JPS61124940A - レジスト膜の現像方法 - Google Patents
レジスト膜の現像方法Info
- Publication number
- JPS61124940A JPS61124940A JP24716884A JP24716884A JPS61124940A JP S61124940 A JPS61124940 A JP S61124940A JP 24716884 A JP24716884 A JP 24716884A JP 24716884 A JP24716884 A JP 24716884A JP S61124940 A JPS61124940 A JP S61124940A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist film
- substrate
- electrode
- voltage
- development
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレジスト膜の現像方法に関するものである。
半導体装置の製造工程等で形成されるパターニングは、
半導体装置の高密度化に伴ってますます微細化が必要求
され、特にレジスト膜については、露光、現像、エツチ
ングとそれぞれの製造工程において極めて厳重な管理が
なされている。
半導体装置の高密度化に伴ってますます微細化が必要求
され、特にレジスト膜については、露光、現像、エツチ
ングとそれぞれの製造工程において極めて厳重な管理が
なされている。
然しなから、基板に被着されたレジスト膜を現像する際
は、基板をアルカリ性の現像液に浸漬して、化学反応に
よりレジスト膜を水溶性にするものであるが、一般にレ
ジスト膜とアルカリ性の現像液との化学反応がレジスト
膜と現像液との接触面から始まるために、最初にレジス
ト面の表面に水溶性の反応生成物が生成して、この反応
生成物が移動しないで停滞することになると、順次進行
するレジスト膜と現像液との化学反応が阻止されるよう
になり、結果的に現像時間が長くなるという欠点がある
。
は、基板をアルカリ性の現像液に浸漬して、化学反応に
よりレジスト膜を水溶性にするものであるが、一般にレ
ジスト膜とアルカリ性の現像液との化学反応がレジスト
膜と現像液との接触面から始まるために、最初にレジス
ト面の表面に水溶性の反応生成物が生成して、この反応
生成物が移動しないで停滞することになると、順次進行
するレジスト膜と現像液との化学反応が阻止されるよう
になり、結果的に現像時間が長くなるという欠点がある
。
従って、このような欠点を改善した効率的な現像方法が
必要である。
必要である。
例えばポジ型のレジスト膜は、感光性のあるナフトキノ
ンジアジドという成分と、感光性を有しないフェノール
樹脂との混合物であるが、フェノール樹脂はホトレジス
トが均一な膜を容易に形成することができ且つその膜が
エツチングに耐えることができるように加えである。
ンジアジドという成分と、感光性を有しないフェノール
樹脂との混合物であるが、フェノール樹脂はホトレジス
トが均一な膜を容易に形成することができ且つその膜が
エツチングに耐えることができるように加えである。
ナフトキノンジアジドはアルカリ性水溶液に溶ける性質
はないが、光照射によって分解し、酸性のインデンカル
ボン酸に変化するとアルカリ性水溶液に熔解するように
なる。
はないが、光照射によって分解し、酸性のインデンカル
ボン酸に変化するとアルカリ性水溶液に熔解するように
なる。
そのために、露光後のレジスト膜であるホトレジスト膜
（電子ビーム露光用、Ｘ線露光用レジスト膜を含む）を
アルカリ性水溶液で現像すると、露光されていない部分
のレジスト膜はそのまま残るが、露光された部分のレジ
スト膜はアルカリ性水溶液に溶ける感光成分を含むため
に、全体としてアルカリ性現像液によって除去されてし
まうことになる。
（電子ビーム露光用、Ｘ線露光用レジスト膜を含む）を
アルカリ性水溶液で現像すると、露光されていない部分
のレジスト膜はそのまま残るが、露光された部分のレジ
スト膜はアルカリ性水溶液に溶ける感光成分を含むため
に、全体としてアルカリ性現像液によって除去されてし
まうことになる。
従来、レジスト膜の現像方法では、現像液として有機ア
ルカリ性の溶液である例えばアルカリコリン又はＴＭＡ
ＨＯが注入された現像液槽に、マスク露光が完了して、
所定部分が感光したレジスト膜を被着した基板を所定の
時間だけ浸漬して現像を行っている。
ルカリ性の溶液である例えばアルカリコリン又はＴＭＡ
ＨＯが注入された現像液槽に、マスク露光が完了して、
所定部分が感光したレジスト膜を被着した基板を所定の
時間だけ浸漬して現像を行っている。
このレジスト膜は上記で説明をしたようにレジスト膜と
現像液とが化学反応することによって、水溶性の物質が
生成されるが、この水溶性の物質の比重が１．５程度で
あり、この比重は現像液の比重である約１．０よりもか
なり重いために、レジスト膜の界面に水溶性の物質が滞
留することになり、現像を進行させるためのレジスト膜
と現像液との化学反応を阻止させることになる。
現像液とが化学反応することによって、水溶性の物質が
生成されるが、この水溶性の物質の比重が１．５程度で
あり、この比重は現像液の比重である約１．０よりもか
なり重いために、レジスト膜の界面に水溶性の物質が滞
留することになり、現像を進行させるためのレジスト膜
と現像液との化学反応を阻止させることになる。
このような理由から、レジスト膜が被着された基板を現
像液中に浸漬する際に、レジスト膜面を下側にして現像
の化学反応で生成する物質を、現像槽の底面に沈澱させ
る方法も考慮されたが、基板の支持方法の困難性がある
他、効果があまり認められないという欠点がある。
像液中に浸漬する際に、レジスト膜面を下側にして現像
の化学反応で生成する物質を、現像槽の底面に沈澱させ
る方法も考慮されたが、基板の支持方法の困難性がある
他、効果があまり認められないという欠点がある。
このような理由から現像時間の効率化が必要とされてい
る。
る。
上記の構成のレジスト膜の現像方法においては、レジス
ト膜と現像液が接触する界面で化学反応が始まり、現像
が行われるものであるから、反応生成物である水溶性の
物質が現像液よりも比重が重いために界面に滞留して化
学反応の進行を阻止することが問題点であり、そのため
にレジスト膜の効率的な現像が不可能になるという不具
合を生ずる。
ト膜と現像液が接触する界面で化学反応が始まり、現像
が行われるものであるから、反応生成物である水溶性の
物質が現像液よりも比重が重いために界面に滞留して化
学反応の進行を阻止することが問題点であり、そのため
にレジスト膜の効率的な現像が不可能になるという不具
合を生ずる。
本発明は、上記問題点を解消したレジスト膜の現像方法
を提供するもので、その手段は、レジスト膜が被着され
た基板をアルカリ現像液に浸漬して現像する際に、該レ
ジスト膜が被着された基板と対向して電極を配置し、該
基板と該電極間に電圧を印加して現像を行うことを特徴
とするレジスト膜の現像方法によって達成できる。
を提供するもので、その手段は、レジスト膜が被着され
た基板をアルカリ現像液に浸漬して現像する際に、該レ
ジスト膜が被着された基板と対向して電極を配置し、該
基板と該電極間に電圧を印加して現像を行うことを特徴
とするレジスト膜の現像方法によって達成できる。
本発明は、レジスト膜の現像を行う際に、現像液とレジ
スト膜の化学反応による生成物が、境界に滞留して進行
すべき化学反応が阻止されるのであるから、この化学反
応によって生成された生成物を、電界によって強制的に
除去するために、基板と対向して電極を配置し、基板と
その電極のそれぞれに、基板を正にした直流電圧を印加
することにより、電離しているＯＨ基が現像液中を電界
により移動するために、滞留していた反応生成物が廃除
されて、円滑な現像ができるように考慮されたものであ
る。
スト膜の化学反応による生成物が、境界に滞留して進行
すべき化学反応が阻止されるのであるから、この化学反
応によって生成された生成物を、電界によって強制的に
除去するために、基板と対向して電極を配置し、基板と
その電極のそれぞれに、基板を正にした直流電圧を印加
することにより、電離しているＯＨ基が現像液中を電界
により移動するために、滞留していた反応生成物が廃除
されて、円滑な現像ができるように考慮されたものであ
る。
第１図に本発明のレジスト膜を現像する実施例を説明す
るための模式断面図である。
るための模式断面図である。
基板１の表面に、レジスト膜２が被着されていて、基板
はカップ３に充満された現像液４の中に浸漬されるが、
カップ内に基板１を搭載する配置台５があり、これに対
向して電極６がが配置されている。
はカップ３に充満された現像液４の中に浸漬されるが、
カップ内に基板１を搭載する配置台５があり、これに対
向して電極６がが配置されている。
通常、現像液は成る程度の流量で循環されなおり、その
ためにカップには給排水のパイプが配設されている。
ためにカップには給排水のパイプが配設されている。
直流電圧の電源７では、約５■の直流電圧が印加される
が、電圧は可変にしておくことによって現像時間の制御
を行うことが可能であり、電圧の印加方向は、レジスト
膜が被着されている基板側に正電圧が印加され、電極６
に負電圧が接続されている。
が、電圧は可変にしておくことによって現像時間の制御
を行うことが可能であり、電圧の印加方向は、レジスト
膜が被着されている基板側に正電圧が印加され、電極６
に負電圧が接続されている。
第２図は、このような状態における現像液中でのレジス
ト膜の現像が進行していく状態を説明するための模式図
である。
ト膜の現像が進行していく状態を説明するための模式図
である。
基板に正電圧を、電極６に負電圧を印加されることで、
水酸基がレジスト表面に移動し、反応生成物を廃除する
ことでレジスト膜の表面は常に現像液が直接浸漬されて
いることになり、レジスト膜が反応生成物により反応速
度が低下することがなく、円滑に現像することができる
。
水酸基がレジスト表面に移動し、反応生成物を廃除する
ことでレジスト膜の表面は常に現像液が直接浸漬されて
いることになり、レジスト膜が反応生成物により反応速
度が低下することがなく、円滑に現像することができる
。
このように、基板と対向する電極間に直流電圧を印加す
ることにより、現像速度が制御できることは、例えば電
圧を５ボルトよりも低下させた所定の電圧を印加するこ
とによって所望の現像速度を得ることができ、極めて緻
密をパターンを現像する際には、急速な現像速度を軽減
すべく適宜調整することができる。
ることにより、現像速度が制御できることは、例えば電
圧を５ボルトよりも低下させた所定の電圧を印加するこ
とによって所望の現像速度を得ることができ、極めて緻
密をパターンを現像する際には、急速な現像速度を軽減
すべく適宜調整することができる。
又、一般に現像液にレジスト膜がた被着された基板を浸
漬した直後は、レジスト膜が現像液と濡れが悪く、レジ
スト膜が現像液を弾く現象があってレジスト膜面では現
像むらが発生しがちであるが、このような場合には基板
に負電圧を、電極には正電圧を印加することにより濡れ
性を改善することができる。
漬した直後は、レジスト膜が現像液と濡れが悪く、レジ
スト膜が現像液を弾く現象があってレジスト膜面では現
像むらが発生しがちであるが、このような場合には基板
に負電圧を、電極には正電圧を印加することにより濡れ
性を改善することができる。
以上詳細に説明したように本発明のレジスト膜の現像方
法を採用することにより、現像の効率化と均一な現像を
行うことが可能になり、緻密なパターンを有する基板を
高品質で供し得るという効果大なるものがある。
法を採用することにより、現像の効率化と均一な現像を
行うことが可能になり、緻密なパターンを有する基板を
高品質で供し得るという効果大なるものがある。
第１図は本発明の現像装置を説明するための模式断面図
、 第２図は本発明の現像装置の化学反応を説明するための
断面図、 図において、１は基板、２はレジスト膜、３はカップ、
４は現像液、５は基板配置台、６は電極、７は直流電圧
電源、８は水酸基である。
、 第２図は本発明の現像装置の化学反応を説明するための
断面図、 図において、１は基板、２はレジスト膜、３はカップ、
４は現像液、５は基板配置台、６は電極、７は直流電圧
電源、８は水酸基である。
Claims (1)
- レジスト膜が被着された基板をアルカリ現像液に浸漬し
て現像する際に、該レジスト膜が被着された基板と対向
して電極を配置し、該基板と該電極間に電圧を印加して
現像を行うことを特徴とするレジスト膜の現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24716884A JPS61124940A (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | レジスト膜の現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24716884A JPS61124940A (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | レジスト膜の現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61124940A true JPS61124940A (ja) | 1986-06-12 |
Family
ID=17159449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24716884A Pending JPS61124940A (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | レジスト膜の現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61124940A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0220876A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 現像方法 |
| JP2021057596A (ja) * | 2015-11-30 | 2021-04-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | フォトレジストウエハの露光後プロセスの方法及び装置 |
-
1984
- 1984-11-22 JP JP24716884A patent/JPS61124940A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0220876A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 現像方法 |
| JP2021057596A (ja) * | 2015-11-30 | 2021-04-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | フォトレジストウエハの露光後プロセスの方法及び装置 |
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