JPS60130828A - レジストパタ−ンの形成方法 - Google Patents
レジストパタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS60130828A JPS60130828A JP58239295A JP23929583A JPS60130828A JP S60130828 A JPS60130828 A JP S60130828A JP 58239295 A JP58239295 A JP 58239295A JP 23929583 A JP23929583 A JP 23929583A JP S60130828 A JPS60130828 A JP S60130828A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- ultraviolet rays
- resist pattern
- exposure
- resist film
- Prior art date
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
この発明は半導体装置等の製造に際し金属、絶縁物ツ９
・の被着層のパターニングをリフトオフで行うためのレ
ジストパターンの形成方法に関する。
・の被着層のパターニングをリフトオフで行うためのレ
ジストパターンの形成方法に関する。
（従来技術の説明）
半導体装置等の製造に際し、金属、絶縁物等の被着層を
バタ、−ン形成する方法として従来からエツチングによ
る方法及びリフトオフによる方法の二つの方法が知られ
ている。リフトオフ方法は簡易の方法であり、エツチン
グによる損傷がなく微細パターン形成に適しており、ま
た、エツチングが困難な金属でも容易にパターニング出
来るという利点がある。しかしながら、リフトオフによ
る方法はレジスト皮膜の断面形状、耐熱性、溶解性、密
着性等に関しての厳しい条件が要求されている０例えば
、リフトオフにより容易にパターン形成が出来るために
はレジスト皮膜上に被着された被着層がレジストの溶解
と共に容易に除去出来ることが必要であり、このために
はパターン形成されたレジスト皮膜の断面形状がオーバ
ーハング形状となっている必要がある。
バタ、−ン形成する方法として従来からエツチングによ
る方法及びリフトオフによる方法の二つの方法が知られ
ている。リフトオフ方法は簡易の方法であり、エツチン
グによる損傷がなく微細パターン形成に適しており、ま
た、エツチングが困難な金属でも容易にパターニング出
来るという利点がある。しかしながら、リフトオフによ
る方法はレジスト皮膜の断面形状、耐熱性、溶解性、密
着性等に関しての厳しい条件が要求されている０例えば
、リフトオフにより容易にパターン形成が出来るために
はレジスト皮膜上に被着された被着層がレジストの溶解
と共に容易に除去出来ることが必要であり、このために
はパターン形成されたレジスト皮膜の断面形状がオーバ
ーハング形状となっている必要がある。
現状ではこのオーバーハング形状を形成するため多層構
造を用いるか又はポジ形ホトレジスト、例えば、ＡＺ−
１３５０Ｊ （Ｓｈｉｐｌｅｙ社製のホトレジストの商
品名）のクロルベンゼン処理が使用されている。これら
の処理は煩雑であり、スループットで劣り、再現性も必
ずしも良くなく、また、サブミコロンの解像度を得るの
が困難であった。
造を用いるか又はポジ形ホトレジスト、例えば、ＡＺ−
１３５０Ｊ （Ｓｈｉｐｌｅｙ社製のホトレジストの商
品名）のクロルベンゼン処理が使用されている。これら
の処理は煩雑であり、スループットで劣り、再現性も必
ずしも良くなく、また、サブミコロンの解像度を得るの
が困難であった。
（発明の目的）
この発明の目的は、上述した従来の欠点に鑑み、現像の
みで、サブミクロンオーダの、厚膜のレジストパターン
を簡単かつ容易に形成出来るようにしたリフトオフ用レ
ジストのパターン形成刃θ、を提供するにある。
みで、サブミクロンオーダの、厚膜のレジストパターン
を簡単かつ容易に形成出来るようにしたリフトオフ用レ
ジストのパターン形成刃θ、を提供するにある。
さらに、この発明の目的は、スループットに優れ、１１
丁現性の良いリフトオフ用レジストのパターン形成方法
を提供するにある。
丁現性の良いリフトオフ用レジストのパターン形成方法
を提供するにある。
（発明の構成）
この７１」的の達成を図るため、この発明によれば、キ
ノンジアジドスルフォン酸エステルの皮膜をレジスト皮
膜とし、このレジスト皮膜を３００ｎｍ以」二の長波長
の紫外線で一括露光し、然る後、このレジスト皮膜を３
００ｎｍ以下の遠紫外線で選択露光してパターニングす
ることを要旨とする。
ノンジアジドスルフォン酸エステルの皮膜をレジスト皮
膜とし、このレジスト皮膜を３００ｎｍ以」二の長波長
の紫外線で一括露光し、然る後、このレジスト皮膜を３
００ｎｍ以下の遠紫外線で選択露光してパターニングす
ることを要旨とする。
（実施例の説明）
以Ｆ、この発明の実施例につき説明する。
この発明の発明者等は、リフトオフ法における従来の欠
点を解決するために、数々の実験結果かラレシストハタ
ーンの断面形状がオーバーバンク形状となりしかも、耐
熱性に優れたレジスト材料としてキノンジアジドスルフ
ォン酸エステルが適していることを見い出した。
点を解決するために、数々の実験結果かラレシストハタ
ーンの断面形状がオーバーバンク形状となりしかも、耐
熱性に優れたレジスト材料としてキノンジアジドスルフ
ォン酸エステルが適していることを見い出した。
しかも、この材料は現像液に対して可溶性であるが、こ
のレジスト材料に３００ｎｍ以上の長波長の紫外線を照
射すると、この紫外線照射部分は未照射部分に比べて溶
解性が５倍程度高まり、さらに、レジストの３００ｎｍ
以下の遠紫外領域での透過が良くなり、しかも、リフト
オフ用の有機溶媒に対する溶解性も高まり、膨潤もない
ことが分った。
のレジスト材料に３００ｎｍ以上の長波長の紫外線を照
射すると、この紫外線照射部分は未照射部分に比べて溶
解性が５倍程度高まり、さらに、レジストの３００ｎｍ
以下の遠紫外領域での透過が良くなり、しかも、リフト
オフ用の有機溶媒に対する溶解性も高まり、膨潤もない
ことが分った。
そして更に、この材料が耐熱性に優れているので、被着
層の被着時に基板加熱を行うことにより、レジスト及び
被着層の基板に対する密着性が高まることが分った。
層の被着時に基板加熱を行うことにより、レジスト及び
被着層の基板に対する密着性が高まることが分った。
従って、この発明の方法においては、このレジストに紫
外線を照射すると、レジストの現像液に対する溶解性が
変化し、また、遠紫外線に対する透過性も高まり、さら
に、レジストに遠紫外ｍをｌ；ζｉ射すると不溶化する
という性質を利用してレジスＩ・パターンを形成しよう
とするものである。
外線を照射すると、レジストの現像液に対する溶解性が
変化し、また、遠紫外線に対する透過性も高まり、さら
に、レジストに遠紫外ｍをｌ；ζｉ射すると不溶化する
という性質を利用してレジスＩ・パターンを形成しよう
とするものである。
すなわち、この発明によるレジストパターン形成方法に
よれば、このようなレジスト材料を基板に塗布してレジ
スト皮膜を形成し、このレジスト皮膜を３００ ｎｍ以
上の長波長の紫外線で一括露光し、その後に、この紫外
線一括露光されたレジスト皮膜に対し、パターニングの
ためマスクを用いて、３００ｎｍ以下の遠紫外線で選択
露光を行って、然る後、現像を行う。
よれば、このようなレジスト材料を基板に塗布してレジ
スト皮膜を形成し、このレジスト皮膜を３００ ｎｍ以
上の長波長の紫外線で一括露光し、その後に、この紫外
線一括露光されたレジスト皮膜に対し、パターニングの
ためマスクを用いて、３００ｎｍ以下の遠紫外線で選択
露光を行って、然る後、現像を行う。
次に、この発明の具体的な実施例及び比較例について説
明する。
明する。
尚、この発明を以下の実施例及び比較例によて説明する
が、この実施例はこの発明の範囲内の好適な特定の条件
の下における単なる例示にすぎず、この発明がこの実施
例にのみ限定されるものでないことを理解されたい。
が、この実施例はこの発明の範囲内の好適な特定の条件
の下における単なる例示にすぎず、この発明がこの実施
例にのみ限定されるものでないことを理解されたい。
実施例
レジスト材料としてキノンジアジドスルフォン酸エステ
ルの一種であるノボラック樹脂のナフトキノン−１，２
−ジアジド−５−スルフォン酸エステル（以下ＬＭＲと
称する）を使用した。この場合、重合度が低いことが解
像度を高める一原因であることを考慮して重合度が１−
１０のノボラック樹脂のナフトキノン−１，２−ジアジ
ド−５−スルフォン酸エステルを使用した。先ス、この
ＬＭＲをメチルセルソルブアセテートに溶解しシリコン
基板上にｌ終騰の厚さに塗布しレジスト皮膜を形成した
。
ルの一種であるノボラック樹脂のナフトキノン−１，２
−ジアジド−５−スルフォン酸エステル（以下ＬＭＲと
称する）を使用した。この場合、重合度が低いことが解
像度を高める一原因であることを考慮して重合度が１−
１０のノボラック樹脂のナフトキノン−１，２−ジアジ
ド−５−スルフォン酸エステルを使用した。先ス、この
ＬＭＲをメチルセルソルブアセテートに溶解しシリコン
基板上にｌ終騰の厚さに塗布しレジスト皮膜を形成した
。
次に、レジスト皮膜を有する基板をｆｉ０’０の温度で
３０分間熱処理（プレベーク）した後、最初の露光工程
を行った。この露光工程では、このレジスト皮膜に対し
、２５０ＷのＨｇランプの光のうち３００ｎ＋ｗより短
波長の光をカットして３００’ｎ腸以上好ましくは３５
０〜４５０ｎｍの紫外線のみで、６０秒間、一括照射を
行った。
３０分間熱処理（プレベーク）した後、最初の露光工程
を行った。この露光工程では、このレジスト皮膜に対し
、２５０ＷのＨｇランプの光のうち３００ｎ＋ｗより短
波長の光をカットして３００’ｎ腸以上好ましくは３５
０〜４５０ｎｍの紫外線のみで、６０秒間、一括照射を
行った。
次に、パターニングのため、コンタクト法によりマスク
を介して、このレジスト皮膜に対して、レジストパター
ンとして残存させるべき部分にのみ、５００ＷのＸｅ−
Ｈｇランプからの２００〜３００ｎｍの遠紫外線で、３
０秒間、選択露光を行った。
を介して、このレジスト皮膜に対して、レジストパター
ンとして残存させるべき部分にのみ、５００ＷのＸｅ−
Ｈｇランプからの２００〜３００ｎｍの遠紫外線で、３
０秒間、選択露光を行った。
この選択露光後、１００℃で３０分間ベークを行った。
次いで、このレジスト皮膜を、容積比で酢酸イソアミル
１０に対してシクロヘキサン５に水を飽和させた溶液で
３０秒間現像した。この時の現像温１片は２３°Ｃとし
た。
１０に対してシクロヘキサン５に水を飽和させた溶液で
３０秒間現像した。この時の現像温１片は２３°Ｃとし
た。
このようにして選られたレジストパターンを走査型電子
顕微鏡で観察したところ、 ０．５ ｇｍのラインアン
ドスペース及び０．５井腸のラインが得られたことが確
認された。また、そのレジストパターンを形成するレジ
スト皮膜断面形状はオーバーハング形状を有しているこ
とが確認された。
顕微鏡で観察したところ、 ０．５ ｇｍのラインアン
ドスペース及び０．５井腸のラインが得られたことが確
認された。また、そのレジストパターンを形成するレジ
スト皮膜断面形状はオーバーハング形状を有しているこ
とが確認された。
次に、レジストパターンが形成されている基板１、に被
着層、例えば、Ｍ層を真空蒸着法により１μｍの厚さに
蒸着した。そして、このＭ層が形成されている基板を有
機溶媒、例えば、アセトン溶液中に浸漬させたところ、
リフトオフが完全に行われ、０．５ル禦のラインアンド
スペースのＭのパターンが得られた。
着層、例えば、Ｍ層を真空蒸着法により１μｍの厚さに
蒸着した。そして、このＭ層が形成されている基板を有
機溶媒、例えば、アセトン溶液中に浸漬させたところ、
リフトオフが完全に行われ、０．５ル禦のラインアンド
スペースのＭのパターンが得られた。
比較例
実施例の場合と同様なレジスト皮膜を基板に被着形成し
た後、この発明の露光工程であるＨｇランプからの紫外
線の一括照射による露光を行わず。
た後、この発明の露光工程であるＨｇランプからの紫外
線の一括照射による露光を行わず。
直接、バターニングのためマスクを介してｓｏｏｗのＸ
ｅ−Ｈｇランプからの２００〜３Ｏ０ｎＩｍノ遠紫外線
で、１０秒間、選択露光を行った０次いで、上述のこの
発明の実施例と同様に、”１００℃で３０分間ベータを
行った後、この得られた試料を前述と同様な現像溶液（
容積比で酢酸インアミル１０に対してシクロヘキサン２
に水を飽和させた溶液）で２０秒間現像した。その結果
得られたレジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し
たところ、ｌＩＬ腸のラインアンドスペースは得られた
が、０．５ル■のラインアンドスペース及び０．５ ＃
Ｌｗａのラインのレジストパターンは得られなかったこ
とが確認された。
ｅ−Ｈｇランプからの２００〜３Ｏ０ｎＩｍノ遠紫外線
で、１０秒間、選択露光を行った０次いで、上述のこの
発明の実施例と同様に、”１００℃で３０分間ベータを
行った後、この得られた試料を前述と同様な現像溶液（
容積比で酢酸インアミル１０に対してシクロヘキサン２
に水を飽和させた溶液）で２０秒間現像した。その結果
得られたレジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し
たところ、ｌＩＬ腸のラインアンドスペースは得られた
が、０．５ル■のラインアンドスペース及び０．５ ＃
Ｌｗａのラインのレジストパターンは得られなかったこ
とが確認された。
この発明の実施例によれば、比較例とは異なり、ＬＭＲ
レジスト皮膜に対して先ず３００ｎ腸以上の長波長の紫
外線で一括′露光を行い、次いで３００ｎｍ以下の遠紫
外線で選択露光を行う、このＬＭＲはこの紫外線の一括
露光によりキノンジアジド基が分解する。この分解生成
物の２５０ ＪＬｔｓにおける吸光係数は１２ＩＬ腸で
あり、これに対し、ＬＭＲ自体の吸光係数は同一波長で
８川腸であり、分解生成物の吸光係数の方がＬＭＲに比
べ小さくなる。従って、この紫外線照射によりＬＭＲは
遠紫外線領域での透過が良くなので、上述したこの発明
におけるように、紫外線の照射に続いて遠紫外線でのマ
スクを介する選択露光を行うと、遠紫外線がレジスト皮
１１Ａ中を表面から深い位置の所まで達して現像液に対
して不溶化し、これがため、現像の際、オーバーハング
量が小さくなり、パターン切れがなくなり、しかも、こ
の分解したＬＭＲは現像によるパターンの膨潤がないの
で、厚膜のレジストであっても良好に微細なパターニン
グが出来ることとなる。さらに、この３００ｎ■以上の
紫外線照射により、ＬＭＲはアセトン等の有機溶媒に対
して溶解性が良くなるので、アセトンのような安価な有
機溶媒をリフトオフ工程時に用いることが出来る。
レジスト皮膜に対して先ず３００ｎ腸以上の長波長の紫
外線で一括′露光を行い、次いで３００ｎｍ以下の遠紫
外線で選択露光を行う、このＬＭＲはこの紫外線の一括
露光によりキノンジアジド基が分解する。この分解生成
物の２５０ ＪＬｔｓにおける吸光係数は１２ＩＬ腸で
あり、これに対し、ＬＭＲ自体の吸光係数は同一波長で
８川腸であり、分解生成物の吸光係数の方がＬＭＲに比
べ小さくなる。従って、この紫外線照射によりＬＭＲは
遠紫外線領域での透過が良くなので、上述したこの発明
におけるように、紫外線の照射に続いて遠紫外線でのマ
スクを介する選択露光を行うと、遠紫外線がレジスト皮
１１Ａ中を表面から深い位置の所まで達して現像液に対
して不溶化し、これがため、現像の際、オーバーハング
量が小さくなり、パターン切れがなくなり、しかも、こ
の分解したＬＭＲは現像によるパターンの膨潤がないの
で、厚膜のレジストであっても良好に微細なパターニン
グが出来ることとなる。さらに、この３００ｎ■以上の
紫外線照射により、ＬＭＲはアセトン等の有機溶媒に対
して溶解性が良くなるので、アセトンのような安価な有
機溶媒をリフトオフ工程時に用いることが出来る。
また、この発明における遠紫外線の露光量は、紫外線照
射を行わない場合に比べて、約３倍となるが、この程度
の露光量はスループット等に実質的に同等悪影響を及ぼ
さない。
射を行わない場合に比べて、約３倍となるが、この程度
の露光量はスループット等に実質的に同等悪影響を及ぼ
さない。
（発明の効果）
このように、この発明のレジストパターンの形成方法に
よれば、レジスト材料としてキノンジアジドスルフォン
酸エステルを用い、これを基板上に塗布して形成したレ
ジスト皮膜に対し、最初に３００ ｎｍ以上の紫外線を
一括照射して露光し、続いて、遠紫外線で選択露光を行
うので、サブミクロンという微細なパターンであっても
、また、厚膜のレジスト皮膜であっても、現像のみで、
レジストの断面形状が良好なオーバーハング形状のレジ
ストパターンを形成することが出来るという利点がある
。
よれば、レジスト材料としてキノンジアジドスルフォン
酸エステルを用い、これを基板上に塗布して形成したレ
ジスト皮膜に対し、最初に３００ ｎｍ以上の紫外線を
一括照射して露光し、続いて、遠紫外線で選択露光を行
うので、サブミクロンという微細なパターンであっても
、また、厚膜のレジスト皮膜であっても、現像のみで、
レジストの断面形状が良好なオーバーハング形状のレジ
ストパターンを形成することが出来るという利点がある
。
また、工程的にも、この紫外線の一括照射による露光工
程はマスク合せ等の工程を必要としないので、従来より
も簡単かつ容易な工程によって、スループットに優れ、
再現性良く、好適なレジストパターンを形成することが
出来る利点がある。
程はマスク合せ等の工程を必要としないので、従来より
も簡単かつ容易な工程によって、スループットに優れ、
再現性良く、好適なレジストパターンを形成することが
出来る利点がある。
さらにまた、ＬＭＲのこの紫外線による分解生成物は現
像によるパターンの膨、潤が無いので、従来よりも高解
像の奇麗なパタニンを形成することが出来るという利点
がある。
像によるパターンの膨、潤が無いので、従来よりも高解
像の奇麗なパタニンを形成することが出来るという利点
がある。
また、従来ではＬＭＨのリフトオフを高価なジメチルホ
ルムアミドで行っていたが、この発明によれば、ＬＭＲ
に上述のような紫外線照射を行っているので、安価なア
セトンのような有機溶媒を使用することが出来るという
利点がある。
ルムアミドで行っていたが、この発明によれば、ＬＭＲ
に上述のような紫外線照射を行っているので、安価なア
セトンのような有機溶媒を使用することが出来るという
利点がある。
さらに、このレジスト材料が耐熱性に優れているので、
被着層の被着時に基板加熱を行うことにより、レジスト
及び被着層の基板に対する密着性を高めることが出来る
という利点がある。
被着層の被着時に基板加熱を行うことにより、レジスト
及び被着層の基板に対する密着性を高めることが出来る
という利点がある。
尚、この発明によるパターン形成方法は、紫外線の照射
により溶解性が促進し、かつ、遠紫外線の照射により不
溶化するレジストであれば、全て適用出来る。
により溶解性が促進し、かつ、遠紫外線の照射により不
溶化するレジストであれば、全て適用出来る。
こ力発明によるレジストパターン形成方法によれば、レ
ジスト皮膜がｌＩＬ鵬のように厚くても、リフトオフに
好適な微細パターンを形成出来るので、この発明のパタ
ーン形成方法を半導体デバイス、磁気バブル素子１表面
弾性波デバイス、光応用部品等の製造に利用して好適で
ある。
ジスト皮膜がｌＩＬ鵬のように厚くても、リフトオフに
好適な微細パターンを形成出来るので、この発明のパタ
ーン形成方法を半導体デバイス、磁気バブル素子１表面
弾性波デバイス、光応用部品等の製造に利用して好適で
ある。
特許出願人 沖電気工業株式会社
Claims (1)
- 基板表面」二に形成したレジスト皮膜を露光した後現像
してレジストパターンを形成するに当り、該レジスト皮
膜をキノンジアジドスルフォン酸エステルの皮１１シと
し、前記露光を該レジスト皮膜に対し３００ ｎｍ以上
の長波長の紫外線で一括露光する工程と、その後に該レ
ジスト皮膜に対し３００ｎｍ以下の遠紫外線で選択露光
する工程とで行うことを特徴とするレジストパターンの
形成方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58239295A JPS60130828A (ja) | 1983-12-19 | 1983-12-19 | レジストパタ−ンの形成方法 |
| US06/594,481 US4609615A (en) | 1983-03-31 | 1984-03-27 | Process for forming pattern with negative resist using quinone diazide compound |
| EP84302145A EP0124265B1 (en) | 1983-03-31 | 1984-03-29 | Process for forming pattern with negative resist |
| DE8484302145T DE3466741D1 (en) | 1983-03-31 | 1984-03-29 | Process for forming pattern with negative resist |
| CA000450963A CA1214679A (en) | 1983-03-31 | 1984-03-30 | Process for forming pattern with negative resist |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58239295A JPS60130828A (ja) | 1983-12-19 | 1983-12-19 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60130828A true JPS60130828A (ja) | 1985-07-12 |
| JPH0458170B2 JPH0458170B2 (ja) | 1992-09-16 |
Family
ID=17042603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58239295A Granted JPS60130828A (ja) | 1983-03-31 | 1983-12-19 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60130828A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6278550A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-04-10 | マイクロシィ・インコーポレーテッド | 放射感受性フイルムの現像法 |
| JPS62295420A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-22 | Ushio Inc | レジスト処理方法 |
| JPS63198324A (ja) * | 1987-02-13 | 1988-08-17 | Toshiba Corp | パタ−ン形成方法 |
Citations (3)
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| JPS56140345A (en) * | 1980-04-02 | 1981-11-02 | Hitachi Ltd | Formation of pattern |
| JPS57153435A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
-
1983
- 1983-12-19 JP JP58239295A patent/JPS60130828A/ja active Granted
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| JPS62295420A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-22 | Ushio Inc | レジスト処理方法 |
| JPH0812840B2 (ja) * | 1986-06-16 | 1996-02-07 | ウシオ電機株式会社 | レジスト処理方法 |
| JPS63198324A (ja) * | 1987-02-13 | 1988-08-17 | Toshiba Corp | パタ−ン形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0458170B2 (ja) | 1992-09-16 |
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