JPH088162A - フォトレジストパターンの形成方法 - Google Patents
フォトレジストパターンの形成方法Info
- Publication number
- JPH088162A JPH088162A JP13718294A JP13718294A JPH088162A JP H088162 A JPH088162 A JP H088162A JP 13718294 A JP13718294 A JP 13718294A JP 13718294 A JP13718294 A JP 13718294A JP H088162 A JPH088162 A JP H088162A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoresist layer
- photoresist
- pattern
- developing solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 シリコン半導体基板等の被エッチング層上に
形成したフォトレジスト層を、微細なパターンでも容易
に精度良くパターニングすることのできるフォトレジス
トパターンの形成方法を提供する。 【構成】 被エッチング層１上にフォトレジスト層２を
形成し、フォトレジスト層２上に現像液またはアルカリ
溶液を塗布し、フォトレジスト層２の表面に現像液に対
して溶け難い難溶化層３を形成してから、フォトレジス
ト層２を露光および現像することにより所望のフォトレ
ジストパターンを形成する。
形成したフォトレジスト層を、微細なパターンでも容易
に精度良くパターニングすることのできるフォトレジス
トパターンの形成方法を提供する。 【構成】 被エッチング層１上にフォトレジスト層２を
形成し、フォトレジスト層２上に現像液またはアルカリ
溶液を塗布し、フォトレジスト層２の表面に現像液に対
して溶け難い難溶化層３を形成してから、フォトレジス
ト層２を露光および現像することにより所望のフォトレ
ジストパターンを形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトレジストパター
ンの形成方法に関するものである。
ンの形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置を製造する過程は、一般的
に、シリコン等の被エッチング材上にフォトレジスト層
を形成し、このフォトレジスト層を所定のフォトマスク
を用いて露光し、その露光されたフォトレジスト層を現
像液で溶化することにより微細なフォトレジストパター
ンを形成している。
に、シリコン等の被エッチング材上にフォトレジスト層
を形成し、このフォトレジスト層を所定のフォトマスク
を用いて露光し、その露光されたフォトレジスト層を現
像液で溶化することにより微細なフォトレジストパター
ンを形成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】最近、半導体装置の小
型化および高性能化の要求がますます強まっており、上
記フォトレジスト層をより微細にパターニングする方法
が望まれていた。しかし、フォトレジスト層の膜厚によ
る解像力の低下や露光強度分布のばらつきによる解像力
の低下（いわゆるデフォーカス）によって、パターニン
グの寸法精度に限界があり、非常に微細なパターンを形
成するのは困難であった。
型化および高性能化の要求がますます強まっており、上
記フォトレジスト層をより微細にパターニングする方法
が望まれていた。しかし、フォトレジスト層の膜厚によ
る解像力の低下や露光強度分布のばらつきによる解像力
の低下（いわゆるデフォーカス）によって、パターニン
グの寸法精度に限界があり、非常に微細なパターンを形
成するのは困難であった。
【０００４】図２に被エッチング層およびフォトレジス
ト層の断面を示す。従来のフォトレジストパターン形成
方法では、例えば、図２（ａ）に示したように、フォト
レジスト層２２の上面が所望のパターンの寸法となるよ
うに露光すると、フォトレジスト層２２の下面側が十分
に露光されず、同図（ｂ）に示したように、フォトレジ
スト層２２の下面が所望のパターンの寸法となるように
露光すると、フォトレジスト層２２の上面側が露光され
過ぎ、所望のパターンを精度良く形成することができな
かった。
ト層の断面を示す。従来のフォトレジストパターン形成
方法では、例えば、図２（ａ）に示したように、フォト
レジスト層２２の上面が所望のパターンの寸法となるよ
うに露光すると、フォトレジスト層２２の下面側が十分
に露光されず、同図（ｂ）に示したように、フォトレジ
スト層２２の下面が所望のパターンの寸法となるように
露光すると、フォトレジスト層２２の上面側が露光され
過ぎ、所望のパターンを精度良く形成することができな
かった。
【０００５】本発明は、フォトレジストパターンを容易
に精度良く形成することのできるフォトレジストパター
ンの形成方法を提供することを目的としている。
に精度良く形成することのできるフォトレジストパター
ンの形成方法を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、被エッチング
層上にフォトレジスト層を形成する工程と、上記フォト
レジスト層上に現像液またはアルカリ溶液を塗布し、上
記フォトレジスト層の表面に現像液に対して溶け難い難
溶化層を形成する工程と、上記難溶化層が形成された上
記フォトレジスト層を所定のフォトマスクを用いて露光
する工程と、上記露光されたフォトレジスト層を現像す
る工程とを設けることにより、上記課題解決するもので
ある。
層上にフォトレジスト層を形成する工程と、上記フォト
レジスト層上に現像液またはアルカリ溶液を塗布し、上
記フォトレジスト層の表面に現像液に対して溶け難い難
溶化層を形成する工程と、上記難溶化層が形成された上
記フォトレジスト層を所定のフォトマスクを用いて露光
する工程と、上記露光されたフォトレジスト層を現像す
る工程とを設けることにより、上記課題解決するもので
ある。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。
明する。
【０００８】まず、図１（ａ）に示したように、シリコ
ン半導体基板等の被エッチング層１上にポジタイプのフ
ォトレジスト層２を、例えば１〜２μｍ程度の厚さに形
成する。
ン半導体基板等の被エッチング層１上にポジタイプのフ
ォトレジスト層２を、例えば１〜２μｍ程度の厚さに形
成する。
【０００９】つぎに、フォトレジスト層２の表面に現像
液をスプレー塗布し、例えば１分間程度（目的とするパ
ターンによって適宜時間を調節する。）、放置してフォ
トレジスト層２と反応させる。この現像液は有機現像液
と無機現像液のどちらでもよい。これにより、図１
（ｂ）に示したように、現像液とフォトレジスト層２の
感光材およびベース樹脂であるノボラックレジンが反応
して、フォトレジスト層２の一部が現像液に溶化し難い
構造に変化し、例えば５０ｎｍ程度の厚さの難溶化層３
が形成される。
液をスプレー塗布し、例えば１分間程度（目的とするパ
ターンによって適宜時間を調節する。）、放置してフォ
トレジスト層２と反応させる。この現像液は有機現像液
と無機現像液のどちらでもよい。これにより、図１
（ｂ）に示したように、現像液とフォトレジスト層２の
感光材およびベース樹脂であるノボラックレジンが反応
して、フォトレジスト層２の一部が現像液に溶化し難い
構造に変化し、例えば５０ｎｍ程度の厚さの難溶化層３
が形成される。
【００１０】つぎに、現像液を純水でスプレーリンス
し、スピン乾燥等により上記半導体基板等に付着してい
る水分を除去する。
し、スピン乾燥等により上記半導体基板等に付着してい
る水分を除去する。
【００１１】つぎに、従来の方法と同様に、フォトマス
クを用いて所望のパターンを投影露光または直接露光す
る。露光時間は目的とするパターン形状によって適宜調
節する。その後、必要に応じてベーク処理を行なう。
クを用いて所望のパターンを投影露光または直接露光す
る。露光時間は目的とするパターン形状によって適宜調
節する。その後、必要に応じてベーク処理を行なう。
【００１２】つぎに、現像を行なう。このとき、フォト
レジスト上部に難溶化層３が形成されているため、ほぼ
上記フォトマスクの寸法通りにパターニングされる。例
えば、図２（ｂ）に示した場合と同じ現像条件によりフ
ォトレジスト層２の下面側が所望の寸法となるように現
像すると、図１（ｃ）に示したように、フォトレジスト
層２および難溶化層３がほぼ所望の寸法通りにパターニ
ングされる。
レジスト上部に難溶化層３が形成されているため、ほぼ
上記フォトマスクの寸法通りにパターニングされる。例
えば、図２（ｂ）に示した場合と同じ現像条件によりフ
ォトレジスト層２の下面側が所望の寸法となるように現
像すると、図１（ｃ）に示したように、フォトレジスト
層２および難溶化層３がほぼ所望の寸法通りにパターニ
ングされる。
【００１３】以上のようにして、微細なフォトレジスト
パターンでも精度良く形成できる。なお、上記半導体基
板をスピン乾燥する工程に続いて、ベーク処理を施すこ
とにより、フォトレジストの難溶化反応をより促進し、
より現像液に溶化し難い難溶化層を形成することができ
る。
パターンでも精度良く形成できる。なお、上記半導体基
板をスピン乾燥する工程に続いて、ベーク処理を施すこ
とにより、フォトレジストの難溶化反応をより促進し、
より現像液に溶化し難い難溶化層を形成することができ
る。
【００１４】また、上記実施例ではフォトレジスト層２
に現像液をスプレー塗付することにより難溶化層３を形
成したが、現像液に代えてＮａＯＨ等のアルカリ溶液を
用いてもよい。
に現像液をスプレー塗付することにより難溶化層３を形
成したが、現像液に代えてＮａＯＨ等のアルカリ溶液を
用いてもよい。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、露光前にフォトレジス
ト層に現像液またはアルカリ溶液を塗布し、現像液に溶
化し難い難溶化層を形成しておくので、微細なフォトレ
ジストパターンでも容易に精度良くパターニングするこ
とができる。
ト層に現像液またはアルカリ溶液を塗布し、現像液に溶
化し難い難溶化層を形成しておくので、微細なフォトレ
ジストパターンでも容易に精度良くパターニングするこ
とができる。
【図１】本発明による一実施例を示した説明図
【図２】従来例を示した説明図
１ 被エッチング層 ２ フォトレジスト層 ３ 難溶化層
Claims (1)
- 【請求項１】 被エッチング層上にフォトレジスト層を
形成する工程と、 上記フォトレジスト層上に現像液またはアルカリ溶液を
塗布し、上記フォトレジスト層の表面に現像液に対して
溶け難い難溶化層を形成する工程と、 上記難溶化層が形成された上記フォトレジスト層を所定
のフォトマスクを用いて露光する工程と、 上記露光されたフォトレジスト層を現像する工程と、 を有することを特徴とするフォトレジストパターンの形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13718294A JPH088162A (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | フォトレジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13718294A JPH088162A (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | フォトレジストパターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH088162A true JPH088162A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15192730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13718294A Pending JPH088162A (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | フォトレジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088162A (ja) |
-
1994
- 1994-06-20 JP JP13718294A patent/JPH088162A/ja active Pending
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