JPS63310117A - 半導体製造用現像装置 - Google Patents
半導体製造用現像装置Info
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- JPS63310117A JPS63310117A JP14662187A JP14662187A JPS63310117A JP S63310117 A JPS63310117 A JP S63310117A JP 14662187 A JP14662187 A JP 14662187A JP 14662187 A JP14662187 A JP 14662187A JP S63310117 A JPS63310117 A JP S63310117A
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- JP
- Japan
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- wafer
- developing
- developing device
- developing solution
- solution
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- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 13
- 238000003756 stirring Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体製造装置、特に半導体装置の製造工程
の１つである写真食刻工程において使用される現像装置
に関するものである。
の１つである写真食刻工程において使用される現像装置
に関するものである。
一般に写真食刻工程では、ウェハ上に塗布されたレジス
トにマスクを介して紫外線を照射し、しかるのち現像装
置によって現像を行い、回路パターンを形成する。
トにマスクを介して紫外線を照射し、しかるのち現像装
置によって現像を行い、回路パターンを形成する。
従来の現像方式としては、ディップ方式、スプレ一方式
、パドル方式などが知られている。
、パドル方式などが知られている。
第３図はディップ方式を示す概略図であり、ｌはウェハ
、２は現像液、４はウェハカセットを示す、ディップ方
式はこのように多数枚のウェハをカセットごと現像液に
つけるので、何ロットか使用していくうちに現像液が劣
化していくとか、現像むらが出るなどの問題点があった
。
、２は現像液、４はウェハカセットを示す、ディップ方
式はこのように多数枚のウェハをカセットごと現像液に
つけるので、何ロットか使用していくうちに現像液が劣
化していくとか、現像むらが出るなどの問題点があった
。
第４図はスプレ一方式を示す概略図であり、３はスピン
チャック、５はノズルを示す。スピンチャック方式はこ
のようにウェハを回転させながら現像液をスピンチャッ
ク３上にふきつけて現像を行うので、ウェハ内半径方向
で均一な現像速度が得られないという問題点があった。
チャック、５はノズルを示す。スピンチャック方式はこ
のようにウェハを回転させながら現像液をスピンチャッ
ク３上にふきつけて現像を行うので、ウェハ内半径方向
で均一な現像速度が得られないという問題点があった。
第５図はパドル方式を示す概略図である。パドル方式は
このようにウェハ上に表面張力によって現像液を盛り現
像する方式なので、現像液を均等に盛るのが難しいとか
気泡が発生して均等な現像を妨げるなどの問題点があっ
た。
このようにウェハ上に表面張力によって現像液を盛り現
像する方式なので、現像液を均等に盛るのが難しいとか
気泡が発生して均等な現像を妨げるなどの問題点があっ
た。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ウェハ面内で均一な現像を容易に行うことの
できる半導体製造用現像装置を提供することを目的とす
る。
たもので、ウェハ面内で均一な現像を容易に行うことの
できる半導体製造用現像装置を提供することを目的とす
る。
この発明に係る半導体製造用現像装置は、容器に入った
現像液表面にウェハ表面を接触させて現像するか、もし
くは容器に入った現像液にウェハを１枚毎浸漬して現像
するようにしたものである。
現像液表面にウェハ表面を接触させて現像するか、もし
くは容器に入った現像液にウェハを１枚毎浸漬して現像
するようにしたものである。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本出願の第１の発明の工実施例による半導体製
造用現像装置を示し、図において、容器に入った現像液
２面に対して、裏面を真空チャック３により真空吸着さ
れたウェハ１を降下させて、現像液２とウェハ１が接触
した時点で止め、現像を行う。
造用現像装置を示し、図において、容器に入った現像液
２面に対して、裏面を真空チャック３により真空吸着さ
れたウェハ１を降下させて、現像液２とウェハ１が接触
した時点で止め、現像を行う。
第２図は本出願の第２の発明の一実施例による半導体製
造用現像装置を示し、図において、ウェハ１は１枚毎容
器に入った現像液２に浸漬して現像を行う。即ち、枚葉
式ディップ現像である。
造用現像装置を示し、図において、ウェハ１は１枚毎容
器に入った現像液２に浸漬して現像を行う。即ち、枚葉
式ディップ現像である。
このような本発明の方式によって現像を行った結果、現
像むらがなくすぐれた寸法安定性を持つレジストパター
ンが得られた。またこのような本発明では、現像液の温
調、攪拌、交換などがきわめて容易に行え、自動化にも
適しているという利点がある。
像むらがなくすぐれた寸法安定性を持つレジストパター
ンが得られた。またこのような本発明では、現像液の温
調、攪拌、交換などがきわめて容易に行え、自動化にも
適しているという利点がある。
なお、以上はウェハの現像装置について説明をおこなっ
たが、本発明はマスクの現像装置等同様な目的を持つ装
置に対しても同様に適用し得るものである。
たが、本発明はマスクの現像装置等同様な目的を持つ装
置に対しても同様に適用し得るものである。
以上のように、この発明によれば、現像液面にウェハ表
面を接触させて、あるいはウェハを現像液中に浸漬させ
てウェハ毎に現像を行なうようにしたので、従来方式で
みられた問題点をすべて解決し、きわめて優れた現像安
定性、寸法均一性を有する現像装置を容易に得ることが
できる。
面を接触させて、あるいはウェハを現像液中に浸漬させ
てウェハ毎に現像を行なうようにしたので、従来方式で
みられた問題点をすべて解決し、きわめて優れた現像安
定性、寸法均一性を有する現像装置を容易に得ることが
できる。
第１図及び第２図はこの出願の第１．第２の発明の一実
施例を示す概略構成図、第３図は従来のディップ方式の
現像装置を示す概略構成図、第４図は従来のスピンチャ
ック方式の現像装置を示す概略構成図、第５図は従来の
パドル方式の現像装置を示す概略構成図である。 １はウェハ、２は現像液、３は真空チャック。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
施例を示す概略構成図、第３図は従来のディップ方式の
現像装置を示す概略構成図、第４図は従来のスピンチャ
ック方式の現像装置を示す概略構成図、第５図は従来の
パドル方式の現像装置を示す概略構成図である。 １はウェハ、２は現像液、３は真空チャック。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）容器に入った現像液の液面にウェハ表面を接触さ
せてウェハ毎に現像するようにしたことを特徴とする半
導体製造用現像装置。 - （２）容器に入った現像液中にウェハを浸漬しウェハ毎
に現像を行なうようにしたことを特徴とする半導体製造
用現像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14662187A JPS63310117A (ja) | 1987-06-11 | 1987-06-11 | 半導体製造用現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14662187A JPS63310117A (ja) | 1987-06-11 | 1987-06-11 | 半導体製造用現像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63310117A true JPS63310117A (ja) | 1988-12-19 |
Family
ID=15411876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14662187A Pending JPS63310117A (ja) | 1987-06-11 | 1987-06-11 | 半導体製造用現像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63310117A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007214266A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | 液状樹脂被覆装置およびレーザー加工装置 |
| JP2010067795A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理装置 |
-
1987
- 1987-06-11 JP JP14662187A patent/JPS63310117A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007214266A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | 液状樹脂被覆装置およびレーザー加工装置 |
| JP4652986B2 (ja) * | 2006-02-08 | 2011-03-16 | 株式会社ディスコ | 液状樹脂被覆装置およびレーザー加工装置 |
| JP2010067795A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理装置 |
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