JPH1092713A - 塗布方法および装置 - Google Patents
塗布方法および装置Info
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- JPH1092713A JPH1092713A JP23961796A JP23961796A JPH1092713A JP H1092713 A JPH1092713 A JP H1092713A JP 23961796 A JP23961796 A JP 23961796A JP 23961796 A JP23961796 A JP 23961796A JP H1092713 A JPH1092713 A JP H1092713A
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- rotating
- coating
- coating liquid
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- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェハの主面に対して、塗布液を均一
性を有する膜厚となるように塗布する。 【解決手段】 主面１ａを下方に向けて半導体ウェハ１
を保持するチャック３と、このチャック３を介して半導
体ウェハ１をその中心軸まわりに回転させるモータ４
と、半導体ウェハ１と相対的に接近可能に設けられ、回
転する半導体ウェハ１の主面１ａの中央に反射防止膜形
成液２を供給するノズル５とを有する塗布装置とする。
そして、主面１ａを下に向けて半導体ウェハ１を回転さ
せながら反射防止膜形成液２を主面１ａの全域に塗布し
て行く。
性を有する膜厚となるように塗布する。 【解決手段】 主面１ａを下方に向けて半導体ウェハ１
を保持するチャック３と、このチャック３を介して半導
体ウェハ１をその中心軸まわりに回転させるモータ４
と、半導体ウェハ１と相対的に接近可能に設けられ、回
転する半導体ウェハ１の主面１ａの中央に反射防止膜形
成液２を供給するノズル５とを有する塗布装置とする。
そして、主面１ａを下に向けて半導体ウェハ１を回転さ
せながら反射防止膜形成液２を主面１ａの全域に塗布し
て行く。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハに所
定の塗布液を塗布する塗布技術に関し、特に、塗布液を
半導体ウェハの主面に均一な厚さで塗布する技術に関す
る。
定の塗布液を塗布する塗布技術に関し、特に、塗布液を
半導体ウェハの主面に均一な厚さで塗布する技術に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高性能化に伴
い、ハーフミクロン量産技術の確立やサブハーフミクロ
ン領域のプロセス技術の構築と、その設計ルールは微細
化の一途を辿っている。そして、リソグラフィ技術にお
いては、形成されるデバイスに対して、前述のような設
計ルールに沿った高い寸法精度が要求されている。
い、ハーフミクロン量産技術の確立やサブハーフミクロ
ン領域のプロセス技術の構築と、その設計ルールは微細
化の一途を辿っている。そして、リソグラフィ技術にお
いては、形成されるデバイスに対して、前述のような設
計ルールに沿った高い寸法精度が要求されている。
【０００３】リソグラフィ工程において寸法精度を上げ
るには、半導体ウェハの主面に塗布された反射防止膜形
成液やレジスト等の塗布液の膜厚均一性が重要である。
これは、膜厚の厚くなった箇所がエッチング不足となっ
て膜残りが生じ、その後のパターン形成にこの残留部分
が作用して寸法精度を悪化させることになるからであ
る。
るには、半導体ウェハの主面に塗布された反射防止膜形
成液やレジスト等の塗布液の膜厚均一性が重要である。
これは、膜厚の厚くなった箇所がエッチング不足となっ
て膜残りが生じ、その後のパターン形成にこの残留部分
が作用して寸法精度を悪化させることになるからであ
る。
【０００４】なお、リソグラフィプロセスにおけるレジ
スト塗布技術を詳しく記載している例としては、たとえ
ば、大日本図書株式会社発行、「シリコンＬＳＩと化
学」（1993年10月10日発行）、P189〜P191がある。
スト塗布技術を詳しく記載している例としては、たとえ
ば、大日本図書株式会社発行、「シリコンＬＳＩと化
学」（1993年10月10日発行）、P189〜P191がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
ウェハ上に塗布液を塗布した場合、既に形成された下地
段差の谷間部分に塗布液が溜まって局所的に膜厚が非常
に厚くなり、膜厚均一性が損なわれてしまう。つまり、
図６に示すように、半導体ウェハ１の主面１ａに形成さ
れたＡＲＣ（反射防止膜）７において、下地段差８の先
端部の膜厚Ｔ1 と谷間部分の膜厚Ｔ2 との関係が、Ｔ1
≪Ｔ2 となってしまう。反射防止膜形成液の場合には、
粘度が極めて低いために特に膜厚差が大きくなる。ま
た、たとえばｉ線などの光露光によって現像液に可溶性
となるポジ型レジストの場合も、谷間部分に流れ込んだ
レジストが除去されにくくなる。
ウェハ上に塗布液を塗布した場合、既に形成された下地
段差の谷間部分に塗布液が溜まって局所的に膜厚が非常
に厚くなり、膜厚均一性が損なわれてしまう。つまり、
図６に示すように、半導体ウェハ１の主面１ａに形成さ
れたＡＲＣ（反射防止膜）７において、下地段差８の先
端部の膜厚Ｔ1 と谷間部分の膜厚Ｔ2 との関係が、Ｔ1
≪Ｔ2 となってしまう。反射防止膜形成液の場合には、
粘度が極めて低いために特に膜厚差が大きくなる。ま
た、たとえばｉ線などの光露光によって現像液に可溶性
となるポジ型レジストの場合も、谷間部分に流れ込んだ
レジストが除去されにくくなる。
【０００６】これではエッチング工程において膜残りが
生じやすくなり、寸法精度が悪化してしまう。
生じやすくなり、寸法精度が悪化してしまう。
【０００７】そこで、本発明の目的は、半導体ウェハの
主面に対して、塗布液を均一性を有する膜厚となるよう
に塗布できる技術を提供することにある。
主面に対して、塗布液を均一性を有する膜厚となるよう
に塗布できる技術を提供することにある。
【０００８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
【００１０】すなわち、本発明による塗布方法は、主面
を下方に向けて半導体ウェハをその中心軸まわりに回転
させる第１の工程と、回転する半導体ウェハの主面の中
央に塗布液が吸い上げられる程度まで半導体ウェハと塗
布液とを相対接近させる第２の工程と、半導体ウェハを
回転させながら主面の中央から塗布液を供給し、これを
主面の全域に塗布して行く第３の工程とを有することを
特徴とする。この場合、第３の工程の後に、半導体ウェ
ハに対して、その中央から周辺へと広がる振動を加える
ようにしてもよい。
を下方に向けて半導体ウェハをその中心軸まわりに回転
させる第１の工程と、回転する半導体ウェハの主面の中
央に塗布液が吸い上げられる程度まで半導体ウェハと塗
布液とを相対接近させる第２の工程と、半導体ウェハを
回転させながら主面の中央から塗布液を供給し、これを
主面の全域に塗布して行く第３の工程とを有することを
特徴とする。この場合、第３の工程の後に、半導体ウェ
ハに対して、その中央から周辺へと広がる振動を加える
ようにしてもよい。
【００１１】また、本発明による塗布方法は、主面を上
方に向けて半導体ウェハをその中心軸まわりに回転させ
る第１の工程と、回転する半導体ウェハの主面の中央に
塗布液を滴下してこれを主面の全域に塗布して行く第２
の工程と、塗布液を塗布した後に半導体ウェハを反転さ
せて主面を下方に向ける第３の工程と、主面が下方に向
けられた半導体ウェハを大気圧下若しくは減圧下で放
置、回転あるいは加振する第４の工程とを有することを
特徴とする。
方に向けて半導体ウェハをその中心軸まわりに回転させ
る第１の工程と、回転する半導体ウェハの主面の中央に
塗布液を滴下してこれを主面の全域に塗布して行く第２
の工程と、塗布液を塗布した後に半導体ウェハを反転さ
せて主面を下方に向ける第３の工程と、主面が下方に向
けられた半導体ウェハを大気圧下若しくは減圧下で放
置、回転あるいは加振する第４の工程とを有することを
特徴とする。
【００１２】そして、本発明による塗布装置は、主面を
下方に向けて半導体ウェハを保持する保持手段と、この
保持手段を介して半導体ウェハをその中心軸まわりに回
転させる回転手段と、半導体ウェハと相対的に接近可能
に設けられ、回転する半導体ウェハの主面の中央に塗布
液を供給する液供給手段とを有しており、主面を下に向
けて半導体ウェハを回転させながら塗布液を主面の全域
に塗布して行くことを特徴とする。この場合において、
塗布液には、半導体製造のホトリソグラフィ工程で用い
られるレジストまたは反射防止膜形成液を適用すること
ができる。
下方に向けて半導体ウェハを保持する保持手段と、この
保持手段を介して半導体ウェハをその中心軸まわりに回
転させる回転手段と、半導体ウェハと相対的に接近可能
に設けられ、回転する半導体ウェハの主面の中央に塗布
液を供給する液供給手段とを有しており、主面を下に向
けて半導体ウェハを回転させながら塗布液を主面の全域
に塗布して行くことを特徴とする。この場合において、
塗布液には、半導体製造のホトリソグラフィ工程で用い
られるレジストまたは反射防止膜形成液を適用すること
ができる。
【００１３】上記した手段によれば、半導体ウェハの主
面に対し、均一性を有する膜厚となるように塗布液を塗
布することができる。そして、このようにコンフォーマ
ルな膜が形成されることにより、高精度なエッチング加
工を行うことが可能となる。
面に対し、均一性を有する膜厚となるように塗布液を塗
布することができる。そして、このようにコンフォーマ
ルな膜が形成されることにより、高精度なエッチング加
工を行うことが可能となる。
【００１４】これにより、レジストパターンが面内均一
に形成されて極めて高い寸法精度を得ることができ、微
細設計ルール下におけるデバイスを安定的に形成するこ
とができる。
に形成されて極めて高い寸法精度を得ることができ、微
細設計ルール下におけるデバイスを安定的に形成するこ
とができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において同一の部材には同一の符号を付
し、その繰り返しの説明は省略する。
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において同一の部材には同一の符号を付
し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１６】図１は本発明の一実施の形態である塗布装
置を示す概略図、図２は図１の塗布装置による塗布液の
塗布手順を連続的に示す説明図、図３は図１の塗布装置
により塗布液の塗布された半導体ウェハの一部を示す断
面図である。
置を示す概略図、図２は図１の塗布装置による塗布液の
塗布手順を連続的に示す説明図、図３は図１の塗布装置
により塗布液の塗布された半導体ウェハの一部を示す断
面図である。
【００１７】図１に示す塗布装置は、リソグラフィ工程
において下地段差の形成された半導体ウェハ１の回路形
成面つまり主面１ａに、たとえばＵＶ光を吸収あるいは
減衰させて露光時の定在波やハレーションを減少させる
ＡＲＣ（反射防止膜： Anti-Reflective Coating）を形
成する反射防止膜形成液（塗布液）２を塗布するもの
で、半導体ウェハ１を裏面１ｂより吸着保持するチャッ
ク（保持手段）３を有している。なお、ＡＲＣはレジス
トの下部に位置するＢＡＲＣ（下置き塗布型反射防止
膜：Bottom-ARC）、あるいはレジストの上部に位置する
ＴＡＲＣ（上置き塗布型反射防止膜：Top-ARC)のいずれ
であってもよい。さらに、塗布する液はこのような反射
防止膜形成液２ではなく、光や電子線などの光量子線に
対して感光性を持つレジストでもよい。
において下地段差の形成された半導体ウェハ１の回路形
成面つまり主面１ａに、たとえばＵＶ光を吸収あるいは
減衰させて露光時の定在波やハレーションを減少させる
ＡＲＣ（反射防止膜： Anti-Reflective Coating）を形
成する反射防止膜形成液（塗布液）２を塗布するもの
で、半導体ウェハ１を裏面１ｂより吸着保持するチャッ
ク（保持手段）３を有している。なお、ＡＲＣはレジス
トの下部に位置するＢＡＲＣ（下置き塗布型反射防止
膜：Bottom-ARC）、あるいはレジストの上部に位置する
ＴＡＲＣ（上置き塗布型反射防止膜：Top-ARC)のいずれ
であってもよい。さらに、塗布する液はこのような反射
防止膜形成液２ではなく、光や電子線などの光量子線に
対して感光性を持つレジストでもよい。
【００１８】図示するように、チャック３は塗布時に半
導体ウェハ１の主面１ａが下方を向くように、上方から
半導体ウェハ１を保持するダウンフェース機構となって
いる。但し、塗布時以外には主面１ａを上向きにして半
導体ウェハ１を保持するようになっていてもよい。
導体ウェハ１の主面１ａが下方を向くように、上方から
半導体ウェハ１を保持するダウンフェース機構となって
いる。但し、塗布時以外には主面１ａを上向きにして半
導体ウェハ１を保持するようになっていてもよい。
【００１９】半導体ウェハ１の裏面１ｂの中心を保持す
るチャック３には、これを回転させるモータ（回転手
段）４が取り付けられている。したがって、チャック３
に保持された半導体ウェハ１はチャック３を介して所定
の速度でその中心軸まわりに回転される。
るチャック３には、これを回転させるモータ（回転手
段）４が取り付けられている。したがって、チャック３
に保持された半導体ウェハ１はチャック３を介して所定
の速度でその中心軸まわりに回転される。
【００２０】半導体ウェハ１の下側には、モータ４に回
転される半導体ウェハ１の主面１ａの中央に反射防止膜
形成液２を供給するノズル（液供給手段）５が昇降可能
に設けられている。これにより、ノズル５が上昇する
と、反射防止膜形成液２は半導体ウェハ１に吸い上げら
れて回転による遠心力で周辺へと広がって行き、主面１
ａの全域に行き渡るようになる。
転される半導体ウェハ１の主面１ａの中央に反射防止膜
形成液２を供給するノズル（液供給手段）５が昇降可能
に設けられている。これにより、ノズル５が上昇する
と、反射防止膜形成液２は半導体ウェハ１に吸い上げら
れて回転による遠心力で周辺へと広がって行き、主面１
ａの全域に行き渡るようになる。
【００２１】半導体ウェハ１を包囲するようにしてカッ
プ６が設置されている。このカップ６には半導体ウェハ
１の外周に向かって開口する排気口６ａが形成されてお
り、半導体ウェハ１の周辺まで拡散されて遠心力で飛び
散る反射防止膜形成液２が回収されるようになってい
る。
プ６が設置されている。このカップ６には半導体ウェハ
１の外周に向かって開口する排気口６ａが形成されてお
り、半導体ウェハ１の周辺まで拡散されて遠心力で飛び
散る反射防止膜形成液２が回収されるようになってい
る。
【００２２】このような構造を有する塗布装置により、
反射防止膜形成液２は次のようにして半導体ウェハ１に
塗布される。
反射防止膜形成液２は次のようにして半導体ウェハ１に
塗布される。
【００２３】先ず、図２（ａ）に示すように、主面１ａ
を下方に向けて半導体ウェハ１を中心軸まわりに回転さ
せる。このとき、反射防止膜形成液２はノズル５の先端
まで到達するようにしておく。
を下方に向けて半導体ウェハ１を中心軸まわりに回転さ
せる。このとき、反射防止膜形成液２はノズル５の先端
まで到達するようにしておく。
【００２４】次に、ノズル５を少しずつ上昇移動させて
これを回転する半導体ウェハ１に接近させて行く。する
と、ある程度接近した段階で、図２（ｂ）に示すよう
に、反射防止膜形成液２の有する非ニュートン液体（ニ
ュートンの粘性法則に従わない液体）の性質により、こ
の反射防止膜形成液２は半導体ウェハ１の主面１ａへと
吸い上げられる。
これを回転する半導体ウェハ１に接近させて行く。する
と、ある程度接近した段階で、図２（ｂ）に示すよう
に、反射防止膜形成液２の有する非ニュートン液体（ニ
ュートンの粘性法則に従わない液体）の性質により、こ
の反射防止膜形成液２は半導体ウェハ１の主面１ａへと
吸い上げられる。
【００２５】反射防止膜形成液２が吸い上げられるよう
になったならば、半導体ウェハ１を回転させたままでノ
ズル５の上昇を停止させる。これにより、図２（ｃ）に
示すように、反射防止膜形成液２は半導体ウェハ１の中
央から周辺へと広がって全域に塗布される。なお、塗布
後には、中央から周辺へと広がる振動（たとえば超音波
振動）を半導体ウェハ１に加えるようにしてもよい。
になったならば、半導体ウェハ１を回転させたままでノ
ズル５の上昇を停止させる。これにより、図２（ｃ）に
示すように、反射防止膜形成液２は半導体ウェハ１の中
央から周辺へと広がって全域に塗布される。なお、塗布
後には、中央から周辺へと広がる振動（たとえば超音波
振動）を半導体ウェハ１に加えるようにしてもよい。
【００２６】このようにして半導体ウェハ１に形成され
たＡＲＣ７を図３に示す。この図からも明らかなよう
に、下地段差８の先端部の膜厚Ｔ1 と谷間部分の膜厚Ｔ
2 との関係は、Ｔ1 ≦Ｔ2 となる。したがって、下地段
差８を有する半導体ウェハ１の主面１ａに形成されたＡ
ＲＣ７は膜厚差が緩和された均一性を有するコンフォー
マルな膜になる。
たＡＲＣ７を図３に示す。この図からも明らかなよう
に、下地段差８の先端部の膜厚Ｔ1 と谷間部分の膜厚Ｔ
2 との関係は、Ｔ1 ≦Ｔ2 となる。したがって、下地段
差８を有する半導体ウェハ１の主面１ａに形成されたＡ
ＲＣ７は膜厚差が緩和された均一性を有するコンフォー
マルな膜になる。
【００２７】これにより、ＡＲＣ７に対して膜残りのな
い高精度なエッチング加工を行うことが可能となってホ
トレジストパターンが面内均一に形成され、極めて良好
な寸法精度を得ることができる。
い高精度なエッチング加工を行うことが可能となってホ
トレジストパターンが面内均一に形成され、極めて良好
な寸法精度を得ることができる。
【００２８】なお、塗布後に振動を加えた場合には、塗
布された反射防止膜形成液２がさらに流動されて一層コ
ンフォーマルな膜になる。
布された反射防止膜形成液２がさらに流動されて一層コ
ンフォーマルな膜になる。
【００２９】以上、本発明者によってなされた発明をそ
の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前
記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもな
い。
の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前
記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもな
い。
【００３０】たとえば、本実施の形態において、反射防
止膜形成液２はノズル５によって半導体ウェハ１の主面
１ａに供給されるが、図４に示すように、液槽９に貯留
しておいて供給するようにしてもよい。
止膜形成液２はノズル５によって半導体ウェハ１の主面
１ａに供給されるが、図４に示すように、液槽９に貯留
しておいて供給するようにしてもよい。
【００３１】また、本実施の形態では、ノズル５が半導
体ウェハ１に向かって上昇移動するようになっている
が、図５に示すように、半導体ウェハ１がノズル５に向
かって下降移動するようにしてもよい。つまり、ノズル
５と半導体ウェハ１とは相対的に接近可能に設けられて
いればよい。
体ウェハ１に向かって上昇移動するようになっている
が、図５に示すように、半導体ウェハ１がノズル５に向
かって下降移動するようにしてもよい。つまり、ノズル
５と半導体ウェハ１とは相対的に接近可能に設けられて
いればよい。
【００３２】なお、本実施の形態では、半導体ウェハ１
の主面１ａを下方に向けて塗布液を塗布することとして
いるが、主面１ａを上方に向けて半導体ウェハ１を中心
軸まわりに回転させながら塗布液を滴下して中央から全
域にわたって塗布し、その後に半導体ウェハ１を反転さ
せて主面１ａを下方に向けるようにしてもよい。この場
合には、主面１ａを下方に向けた状態で半導体ウェハ１
を大気圧下若しくは減圧下で放置するか、回転させる
か、あるいは加振して塗布液を流動させて膜厚を均一化
させる。
の主面１ａを下方に向けて塗布液を塗布することとして
いるが、主面１ａを上方に向けて半導体ウェハ１を中心
軸まわりに回転させながら塗布液を滴下して中央から全
域にわたって塗布し、その後に半導体ウェハ１を反転さ
せて主面１ａを下方に向けるようにしてもよい。この場
合には、主面１ａを下方に向けた状態で半導体ウェハ１
を大気圧下若しくは減圧下で放置するか、回転させる
か、あるいは加振して塗布液を流動させて膜厚を均一化
させる。
【００３３】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
【００３４】(1).すなわち、本発明の塗布技術によれ
ば、半導体ウェハの主面に対し、均一性を有する膜厚と
なるように塗布液を塗布することができる。そして、こ
のようにコンフォーマルな膜が形成されることにより、
高精度なエッチング加工を行うことが可能となる。
ば、半導体ウェハの主面に対し、均一性を有する膜厚と
なるように塗布液を塗布することができる。そして、こ
のようにコンフォーマルな膜が形成されることにより、
高精度なエッチング加工を行うことが可能となる。
【００３５】(2).したがって、レジストパターンが面内
均一に形成されて極めて高い寸法精度を得ることがで
き、微細設計ルール下におけるデバイスを安定的に形成
することができる。
均一に形成されて極めて高い寸法精度を得ることがで
き、微細設計ルール下におけるデバイスを安定的に形成
することができる。
【００３６】(3).また、主面を下方に向けるという低コ
ストおよび簡便な手段により、前記した(1) および(2)
の効果を得ることができる。
ストおよび簡便な手段により、前記した(1) および(2)
の効果を得ることができる。
【図１】本発明の一実施の形態である塗布装置を示す概
略図である。
略図である。
【図２】（ａ),（ｂ),（ｃ）は、図１の塗布装置による
塗布液の塗布手順を連続的に示す説明図である。
塗布液の塗布手順を連続的に示す説明図である。
【図３】図１の塗布装置により塗布液の塗布された半導
体ウェハの一部を示す断面図である。
体ウェハの一部を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態における一変形例を示す説
明図である。
明図である。
【図５】本発明の実施の形態における他の変形例を示す
説明図である。
説明図である。
【図６】本発明者が検討対象とした、塗布液の塗布され
た半導体ウェハの一部を示す断面図である。
た半導体ウェハの一部を示す断面図である。
１ 半導体ウェハ １ａ 主面 １ｂ 裏面 ２ 反射防止膜形成液（塗布液） ３ チャック（保持手段） ４ モータ（回転手段） ５ ノズル（液供給手段） ６ カップ ６ａ 排気口 ７ ＡＲＣ（反射防止膜） ８ 下地段差 ９ 液槽
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 齋藤 康一 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 岡本 圭司 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 ▲高▼木 宏 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 塩屋 雅弘 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 南條 淳 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 齋藤 暢哉 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 平沼 雅幸 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内
Claims (5)
- 【請求項１】 主面を下方に向けて半導体ウェハをその
中心軸まわりに回転させる第１の工程と、 回転する前記半導体ウェハの前記主面の中央に塗布液が
吸い上げられる程度まで半導体ウェハと塗布液とを相対
接近させる第２の工程と、 前記半導体ウェハを回転させながら前記主面の中央から
前記塗布液を供給し、これを前記主面の全域に塗布して
行く第３の工程とを有することを特徴とする塗布方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の塗布方法において、前記
第３の工程の後に、前記半導体ウェハに対して、その中
央から周辺へと広がる振動を加えることを特徴とする塗
布方法。 - 【請求項３】 主面を上方に向けて半導体ウェハをその
中心軸まわりに回転させる第１の工程と、 回転する前記半導体ウェハの前記主面の中央に塗布液を
滴下してこれを前記主面の全域に塗布して行く第２の工
程と、 前記塗布液を塗布した後に前記半導体ウェハを反転させ
て前記主面を下方に向ける第３の工程と、 前記主面が下方に向けられた前記半導体ウェハを大気圧
下若しくは減圧下で放置、回転あるいは加振する第４の
工程とを有することを特徴とする塗布方法。 - 【請求項４】 主面を下方に向けて半導体ウェハを保持
する保持手段と、前記保持手段を介して前記半導体ウェ
ハをその中心軸まわりに回転させる回転手段と、 前記半導体ウェハと相対的に接近可能に設けられ、回転
する前記半導体ウェハの前記主面の中央に塗布液を供給
する液供給手段とを有し、 前記主面を下に向けて前記半導体ウェハを回転させなが
ら前記塗布液を前記主面の全域に塗布して行くことを特
徴とする塗布装置。 - 【請求項５】 請求項４記載の塗布装置において、前記
塗布液は半導体製造のホトリソグラフィ工程で用いられ
るレジストまたは反射防止膜形成液であることを特徴と
する塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23961796A JPH1092713A (ja) | 1996-09-11 | 1996-09-11 | 塗布方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23961796A JPH1092713A (ja) | 1996-09-11 | 1996-09-11 | 塗布方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1092713A true JPH1092713A (ja) | 1998-04-10 |
Family
ID=17047400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23961796A Withdrawn JPH1092713A (ja) | 1996-09-11 | 1996-09-11 | 塗布方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1092713A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6858088B1 (en) | 1999-02-16 | 2005-02-22 | Steag Hama Tech Ag | Method and apparatus for treating substrates |
| JP2008545272A (ja) * | 2005-06-30 | 2008-12-11 | ラム リサーチ コーポレーション | 半導体ウエハからの物質除去方法並びに除去装置 |
-
1996
- 1996-09-11 JP JP23961796A patent/JPH1092713A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6858088B1 (en) | 1999-02-16 | 2005-02-22 | Steag Hama Tech Ag | Method and apparatus for treating substrates |
| JP2008545272A (ja) * | 2005-06-30 | 2008-12-11 | ラム リサーチ コーポレーション | 半導体ウエハからの物質除去方法並びに除去装置 |
| US8691027B2 (en) | 2005-06-30 | 2014-04-08 | Lam Research Corporation | Method for removing material from semiconductor wafer and apparatus for performing the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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