JPS62239532A - フオトレジストの現像装置 - Google Patents
フオトレジストの現像装置Info
- Publication number
- JPS62239532A JPS62239532A JP8347586A JP8347586A JPS62239532A JP S62239532 A JPS62239532 A JP S62239532A JP 8347586 A JP8347586 A JP 8347586A JP 8347586 A JP8347586 A JP 8347586A JP S62239532 A JPS62239532 A JP S62239532A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- developer
- pattern
- development
- developing device
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- Pending
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造工程中で用いられるフォトレジスト
の現像法に関するものであり、特に現像装置に関するも
のである。
の現像法に関するものであり、特に現像装置に関するも
のである。
従来のフォトレジストの現像装置での現像法は通常以下
の辿りである。まず、スピンチャックに吸着させたウェ
ハー上に、１ないし複数本のノズルよシ現像液を滴下し
、静止あるいは回転状態にあるウェハー上に現像液を乗
せた状態で、レジストの現像を行なっていた。
の辿りである。まず、スピンチャックに吸着させたウェ
ハー上に、１ないし複数本のノズルよシ現像液を滴下し
、静止あるいは回転状態にあるウェハー上に現像液を乗
せた状態で、レジストの現像を行なっていた。
上述した従来の７オトレジストの現像法では、ウェハー
上のパターンが微細な領域では現像の進行中、現像液が
対流することなく、レジストの溶解した現像液が溜った
ままの状態になっているため、ウェハー上にパターンの
密な領域と疎な領域が存在する場合、現ｆ象の進行度合
が異なってしまい、パターンの寸法制御が難かしかった
。このため、パターンが微細になればなる程、アスペク
ト比の高いパターンを形成することが困難になるという
欠点があった。
上のパターンが微細な領域では現像の進行中、現像液が
対流することなく、レジストの溶解した現像液が溜った
ままの状態になっているため、ウェハー上にパターンの
密な領域と疎な領域が存在する場合、現ｆ象の進行度合
が異なってしまい、パターンの寸法制御が難かしかった
。このため、パターンが微細になればなる程、アスペク
ト比の高いパターンを形成することが困難になるという
欠点があった。
本発明は、上記欠点を解消して、アスペクト比の高いＩ
＆細なパターンの形成を容易にするとともに、同時にウ
ェハー上のゴミを超音波により遊離することができる現
像装置を提供する仁とである。
＆細なパターンの形成を容易にするとともに、同時にウ
ェハー上のゴミを超音波により遊離することができる現
像装置を提供する仁とである。
本発明の７オトレジストの現像装置は、ウェハ−を震動
させることができる超音波発生源を有している。
させることができる超音波発生源を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第２図は、従来の７オトレジストの現像で用いられてい
る装置の構造を示したものであり、現像ノ蔦ズル３から
滴下した現像液はウェハー１上に表面張力の助けにより
乗った状態で現像が進行する。
る装置の構造を示したものであり、現像ノ蔦ズル３から
滴下した現像液はウェハー１上に表面張力の助けにより
乗った状態で現像が進行する。
この時、現像の進行過程でウェハー内のパターン密度が
大きい程、レジストの溶解した現像液が溜ったままの状
態になりているため、第４図のようにパターン密度が大
きい程現像進行度が変化する。
大きい程、レジストの溶解した現像液が溜ったままの状
態になりているため、第４図のようにパターン密度が大
きい程現像進行度が変化する。
第２図は、本発明の実施例の現像装置の構造図で、超音
波発生源４が、現像中ウェハー１を震動させ、ウェハー
１上のゴミを遊離させるばかシでなく、ウェハー１上に
乗った現像液の対流を促す。
波発生源４が、現像中ウェハー１を震動させ、ウェハー
１上のゴミを遊離させるばかシでなく、ウェハー１上に
乗った現像液の対流を促す。
そのため、パターンのＷＬＭＵな領域でもきれいな現像
液がゆきとどき、第３図に示したように現像進行度はパ
ターン密度によらずに一定となる。
液がゆきとどき、第３図に示したように現像進行度はパ
ターン密度によらずに一定となる。
以上説明したようＫ、本発明は、現像液を乗せたウェハ
ーを超音波によシ震動させることにょシ、ウェハー上の
ゴミを遊離させることができるとともに、ウェハー内で
現像進行の度合を均一にさせ、アスペクト比の高い微細
なパターンの形成を容易にできる効果がある。
ーを超音波によシ震動させることにょシ、ウェハー上の
ゴミを遊離させることができるとともに、ウェハー内で
現像進行の度合を均一にさせ、アスペクト比の高い微細
なパターンの形成を容易にできる効果がある。
第１図は本発明の実施例のフォトレジスト現像装置を示
す図である。第２図は従来技術の現像装置を示す図であ
る。第３図および第４図は、それぞれ第１図および第２
図の装置によりレジストを現像した場合の現像進行度と
ウェハー内パターン密度の関係を示した図である。 図中、１・・・・・・ウェハー、２・旧・・真空チャッ
ク、３・・・・・・現像ノズル、４・・・・・・超音波
発生源、５・・・−・・現像カップ。 ＼、−８ｉ゛′
す図である。第２図は従来技術の現像装置を示す図であ
る。第３図および第４図は、それぞれ第１図および第２
図の装置によりレジストを現像した場合の現像進行度と
ウェハー内パターン密度の関係を示した図である。 図中、１・・・・・・ウェハー、２・旧・・真空チャッ
ク、３・・・・・・現像ノズル、４・・・・・・超音波
発生源、５・・・−・・現像カップ。 ＼、−８ｉ゛′
Claims (1)
- 半導体製造プロセスにおけるフォトレジストの現像装置
において、現像中ウェハーを震動させることができる超
音波発生源を有することを特徴とするフォトレジストの
現像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8347586A JPS62239532A (ja) | 1986-04-10 | 1986-04-10 | フオトレジストの現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8347586A JPS62239532A (ja) | 1986-04-10 | 1986-04-10 | フオトレジストの現像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62239532A true JPS62239532A (ja) | 1987-10-20 |
Family
ID=13803490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8347586A Pending JPS62239532A (ja) | 1986-04-10 | 1986-04-10 | フオトレジストの現像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62239532A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03186851A (ja) * | 1989-12-18 | 1991-08-14 | Fujitsu Ltd | フォトレジストの現像方法 |
| EP0769725A3 (en) * | 1995-10-20 | 1997-10-15 | Texas Instruments Inc | Method and apparatus for developing photoresists |
-
1986
- 1986-04-10 JP JP8347586A patent/JPS62239532A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03186851A (ja) * | 1989-12-18 | 1991-08-14 | Fujitsu Ltd | フォトレジストの現像方法 |
| EP0769725A3 (en) * | 1995-10-20 | 1997-10-15 | Texas Instruments Inc | Method and apparatus for developing photoresists |
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