JPS599919A - フオトレジストの塗布方法 - Google Patents

フオトレジストの塗布方法

Info

Publication number
JPS599919A
JPS599919A JP11892882A JP11892882A JPS599919A JP S599919 A JPS599919 A JP S599919A JP 11892882 A JP11892882 A JP 11892882A JP 11892882 A JP11892882 A JP 11892882A JP S599919 A JPS599919 A JP S599919A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
spinner
photo
resist
photoresist
motor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11892882A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuaki Osawa
大沢 光明
Kazuo Nagasawa
長沢 和男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
M SETETSUKU KK
M Setek Co Ltd
Original Assignee
M SETETSUKU KK
M Setek Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by M SETETSUKU KK, M Setek Co Ltd filed Critical M SETETSUKU KK
Priority to JP11892882A priority Critical patent/JPS599919A/ja
Publication of JPS599919A publication Critical patent/JPS599919A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体用ウェファに対するフォトレジストの
塗布方法に関するものである。
トランジスタやLSI等の半導体装置を製造する過程に
おいて、フォトエツチングの技術が駆使されているが、
その前提としてウェファに対しフォトレジストを塗布す
る工程がある。
フォトレジストの塗布はスピンナー上のウェファの中央
部にフォトレジスト液を滴下しウェファを回転させるこ
とによりフォトレジスト層を形成させるものである。
従来、この場合のスピンナーの回転は第1図に示すよう
な速度制御法により行なわれていた。すなわち、スピン
ナーは■に示すように時間に対し回転数が直線状に増加
するものかあるいは■に示すように対数曲線状に増加す
る制御を行なっていた。
ところが、このような制御を行なった場合、フォトレジ
スト液は揮発性を有し急速に固化する性質を有するので
1回転の中心部は厚く周縁部は薄くなる場合があり、あ
るいは粘度並びに厚みによっては表面張力により周縁部
が盛り上って中心部に比し厚くなるなど均一なフォトレ
ジスト層を得ることができない欠点があった。フォトレ
ジスト層の均一性はエツチングの精度に直接的に影響す
るので、このように均一なフォトレジスト層を得この発
明は上記の事情に基づきなされたものでスピンナーの回
転に当り加速度制御を採用することにより、均一なフォ
トレジスト層を容易に得られしたがって精度の高いフォ
トエツチングを行なうことのできるフォトレジストの塗
布方法を提供しようとするものである。
以下回置を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第2図の概略図において、1はコンピュータ、2はドラ
イバ、3は直流サーボモータのようなスピンナー回転用
のモータであり、このモータ3の回転は例えばタコヂエ
ネレータのようなエンコーダ4を介してドライバ2に帰
還される。
このような構成によりスピンナーの回転を第3図に示す
ような加速度制御を行なうことにより上昇させる。すな
わち時間の経過に対して回転数が急激に立上る例えば2
乗特性による加速度制御を行なう。
第41mfalに示すようにウェファll上に供給口1
2より滴下されたフォトレジスト液13は、同図(bl
に示すように拡がって行くが、この際急激に立上る特性
でスピンナー14の回転が制御されるので固化が始まる
前に充分に周辺部まで拡がり同図1clに示すように均
一なフォトレジスト層15を形成することができる。
また表面張力により同縁部が盛り上って中心部に比し厚
くなっているような場合にも急激に立上ル特性でスピン
ナ14を回転させることにより。
フォトレジスト層15の周縁部の盛り上った部分が引き
らぎられて飛散し、均一なフォトレジスト層15となる
例えば、フォトレジストとして東東応化工業株式会社の
0IDBR,−100を用いた場合、最終回転速度40
00 r、 amにおいて0,5μmの均一なフォトレ
ジスト層を得ることができた。
したがってこのようなフォトレジスト層を用いプリベヤ
ク→照射→現像→リンス→ポストベーク→ハクリの工程
を経ることにより精度の高いフォトエツチングを行なう
ことができ良質の半導体装置を得ることができる。
このようにフォトレジストの塗布は初期状態におけるス
ピンナーの回転に著しい影響を受けるものであり、この
発明はこれを加速度制御の手段を採用することにより解
決したものである。
なおこの発明は上記実施例に限定されるものではなく要
旨を変更しない範囲において異なる態様lこより実砲す
ることができる。
以上述べたようにこの発明によればスピンナーの回転に
当り加速度制御を採用することにより。
均一なフォトレジスト1を容易に得られしたがって精度
の高いフォトエツチングを行なうこ吉のできるフォトレ
ジストの塗布方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の塗布方法における速度制御を示す特性図
、第2図はこの発明の一実施例の概略的な構成図、第3
図は同実施例における速度制御を示す特性図、第4図(
81〜telはこの実施例におけるフォトレジスト層の
形成順序を示す説明図である。 1°°コンピユータ  2・・・ドライバ3・・・モー
タ     4・・・・エンコーダ11・・・ウェファ
    12・・・供給口13・・・フォトレジスト液
  14・・・スピンナー15・・・フォトレジスト層 第1図 84−閏 第2図 IN4図 (b)                (c)=81

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)  フォトレジストをウェファに滴下してフォト
    レジスト層を形成する際、スピンナーの回転を加速度制
    御するものであることを特徴とするフォトレジストの塗
    布方法。
  2. (2)上記スピンナーの制御は2乗加速度制御であるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のフォトレジ
    ストの塗布方法。
JP11892882A 1982-07-08 1982-07-08 フオトレジストの塗布方法 Pending JPS599919A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11892882A JPS599919A (ja) 1982-07-08 1982-07-08 フオトレジストの塗布方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11892882A JPS599919A (ja) 1982-07-08 1982-07-08 フオトレジストの塗布方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS599919A true JPS599919A (ja) 1984-01-19

Family

ID=14748669

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11892882A Pending JPS599919A (ja) 1982-07-08 1982-07-08 フオトレジストの塗布方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS599919A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0205148A2 (en) * 1985-06-12 1986-12-17 Hitachi, Ltd. Method of applying a resist

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS546467A (en) * 1977-06-16 1979-01-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd Equipment and method for applying resin film
JPS5681159A (en) * 1979-12-07 1981-07-02 Fujitsu Ltd Rotary coating apparatus

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS546467A (en) * 1977-06-16 1979-01-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd Equipment and method for applying resin film
JPS5681159A (en) * 1979-12-07 1981-07-02 Fujitsu Ltd Rotary coating apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0205148A2 (en) * 1985-06-12 1986-12-17 Hitachi, Ltd. Method of applying a resist
EP0205148A3 (en) * 1985-06-12 1988-12-28 Hitachi, Ltd. Method of applying a resist

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4267212A (en) Spin coating process
JPH03223810A (ja) ブラックマトリックス区域を備えた液晶セル用基体プレートの製造方法
JPS599919A (ja) フオトレジストの塗布方法
JP2616091B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH02168619A (ja) シリコーンゴム膜のパターン形成方法
JPH0732242B2 (ja) 固体撮像装置の製造方法
JPH07130751A (ja) アルミ系金属膜のパターニング方法
JPS63229452A (ja) レジストの現像方法
JP2589471B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH06208987A (ja) ウェットエッチング方法
JPH04288546A (ja) レジスト塗布方法
JPH031525A (ja) レジストの均一塗布方法
KR100441708B1 (ko) 포토리소그래피 공정에서의 현상방법
JP2000260765A (ja) 有機絶縁膜のパターン形成方法
JPS60115224A (ja) レジスト塗布方法
JPS6276724A (ja) 有機薄膜熱処理方法
JPH02100313A (ja) 半導体装置の製造方法
KR900001406B1 (ko) 고체 촬상소자의 제조방법
JPS61154129A (ja) 有機樹脂のエツチング方法
JPS5843540A (ja) 半導体装置の配線形成方法
JPH081905B2 (ja) 自己整合パターン形成方法
JPS61199636A (ja) テ−パ形成法
JPS60149131A (ja) レジスト塗布方法
JP2006100289A (ja) 段差付き凹部の形成方法
JPH11307525A (ja) 半導体装置及びその製造方法