移動さ
せる移動機構と、前記ウェーハ保持機構に取付けられた
半導体ウェーハに振動を伝達する振動機構と、前記半導
体ウェーハの露出面に接触させる薬液を収納する液槽と
を有するというものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）は、本発明の一実施例の半導体現像装置の
縦断面図である。
縦断面図である。
ウェーハ１は、現像処理される面を現像液６の液面に対
し水平に真空チャック２及び真空吸着アーム３からなる
ウェーハ保持機構によって保持されている。第１図（ｂ
）はウェーハ１が現像処理されている状態を示す。ウェ
ーハ１の被処理面はアーム動作機構４（移動機構）によ
り現像液６に接している。また真空吸着アーム３に接続
している振動機構としての超音波振動子５が現像処理中
にウェーハ］を振動させることにより現像反応がウェー
ハ面内で均一に行なわれる。
し水平に真空チャック２及び真空吸着アーム３からなる
ウェーハ保持機構によって保持されている。第１図（ｂ
）はウェーハ１が現像処理されている状態を示す。ウェ
ーハ１の被処理面はアーム動作機構４（移動機構）によ
り現像液６に接している。また真空吸着アーム３に接続
している振動機構としての超音波振動子５が現像処理中
にウェーハ］を振動させることにより現像反応がウェー
ハ面内で均一に行なわれる。
次に一定時間現像を行なったウェーハ１を、アーム動作
機構４により上昇させ、真空吸着アームを回転させて横
方向に移動させ図示しない他の液槽に収納したリンス液
にウェーハ表面を接触させることにより現像が停止し完
了する。第３図の実線は、本発明の現像装置により現像
を行なったときの残しパターンのレジスト寸法のウェー
ハ面内分布を示したものでありウェーハ面内全域に渡っ
てレジスト寸法が均一であることを示している。
機構４により上昇させ、真空吸着アームを回転させて横
方向に移動させ図示しない他の液槽に収納したリンス液
にウェーハ表面を接触させることにより現像が停止し完
了する。第３図の実線は、本発明の現像装置により現像
を行なったときの残しパターンのレジスト寸法のウェー
ハ面内分布を示したものでありウェーハ面内全域に渡っ
てレジスト寸法が均一であることを示している。
なお、振動の周波数は２５ｋＨｚ〜５０ｋＨｚが適当で
ある。
ある。
以上の説明はウェーハ表面を薬液処理する装置のうちの
現像装置を例にあげで行なったが、ウェーハ表面の酸化
シリコン膜等をエツチングするエツチング装置に対して
も本発明が適用出来る。従来方式ではＰＲ工程後にエツ
チング液に複数の被エツチングウェーハを搭載したキャ
リア全体をエツチング液に浸漬する方法が行なわれてい
るが、ウェーハの裏面からの発塵によりパターンのある
被エツチング面にパーティクルが付着し所望のパターン
が得られないという欠点があるが、本発明によればウェ
ーハ裏面がエツチング液中に浸漬することがないためウ
ェーハ裏面からの発塵が５ パターン面に付着することによって生ずるパターン不良
が大幅に低減出来るという利点がある。
現像装置を例にあげで行なったが、ウェーハ表面の酸化
シリコン膜等をエツチングするエツチング装置に対して
も本発明が適用出来る。従来方式ではＰＲ工程後にエツ
チング液に複数の被エツチングウェーハを搭載したキャ
リア全体をエツチング液に浸漬する方法が行なわれてい
るが、ウェーハの裏面からの発塵によりパターンのある
被エツチング面にパーティクルが付着し所望のパターン
が得られないという欠点があるが、本発明によればウェ
ーハ裏面がエツチング液中に浸漬することがないためウ
ェーハ裏面からの発塵が５ パターン面に付着することによって生ずるパターン不良
が大幅に低減出来るという利点がある。
以上説明したように本発明は、ウェーハを薬液面に対し
て水平に保持するところの真空吸着アームなどのウェー
ハ保持機構の上下動作により、ウェーハ薬液処理面全域
を同時に薬液に接触させ、またウェーハ保持機構に接続
した振動機構によりウェーハが薬液処理中に振動を受け
ることによりウェーハ面内全域に渡って均一に薬液処理
できる。更にウェーハのパターン面のみを薬液面に接触
させて薬液処理を行なうことによりウェーハ裏面から発
生するパーティクルがパターン面に再付着することによ
って生ずるパターン不良の発生を低減出来る効果もある
。
て水平に保持するところの真空吸着アームなどのウェー
ハ保持機構の上下動作により、ウェーハ薬液処理面全域
を同時に薬液に接触させ、またウェーハ保持機構に接続
した振動機構によりウェーハが薬液処理中に振動を受け
ることによりウェーハ面内全域に渡って均一に薬液処理
できる。更にウェーハのパターン面のみを薬液面に接触
させて薬液処理を行なうことによりウェーハ裏面から発
生するパーティクルがパターン面に再付着することによ
って生ずるパターン不良の発生を低減出来る効果もある
。
第１図は本発明の一実施例である現像装置の断面図、第
２図は従来の現像装置の断面図、第３図は従来及び本発
明の現像装置で現像処理したとき６ のレジストパターン寸法のウェーハ面内分布の違いを示
すものである。 １・・・半導体ウェーハ、２・・・真空チャック、３・
・・真空吸着アーム、４・・・アーム動作機構、５・・
・超音波振動子、６・・・現像液、７・・・液槽、８・
・・スピンナーチャック、９・・・スキャンノズル。
２図は従来の現像装置の断面図、第３図は従来及び本発
明の現像装置で現像処理したとき６ のレジストパターン寸法のウェーハ面内分布の違いを示
すものである。 １・・・半導体ウェーハ、２・・・真空チャック、３・
・・真空吸着アーム、４・・・アーム動作機構、５・・
・超音波振動子、６・・・現像液、７・・・液槽、８・
・・スピンナーチャック、９・・・スキャンノズル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体ウェーハの一表面の少なくとも主要部分を露
出した状態で保持するウェーハ保持機構と、前記ウェー
ハ保持機構を所定方向に移動させる移動機構と、前記ウ
ェーハ保持機構に取付けられた半導体ウェーハに振動を
伝達する振動機構と、前記半導体ウェーハの露出面に接
触させる薬液を収納する液槽とを有することを特徴とす
る半導体製造装置。 ２、振動機構は超音波振動子である請求項１記載の半導
体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28626489A JPH03148110A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28626489A JPH03148110A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03148110A true JPH03148110A (ja) | 1991-06-24 |
Family
ID=17702112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28626489A Pending JPH03148110A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03148110A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6766813B1 (en) * | 2000-08-01 | 2004-07-27 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Apparatus and method for cleaning a wafer |
| JP2009302286A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Tokyo Electron Ltd | 超音波現像処理方法及び超音波現像処理装置 |
-
1989
- 1989-11-02 JP JP28626489A patent/JPH03148110A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6766813B1 (en) * | 2000-08-01 | 2004-07-27 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Apparatus and method for cleaning a wafer |
| JP2009302286A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Tokyo Electron Ltd | 超音波現像処理方法及び超音波現像処理装置 |
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