JPH03186851A - フォトレジストの現像方法 - Google Patents
フォトレジストの現像方法Info
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- JPH03186851A JPH03186851A JP32585089A JP32585089A JPH03186851A JP H03186851 A JPH03186851 A JP H03186851A JP 32585089 A JP32585089 A JP 32585089A JP 32585089 A JP32585089 A JP 32585089A JP H03186851 A JPH03186851 A JP H03186851A
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- JP
- Japan
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- photoresist
- developing
- microoscillations
- developer
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- Pending
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 1
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
フォトリングラフィ技術を用いた薄膜磁気へラドウェハ
プロセス並びに半導体ウェハプロセスに関し、特に、所
望パターンを露光したフォトレジストを現像する方法に
関し、 厚膜化したフォトレジスト膜のパターンを高精度に形成
することの可能なフォトレジストの現像方法の提供を目
的とし、 所望パターンを露光したフォトレジストを現像する際に
前記フォトレジストを被着した基材並び（１） に現像液の内の少なくとも一方に微小振動を付与しなが
ら現像するよう構成する。
プロセス並びに半導体ウェハプロセスに関し、特に、所
望パターンを露光したフォトレジストを現像する方法に
関し、 厚膜化したフォトレジスト膜のパターンを高精度に形成
することの可能なフォトレジストの現像方法の提供を目
的とし、 所望パターンを露光したフォトレジストを現像する際に
前記フォトレジストを被着した基材並び（１） に現像液の内の少なくとも一方に微小振動を付与しなが
ら現像するよう構成する。
本発明は、フォトリソグラフィ技術を用いた薄膜磁気へ
ソドウェハプロセス並ひに半導体ウェハプロセスに関し
、特に、所望パターンを露光したフォトレジストを現像
する方法に関する。
ソドウェハプロセス並ひに半導体ウェハプロセスに関し
、特に、所望パターンを露光したフォトレジストを現像
する方法に関する。
近年の薄膜磁気・＼ラド並びに半導体の高密度化に伴い
、フォトリングラフィ技術においては、より厚いフォト
レジストに、より微細なパターン形成技術が要求されて
いる。
、フォトリングラフィ技術においては、より厚いフォト
レジストに、より微細なパターン形成技術が要求されて
いる。
後述のフォトリングラフィ技術プロセスによって所望の
パターンを有したフォトレジスト層が形成される。該プ
ロセスにおける従来の現像方法では厚膜化したフォトレ
ジスト層のパターン内ニ新（２） 鮮な現像液を充分に供給することが困難であり、従って
、微細なパターンを高精度に形成することができない。
パターンを有したフォトレジスト層が形成される。該プ
ロセスにおける従来の現像方法では厚膜化したフォトレ
ジスト層のパターン内ニ新（２） 鮮な現像液を充分に供給することが困難であり、従って
、微細なパターンを高精度に形成することができない。
依って本発明は斯かる課題の解決を図るべく、厚膜化し
たフォトレジスト膜のパターンを高精度に形成すること
の可能なフォトレジストの現像方法の提供を目的とする
。
たフォトレジスト膜のパターンを高精度に形成すること
の可能なフォトレジストの現像方法の提供を目的とする
。
上記目的に鑑みて本発明は、所望パターンを露光したフ
ォトレジストを現像する際に、前記フォトレジストを被
着した基材並びに現像液の内の少なくとも一方に微小振
動を付与しながら現像することを特徴とするフォトレジ
ストの現像方法を提供する。
ォトレジストを現像する際に、前記フォトレジストを被
着した基材並びに現像液の内の少なくとも一方に微小振
動を付与しながら現像することを特徴とするフォトレジ
ストの現像方法を提供する。
基材又は現像液を微小振動させながら現像するため、幅
寸法が微小で、かつ、深さの深いパターン溝内にも新鮮
な現像液が常時浸入することを可（３） 能にさせる。
寸法が微小で、かつ、深さの深いパターン溝内にも新鮮
な現像液が常時浸入することを可（３） 能にさせる。
以下、本発明を添付図面に示す実施例を従来技術の説明
と併せて説明する。
と併せて説明する。
まず、第３図を参照しながらフォトリソグラフィ技術の
プロセスを説明する。駆動モータ２２により回転駆動さ
れ得る回転ステージ１６の上に導電膜１２の施されたウ
ェハー１０が載置され、該導電膜１２の上に液状のフォ
トレジスト （ここではポジ型フォトレジスト）１４を
盛った状態を（ａ）図に示す。
プロセスを説明する。駆動モータ２２により回転駆動さ
れ得る回転ステージ１６の上に導電膜１２の施されたウ
ェハー１０が載置され、該導電膜１２の上に液状のフォ
トレジスト （ここではポジ型フォトレジスト）１４を
盛った状態を（ａ）図に示す。
次にモータ２２を駆動して回転ステージ１６と共にウェ
ハー１０等を回転させ、遠心力の作用によって数−程度
の厚さのフォトレジスト膜１４を形成させる。
ハー１０等を回転させ、遠心力の作用によって数−程度
の厚さのフォトレジスト膜１４を形成させる。
これを（ｂ）図に示している。その後、７５℃〜９５℃
に加熱保持するとフォトレジスト膜が固化する。
に加熱保持するとフォトレジスト膜が固化する。
その後（Ｃ）図に示す様に、所定パターン１７を有した
フォトマスク１８を介してフォトレジスト膜１４に紫外
線を照射する。ここではポジ型のフォトレジストを使用
しているため感光したフォトレジス（４） ト部１４′が現像液によって溶解させられる。こうして
現像されたパターン２０を有するフォトレジスト膜１４
を被着したウェハー１０を（ｄ）図に示す。
フォトマスク１８を介してフォトレジスト膜１４に紫外
線を照射する。ここではポジ型のフォトレジストを使用
しているため感光したフォトレジス（４） ト部１４′が現像液によって溶解させられる。こうして
現像されたパターン２０を有するフォトレジスト膜１４
を被着したウェハー１０を（ｄ）図に示す。
ここで従来における現像の方法を３種類挙げて説明する
。まず第４図を参照すると、容器２８に入れた現像液２
６の中に、フォトレジスト膜のパターン部１４′が感光
させられた第３図（Ｃ）の状態の現像対象体３０を浸漬
させて現像を行う。この方法は現像液が多量に必要であ
り、かつ、大きな容器２８を使用するため作業性がよく
ないという欠点の他、細く、かつ、深い微細パターンの
深部まで新鮮な現像液が浸入し難いという欠点を有する
。
。まず第４図を参照すると、容器２８に入れた現像液２
６の中に、フォトレジスト膜のパターン部１４′が感光
させられた第３図（Ｃ）の状態の現像対象体３０を浸漬
させて現像を行う。この方法は現像液が多量に必要であ
り、かつ、大きな容器２８を使用するため作業性がよく
ないという欠点の他、細く、かつ、深い微細パターンの
深部まで新鮮な現像液が浸入し難いという欠点を有する
。
第５図（ａ）〜（Ｃ）を参照すると、モータ２２によっ
て回転駆動される回転ステージ２４上に載置されたウェ
ハーを本体部とする現像対象体３０の上から、分散器２
５を介して現像液の層２６を表面張力によって盛る。こ
の場合、現像対象体３０は静止させていても、低速で回
転させていてもよい。現像液が盛られた後は（ｂ）図に
示す様に静止状態で現像される。この現像状態を一定時
間保持した後（５） に（Ｃ）図に示す様に高速回転させて不要の現像液を飛
散させる。この方法では現像液は少量ですむが、パター
ンの深部まで新鮮な現像液が浸入し難いということは第
４図の場合と同様である。
て回転駆動される回転ステージ２４上に載置されたウェ
ハーを本体部とする現像対象体３０の上から、分散器２
５を介して現像液の層２６を表面張力によって盛る。こ
の場合、現像対象体３０は静止させていても、低速で回
転させていてもよい。現像液が盛られた後は（ｂ）図に
示す様に静止状態で現像される。この現像状態を一定時
間保持した後（５） に（Ｃ）図に示す様に高速回転させて不要の現像液を飛
散させる。この方法では現像液は少量ですむが、パター
ンの深部まで新鮮な現像液が浸入し難いということは第
４図の場合と同様である。
更には、直接図示はしていないが、第５図の（ａ）と（
Ｃ）の中間程度の回転速度によって回転ステージを現像
対象体と共に回転させながら、分散器２５によって常時
、現像波を供給し、それによって現像する方法がある。
Ｃ）の中間程度の回転速度によって回転ステージを現像
対象体と共に回転させながら、分散器２５によって常時
、現像波を供給し、それによって現像する方法がある。
この方法は微細なパターンを形成しているフォトレジス
トから成る各壁部に常時、現像液の遠心力作用に基づく
荷重が作用するため、微細パターンを損傷させるおそれ
がある。
トから成る各壁部に常時、現像液の遠心力作用に基づく
荷重が作用するため、微細パターンを損傷させるおそれ
がある。
以上の各方法の欠点を解消すべく本発明においては、ウ
ェハーか又は現像液を微小振動させながら現像する。第
１図を参照すると、ウェハー１０の上に導電膜１２が施
され、その上にパターン溝となる感光された部分１４′
を有したフォトレジスト膜１４が形成された現像対象体
を回転ステージ２４の上に搭載する。その上方の分散器
２５から現像液２６を（６） 供給し、フォトレジスト膜１４上に盛る。一方、回転ス
テージ２４の下部にはモータ２３が取り付けられており
、該サーボモータ２３は駆動回路４０と接続されてサー
ボループを形成している。駆動回路４０を通してモータ
２３に零位置指令を送信すれば、該モータ２３は零位置
を中心として十一方向に微小振動することとなる。この
微小振動の作用によりフォトレジスト膜１４の感光部１
４′の溶解溝、即ち、パターン溝内に新鮮な現像液が送
り込まれ、溝の深部においても溶解作用が充分に行われ
ることとなる。
ェハーか又は現像液を微小振動させながら現像する。第
１図を参照すると、ウェハー１０の上に導電膜１２が施
され、その上にパターン溝となる感光された部分１４′
を有したフォトレジスト膜１４が形成された現像対象体
を回転ステージ２４の上に搭載する。その上方の分散器
２５から現像液２６を（６） 供給し、フォトレジスト膜１４上に盛る。一方、回転ス
テージ２４の下部にはモータ２３が取り付けられており
、該サーボモータ２３は駆動回路４０と接続されてサー
ボループを形成している。駆動回路４０を通してモータ
２３に零位置指令を送信すれば、該モータ２３は零位置
を中心として十一方向に微小振動することとなる。この
微小振動の作用によりフォトレジスト膜１４の感光部１
４′の溶解溝、即ち、パターン溝内に新鮮な現像液が送
り込まれ、溝の深部においても溶解作用が充分に行われ
ることとなる。
次に第２図を参照すると、容器２８内に入れられた現像
液２６に現像対象体が浸漬される第４図の方法に対し、
第１図の場合と同様な振動装置を設けた実施例である。
液２６に現像対象体が浸漬される第４図の方法に対し、
第１図の場合と同様な振動装置を設けた実施例である。
即ち、ウェハー１０を主体部とする現像対象体を保持す
る保持爪部４２を有した軸４４の上部にサーボモータ２
３を取り付け、駆動回路４０によってサーボループを形
成している。微小振動の付与方法は第１図に示す第１実
施例と同様である。
る保持爪部４２を有した軸４４の上部にサーボモータ２
３を取り付け、駆動回路４０によってサーボループを形
成している。微小振動の付与方法は第１図に示す第１実
施例と同様である。
（７〉
以上の他、現像対象体への微小振動の付与方法には超音
波振動を利用する方法もある。また、現像液への微小振
動の付与方法としては、気泡の上昇作用を利用する方法
や、上記の超音波振動を利用する方法等がある。更には
、微小振動を付与する方向としては、第１図と第２図に
示す様な回転方向のみならず直線方向又はこれらを複合
した振動であってもよい。
波振動を利用する方法もある。また、現像液への微小振
動の付与方法としては、気泡の上昇作用を利用する方法
や、上記の超音波振動を利用する方法等がある。更には
、微小振動を付与する方向としては、第１図と第２図に
示す様な回転方向のみならず直線方向又はこれらを複合
した振動であってもよい。
以上の説明から明らかな様に本発明によれば、現像中に
現像液と現像対象体とが相対的に微小振動するため、微
細であって、かつ、深いノ（ターン溝の深部に至るまで
常時、新鮮な現像液が供給され、このことによりフォト
レジスト層に微細な）（ターンを速く、高精度に形成す
ることが可能となる。
現像液と現像対象体とが相対的に微小振動するため、微
細であって、かつ、深いノ（ターン溝の深部に至るまで
常時、新鮮な現像液が供給され、このことによりフォト
レジスト層に微細な）（ターンを速く、高精度に形成す
ることが可能となる。
第１図は本発明に係る現像方法の第■実施例を示す装置
構成図、 （８） 第２図は本発明に係る現像方法の第２実施例を示す装置
構成図、 第３図（ａ）〜（ｄ）はフォトリングラフィのプロセス
を示す説明図、 第４図は従来の現像方法の第１実施例を示す図、第５図
（ａ）〜（Ｃ）は従来の現像方法の第２実施例を示す説
明図である。 １０・・・ウェハー、１４・・・フォトレジスト膜、１
４′・・・感光したフォトレジスト部（パターンの溝部
）、 ２３・・・サーボモータ、 ２６・・・現像液。
構成図、 （８） 第２図は本発明に係る現像方法の第２実施例を示す装置
構成図、 第３図（ａ）〜（ｄ）はフォトリングラフィのプロセス
を示す説明図、 第４図は従来の現像方法の第１実施例を示す図、第５図
（ａ）〜（Ｃ）は従来の現像方法の第２実施例を示す説
明図である。 １０・・・ウェハー、１４・・・フォトレジスト膜、１
４′・・・感光したフォトレジスト部（パターンの溝部
）、 ２３・・・サーボモータ、 ２６・・・現像液。
Claims (1)
- １、所望パターン（２０）を露光したフォトレジスト（
１４）を現像する際に、前記フォトレジストを被着した
基材（１０）並びに現像液（２６）の内の少なくとも一
方に微少振動を付与しながら現像することを特徴とする
フォトレジストの現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32585089A JPH03186851A (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | フォトレジストの現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32585089A JPH03186851A (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | フォトレジストの現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03186851A true JPH03186851A (ja) | 1991-08-14 |
Family
ID=18181317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32585089A Pending JPH03186851A (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | フォトレジストの現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03186851A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009302286A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Tokyo Electron Ltd | 超音波現像処理方法及び超音波現像処理装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62239532A (ja) * | 1986-04-10 | 1987-10-20 | Nec Corp | フオトレジストの現像装置 |
| JPS63274146A (ja) * | 1987-05-02 | 1988-11-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | レジストの現像方法及びその装置 |
| JPS63309947A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-19 | Mitsubishi Electric Corp | レジストパタ−ンの現像方法 |
| JPS6471128A (en) * | 1987-05-02 | 1989-03-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | Method and device for applying resist and developing device for resist |
-
1989
- 1989-12-18 JP JP32585089A patent/JPH03186851A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62239532A (ja) * | 1986-04-10 | 1987-10-20 | Nec Corp | フオトレジストの現像装置 |
| JPS63274146A (ja) * | 1987-05-02 | 1988-11-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | レジストの現像方法及びその装置 |
| JPS6471128A (en) * | 1987-05-02 | 1989-03-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | Method and device for applying resist and developing device for resist |
| JPS63309947A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-19 | Mitsubishi Electric Corp | レジストパタ−ンの現像方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009302286A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Tokyo Electron Ltd | 超音波現像処理方法及び超音波現像処理装置 |
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