JPH03256322A - フォトレジスト膜現像方法 - Google Patents
フォトレジスト膜現像方法Info
- Publication number
- JPH03256322A JPH03256322A JP5548690A JP5548690A JPH03256322A JP H03256322 A JPH03256322 A JP H03256322A JP 5548690 A JP5548690 A JP 5548690A JP 5548690 A JP5548690 A JP 5548690A JP H03256322 A JPH03256322 A JP H03256322A
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- JP
- Japan
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- wafer
- photoresist film
- developer
- development
- chuck
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- Pending
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 21
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路製造方法、特にフォトレジス
ト膜現像方法に関する。
ト膜現像方法に関する。
従来、この種のフォトレジスト膜現像方法は、フォトレ
ジストを塗布し、露光された半導体基板（以下、ウェー
ハとよぶ〉に対して、そのウェーハ表面を鉛直上向きに
し、現像ノズルより現像液をウェーハに滴下または噴出
し、ウェーハ上に現像液を滞留させ現像する方法となっ
ていた。
ジストを塗布し、露光された半導体基板（以下、ウェー
ハとよぶ〉に対して、そのウェーハ表面を鉛直上向きに
し、現像ノズルより現像液をウェーハに滴下または噴出
し、ウェーハ上に現像液を滞留させ現像する方法となっ
ていた。
第３図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は従来のフォトレジスト
膜現像方法の一例を説明するためのフォトレジスト膜現
像装置の模式断面図である。従来のフォトレジスト膜現
像方法は、まず、第３図（ａ）に示すように、まず、フ
ォトレジスト膜５が形成されたウェーハ２をウェーハチ
ャック４に載置する０次に、第３図（ｂ）に示すように
、現像液用ノズルより現像液を滴下し、現像液６をウェ
ーハ２のフォトレジスト膜５上に塗布する。このことに
より、第３図（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜の
露光された部分がエツチング除去され、バターニングが
形成される。
膜現像方法の一例を説明するためのフォトレジスト膜現
像装置の模式断面図である。従来のフォトレジスト膜現
像方法は、まず、第３図（ａ）に示すように、まず、フ
ォトレジスト膜５が形成されたウェーハ２をウェーハチ
ャック４に載置する０次に、第３図（ｂ）に示すように
、現像液用ノズルより現像液を滴下し、現像液６をウェ
ーハ２のフォトレジスト膜５上に塗布する。このことに
より、第３図（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜の
露光された部分がエツチング除去され、バターニングが
形成される。
上述した従来のフォトレジスト膜現像方法は、ウェーハ
上に現像ノズルより現像液を滴下または噴出する方法と
なっているため、ウェーハ面内で現像液がいきわたるま
での時間が異なり、現像時間がウェーハ面内で異なるこ
とになる。また現像液の呼出圧力がウェーハ面内で異な
るため、現像レートがウェーハ面内で異なる。すなわち
、これらの現像時間と現像レートのウェーハ面内差に起
因するパターン寸法のウェーハ面内差が生じるという欠
点がある。特に、微細パターン形成に対しては、パター
ン寸法のウェーハ面内差が生じるというのは致命的な欠
点である。
上に現像ノズルより現像液を滴下または噴出する方法と
なっているため、ウェーハ面内で現像液がいきわたるま
での時間が異なり、現像時間がウェーハ面内で異なるこ
とになる。また現像液の呼出圧力がウェーハ面内で異な
るため、現像レートがウェーハ面内で異なる。すなわち
、これらの現像時間と現像レートのウェーハ面内差に起
因するパターン寸法のウェーハ面内差が生じるという欠
点がある。特に、微細パターン形成に対しては、パター
ン寸法のウェーハ面内差が生じるというのは致命的な欠
点である。
本発明の目的は、かかる欠点を解消するフォトレジスト
膜現像方法を提供することである。
膜現像方法を提供することである。
本発明のフォトレジスト膜現像方法は、半導体基板にフ
ォトレジスト膜を形成する工程と、所定パターンを描い
たマスクに光を透過し、透過した光を前記フォトレジス
ト膜に露光する工程と、前記露光されたレジスト膜を現
像液に浸し、現像する工程とを含んで構成される。
ォトレジスト膜を形成する工程と、所定パターンを描い
たマスクに光を透過し、透過した光を前記フォトレジス
ト膜に露光する工程と、前記露光されたレジスト膜を現
像液に浸し、現像する工程とを含んで構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ＞、（ｂ）、（ｃ）は本発明の一実施例のフ
ォトレジスト膜現像方法を説明するためのフォトレジス
ト膜現像装置の模式断面図である。まず、第１図（ａ）
に示すように、ウェーハ２をウェーハチャック４に取付
ける。次に、ウェーハチャック４をその表面が鉛直下向
きになるようにする。次に、第１図（ｂ）に示すように
、現像液６ａの入った現像処理槽１ａに浸し、所定の時
間保持する。なお、ウェーハ２の表面上のフォトレジス
ト膜５は、所定の設計パターンを描いたマスクまたはレ
チクルを通してあらかじめ露光されている。次に、第１
図（ｃ）に示すように現像が終了し、ウェーハチャック
４に保持されたウェーハ２の表面上にフォトレジスト膜
はエツチング除去され、パターンが形成される。
ォトレジスト膜現像方法を説明するためのフォトレジス
ト膜現像装置の模式断面図である。まず、第１図（ａ）
に示すように、ウェーハ２をウェーハチャック４に取付
ける。次に、ウェーハチャック４をその表面が鉛直下向
きになるようにする。次に、第１図（ｂ）に示すように
、現像液６ａの入った現像処理槽１ａに浸し、所定の時
間保持する。なお、ウェーハ２の表面上のフォトレジス
ト膜５は、所定の設計パターンを描いたマスクまたはレ
チクルを通してあらかじめ露光されている。次に、第１
図（ｃ）に示すように現像が終了し、ウェーハチャック
４に保持されたウェーハ２の表面上にフォトレジスト膜
はエツチング除去され、パターンが形成される。
上記方法により、フォトレジスト膜を現像した場合、ウ
ェーハ面内で現像液がいきわたるまでの時間がほとんど
同一になり、現像時間がウェーハ面内で異なることはな
くなり、また、現像液をウェーハ表面に呼出しないので
、現像液の呼出圧力差による現像レートのウェーハ面内
差はなくなり、また、現像液をウェーハ表面に呼出しな
いので、現像液の呼出圧力差による現像レートのウェー
ハ面内差はなくなり、フォトレジストパターンをウェー
ハ面内全域にわたって、再現性よく形成することができ
る。 第２図（ａ）、（ｂ）。
ェーハ面内で現像液がいきわたるまでの時間がほとんど
同一になり、現像時間がウェーハ面内で異なることはな
くなり、また、現像液をウェーハ表面に呼出しないので
、現像液の呼出圧力差による現像レートのウェーハ面内
差はなくなり、また、現像液をウェーハ表面に呼出しな
いので、現像液の呼出圧力差による現像レートのウェー
ハ面内差はなくなり、フォトレジストパターンをウェー
ハ面内全域にわたって、再現性よく形成することができ
る。 第２図（ａ）、（ｂ）。
（ｃ）は本発明の他の実施例のフォトレジスト膜現像方
法を説明するためのフォトレジスト膜現像装置の模式断
面図である。このフォトレジスト膜現像方法は、第２図
（ｂ）の工程でフォトレジスト膜５が形成されたウェー
ハ２を現像液６ａに浸すときに、スピンモータ８でウェ
ーハ２を回転させることである。それ以外の工程は前述
の実施例と同じである。
法を説明するためのフォトレジスト膜現像装置の模式断
面図である。このフォトレジスト膜現像方法は、第２図
（ｂ）の工程でフォトレジスト膜５が形成されたウェー
ハ２を現像液６ａに浸すときに、スピンモータ８でウェ
ーハ２を回転させることである。それ以外の工程は前述
の実施例と同じである。
この実施例では、ウェーハが現像液中で回転するため、
ウェーハ面内での現像液濃度が一様になり、より均一な
フォトレジストパターンが再現性よく形成出来る利点が
ある。また、ウェーハを回転する以外に、例えば、現像
処理槽に超音波振動を与えても同様の効果が得られる。
ウェーハ面内での現像液濃度が一様になり、より均一な
フォトレジストパターンが再現性よく形成出来る利点が
ある。また、ウェーハを回転する以外に、例えば、現像
処理槽に超音波振動を与えても同様の効果が得られる。
以上説明したように本発明は、ウェーハ表面を鉛直下向
きにし、あらかじめ現像液が貯液された現像処理槽に上
方から浸種して現像するため、ウェーハ面内で現像液が
いきわたるまでの時間がほとんど同一になり、現像時間
がウェーハ面内で異なることはなくなる。また現像液を
ウェーハ表面に呼出しないので、現像液の呼出圧力差に
よる現像レートのウェーハ面内差はなくなり、ウェーハ
面内のフォトレジストパターン寸法均一性を向上するこ
とができるフォトレジスト膜現像方法が得られるという
効果がある。
きにし、あらかじめ現像液が貯液された現像処理槽に上
方から浸種して現像するため、ウェーハ面内で現像液が
いきわたるまでの時間がほとんど同一になり、現像時間
がウェーハ面内で異なることはなくなる。また現像液を
ウェーハ表面に呼出しないので、現像液の呼出圧力差に
よる現像レートのウェーハ面内差はなくなり、ウェーハ
面内のフォトレジストパターン寸法均一性を向上するこ
とができるフォトレジスト膜現像方法が得られるという
効果がある。
発明のフォトレジスト膜現像方法の実施例を説明するた
めのフォトレジスト膜現像装置の模式断面図、第３図（
ａ）、（ｂ）、（Ｃ）は従来のフォトレジスト膜現像方
法の一例を説明するためのフオドレジスト膜現像装置の
模式断面図である。
めのフォトレジスト膜現像装置の模式断面図、第３図（
ａ）、（ｂ）、（Ｃ）は従来のフォトレジスト膜現像方
法の一例を説明するためのフオドレジスト膜現像装置の
模式断面図である。
１，１ａ・・・現像処理槽、２・・・ウェーハ、３・、
・現像液用ノズル、４・・・ウェーハチャック、５・・
・フォトレジスト膜、６，６ａ・・・現像液、７・・・
パターン、８・・・スピンモータ。
・現像液用ノズル、４・・・ウェーハチャック、５・・
・フォトレジスト膜、６，６ａ・・・現像液、７・・・
パターン、８・・・スピンモータ。
Claims (1)
- 半導体基板にフォトレジスト膜を形成する工程と、所
定パターンを描いたマスクに光を透過し、透過した光を
前記フォトレジスト膜に露光する工程と、前記露光され
たレジスト膜を現像液に浸し、現像する工程とを含んで
いることを特徴とするフォトレジスト膜現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5548690A JPH03256322A (ja) | 1990-03-06 | 1990-03-06 | フォトレジスト膜現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5548690A JPH03256322A (ja) | 1990-03-06 | 1990-03-06 | フォトレジスト膜現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03256322A true JPH03256322A (ja) | 1991-11-15 |
Family
ID=12999955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5548690A Pending JPH03256322A (ja) | 1990-03-06 | 1990-03-06 | フォトレジスト膜現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03256322A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100445732B1 (ko) * | 2001-12-22 | 2004-08-25 | 동부전자 주식회사 | 반도체 웨이퍼의 크리티컬 디멘젼 균일도 향상 및이물질을 제거하기 위한 장치 및 방법 |
-
1990
- 1990-03-06 JP JP5548690A patent/JPH03256322A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100445732B1 (ko) * | 2001-12-22 | 2004-08-25 | 동부전자 주식회사 | 반도체 웨이퍼의 크리티컬 디멘젼 균일도 향상 및이물질을 제거하기 위한 장치 및 방법 |
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