JPS59115763A - 超音波フオグ処理装置 - Google Patents

超音波フオグ処理装置

Info

Publication number
JPS59115763A
JPS59115763A JP22524882A JP22524882A JPS59115763A JP S59115763 A JPS59115763 A JP S59115763A JP 22524882 A JP22524882 A JP 22524882A JP 22524882 A JP22524882 A JP 22524882A JP S59115763 A JPS59115763 A JP S59115763A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
fog
vessel
treated
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP22524882A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0517700B2 (ja
Inventor
Takayoshi Matsuyama
松山 隆義
Terukazu Sasa
笹 輝一
Setsuo Nagashima
長島 節夫
Satoshi Araibara
新井原 聡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP22524882A priority Critical patent/JPS59115763A/ja
Publication of JPS59115763A publication Critical patent/JPS59115763A/ja
Publication of JPH0517700B2 publication Critical patent/JPH0517700B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (al  発明の技術分野 本発明は半導体基板などの電子部品を製造する際に、エ
ソヂングや洗浄などの処理をする処理装置に関する。
(bl  従来技術と問題点 例えば、半導体装置を製造する際に、ウェハープロセス
では溶液処理工程が繰り返しおこなわれる。従来、での
ような処理工程は溶液に浸積する方法が用いられていた
が、最近にはスプレーで溶液を注ぐ処理方法が用いられ
るようになってきた。
それは処理液量が少なくて済み、処理ムラが減少するな
どの利点があるからである。
しかしながら、スプレ一式処理法は溶液を噴射した際に
溶媒が蒸発して溶液濃度が変化したり、スプレー圧力や
周囲温度によって処理速度が変わり、処理条件を一定に
することは難しいことである。
従って、例えば半導体ウエノ−−一やフォトマスクにレ
ジスト膜パターンを形成して工・ノチングする際、現像
液をレジスト膜にスプレーで噴射するとレジスト膜にダ
メージを与えてピンホールが発生ずる問題がある。
(cl  発明の目的 本発明はこのような問題点を除去し、被処理試料にダメ
ージ(損傷)を与えない処理装置を提案するものである
(dl  発明の構成 その目的は、 超音波エネルギーによって処理溶液を霧
状にして、被処理試料に該処理溶液を接触させるように
した超音波フォグ処理装置によって達成される。
(Ql  発明の実施例 周知のように、超音波とは周波数10KH2〜10MH
zであって、超音波を液体中に発生させると液体が撮動
して攪拌作用が起こり、液体が霧(フォグ:Fog)状
になって蒸発する。このようなフォグは運動エネルギー
が小さくて、被処理試料に損傷を与えないため、本発明
はこの超音波フォグを利用するものである。
第1図は本発明による一実施例の断面構造図で、被処理
試料lをガラス基板にクロム膜を被着し、その上のレジ
スト膜を露光処理したフォトマスクとする。これを現像
する場合の実施例であり、処理容器2内で被処理試料1
が保持台3に真空吸着されて保持され、保持台は数10
0回/分の速度で回転していて、処理容器2内全体は排
気されている。その処理容器2側方にフォグ発生器4が
設けられ、フォグ発生器4では超音波発振器5によって
現像液容器6からフォグを発生して、送入管7によって
処理容器1内にフォグを送り込んで現像を行う。送入管
7にはシャッター8を設けて、処理が済むとフォグを遮
断する。このようにして、処理試料にダメージを与えな
い処理を行うことができる。
また、連続処理する場合には、第2図に示す平面図のよ
うに処理容器2の周囲に複数のフォグ発生器41,42
,43.44を配置し、送入管17を用いて交互にフォ
グを送り込む。例えば、上記のフォトマスクを現像、洗
浄、エツチング、洗浄の4処理を連続して行う場合に利
用できる。
ffl  発明の効果 以上の説明から判るように、本発明は被処理試料にダメ
ージを与えることがなくなる処理装置であって、半導体
装置その他の部品の品質向上に役立つものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による一実施例のフォグ処理装置の断面
構造図、第2図は本発明にょる他のフォグ処理装置の平
面図である。 図中、1は被処理試料、2は処理容器、3は保持台、4
,41,42,43.44はフォグ発生器、5は超音波
発振器、6は液容器、7.17は第1図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 超音波エネルギーによって処理溶液を霧状にして、被処
    理試料に該処理溶液を接触させるようにしたことを特徴
    とする超音波フォグ処理装置。
JP22524882A 1982-12-21 1982-12-21 超音波フオグ処理装置 Granted JPS59115763A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22524882A JPS59115763A (ja) 1982-12-21 1982-12-21 超音波フオグ処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22524882A JPS59115763A (ja) 1982-12-21 1982-12-21 超音波フオグ処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59115763A true JPS59115763A (ja) 1984-07-04
JPH0517700B2 JPH0517700B2 (ja) 1993-03-09

Family

ID=16826321

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22524882A Granted JPS59115763A (ja) 1982-12-21 1982-12-21 超音波フオグ処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59115763A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02194527A (ja) * 1989-01-23 1990-08-01 Dan Sangyo Kk 被膜除去方法
JPH04215436A (ja) * 1990-12-14 1992-08-06 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコンウェハの洗浄方法及びその洗浄装置
JP2002096004A (ja) * 2000-09-21 2002-04-02 Inoue Kinzoku Kogyo Co Ltd 塗工装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5636339A (en) * 1979-08-30 1981-04-09 Sekisui Prefab Homes Ltd Punching device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5636339A (en) * 1979-08-30 1981-04-09 Sekisui Prefab Homes Ltd Punching device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02194527A (ja) * 1989-01-23 1990-08-01 Dan Sangyo Kk 被膜除去方法
JPH04215436A (ja) * 1990-12-14 1992-08-06 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコンウェハの洗浄方法及びその洗浄装置
JP2002096004A (ja) * 2000-09-21 2002-04-02 Inoue Kinzoku Kogyo Co Ltd 塗工装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0517700B2 (ja) 1993-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20060028626A1 (en) Megasonic immersion lithography exposure apparatus and method
JPS61220328A (ja) リフト・オフ・マスクの製造方法
JPS59115763A (ja) 超音波フオグ処理装置
JPS5941300B2 (ja) 現像処理装置
JP2563689B2 (ja) プラズマ反応装置
JPH0790628A (ja) 薄膜のエッチング装置およびエッチング方法
JPS59132127A (ja) レジストパタ−ンの形成方法及び装置
JPH09246166A (ja) フォトレジストの現像方法
JPH04196425A (ja) 薬液処理装置
JPS6241792B2 (ja)
JP2941085B2 (ja) フォトレジストの現像方法および現像装置
JPH0320017A (ja) 半導体製造装置
JPS63310117A (ja) 半導体製造用現像装置
JPH076944A (ja) 薬液処理方法および装置
JPH0777810A (ja) 感光性ポリマ被膜の現像装置および現像方法
JPS6161416A (ja) 半導体製造装置
JPH08241853A (ja) リンス液乾燥方法及びその装置
JPH04131857A (ja) フォトレジストの現像方法
JPH0764296A (ja) 感光性ポリマの現像方法
JPH0283926A (ja) ウェーハ上の静電気除去方法
JPH0649661A (ja) 現像装置
JPS6273744A (ja) 金属配線パタ−ンの形成方法
JPH04283751A (ja) 感光性ポリイミド前駆体の現像方法
JPH0325919A (ja) 現像装置
JPH02294017A (ja) リソグラフィ法