JPH0777810A - 感光性ポリマ被膜の現像装置および現像方法 - Google Patents
感光性ポリマ被膜の現像装置および現像方法Info
- Publication number
- JPH0777810A JPH0777810A JP22446193A JP22446193A JPH0777810A JP H0777810 A JPH0777810 A JP H0777810A JP 22446193 A JP22446193 A JP 22446193A JP 22446193 A JP22446193 A JP 22446193A JP H0777810 A JPH0777810 A JP H0777810A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- developing
- polymer
- substrate
- dissolved
- photosensitive polymer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】露光処理の施された感光性ポリマのディップ現
像に用いられる現像装置において、気泡を発生させる手
段を備えていることを特徴とする現像装置と、その現像
装置を用いた現像方法。 【効果】本発明は上述のごとく構成したので、良好かつ
均一なパターンを得るのが困難だった従来のディップ現
像技術においても、高額な設備も必要無く現像液により
溶解されたポリマを完全に基板から除去できるので、現
像むら、溶解ポリマの付着、パターンの詰まりも見られ
ない。
像に用いられる現像装置において、気泡を発生させる手
段を備えていることを特徴とする現像装置と、その現像
装置を用いた現像方法。 【効果】本発明は上述のごとく構成したので、良好かつ
均一なパターンを得るのが困難だった従来のディップ現
像技術においても、高額な設備も必要無く現像液により
溶解されたポリマを完全に基板から除去できるので、現
像むら、溶解ポリマの付着、パターンの詰まりも見られ
ない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、現像時のむらが少なく
溶解ポリマの付着のない高い解像度のパターンを、一度
に多数得ることができる感光性ポリマの現像装置および
現像方法に関するものである。
溶解ポリマの付着のない高い解像度のパターンを、一度
に多数得ることができる感光性ポリマの現像装置および
現像方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】感光性ポリマは、半導体分野において、
層間絶縁膜、バッファーコート、アルファ線遮蔽膜など
の形成やエッチング用のレジストに利用される。感光性
ポリマの大きな特徴の一つは、化学線照射の後、現像す
ることにより、パターン加工ができることである。露光
後の感光性ポリマの現像方法としては、例えばスプレー
現像、パドル現像、ディップ現像などがある。スプレー
現像は、一度に多数の現像が可能であるが、スプレー後
の現像液は回収されないので現像液が大量に必要である
こと、３０μｍをこえるような厚膜に対して現像性が低
下するという欠点を持つ。パドル現像は、３０μｍを越
えるようなより厚膜に対しても、解像度の高い良好なパ
ターンが得られる。しかしながら、スピナーを用いて現
像するため、一度に多数枚の基板の現像は困難である。
そこで、現像液をそれほど大量に必要とせず、一度に多
数枚の基板の現像処理が可能で、しかも厚膜に対しても
現像性の良いディップ現像方法の開発が望まれている。
層間絶縁膜、バッファーコート、アルファ線遮蔽膜など
の形成やエッチング用のレジストに利用される。感光性
ポリマの大きな特徴の一つは、化学線照射の後、現像す
ることにより、パターン加工ができることである。露光
後の感光性ポリマの現像方法としては、例えばスプレー
現像、パドル現像、ディップ現像などがある。スプレー
現像は、一度に多数の現像が可能であるが、スプレー後
の現像液は回収されないので現像液が大量に必要である
こと、３０μｍをこえるような厚膜に対して現像性が低
下するという欠点を持つ。パドル現像は、３０μｍを越
えるようなより厚膜に対しても、解像度の高い良好なパ
ターンが得られる。しかしながら、スピナーを用いて現
像するため、一度に多数枚の基板の現像は困難である。
そこで、現像液をそれほど大量に必要とせず、一度に多
数枚の基板の現像処理が可能で、しかも厚膜に対しても
現像性の良いディップ現像方法の開発が望まれている。
【０００３】このディップ現像とは、感光性ポリマが塗
布され、その後露光された基板を、一枚または多数枚現
像液中に浸漬し、現像する方法である。この現像方法
は、大きく４つの工程に分けられる。すなわち、パター
ン状にポリマが徐々に溶解して行く「ポリマ溶解工
程」、溶解したポリマを基板の外へ追い出す「溶解ポリ
マの除去工程」、現像液を洗い落とす「リンス工程」、
ポリマを乾燥させる「乾燥工程」である。このうち溶解
ポリマの除去工程は、非常に重要であり、これが不十分
であると、たとえポリマがパターン通り溶解したとして
も、出来上がったパターンにおいて、溶解ポリマの付着
やパターンの詰まりが起こり、高い解像度を持つ良好な
パターンは得られない。そのため従来のディップ現像方
法では、基板を揺動したり、超音波振動を現像液に与え
るなどして、溶解ポリマの除去を行っていた。
布され、その後露光された基板を、一枚または多数枚現
像液中に浸漬し、現像する方法である。この現像方法
は、大きく４つの工程に分けられる。すなわち、パター
ン状にポリマが徐々に溶解して行く「ポリマ溶解工
程」、溶解したポリマを基板の外へ追い出す「溶解ポリ
マの除去工程」、現像液を洗い落とす「リンス工程」、
ポリマを乾燥させる「乾燥工程」である。このうち溶解
ポリマの除去工程は、非常に重要であり、これが不十分
であると、たとえポリマがパターン通り溶解したとして
も、出来上がったパターンにおいて、溶解ポリマの付着
やパターンの詰まりが起こり、高い解像度を持つ良好な
パターンは得られない。そのため従来のディップ現像方
法では、基板を揺動したり、超音波振動を現像液に与え
るなどして、溶解ポリマの除去を行っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来の現像方法では、現像液に浸漬しながら基板を揺動
する場合は溶解ポリマが基板に再付着することがあっ
た。超音波振動を現像液に与える場合は現像槽内の位置
による超音波のむらや現像液の温度上昇が発生した。さ
らに３０μｍを越えるような厚膜に対しては、溶解ポリ
マの除去効果が著しく低下し、溶解ポリマの付着やパタ
ーンの詰まりが起こり、高い解像度を持つ良好なパター
ンは得られないという事態に遭遇した。
従来の現像方法では、現像液に浸漬しながら基板を揺動
する場合は溶解ポリマが基板に再付着することがあっ
た。超音波振動を現像液に与える場合は現像槽内の位置
による超音波のむらや現像液の温度上昇が発生した。さ
らに３０μｍを越えるような厚膜に対しては、溶解ポリ
マの除去効果が著しく低下し、溶解ポリマの付着やパタ
ーンの詰まりが起こり、高い解像度を持つ良好なパター
ンは得られないという事態に遭遇した。
【０００５】本発明はかかる従来の諸欠点に鑑み創案さ
れたもので、その目的とするところは、感光性ポリマの
現像において、現像むらが生じにくく現像液により溶解
したポリマを完全に基板から除去できる感光性ポリマの
ディップ現像方法を提供することにある。
れたもので、その目的とするところは、感光性ポリマの
現像において、現像むらが生じにくく現像液により溶解
したポリマを完全に基板から除去できる感光性ポリマの
ディップ現像方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
露光処理の施された感光性ポリマ被膜のディップ現像に
用いられる現像装置において、気泡を発生させる手段を
備えていることを特徴とする現像装置、およびこの現像
装置を用い、気泡を発生させてディップ現像を行なうこ
とを特徴とする感光性ポリマ被膜の現像方法により達成
される。
露光処理の施された感光性ポリマ被膜のディップ現像に
用いられる現像装置において、気泡を発生させる手段を
備えていることを特徴とする現像装置、およびこの現像
装置を用い、気泡を発生させてディップ現像を行なうこ
とを特徴とする感光性ポリマ被膜の現像方法により達成
される。
【０００７】本発明における感光性ポリマ被膜の現像方
法を具体的に説明する。
法を具体的に説明する。
【０００８】本発明における感光性ポリマとしては、公
知のもの、例えば特公昭５９−５２８２２号公報や米国
特許第３９５７５１２号，第４０４０８３１号明細書な
どに記載のものが使用できる。これらの感光性ポリマ被
膜を基板上の少なくとも片面に形成する。感光性ポリマ
被膜の形成は、公知の方法によればよく、たとえばシリ
コンウエハなどの基板上に感光性ポリマのワニスを適当
な膜厚に塗布した後、乾燥（プリベーク）して感光性ポ
リマ被膜を形成し、次いで常法によりマスクを介して所
定の露光処理を施す。
知のもの、例えば特公昭５９−５２８２２号公報や米国
特許第３９５７５１２号，第４０４０８３１号明細書な
どに記載のものが使用できる。これらの感光性ポリマ被
膜を基板上の少なくとも片面に形成する。感光性ポリマ
被膜の形成は、公知の方法によればよく、たとえばシリ
コンウエハなどの基板上に感光性ポリマのワニスを適当
な膜厚に塗布した後、乾燥（プリベーク）して感光性ポ
リマ被膜を形成し、次いで常法によりマスクを介して所
定の露光処理を施す。
【０００９】感光性ポリマの塗布方法としては、スピン
コーティング法、ディップコーティング法などが挙げら
れる。好ましくはスピンコーティング法である。基板に
塗布された感光性ポリマのプリベーク温度としては、６
０〜１２０℃が好ましい。プリベーク時間としては、プ
リベーク温度に依存するが、１〜１２０分が好ましい。
露光処理とは、化学線を感光性ポリマ被膜に照射するこ
とである。化学線としては、紫外線が好ましい。
コーティング法、ディップコーティング法などが挙げら
れる。好ましくはスピンコーティング法である。基板に
塗布された感光性ポリマのプリベーク温度としては、６
０〜１２０℃が好ましい。プリベーク時間としては、プ
リベーク温度に依存するが、１〜１２０分が好ましい。
露光処理とは、化学線を感光性ポリマ被膜に照射するこ
とである。化学線としては、紫外線が好ましい。
【００１０】露光処理を施した後、現像をいわゆるディ
ップ現像で行なう。ディップ現像とは、前述のような少
なくとも片面に露光処理の施された感光性ポリマ被膜を
有する基板を現像液中に浸漬することによって現像を行
う現像方法を言う。
ップ現像で行なう。ディップ現像とは、前述のような少
なくとも片面に露光処理の施された感光性ポリマ被膜を
有する基板を現像液中に浸漬することによって現像を行
う現像方法を言う。
【００１１】本発明において使用される現像装置の一例
を図１に基づいて説明する。図１は、現像槽１内にカセ
ット６を浸漬した状態を表す。カセット６には、基板８
が任意の間隔でセットされており、カセット６を現像槽
１内の現像液７中に浸漬することにより基板８上の未露
光部あるいは露光部の感光性ポリマが溶解し、パターン
が形成される。現像槽１の底部には図２に示されるよう
な気泡発生装置２が静置されており、気泡発生装置２の
ガス導入管３から気体を導入し気泡孔４から気泡５を発
生させることにより、溶解ポリマを基板から除去する作
用を高めることができる。
を図１に基づいて説明する。図１は、現像槽１内にカセ
ット６を浸漬した状態を表す。カセット６には、基板８
が任意の間隔でセットされており、カセット６を現像槽
１内の現像液７中に浸漬することにより基板８上の未露
光部あるいは露光部の感光性ポリマが溶解し、パターン
が形成される。現像槽１の底部には図２に示されるよう
な気泡発生装置２が静置されており、気泡発生装置２の
ガス導入管３から気体を導入し気泡孔４から気泡５を発
生させることにより、溶解ポリマを基板から除去する作
用を高めることができる。
【００１２】ここで、現像槽部分と気泡発生装置とは図
１のように分離、独立していてもよいが、一体となって
いてもよい。また、気泡孔の位置は、図１のように、現
像装置の内側の底面にあってもよいが、側面にあっても
よい。気泡孔の数は、少なくとも１つ以上あればよい
が、多いほど好ましい。
１のように分離、独立していてもよいが、一体となって
いてもよい。また、気泡孔の位置は、図１のように、現
像装置の内側の底面にあってもよいが、側面にあっても
よい。気泡孔の数は、少なくとも１つ以上あればよい
が、多いほど好ましい。
【００１３】現像する際には、基板がセットされたカセ
ットを静置していてもよいが、溶解ポリマの除去作用を
高めるためには、0.5cm ／秒以上の速さで上下に揺動す
ることが好ましい。
ットを静置していてもよいが、溶解ポリマの除去作用を
高めるためには、0.5cm ／秒以上の速さで上下に揺動す
ることが好ましい。
【００１４】気泡を発生させる時期としては、感光性ポ
リマが溶解してから後が好ましい。気泡発生装置に導入
する気体としては特に限定されないが、望ましいのは空
気であり、さらに望ましいのは窒素ガスである。気体の
流量としては、１０〜１００００ml／min が好ましい。
リマが溶解してから後が好ましい。気泡発生装置に導入
する気体としては特に限定されないが、望ましいのは空
気であり、さらに望ましいのは窒素ガスである。気体の
流量としては、１０〜１００００ml／min が好ましい。
【００１５】現像液としては、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドン系、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド系、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド系、γ−ブチロラクトン系、キシレ
ン系などが挙げられるが、これらに限定されない。
ドン系、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド系、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド系、γ−ブチロラクトン系、キシレ
ン系などが挙げられるが、これらに限定されない。
【００１６】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれらに限定されない。
るが、本発明はこれらに限定されない。
【００１７】実施例１ ４インチシリコンウエハ上に、感光性ポリマのワニス
（東レ（株）“フォトニース”ＵＲ−３１８０）をプリ
ベーク後の膜厚が１０μｍとなるように塗布し、ついで
通風オーブンを用いて、９５℃で３０分プリベークする
ことにより、感光性ポリマ被膜を得た。ついで、露光機
（キャノン（株）ＰＬＡ５０１Ｆ）に、パターンの切ら
れたマスクをセットし、ｉ線をカットして露光量４００
mJ／cm2 （４０５ｎｍの強度）で露光を行った。同様の
方法により合計６枚の試料を作製し、テフロン製ウェハ
カセットに該６枚のシリコンウエハをセットした。つい
で、図１に示される現像装置の現像槽に３Ｌの専用現像
液（東レ（株）ＤＶ−６０５）を入れた後、現像液中に
カセットを浸漬させ、カセットを静止したまま現像を行
った。ポリマが溶解しパターンが形成された後（およそ
４分後）、２分間１０００ml／min の流量で窒素を流
し、気泡を発生させ溶解ポリマの基板からの除去を行っ
た。その後カセットを現像槽より引上げ、現像槽をイソ
プロピルアルコールの供給されたリンス槽に代えた後、
カセットをリンス槽に浸漬し、カセットを揺動させリン
スを行った。次いでカセットをリンス槽より引上げ、カ
セット上のシリコンウエハをスピンドライすることによ
り乾燥した。この様にして現像されたパターンを光学顕
微鏡により観察した。得られたパターンには、溶解ポリ
マの付着が全く見られず、良好なパターンが得られた。
（東レ（株）“フォトニース”ＵＲ−３１８０）をプリ
ベーク後の膜厚が１０μｍとなるように塗布し、ついで
通風オーブンを用いて、９５℃で３０分プリベークする
ことにより、感光性ポリマ被膜を得た。ついで、露光機
（キャノン（株）ＰＬＡ５０１Ｆ）に、パターンの切ら
れたマスクをセットし、ｉ線をカットして露光量４００
mJ／cm2 （４０５ｎｍの強度）で露光を行った。同様の
方法により合計６枚の試料を作製し、テフロン製ウェハ
カセットに該６枚のシリコンウエハをセットした。つい
で、図１に示される現像装置の現像槽に３Ｌの専用現像
液（東レ（株）ＤＶ−６０５）を入れた後、現像液中に
カセットを浸漬させ、カセットを静止したまま現像を行
った。ポリマが溶解しパターンが形成された後（およそ
４分後）、２分間１０００ml／min の流量で窒素を流
し、気泡を発生させ溶解ポリマの基板からの除去を行っ
た。その後カセットを現像槽より引上げ、現像槽をイソ
プロピルアルコールの供給されたリンス槽に代えた後、
カセットをリンス槽に浸漬し、カセットを揺動させリン
スを行った。次いでカセットをリンス槽より引上げ、カ
セット上のシリコンウエハをスピンドライすることによ
り乾燥した。この様にして現像されたパターンを光学顕
微鏡により観察した。得られたパターンには、溶解ポリ
マの付着が全く見られず、良好なパターンが得られた。
【００１８】比較例１ 実施例１と全く同様な方法により、感光性ポリマ被膜を
４インチウエハ上に形成し、全く同様な方法により露光
を行った。この方法により合計６枚の試料を作製した。
ついでテフロン製のカセットに該６枚のウエハをセット
し、超音波現像槽に３Ｌの専用現像液（東レ（株）ＤＶ
−６０５）を入れた後、現像液中にカセットを浸漬さ
せ、現像を行った。ポリマが溶解しパターンが形成され
た後（およそ４分後）、超音波を２分間印加し、溶解ポ
リマの基板からの除去を試みた。その後カセットをイソ
プロピルアルコールの供給されたリンス槽に移し、カセ
ットを揺することによりリンスを行った。次いでスピン
ドライすることにより乾燥を行った。この様にして現像
されたパターンを光学顕微鏡により観察した。得られた
パターンには、現像むらや溶解ポリマの付着およびパタ
ーンの詰まりが見られ、良好なパターンは得られなかっ
た。
４インチウエハ上に形成し、全く同様な方法により露光
を行った。この方法により合計６枚の試料を作製した。
ついでテフロン製のカセットに該６枚のウエハをセット
し、超音波現像槽に３Ｌの専用現像液（東レ（株）ＤＶ
−６０５）を入れた後、現像液中にカセットを浸漬さ
せ、現像を行った。ポリマが溶解しパターンが形成され
た後（およそ４分後）、超音波を２分間印加し、溶解ポ
リマの基板からの除去を試みた。その後カセットをイソ
プロピルアルコールの供給されたリンス槽に移し、カセ
ットを揺することによりリンスを行った。次いでスピン
ドライすることにより乾燥を行った。この様にして現像
されたパターンを光学顕微鏡により観察した。得られた
パターンには、現像むらや溶解ポリマの付着およびパタ
ーンの詰まりが見られ、良好なパターンは得られなかっ
た。
【００１９】比較例２ 比較例１で溶解ポリマを除去する際、超音波を印加する
代わりに１秒間に１５ｃｍの距離を１往復する割合で上
下に１分間揺動したこと以外は、全く同様な方法で現像
した後、パターンを光学顕微鏡により観察した。得られ
たパターンには、現像むらや溶解ポリマの付着およびパ
ターンの詰まりが見られ、良好なパターンは得られなか
った。
代わりに１秒間に１５ｃｍの距離を１往復する割合で上
下に１分間揺動したこと以外は、全く同様な方法で現像
した後、パターンを光学顕微鏡により観察した。得られ
たパターンには、現像むらや溶解ポリマの付着およびパ
ターンの詰まりが見られ、良好なパターンは得られなか
った。
【００２０】
【発明の効果】本発明は上述のごとく構成したので、良
好かつ均一なパターンを得るのが困難だった従来のディ
ップ現像技術においても、高額な設備も必要無く現像液
により溶解されたポリマを完全に基板から除去できるの
で、現像むら、溶解ポリマの付着、パターンの詰まりも
見られない。
好かつ均一なパターンを得るのが困難だった従来のディ
ップ現像技術においても、高額な設備も必要無く現像液
により溶解されたポリマを完全に基板から除去できるの
で、現像むら、溶解ポリマの付着、パターンの詰まりも
見られない。
【図１】本発明の現像装置の一例を表す断面図である。
【図２】本発明の現像装置の気泡発生装置の一例を示す
上面図である。
上面図である。
１：現像槽 ２：気泡発生装置 ３：ガス導入管 ４：気泡孔 ５：気泡 ６：カセット ７：現像液 ８：基板
Claims (4)
- 【請求項１】露光処理の施された感光性ポリマ被膜のデ
ィップ現像に用いられる現像装置において、気泡を発生
させる手段を備えていることを特徴とする現像装置。 - 【請求項２】現像装置の内側の底面および側面の少なく
とも１面に、気泡を発生させる手段を備えていることを
特徴とする請求項１記載の現像装置。 - 【請求項３】少なくとも１つ以上の気泡を発生させる気
泡孔を有することを特徴とする請求項１記載の現像装
置。 - 【請求項４】露光処理の施された感光性ポリマ被膜の現
像方法において、請求項１〜３のいずれかに記載の現像
装置を用い、気泡を発生させてディップ現像を行なうこ
とを特徴とする感光性ポリマ被膜の現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22446193A JPH0777810A (ja) | 1993-09-09 | 1993-09-09 | 感光性ポリマ被膜の現像装置および現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22446193A JPH0777810A (ja) | 1993-09-09 | 1993-09-09 | 感光性ポリマ被膜の現像装置および現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0777810A true JPH0777810A (ja) | 1995-03-20 |
Family
ID=16814151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22446193A Pending JPH0777810A (ja) | 1993-09-09 | 1993-09-09 | 感光性ポリマ被膜の現像装置および現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0777810A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100625213B1 (ko) * | 2004-05-21 | 2006-09-20 | (주)마이크로이미지 | 기판처리 장치 |
| WO2023109470A1 (zh) * | 2021-12-16 | 2023-06-22 | 清华大学 | 一种光刻胶掩模的显影方法、装置、系统及储存介质 |
-
1993
- 1993-09-09 JP JP22446193A patent/JPH0777810A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100625213B1 (ko) * | 2004-05-21 | 2006-09-20 | (주)마이크로이미지 | 기판처리 장치 |
| WO2023109470A1 (zh) * | 2021-12-16 | 2023-06-22 | 清华大学 | 一种光刻胶掩模的显影方法、装置、系统及储存介质 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4571067B2 (ja) | メガソニック超音波リンスを使用するイマージョン式フォトリソグラフィ | |
| JPH0356468B2 (ja) | ||
| JP2007142217A (ja) | イマージョン式リソグラフィ露光装置およびその方法 | |
| JPH0128368B2 (ja) | ||
| JP2994501B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH0777810A (ja) | 感光性ポリマ被膜の現像装置および現像方法 | |
| US20050008980A1 (en) | Developing photoresist with supercritical fluid and developer | |
| JPS5898733A (ja) | 現像装置 | |
| KR100790253B1 (ko) | 감광막 현상 장치 및 방법 | |
| JPH07142344A (ja) | フォトレジストの現像方法 | |
| JP3482308B2 (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| JPH0790628A (ja) | 薄膜のエッチング装置およびエッチング方法 | |
| JPH0764296A (ja) | 感光性ポリマの現像方法 | |
| US3951659A (en) | Method for resist coating of a glass substrate | |
| JPH07321027A (ja) | レジスト層の除去方法及びそれを用いた除去装置 | |
| EP4095605B1 (en) | Photoresist removal method and photoresist removal system | |
| JPH06105684B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH05182904A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH05181286A (ja) | レジストパタ−ンの形状改善方法 | |
| KR19990004871A (ko) | 반도체 장치 사진 식각공정 방법 | |
| JPH0943855A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| KR20060057107A (ko) | 반도체 스피너 장비 | |
| JPH0784373A (ja) | 絶縁膜のパターン形成方法 | |
| JPS58145126A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04283751A (ja) | 感光性ポリイミド前駆体の現像方法 |