JPS633417A - レジストの現像方法 - Google Patents
レジストの現像方法Info
- Publication number
- JPS633417A JPS633417A JP14851686A JP14851686A JPS633417A JP S633417 A JPS633417 A JP S633417A JP 14851686 A JP14851686 A JP 14851686A JP 14851686 A JP14851686 A JP 14851686A JP S633417 A JPS633417 A JP S633417A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- developer
- electric field
- semiconductor substrate
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- -1 ion hydroxide Chemical class 0.000 abstract description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 4-diazoniophenolate Chemical compound [O-]C1=CC=C([N+]#N)C=C1 WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレジストの現像方法に関し、特に半導体集積回
路の製造におけるレジストパターンの形成に関する。
路の製造におけるレジストパターンの形成に関する。
従来、フェノールノボラック樹脂材料に感光剤としてキ
ノンジアジド系の材料を添加してなるレジストの現像は
、水酸化テトラメチルアンモニウムを主成分とするアル
カリ性の現像液をレジスト被膜が形成された半導体基体
上に表面張力および界面張力によって保持し半導体基体
を移動させることによって現像液をかくはんさせる方法
、あるいは現像液をレジスト被膜上に表面張力および界
面張力によってのせ半導体基体を基板上の現像液が基体
から落ちない程度の低速で回転させる方法が一般的な方
法となっていた。
ノンジアジド系の材料を添加してなるレジストの現像は
、水酸化テトラメチルアンモニウムを主成分とするアル
カリ性の現像液をレジスト被膜が形成された半導体基体
上に表面張力および界面張力によって保持し半導体基体
を移動させることによって現像液をかくはんさせる方法
、あるいは現像液をレジスト被膜上に表面張力および界
面張力によってのせ半導体基体を基板上の現像液が基体
から落ちない程度の低速で回転させる方法が一般的な方
法となっていた。
し発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来のレジストの現像は、現像液中の水酸基の
移動を拡散と半導体基体を移動させることによるかくは
んだけによって行なっているので、微細な穴状のパター
ンを形成する場合に水酸基の供給がレジストの溶解反応
の反応面で十分ではなく、現像が行なわれにくいという
欠点がある。
移動を拡散と半導体基体を移動させることによるかくは
んだけによって行なっているので、微細な穴状のパター
ンを形成する場合に水酸基の供給がレジストの溶解反応
の反応面で十分ではなく、現像が行なわれにくいという
欠点がある。
本発明の目的は、微細パターン、例えば微細な穴状のパ
ターン形成におけるレジストの現像において、水酸基の
供給がレジストの溶解反応の反応面で十分に行なわれ＠
細パターン形成が容易にできるレジストの現像方法を提
供することにある。
ターン形成におけるレジストの現像において、水酸基の
供給がレジストの溶解反応の反応面で十分に行なわれ＠
細パターン形成が容易にできるレジストの現像方法を提
供することにある。
本発明のレジストの現像方法は、現像液中に露光済みの
レジスト被膜を有する半導体基体を保持、あるいは該半
導体基体上に現像液を保持してレジストを選択的に除去
する現像工程において、前記現像液に電界を印加して行
なうことにより構成される。
レジスト被膜を有する半導体基体を保持、あるいは該半
導体基体上に現像液を保持してレジストを選択的に除去
する現像工程において、前記現像液に電界を印加して行
なうことにより構成される。
なお、現像液に電界を印加する方向はレジスト被膜と直
角方向にすることにより効果的な現像が実施できる。
角方向にすることにより効果的な現像が実施できる。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を説明する
ために工程順に示した要部の模式的断面図である。第１
図（ａ）〜（ｃ）において１はシリコンよりなる半導体
基体であり、２はポジ型フォトレジスト、例えば、東京
応化工業製の０ＦＰＲ８００よりなる膜厚１．５μｍの
被膜であり、２ａは該被膜のうち選択的に露光された領
域であり、３は現像液、例えば東京応化工業製のＮＭＤ
−３で、４は該現像液中に含まれる水酸イオンで、５
は印加される電界の向きである。
。第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を説明する
ために工程順に示した要部の模式的断面図である。第１
図（ａ）〜（ｃ）において１はシリコンよりなる半導体
基体であり、２はポジ型フォトレジスト、例えば、東京
応化工業製の０ＦＰＲ８００よりなる膜厚１．５μｍの
被膜であり、２ａは該被膜のうち選択的に露光された領
域であり、３は現像液、例えば東京応化工業製のＮＭＤ
−３で、４は該現像液中に含まれる水酸イオンで、５
は印加される電界の向きである。
まず、第１図（ａ）に示すように、露光されたレジスト
２ａは水酸化イオン４に溶解する。従って反応が起こっ
ている近傍では、水酸イオン４が急激に消費され不足す
るようになる。通常水酸イオンは拡散によって反応面へ
供給されるが、Ｉｅｉ細な穴状のパターンでは、反応面
への水酸イオンの供給が十分でない。第１図（ｂ）に示
すように垂直の方向へ電界を印加すると、現像液中の水
酸イオン４はレジスト被膜の方向へ移動し、穴状のパタ
ーンの内部の反応面へ供給されやすくなり、狭い露光部
分は早急に現像され、第１図（Ｃ）に示すようなレジス
トの微細パターンを容易に形成することができる。
２ａは水酸化イオン４に溶解する。従って反応が起こっ
ている近傍では、水酸イオン４が急激に消費され不足す
るようになる。通常水酸イオンは拡散によって反応面へ
供給されるが、Ｉｅｉ細な穴状のパターンでは、反応面
への水酸イオンの供給が十分でない。第１図（ｂ）に示
すように垂直の方向へ電界を印加すると、現像液中の水
酸イオン４はレジスト被膜の方向へ移動し、穴状のパタ
ーンの内部の反応面へ供給されやすくなり、狭い露光部
分は早急に現像され、第１図（Ｃ）に示すようなレジス
トの微細パターンを容易に形成することができる。
以上説明したように本発明は、現像液に電界を印加する
ことにより、微細現像領域に水酸イオンの供給が良好と
なり、微細なレジスト・パターンの形成を容易にできる
効果がある。
ことにより、微細現像領域に水酸イオンの供給が良好と
なり、微細なレジスト・パターンの形成を容易にできる
効果がある。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例の構成および
作用を説明するために工程順に示した要部の模式的断面
図である。 １・・・半導体基体、２・・・レジスト、２ａ・・・露
光されたレジスト、３・・・現像液、４・・・現像液中
の水酸イオン、５・・・印加電界。
作用を説明するために工程順に示した要部の模式的断面
図である。 １・・・半導体基体、２・・・レジスト、２ａ・・・露
光されたレジスト、３・・・現像液、４・・・現像液中
の水酸イオン、５・・・印加電界。
Claims (2)
- （１）現像液中に露光済みのレジスト被膜を有する半導
体基体を保持、あるいは該半導体基体上に現像液を保持
してレジストを選択的に除去する現像工程において、現
像液に電界を印加することを特徴とするレジストの現像
方法。 - （２）現像液に電界を印加する方向がレジスト被膜と垂
直方向である特許請求の範囲第（１）項記載のレジスト
の現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14851686A JPS633417A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | レジストの現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14851686A JPS633417A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | レジストの現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS633417A true JPS633417A (ja) | 1988-01-08 |
Family
ID=15454518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14851686A Pending JPS633417A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | レジストの現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS633417A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5158861A (en) * | 1989-11-16 | 1992-10-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of forming minute patterns using chemically amplifying type resist |
| US5258266A (en) * | 1989-11-16 | 1993-11-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of forming minute patterns using positive chemically amplifying type resist |
| US8159137B2 (en) | 2006-03-27 | 2012-04-17 | Panasonic Corporation | Magnetron |
| JP2021057596A (ja) * | 2015-11-30 | 2021-04-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | フォトレジストウエハの露光後プロセスの方法及び装置 |
-
1986
- 1986-06-24 JP JP14851686A patent/JPS633417A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5158861A (en) * | 1989-11-16 | 1992-10-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of forming minute patterns using chemically amplifying type resist |
| US5258266A (en) * | 1989-11-16 | 1993-11-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of forming minute patterns using positive chemically amplifying type resist |
| US8159137B2 (en) | 2006-03-27 | 2012-04-17 | Panasonic Corporation | Magnetron |
| JP2021057596A (ja) * | 2015-11-30 | 2021-04-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | フォトレジストウエハの露光後プロセスの方法及び装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100452898B1 (ko) | 패턴 형성 방법 및 약액 처리 방법 | |
| JPS633417A (ja) | レジストの現像方法 | |
| JPS63229452A (ja) | レジストの現像方法 | |
| JPH08272107A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH03215867A (ja) | ポジレジストの現像処理方法 | |
| JPH11186161A (ja) | 磁場制御によるレジスト現像方法、レジスト現像装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPS6355693B2 (ja) | ||
| KR100309089B1 (ko) | 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 | |
| JPS63233530A (ja) | 露光によるパタ−ン形成方法 | |
| KR0172794B1 (ko) | 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 | |
| JPH0357292A (ja) | プリント基板の製造方法 | |
| JPS6335010B2 (ja) | ||
| KR19980077751A (ko) | 포토레지스트 패턴 형성 방법 | |
| JP2589470B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0555859B2 (ja) | ||
| JPH04338960A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH088162A (ja) | フォトレジストパターンの形成方法 | |
| JPH0368951A (ja) | フォトレジスト現像液およびパターン形成方法 | |
| KR100239435B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
| JPS63309947A (ja) | レジストパタ−ンの現像方法 | |
| KR20020068130A (ko) | 반도체 제조 공정에서의 감광막 현상 방법 | |
| KR20000004415A (ko) | 레지스트 패턴의 현상방법 | |
| JPH04115523A (ja) | レジスト膜の平坦化方法 | |
| KR960002592A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| JPS599919A (ja) | フオトレジストの塗布方法 |