JPS61154129A - 有機樹脂のエツチング方法 - Google Patents
有機樹脂のエツチング方法Info
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- JPS61154129A JPS61154129A JP27735484A JP27735484A JPS61154129A JP S61154129 A JPS61154129 A JP S61154129A JP 27735484 A JP27735484 A JP 27735484A JP 27735484 A JP27735484 A JP 27735484A JP S61154129 A JPS61154129 A JP S61154129A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は有機樹脂のエッチ７グ方法に関し、特にポリイ
ミド樹脂膜を有する半導体装置の有機樹脂のエツチング
方法に関する。
ミド樹脂膜を有する半導体装置の有機樹脂のエツチング
方法に関する。
一般に半導体装置の製造工程中で用いられるポリイミド
樹脂膜のエツチングにおいてはヒドラジ７又はヒドラジ
ンとエチレンジアミンの混液や、水酸化テトラメチルア
ンモニウム等の溶液を使用すると良好な結果が得られる
ことが知られている。
樹脂膜のエツチングにおいてはヒドラジ７又はヒドラジ
ンとエチレンジアミンの混液や、水酸化テトラメチルア
ンモニウム等の溶液を使用すると良好な結果が得られる
ことが知られている。
（例えば特公昭５５−４２４９７号公報等にも示されて
いる。）従来、これらの液を用いてエツチングを行なう
場合、溜槽中の液に基板を浸漬する方法や水平に保りた
基板上に液を滴下して保持する方法が多用されている。
いる。）従来、これらの液を用いてエツチングを行なう
場合、溜槽中の液に基板を浸漬する方法や水平に保りた
基板上に液を滴下して保持する方法が多用されている。
上述したエツチング方法のうち、前者のエツチング液の
溜槽中に基板を浸漬する方法にあっては、エッチング処
理量に応じて、次第に液が劣化し、最適エツチング時間
が変動していくという欠点があり九。また後者の水平に
保つ九基板上に液を滴下して保持する方法は、１枚毎に
エツチングを行なうため非常に生産性が悪いという欠点
があった。
溜槽中に基板を浸漬する方法にあっては、エッチング処
理量に応じて、次第に液が劣化し、最適エツチング時間
が変動していくという欠点があり九。また後者の水平に
保つ九基板上に液を滴下して保持する方法は、１枚毎に
エツチングを行なうため非常に生産性が悪いという欠点
があった。
本発明は上記欠点を除去し、品質及び生産性を向上させ
ることができる有機樹脂のエツチング方法を提供するこ
とを目的とする。
ることができる有機樹脂のエツチング方法を提供するこ
とを目的とする。
本発明の有機樹脂のエツチング方法は、有機樹脂が被着
されている基板を、光を照射しながらエツチング液に曝
して有機樹脂をエツチングすることによシ構成される。
されている基板を、光を照射しながらエツチング液に曝
して有機樹脂をエツチングすることによシ構成される。
上記方法において、有機樹脂がポリイミド前駆体Ｔｏシ
エッチング液がヒドラジン又はヒドラジンとエチレンジ
アミ７の混合液であり、ま九九としては赤外線、紫外線
、又はその両者を含むものであるとき容易に実施するこ
とができる。
エッチング液がヒドラジン又はヒドラジンとエチレンジ
アミ７の混合液であり、ま九九としては赤外線、紫外線
、又はその両者を含むものであるとき容易に実施するこ
とができる。
次に、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明す
る九めに工程順に示した断面図である。本実施例ではポ
リイミド樹脂保護膜のエツチングに適用した場合につい
て説明する。
る。第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明す
る九めに工程順に示した断面図である。本実施例ではポ
リイミド樹脂保護膜のエツチングに適用した場合につい
て説明する。
まず、第１図（ａ）に示すように、通常の方法により素
子及び配線を形成済の半導体基板１上に、回転塗布法で
ポリイミド前駆体溶液層２を被着し、該基板を熱処理し
て前記溶液層を脱溶媒し、かつ部分的にイミド化させる
。
子及び配線を形成済の半導体基板１上に、回転塗布法で
ポリイミド前駆体溶液層２を被着し、該基板を熱処理し
て前記溶液層を脱溶媒し、かつ部分的にイミド化させる
。
次に、第１図−）に示すように、ネガ型フォトレジスト
を被着せしめ周知の方法によシフｔトレジストハターノ
３を形成する。
を被着せしめ周知の方法によシフｔトレジストハターノ
３を形成する。
次に、第１図（Ｃ）に示すように、基板を熱処理し、フ
ォトレジストの脱溶媒及び硬化を行う。然る後に前記基
板をほぼ水平に保ちつつ加温したヒドラジン又はヒドラ
ジンとエチレンジアミンの混合液等のエツチング液４を
滴下し、表面張力によシ基板上にエツチング液を保持す
る。この際、タングステアう／グ、ハロゲノラング、水
銀ラッグ、又は赤外線う／プ等によシ基板表面に光５を
照射する。この光照射によシ樹脂のエツチング速度は大
幅に加速され、条件を適正に選べば非照射時に比べて１
０分の１程度の短時間で精度よくエツチングすることが
できる。
ォトレジストの脱溶媒及び硬化を行う。然る後に前記基
板をほぼ水平に保ちつつ加温したヒドラジン又はヒドラ
ジンとエチレンジアミンの混合液等のエツチング液４を
滴下し、表面張力によシ基板上にエツチング液を保持す
る。この際、タングステアう／グ、ハロゲノラング、水
銀ラッグ、又は赤外線う／プ等によシ基板表面に光５を
照射する。この光照射によシ樹脂のエツチング速度は大
幅に加速され、条件を適正に選べば非照射時に比べて１
０分の１程度の短時間で精度よくエツチングすることが
できる。
次に、上記のようにエツチングを完了した後、基板を回
転させてエツチング液を除去し、かつ純水等で表面を洗
滌し、さらに高速回転させて乾燥させる。然る後に通常
の方法で７オトレジストを除去し、さらに熱処理により
膜のイミド化を完了させれば、所望の形状のポリイミド
樹脂保護膜２ａが第１図（ｄ）に示すように形成できる
。
転させてエツチング液を除去し、かつ純水等で表面を洗
滌し、さらに高速回転させて乾燥させる。然る後に通常
の方法で７オトレジストを除去し、さらに熱処理により
膜のイミド化を完了させれば、所望の形状のポリイミド
樹脂保護膜２ａが第１図（ｄ）に示すように形成できる
。
以上は本発明を半導体基板上のポリイミド樹脂保護膜の
エッチ７グに適用し九場合の方法を述べたが、他の基板
上の他の有機樹脂膜のエツチングに適用できることは説
明するまでもない。
エッチ７グに適用し九場合の方法を述べたが、他の基板
上の他の有機樹脂膜のエツチングに適用できることは説
明するまでもない。
以上説明したように、本発明によれば、ポリイミド等の
有機樹脂膜の加工を高品質で、生産住良〈実施すること
が出来る。
有機樹脂膜の加工を高品質で、生産住良〈実施すること
が出来る。
第１図（ａｌ〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明するた
めに工程順に示し九断面図である。 ｌ・・・・・・半導体基板、２・・・・・・ポリイミド
前駆体、２ａ・・・・・・ポリイミド、３・・・・・・
フォトレジスト、４・・・・・・エツチング液、５・・
・・・・光。
めに工程順に示し九断面図である。 ｌ・・・・・・半導体基板、２・・・・・・ポリイミド
前駆体、２ａ・・・・・・ポリイミド、３・・・・・・
フォトレジスト、４・・・・・・エツチング液、５・・
・・・・光。
Claims (3)
- （１）有機樹脂が被着されている基板を、光を照射しな
がらエッチング液に曝して有機樹脂をエッチングするこ
とを特徴とする有機樹脂のエッチング方法。 - （２）有機樹脂がポリイミド樹脂であり、エッチング液
がヒドラジン又はヒドラジンとエチレンジアミンの混合
液である特許請求の範囲第（１）項記載の有機樹脂のエ
ッチング方法。 - （３）光が赤外線、紫外線、又はその両者を含むもので
ある特許請求の範囲第（１）項記載の有機樹脂のエッチ
ング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27735484A JPS61154129A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 有機樹脂のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27735484A JPS61154129A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 有機樹脂のエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61154129A true JPS61154129A (ja) | 1986-07-12 |
Family
ID=17582352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27735484A Pending JPS61154129A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 有機樹脂のエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61154129A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH039229U (ja) * | 1989-06-13 | 1991-01-29 |
-
1984
- 1984-12-27 JP JP27735484A patent/JPS61154129A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH039229U (ja) * | 1989-06-13 | 1991-01-29 |
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