JPS6045244A - レジストパタ−ンの形成方法 - Google Patents
レジストパタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS6045244A JPS6045244A JP58153819A JP15381983A JPS6045244A JP S6045244 A JPS6045244 A JP S6045244A JP 58153819 A JP58153819 A JP 58153819A JP 15381983 A JP15381983 A JP 15381983A JP S6045244 A JPS6045244 A JP S6045244A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- film
- resist pattern
- cyclohexanone
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C5/00—Photographic processes or agents therefor; Regeneration of such processing agents
- G03C5/08—Photoprinting; Processes and means for preventing photoprinting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は半導体装置等の製造に際し金属、絶縁物等の被
着層のパターニングをリフトオフで行うためのレジスト
パターンの形成方法に関する。
着層のパターニングをリフトオフで行うためのレジスト
パターンの形成方法に関する。
（従来技術の説明）
半導体装置等の製造に際し、金属、絶縁物等の被着層を
パターン形成する方法として従来からエツチングによる
方法及びリフトオフによる方法の二つの方法が知られて
いる。リフトオフ方法は簡易の方法であり、エツチング
による損傷がなく、微細パターン形成に適しており、ま
た、工・ンチングが困難な金属でも容易に、＜ターニン
グＩｌｌ来るという利点がある。しかしながら、１ノツ
トオフによる方法はレジスト膜の断面形状、耐熱性、溶
解性、密着性等に関しての厳しい条件が要求されている
９例えば、リフトオフにより容易番とノ（ターン形成が
出来るためにはレジスト膜上１こ被着された被着層がレ
ジストの溶解と共に容易に除去出来ることが必要であり
、このため番とｔ士）くターン形成されたレジスト膜の
断面形状がオー／九−ノ＼ング形状となっている必要が
ある。
パターン形成する方法として従来からエツチングによる
方法及びリフトオフによる方法の二つの方法が知られて
いる。リフトオフ方法は簡易の方法であり、エツチング
による損傷がなく、微細パターン形成に適しており、ま
た、工・ンチングが困難な金属でも容易に、＜ターニン
グＩｌｌ来るという利点がある。しかしながら、１ノツ
トオフによる方法はレジスト膜の断面形状、耐熱性、溶
解性、密着性等に関しての厳しい条件が要求されている
９例えば、リフトオフにより容易番とノ（ターン形成が
出来るためにはレジスト膜上１こ被着された被着層がレ
ジストの溶解と共に容易に除去出来ることが必要であり
、このため番とｔ士）くターン形成されたレジスト膜の
断面形状がオー／九−ノ＼ング形状となっている必要が
ある。
現状ではこのオーバー／＼ング形状を形成するためレジ
ストを多層構造とするか又はポジ形ホトレジスト、例え
ば、ＡＺ−１３５０Ｊ （Ｓｈｉｐｌｅｙ社製のホトレ
ジストの商品名）のクロルベンゼン処理力（使用されて
い−る。これらの処理は煩雑であり、スル−プットで劣
り、また、再現性も必ずしも良くなかった。
ストを多層構造とするか又はポジ形ホトレジスト、例え
ば、ＡＺ−１３５０Ｊ （Ｓｈｉｐｌｅｙ社製のホトレ
ジストの商品名）のクロルベンゼン処理力（使用されて
い−る。これらの処理は煩雑であり、スル−プットで劣
り、また、再現性も必ずしも良くなかった。
（発明の目的）
本発明の目的は、上述した従来の欠点番と鑑み、レジス
トパターンを形成するレジスト膜の断面形状をサブミク
ロンのオーダでオーバーハング形状に容易に形成し得、
高感度で高解像度が得られ、しかも、現像後のレジスＩ
・パターンのレジスト膜にクラックが発生しないように
なしたパターン形成方法を提供するにある。
トパターンを形成するレジスト膜の断面形状をサブミク
ロンのオーダでオーバーハング形状に容易に形成し得、
高感度で高解像度が得られ、しかも、現像後のレジスＩ
・パターンのレジスト膜にクラックが発生しないように
なしたパターン形成方法を提供するにある。
（発明の構成）
この目的の達成を図るため、本発明によれば、基板表面
上にレジスト膜として形成されたキノンジアジドを有す
る重合体の皮膜を遠紫外線で露光する工程と、この皮膜
をシクロヘキサノンを含有する溶媒を用いて現像する工
程とを含むことを特徴とする。
上にレジスト膜として形成されたキノンジアジドを有す
る重合体の皮膜を遠紫外線で露光する工程と、この皮膜
をシクロヘキサノンを含有する溶媒を用いて現像する工
程とを含むことを特徴とする。
（実施例の説明）
以下、本発明の実施例につき説明する。
本発明者等は、リフトオフ法における従来の欠点を解決
するために、数々の実験から現像のみでレジストパター
ンの断面形状をオーバーハング形状と容易になし得、高
感度で高解像度が得られ、しかも、現像後のレジストパ
ターンにクラックが発生しないレジスト材料としてオリ
ゴマーのキノンジアジドエステルが好適であることを見
１．を出すと共に、このレジスト材ネ１の現像用溶媒と
してシクロヘキサノンを含有する溶媒が好適であること
を見い出した。
するために、数々の実験から現像のみでレジストパター
ンの断面形状をオーバーハング形状と容易になし得、高
感度で高解像度が得られ、しかも、現像後のレジストパ
ターンにクラックが発生しないレジスト材料としてオリ
ゴマーのキノンジアジドエステルが好適であることを見
１．を出すと共に、このレジスト材ネ１の現像用溶媒と
してシクロヘキサノンを含有する溶媒が好適であること
を見い出した。
次に、本発明によるレジストパターン形成方法の実施例
及び比較例について説明する。
及び比較例について説明する。
実施例１
この実施例では、レジスト材料としてキノンジアジド゛
エステルの一種であるノポラ・ンク樹脂のナフトキノン
−１，２−ジアジド−５−スルフォン酸エステル（以下
ＬＭＲと称する）を使用した。
エステルの一種であるノポラ・ンク樹脂のナフトキノン
−１，２−ジアジド−５−スルフォン酸エステル（以下
ＬＭＲと称する）を使用した。
この場合、重合度が低いことが解像度を高める一原因で
あることを考慮して重合度が２０以下のノボラック樹脂
のナフトキノン−１，２−ジアジ１ζ′−５−スルフォ
ン酸エステルを使用した。先ス、こＯＬＭＦＬｆｔｊ−
１−）Ｉｙ−Ｍ）Ｉｙ’））ｂｊ７−ＦＴ−ｘ：’ｔａ
ｐｓ° 、・１てこの溶液を０・２ルｍのフィルターで
癌過し、然る後、シリコン基板上に０．６ｐＬｍの厚さ
で塗布し皮膜すなわちレジスト膜を形成した。次に、レ
ジスト膜を有する基板を６０°Ｃの温度で３０分間熱処
理（プレベーク）した後、このレジスト膜を５００Ｗの
Ｘｅ−Ｈｇランプからの主として１８０〜３００ｎｍの
遠紫外線で、マスクを密着させて、５秒、８秒、１０秒
の各露光を行った。次に、これらの試料を１００°Ｃの
温度で３０分間加熱処理した後、レジスト膜をシクロヘ
キサノンを含有する溶媒、すなわち、体積比でシクロヘ
キサノン２に対してシクロヘキサン３を加えた程合溶液
で、２０秒間、現像してパターニングを行ったところ、
０．５ ｇｍのラインアントス（−スは充分解像された
ことが確認された。これにより得られたレジストパター
ンを形成するレジメ）・膜の断面形状はオーバーハング
形状を有していることが確認された。
あることを考慮して重合度が２０以下のノボラック樹脂
のナフトキノン−１，２−ジアジ１ζ′−５−スルフォ
ン酸エステルを使用した。先ス、こＯＬＭＦＬｆｔｊ−
１−）Ｉｙ−Ｍ）Ｉｙ’））ｂｊ７−ＦＴ−ｘ：’ｔａ
ｐｓ° 、・１てこの溶液を０・２ルｍのフィルターで
癌過し、然る後、シリコン基板上に０．６ｐＬｍの厚さ
で塗布し皮膜すなわちレジスト膜を形成した。次に、レ
ジスト膜を有する基板を６０°Ｃの温度で３０分間熱処
理（プレベーク）した後、このレジスト膜を５００Ｗの
Ｘｅ−Ｈｇランプからの主として１８０〜３００ｎｍの
遠紫外線で、マスクを密着させて、５秒、８秒、１０秒
の各露光を行った。次に、これらの試料を１００°Ｃの
温度で３０分間加熱処理した後、レジスト膜をシクロヘ
キサノンを含有する溶媒、すなわち、体積比でシクロヘ
キサノン２に対してシクロヘキサン３を加えた程合溶液
で、２０秒間、現像してパターニングを行ったところ、
０．５ ｇｍのラインアントス（−スは充分解像された
ことが確認された。これにより得られたレジストパター
ンを形成するレジメ）・膜の断面形状はオーバーハング
形状を有していることが確認された。
実施例２
この実施例では、ＬＭＲのレジスト材料の厚さを１．２
ｐｍとした。そして、露光時間を１０秒として実施例１
と同様にして露光を行った。この露光後１００°Ｃで３
０分間加熱した後、体積比でシクロヘキサノン１に対し
てシクロヘキサンｌと、水０．００２とを加えた混合溶
液で、１５秒間、現像してノくターニングを行ったとこ
ろ、０．５ｇｍのスペースのノくターンが得られた。ま
た、得られたレジスト膜ぐターンのレジスト膜にはクラ
ックが発生していないことが確認された。
ｐｍとした。そして、露光時間を１０秒として実施例１
と同様にして露光を行った。この露光後１００°Ｃで３
０分間加熱した後、体積比でシクロヘキサノン１に対し
てシクロヘキサンｌと、水０．００２とを加えた混合溶
液で、１５秒間、現像してノくターニングを行ったとこ
ろ、０．５ｇｍのスペースのノくターンが得られた。ま
た、得られたレジスト膜ぐターンのレジスト膜にはクラ
ックが発生していないことが確認された。
実施例３
この実施例では実施例１の場合と同様にレジスト膜を形
成し、加熱し、露光し、然る後、１００°Ｃで３０分間
加熱した後、体積比でシクロヘキサノン２に対してイソ
プロピルアルコール４を加えた混合溶液で、２０秒間、
現像してパターニングを行ったところ、０．５ ｐ−ｍ
のラインアンｉ・スペースのレジストパターンが得られ
た。
成し、加熱し、露光し、然る後、１００°Ｃで３０分間
加熱した後、体積比でシクロヘキサノン２に対してイソ
プロピルアルコール４を加えた混合溶液で、２０秒間、
現像してパターニングを行ったところ、０．５ ｐ−ｍ
のラインアンｉ・スペースのレジストパターンが得られ
た。
実施例４
この実施例では、レジスト材料として重合度ＩＯ以下の
ビニルフェノールのナフトキノン−１，２−ジアジ１８
−５−スルフォン酸エステルを用いて実施例１と同様に
皮膜形成、加熱（プレベーク）及び露光を行った。この
場合の露光時間を２０秒とした。然る後、１００℃で３
０分間加熱処理した後、体積比でシクロヘキサノンｌに
さ４してシクロヘキサン２を加えた混合溶液で、２０秒
間、現像してパターニングを行ったところ、０．７５Ａ
Ｌｍのラインアンドスペースが得られた。
ビニルフェノールのナフトキノン−１，２−ジアジ１８
−５−スルフォン酸エステルを用いて実施例１と同様に
皮膜形成、加熱（プレベーク）及び露光を行った。この
場合の露光時間を２０秒とした。然る後、１００℃で３
０分間加熱処理した後、体積比でシクロヘキサノンｌに
さ４してシクロヘキサン２を加えた混合溶液で、２０秒
間、現像してパターニングを行ったところ、０．７５Ａ
Ｌｍのラインアンドスペースが得られた。
尚、上述の各実施例において現像温度は２３°Ｃとした
。
。
これら実施例の実験結果から明らかのように、ＬＭＲは
遠紫外線が照射されることにより照射を受だ部分が構造
変化する。そして、シクロヘキサノンを含有する溶媒に
は不溶となり、ネガ形のレジストパターンを得ることが
出来る。しかし、本発明の場合には、現像されたレジス
トパターンがジメチルホルムアミドに溶解することから
も明らかのように、遠紫外線の照射を受た部分は完全に
はゲル化されていない。
遠紫外線が照射されることにより照射を受だ部分が構造
変化する。そして、シクロヘキサノンを含有する溶媒に
は不溶となり、ネガ形のレジストパターンを得ることが
出来る。しかし、本発明の場合には、現像されたレジス
トパターンがジメチルホルムアミドに溶解することから
も明らかのように、遠紫外線の照射を受た部分は完全に
はゲル化されていない。
また、レジストの現像液として用いたシクロヘキサノン
を含有する溶媒によれば、レジストＩＩ’Ａの露光部分
と未露光部分との間での溶解速度比を大きく取れると共
に、露光部分を膨ｆｉｌｌさせないことが確認された。
を含有する溶媒によれば、レジストＩＩ’Ａの露光部分
と未露光部分との間での溶解速度比を大きく取れると共
に、露光部分を膨ｆｉｌｌさせないことが確認された。
従って、このような現像液を用いてレジストパターンを
形成すると、各隣接するレジスト層が接着したりしない
ため、高解像度が得られ、よって、レジストパターンの
サブミクロンオーダでの微細加工が可能となる。
形成すると、各隣接するレジスト層が接着したりしない
ため、高解像度が得られ、よって、レジストパターンの
サブミクロンオーダでの微細加工が可能となる。
（発明の効果）
このように本発明によれば、レジスト材料としてオリゴ
マーのキノンジアジドエステルを用いて皮膜を形成し、
このレジスト膜に遠紫外線を照射した後、シクロヘキサ
ノンを含有する溶媒で現像するのであるから、本発明に
よれば、レジストパターンを形成するレジスト層の断面
形状をサブミクロンのオーダでオーバーハング形状に容
易に形成し得ると共に、遠紫外線に対し高感度かつ高解
像度で、しかも、現像後のレジストパターンの層にクラ
ックが発生しないようにしてレジストパターンを形成す
ることが出来るという利点が得もれる。
マーのキノンジアジドエステルを用いて皮膜を形成し、
このレジスト膜に遠紫外線を照射した後、シクロヘキサ
ノンを含有する溶媒で現像するのであるから、本発明に
よれば、レジストパターンを形成するレジスト層の断面
形状をサブミクロンのオーダでオーバーハング形状に容
易に形成し得ると共に、遠紫外線に対し高感度かつ高解
像度で、しかも、現像後のレジストパターンの層にクラ
ックが発生しないようにしてレジストパターンを形成す
ることが出来るという利点が得もれる。
。□、１よ、。あ、うえ７、ッ７．□、エ ・；１．・
の他の電子素子等の製造に適用して々Ｉ適である。
の他の電子素子等の製造に適用して々Ｉ適である。
Claims (1)
- 基板表面上にレジス）Ｍとして形成されたオリゴマーの
キノンジアジドエステルの皮膜を遠紫外線で露光する工
程と、該皮膜をシクロヘキサノンを含有する溶媒で現像
してレジストパターンを形成する工程とを含むことを特
徴とするレジストパターンの形成方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58153819A JPS6045244A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | レジストパタ−ンの形成方法 |
| US06/594,481 US4609615A (en) | 1983-03-31 | 1984-03-27 | Process for forming pattern with negative resist using quinone diazide compound |
| EP84302145A EP0124265B1 (en) | 1983-03-31 | 1984-03-29 | Process for forming pattern with negative resist |
| DE8484302145T DE3466741D1 (en) | 1983-03-31 | 1984-03-29 | Process for forming pattern with negative resist |
| CA000450963A CA1214679A (en) | 1983-03-31 | 1984-03-30 | Process for forming pattern with negative resist |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58153819A JPS6045244A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6045244A true JPS6045244A (ja) | 1985-03-11 |
Family
ID=15570779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58153819A Pending JPS6045244A (ja) | 1983-03-31 | 1983-08-23 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6045244A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS625241A (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | フオトマスクの製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51135641A (en) * | 1975-05-20 | 1976-11-24 | Kimoto & Co Ltd | Photosensitive film |
| JPS5692536A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-27 | Fujitsu Ltd | Pattern formation method |
| JPS58114034A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-07 | Daicel Chem Ind Ltd | 画像形成方法 |
| JPS59181535A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | ネガレジストのパタ−ン形成方法 |
-
1983
- 1983-08-23 JP JP58153819A patent/JPS6045244A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51135641A (en) * | 1975-05-20 | 1976-11-24 | Kimoto & Co Ltd | Photosensitive film |
| JPS5692536A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-27 | Fujitsu Ltd | Pattern formation method |
| JPS58114034A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-07 | Daicel Chem Ind Ltd | 画像形成方法 |
| JPS59181535A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | ネガレジストのパタ−ン形成方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS625241A (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | フオトマスクの製造方法 |
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