JPS59202630A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は半導体装置の製造方法に関し、詳しくは、露光
を完了した感光性樹脂の現像を行う方法に関するもので
ある。
を完了した感光性樹脂の現像を行う方法に関するもので
ある。
（従来技術）
半導体装置の製造工程では、耐食性の樹脂を塗布し、露
光及び現像にょシ該樹脂の・臂ターンを半導体基体上に
形成させ、しかる後、適当なエツチング剤を用いて、該
樹脂が被覆していない箇所を食刻する方法が、繰シ返し
行われる。
光及び現像にょシ該樹脂の・臂ターンを半導体基体上に
形成させ、しかる後、適当なエツチング剤を用いて、該
樹脂が被覆していない箇所を食刻する方法が、繰シ返し
行われる。
このような方法で半導体基体上に形成される能動素子の
ノやターン幅は、゛最近、半導体装置に対する高速化及
び高密度化要求を満足させるため、サブミクロン領域の
ものが必要となっている。半導体基体上にサブ、ミクロ
ンのパターン形成を行わせるには、エツチング方法と相
俟って、耐食刻性の樹脂自身のサブミクロン領域のパタ
ーン形成が可能でなければならない。
ノやターン幅は、゛最近、半導体装置に対する高速化及
び高密度化要求を満足させるため、サブミクロン領域の
ものが必要となっている。半導体基体上にサブ、ミクロ
ンのパターン形成を行わせるには、エツチング方法と相
俟って、耐食刻性の樹脂自身のサブミクロン領域のパタ
ーン形成が可能でなければならない。
耐食刻と感光の性質を有する樹脂としては、露光された
部分が現像液に溶は去るポジ型と、露光されない部分が
現像液に溶は去るネガ型の２種類がある。紫外光を用い
た露光により、サブミクロン領域の・ぐターン形成を実
現するには、通常ボッ型の樹脂が使われる。このポジ型
の樹脂は、アルカリ可溶性のノボラック樹脂を主成分と
し、該樹脂に光分解剤としてベンゾキノンジアジド又は
ナフトキノンジアジドを添加したものが一般的であまた
、露光部のノボラック樹脂を溶解させ、未溶解部を残存
させる現像液としては、通常、苛性ソーダ、燐酸ソーダ
、メタ珪酸ソーダ、燐酸カリウム及び苛性カリウム等の
それぞれ単独の水溶液又はそれぞれを組合わせた組成を
有する水溶液が用いられる。あるいは、アルカリ金属を
含まない現像液として、トリメチルヒドロキシエチルア
ンモニウムハイドロオキサイドを代表とする有機アルカ
リの水溶液も用いられる。
部分が現像液に溶は去るポジ型と、露光されない部分が
現像液に溶は去るネガ型の２種類がある。紫外光を用い
た露光により、サブミクロン領域の・ぐターン形成を実
現するには、通常ボッ型の樹脂が使われる。このポジ型
の樹脂は、アルカリ可溶性のノボラック樹脂を主成分と
し、該樹脂に光分解剤としてベンゾキノンジアジド又は
ナフトキノンジアジドを添加したものが一般的であまた
、露光部のノボラック樹脂を溶解させ、未溶解部を残存
させる現像液としては、通常、苛性ソーダ、燐酸ソーダ
、メタ珪酸ソーダ、燐酸カリウム及び苛性カリウム等の
それぞれ単独の水溶液又はそれぞれを組合わせた組成を
有する水溶液が用いられる。あるいは、アルカリ金属を
含まない現像液として、トリメチルヒドロキシエチルア
ンモニウムハイドロオキサイドを代表とする有機アルカ
リの水溶液も用いられる。
このような現像液および上記樹脂を用いて、半導体基体
上に該樹脂の・母ターンを形成する方法としては、１ず
、半導体基体上に上記樹脂を塗布した後、該樹脂を紫外
光を用いて、光を遮断する・ぐターンを有する適当なマ
スク材を通して露光する。
上に該樹脂の・母ターンを形成する方法としては、１ず
、半導体基体上に上記樹脂を塗布した後、該樹脂を紫外
光を用いて、光を遮断する・ぐターンを有する適当なマ
スク材を通して露光する。
そして、この露光後に上記現保液によって、半導体基体
上に樹脂のパターンを形成させる。
上に樹脂のパターンを形成させる。
さて、半導体基体上に塗布され、露光された樹脂の現像
方法としては、従来２種類の方法が実用化されている。
方法としては、従来２種類の方法が実用化されている。
第１図は第１の方法の断面を示したものでお夕、多数枚
の半導体基体１１を一度に現像液１３へ浸し、半導体基
体１１を保持する治具１２を上下に振動させ均一に現像
する。第２図は第２の方法の断面を示したものであシ、
回転ステージ２２上に半導体基体２１を１枚固定させ、
半導体基体２１上方に設置したノズル２３よシ霧状の現
像液２４を吹き付けることによシ現像を行う。
の半導体基体１１を一度に現像液１３へ浸し、半導体基
体１１を保持する治具１２を上下に振動させ均一に現像
する。第２図は第２の方法の断面を示したものであシ、
回転ステージ２２上に半導体基体２１を１枚固定させ、
半導体基体２１上方に設置したノズル２３よシ霧状の現
像液２４を吹き付けることによシ現像を行う。
このような２つの方法は、当然のことながら、大気圧の
もとて現像を行う。したがって、いずれの方法も、未現
像箇所のない良好な現像パターンを得る為に開発された
方法であるが、樹脂の膜厚と同程度のパターン幅を現像
するととが要求されている現状に於ては、大気圧のもと
ての現像方法である故、気泡が原因となって、未現像部
が必ず発生する欠点があった。
もとて現像を行う。したがって、いずれの方法も、未現
像箇所のない良好な現像パターンを得る為に開発された
方法であるが、樹脂の膜厚と同程度のパターン幅を現像
するととが要求されている現状に於ては、大気圧のもと
ての現像方法である故、気泡が原因となって、未現像部
が必ず発生する欠点があった。
（発明の目的）
本発明は上記の点に鑑みなされたもので、未現像部が発
生していない微細な・母ターンを容易に得ることのでき
る半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
生していない微細な・母ターンを容易に得ることのでき
る半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
（実施例）
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第３図は本発明の第１の実施例を説明するための装置の
図である。この図において、３１は減圧容器であり、そ
の中に現像液３２が適当量入れられる。１だ、減圧容器
３１にはパルプ３３が設けられる。そして、そのバルブ
３３を介してパイプ３４によシ排気ポンプ３５に減圧容
器３１が接続される。
図である。この図において、３１は減圧容器であり、そ
の中に現像液３２が適当量入れられる。１だ、減圧容器
３１にはパルプ３３が設けられる。そして、そのバルブ
３３を介してパイプ３４によシ排気ポンプ３５に減圧容
器３１が接続される。
このような装置を用いて、半導体基体上の露光の終了し
た樹脂を現像する方法（本発明の第１の実施例）を説明
する。半導体基体（第３図に符号３６を付して示す）は
感光性樹脂を均一に塗布した後、該樹脂を、紫外光を遮
断するノぐターンを有する適当なマスク材を通して露光
した上で同図に示す叉持治＄＜３７に装着する。次に、
半導体基体３６が装着された支持治具３７を第３図に示
すように減圧容器３１に入れ、減圧容器３１中にあらか
じめ適当量入れておいた現像液３２に浸漬させる。ここ
で、現像液３２の温度は特に規定しないが電源が望まし
い。しかる後、減圧容器３１のノ９ルプ３３を開くこと
により、減圧容器３１の上部空間を７００ Ｔｏｒｒ以
下に減圧させる。この時、半導体基体３６を装着した支
持治具３７は、静止させたま壕でも良く、あるいは一層
の効果を引き出すために、上下左右に振動させても良い
。この状態で、あらかじめ設定した一定時間の経過後、
上記手順の逆を行い、支持治具３７を取り出し、水洗を
行い、乾燥させることで現像が完了する。
た樹脂を現像する方法（本発明の第１の実施例）を説明
する。半導体基体（第３図に符号３６を付して示す）は
感光性樹脂を均一に塗布した後、該樹脂を、紫外光を遮
断するノぐターンを有する適当なマスク材を通して露光
した上で同図に示す叉持治＄＜３７に装着する。次に、
半導体基体３６が装着された支持治具３７を第３図に示
すように減圧容器３１に入れ、減圧容器３１中にあらか
じめ適当量入れておいた現像液３２に浸漬させる。ここ
で、現像液３２の温度は特に規定しないが電源が望まし
い。しかる後、減圧容器３１のノ９ルプ３３を開くこと
により、減圧容器３１の上部空間を７００ Ｔｏｒｒ以
下に減圧させる。この時、半導体基体３６を装着した支
持治具３７は、静止させたま壕でも良く、あるいは一層
の効果を引き出すために、上下左右に振動させても良い
。この状態で、あらかじめ設定した一定時間の経過後、
上記手順の逆を行い、支持治具３７を取り出し、水洗を
行い、乾燥させることで現像が完了する。
以上説明したように、第１の実施例では、半導体基体３
６上に塗布され露光の終了した樹脂を現像するに際し、
該樹脂が塗布されている半導体基体３６と現像反応中の
現像液３２を７００ Ｔｏｒｒ以下の減圧下の雰囲気に
配置するものであるから、樹脂の膜厚と同程度か又はそ
れ以下のパターン幅を解像させることが要求されている
現状では樹脂自体が含有している気泡や、樹脂の凹部に
取り込まれた気泡が原因となって現像液３２と樹脂との
接触を妨げる場合に、気泡の発生を同時に取り除くこと
ができ、未現像部が発生していない微細ノ４ターンを容
易に得ることができる。
６上に塗布され露光の終了した樹脂を現像するに際し、
該樹脂が塗布されている半導体基体３６と現像反応中の
現像液３２を７００ Ｔｏｒｒ以下の減圧下の雰囲気に
配置するものであるから、樹脂の膜厚と同程度か又はそ
れ以下のパターン幅を解像させることが要求されている
現状では樹脂自体が含有している気泡や、樹脂の凹部に
取り込まれた気泡が原因となって現像液３２と樹脂との
接触を妨げる場合に、気泡の発生を同時に取り除くこと
ができ、未現像部が発生していない微細ノ４ターンを容
易に得ることができる。
第１の実施例は、感光性樹脂を塗布した半導体基体を支
持治具に装着し、該支持治具を減圧下の容器に入れて現
像させる方法を説明したが、感光性樹脂を塗布した半導
体基体を回転ステージ上に１枚載置して、回転させなが
ら、ノズルよりスプレー法にて現像液を吹き付けること
により、前記半導体基体上の樹脂の現像を行う方法にお
いても減圧下の現像を適用できる。第４図はその場合（
この発明の第２の実施例）を示す図で、４１は減圧容器
３１内において設けられた回転ステージ、４２はその回
転ステージ４１上に載置された半導体基体、４３は回転
ステージ４１と同様に減圧容器３１内に設けられたノズ
ル、４４はそのノズル４３からスプレーされる現像液で
おる。その他、第３図と同一符号は第３図と同一部分を
示す。なお、この場合は放圧容器３１内を５００ Ｔｏ
ｒｒ以下の減圧状態とする。そして、この方法において
も第１の実施例と同様の効果を得られることは勿（発明
の効果） 以上詳述したように本発明は、減圧下で感光性樹脂の現
像を行う方法であるので、微細・ぞターンの現像におい
ても、気泡゛が原因となって現像液と樹脂との接触を妨
げ未現像部が発生する現象を防止できる利点がある。
持治具に装着し、該支持治具を減圧下の容器に入れて現
像させる方法を説明したが、感光性樹脂を塗布した半導
体基体を回転ステージ上に１枚載置して、回転させなが
ら、ノズルよりスプレー法にて現像液を吹き付けること
により、前記半導体基体上の樹脂の現像を行う方法にお
いても減圧下の現像を適用できる。第４図はその場合（
この発明の第２の実施例）を示す図で、４１は減圧容器
３１内において設けられた回転ステージ、４２はその回
転ステージ４１上に載置された半導体基体、４３は回転
ステージ４１と同様に減圧容器３１内に設けられたノズ
ル、４４はそのノズル４３からスプレーされる現像液で
おる。その他、第３図と同一符号は第３図と同一部分を
示す。なお、この場合は放圧容器３１内を５００ Ｔｏ
ｒｒ以下の減圧状態とする。そして、この方法において
も第１の実施例と同様の効果を得られることは勿（発明
の効果） 以上詳述したように本発明は、減圧下で感光性樹脂の現
像を行う方法であるので、微細・ぞターンの現像におい
ても、気泡゛が原因となって現像液と樹脂との接触を妨
げ未現像部が発生する現象を防止できる利点がある。
第１図及び第２図は従来の現像方法の断面図、第３図は
本発明の半導体装置の製造方法の第１の実施例を説明す
るための断面図、第４図は本発明の第２の実施例を示す
断面図である。 ３１・・・減圧容器、３２．４４・・・現像液、３３・
・・バルブ、３４・・・ツクイブ、３５・・・排気ポン
プ、３６゜４２・・・半導体基体。 特許出願人 沖電気工業株式会社
本発明の半導体装置の製造方法の第１の実施例を説明す
るための断面図、第４図は本発明の第２の実施例を示す
断面図である。 ３１・・・減圧容器、３２．４４・・・現像液、３３・
・・バルブ、３４・・・ツクイブ、３５・・・排気ポン
プ、３６゜４２・・・半導体基体。 特許出願人 沖電気工業株式会社
Claims (1)
- 半導体基体に感光性樹脂を塗布する工程、光を遮断する
′パターンを有するマスク材を通して該感光性樹脂を露
光する工程、露光した該感光性樹脂を現像液に作用させ
所望のパターンを得る工程を有する半導体装置の製造方
法に於て、感光性樹脂を塗布した半導体基体及び現像液
を減圧下に配置して現像反応を行わせることを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7620283A JPS59202630A (ja) | 1983-05-02 | 1983-05-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7620283A JPS59202630A (ja) | 1983-05-02 | 1983-05-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59202630A true JPS59202630A (ja) | 1984-11-16 |
Family
ID=13598569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7620283A Pending JPS59202630A (ja) | 1983-05-02 | 1983-05-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59202630A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62264054A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-17 | Daikin Ind Ltd | レジスト現像装置 |
| JPH03141687A (ja) * | 1989-10-26 | 1991-06-17 | Matsushita Electric Works Ltd | スルーホール付配線板の製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5227370A (en) * | 1975-08-27 | 1977-03-01 | Hitachi Ltd | Pressure reduction etching system |
| JPS5666031A (en) * | 1979-11-01 | 1981-06-04 | Toshiba Corp | Pattern formation of positive resist |
| JPS5669830A (en) * | 1979-11-13 | 1981-06-11 | Nec Kyushu Ltd | Photo resist processing device for semiconductor device |
| JPS5823440A (ja) * | 1981-08-04 | 1983-02-12 | Nec Kyushu Ltd | 半導体製造装置 |
-
1983
- 1983-05-02 JP JP7620283A patent/JPS59202630A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5227370A (en) * | 1975-08-27 | 1977-03-01 | Hitachi Ltd | Pressure reduction etching system |
| JPS5666031A (en) * | 1979-11-01 | 1981-06-04 | Toshiba Corp | Pattern formation of positive resist |
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| JPS5823440A (ja) * | 1981-08-04 | 1983-02-12 | Nec Kyushu Ltd | 半導体製造装置 |
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| JPS62264054A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-17 | Daikin Ind Ltd | レジスト現像装置 |
| JPH03141687A (ja) * | 1989-10-26 | 1991-06-17 | Matsushita Electric Works Ltd | スルーホール付配線板の製造方法 |
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