JPH04215436A - シリコンウェハの洗浄方法及びその洗浄装置 - Google Patents

シリコンウェハの洗浄方法及びその洗浄装置

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JPH04215436A
JPH04215436A JP40240090A JP40240090A JPH04215436A JP H04215436 A JPH04215436 A JP H04215436A JP 40240090 A JP40240090 A JP 40240090A JP 40240090 A JP40240090 A JP 40240090A JP H04215436 A JPH04215436 A JP H04215436A
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茂義 祢津
Masaki Kametani
亀谷 巨樹
Yasuyuki Harada
康之 原田
Yutaka Amano
裕 天野
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンウェハの洗浄
方法及びその洗浄装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、シリコンウェハを洗浄するには、
(1) 洗浄液である弗酸水溶液を満たした槽内にシリ
コンウェハを浸漬する方法、(2) シリコンウェハに
高圧噴射装置を用いては洗浄液である弗酸水溶液を噴射
する方法、が知られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記洗
浄方法は次のような欠点があった。即ち、前記(1) 
の浸漬による方法では洗浄液の清浄度を管理することが
困難である。また、前記(2)の洗浄方法ではシリコン
ウェハへの洗浄液の噴射時間や圧力分布が一定とならな
い。更に、前記各洗浄方法は洗浄液中に分散される微粒
子状物質による汚染を招く。従って、いずれの洗浄方法
ともシリコンウェハ表面全体を均一にエッチングできず
、かつ微粒子状物質による二次汚染を招くため、シリコ
ンウェハの表面全体を均一かつ高い清浄度で洗浄できな
いという問題があった。
【0004】本発明は、上記従来の問題点を解決するた
めになされたもので、シリコンウェハの表裏面全体を均
一かつ高い清浄度で洗浄し得る方法、並びにかかる均一
かつ高い清浄度で洗浄を実現し得る装置を提供しようと
するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明に係わるシリコン
ウェハの洗浄方法は、霧発生室内で弗酸水溶液に高周波
振動を与えて弗酸水溶液の霧を発生させる工程と、前記
弗酸水溶液の霧を処理室内に輸送させ、前記処理室に立
てて配置したシリコンウェハを前記霧の雰囲気に曝して
エッチングを行う工程と、前記霧の雰囲気に曝されたシ
リコンウェハに純水を該ウェハ面に沿って噴射すること
により該ウェハ両面をリンスする工程とを具備したこと
を特徴とするものである。前記弗酸水溶液としては、例
えば弗酸濃度が 0.1〜50%のものを用いることが
望ましい。
【0006】また、本発明に係わるシリコンウェハの洗
浄装置は弗酸水溶液の高周波振動ノズルが付設された霧
発生室と、前記霧発生室に連結された処理室と、前記霧
発生室と前記処理室との連通部に配置されたシャッタと
、前記処理室内に複数のシリコンウェハを立てて収納し
た収納部材を搬送するための搬送手段と、前記収納部材
の上方に位置する前記処理室に設けられ、純水を前記収
納部材の各シリコンウェハ面に沿って噴射するための純
水噴射ノズルとを具備したことを特徴とするものである
【0007】前記高周波振動ノズルは、本体内に設けら
れた振動子に高周波発振器から高周波を供給し、該振動
子に取り付けた振動板が1〜4MHzの高周波を発生す
る構造のものが望ましい。かかる高周波振動ノズルは、
前記霧発生室の側壁又は底面或いは両方に設けることが
可能である。特に、前記霧発生室の底面に設けられる前
記高周波振動ノズルは、そのノズル口が該霧発生室の底
部付近に満たされた弗酸水溶液の水面より下に位置する
ように配置することが望ましい。
【0008】本発明に係わる洗浄装置においては、矩形
筒状の輸送路を前記霧発生室と処理室の隔壁部分に貫通
させると共に、前記輸送路の両端を前記各室に突出させ
、かつ前記霧発生室側に位置する前記輸送路の端部にシ
ャッタを配置し、更に前記輸送路に清浄度の高い空気又
は不活性ガス(例えば窒素ガス、アルゴンガス等)を前
記処理室側に向けて噴射するためのノズルを設けてもよ
い。
【0009】
【作用】本発明方法によれば、霧発生室内で弗酸水溶液
に高周波振動を与えることによって、ミクロン乃至サブ
ミクロンオーダの霧を発生できると共に、前記オーダの
霧発生と前記発生室での霧の滞留により弗酸水溶液中の
二次汚染源となる微粒子状物質を分離できる。このよう
な弗酸水溶液の霧を処理室内に輸送させ、前記処理室に
立てて配置したシリコンウェハを前記霧雰囲気に曝すこ
とによって、前記ウェハ表裏面全体を弗酸により均一に
エッチングできる。この後、前記霧の雰囲気に曝された
シリコンウェハに純水を該ウェハ面に沿って噴射するこ
とによって、該ウェハ両面を良好にリンスできる。また
、前記エッチング及びリンス処理に際し、微粒子状物質
が分離された清浄度の高い弗酸水溶液の霧に曝すことが
できるため、前記微粒子状物質による二次汚染を防止で
きる。更に、前記エッチング及びリンス処理を密閉した
処理室で行なう、つまりクローズ状態で連続的な処理を
行なうことによって、エッチング後の活性なウェハ表裏
面の酸化を回避できる。従って、シリコンウェハの表裏
面全体を均一かつ高い清浄度で洗浄できる。
【0010】また、本発明によれば弗酸水溶液の高周波
振動ノズルが付設された霧発生室と、前記霧発生室に連
結された処理室と、前記霧発生室と前記処理室との連通
部に配置されたシャッタと、前記処理室内に複数のシリ
コンウェハを立てて収納した収納部材を搬送するための
搬送手段と、前記収納部材の上方に位置する前記処理室
に設けられ、純水を前記収納部材の各シリコンウェハ面
に沿って噴射するための純水噴射ノズルとを具備した構
成にすることによって、シリコンウェハの表裏面全体を
均一かつ高い清浄度で洗浄し得る洗浄装置を実現できる
【0011】更に、前記洗浄装置において前記霧発生室
と処理室の隔壁部分に矩形筒状の輸送路を貫通させると
共に、前記輸送路の両端を前記各室に突出させ、かつ前
記霧発生室側に位置する前記輸送路の端部にシャッタを
配置し、更に前記輸送路に清浄度の高い空気又は不活性
ガスを前記処理室側に向けて噴射するためのノズルを設
けることによって、霧発生室内の弗酸水溶液の霧を処理
室内に効率よく輸送することができ、シリコンウェハ表
裏面のエッチング及びリンス処理を短時間で行なうこと
が可能となる。
【0012】更に、前記洗浄装置において霧発生室の側
壁及び底面にそれぞれ高周波振動ノズルを設ければ、短
時間で霧発生室に弗酸水溶液の霧を満たすことができ、
該霧を処理室に輸送することによりシリコンウェハ表裏
面のエッチング及びリンス処理を短時間で行なうことが
可能となる。
【0013】
【実施例】図1は、本発明の一実施例を示す洗浄装置の
概略図である。図1において、1は霧発生室、2は前記
発生室1に隣接して配置された処理室である。これら室
1、2は、隔壁3により区画されている。前記霧発生室
1の前記隔壁3と対向する側壁には、弗酸水溶液を噴霧
するための例えばバー型高周波振動ノズル4が設けられ
ている。このノズル4は、図1の紙面方向に延びる細長
状のノズル口4aを有する本体4bと、該本体4bに内
蔵され、振動子が取り付けられた振動板(いずれも図示
せず)とから構成されている。前記ノズル4の前記振動
子には、高周波発振器5のケーブル6が接続され、該振
動子に高周波を供給することにより該振動子に取り付け
られた振動板が1〜4MHzの高周波が発生する構造に
なっている。前記ノズル4における前記振動板とノズル
口4a間に位置する本体4b部分には、例えば濃度20
%の弗酸水溶液を該本体4b内に供給するための供給管
7が連結されている。この供給管7の他端は、槽8内に
収容された弗酸水溶液9に浸漬されている。前記供給管
7には、第1ポンプ10が介装されている。前記霧発生
室1の底面には、該霧発生室1底部に満たされた弗酸水
溶液9を前記槽8内に返送するための排水管11が連結
されている。この排水管11の他端は、前記槽8内に挿
入されている。前記排水管11には、前記霧発生室1の
連結部側から第2ポンプ12及び目開きが 0.2μm
以下のフィルタ13が順次介装されている。
【0014】前記霧発生室1の底面には、別の高周波振
動ノズル14が該霧発生室1に満たされた弗酸水余溶液
9に浸漬されるように設けられている。このノズル14
は、前記霧発生室1に満たされた弗酸水溶液9の水面よ
り下に配置される丸形のノズル口14aを有する本体1
4bと、該本体14bに内蔵され、振動子が取り付けら
れた振動板(いずれも図示せず)とから構成されている
。前記ノズル14の前記振動子には、前記高周波発振器
5のケーブル15が接続され、該振動子に高周波を供給
することにより該振動子に取り付けられた振動板が1〜
4MHzの高周波が発生する構造になっている。
【0015】また、前記隔壁3には扁平四角筒状の輸送
路16がその両端を前記発生室1及び処理室2に突出す
るように貫通されている。前記霧発生室1側に位置する
前記輸送路16の端部には、該輸送路16の開口部を開
閉するためのシャッタ17が配置されている。前記霧発
生室1側に突出した輸送路16部分には、例えばクリー
ンエアーを該輸送路16内から前記処理室2側に向けて
噴射するための複数のノズル18が設けられている。
【0016】更に、図中19は前記処理室2側壁のゲー
ト20を通して該処理室2の内部と外部の間を移動する
搬送部材である。この搬送部材19には、シリコンウェ
ハを立てて収納するためのキャリア21が載置される。 前記処理室2内に搬送されたキャリア21の上方に位置
する処理室2上壁には、純水噴射ノズル22が前記キャ
リア21の長手方向(図中の紙面方向)に複数配列され
ていると共に、例えばクリーンエアーを前記処理室2内
に供給するためのガス供給ノズル23が設けられている
。前記処理室2には、該処理室2内のガス等を排気する
ための排気管24が該処理室2の底部側から挿入されて
おり、かつ該排気管24には排気ファン25が介装され
ている。更に、前記処理室2の底部にはドレイン26が
設けられている。次に、前述した洗浄装置を用いてシリ
コンウェハの洗浄方法を説明する。
【0017】まず、複数枚のシリコンウェハ27が立て
て収納されたキャリア21を搬送部材19に載せた後、
ゲート20を開き、前記搬送部材19を該ゲート20を
通して処理室2内に搬送し、ゲート20を閉じる。つづ
いて、ガス供給ノズル23から例えばクリーンエアーを
処理室2内に供給すると共に排気ファン25を作動して
処理室2内のガスを排気管24を通して排気することに
より、処理室2内をクリーンエアーに置換する。
【0018】前記処理室2内をクリーンエアーに置換す
る間に、第1ポンプ10を作動して槽8内の弗酸水溶液
9を供給管7を通してバー型高周波振動ノズル4に供給
すると共に、高周波発振器5から該振動ノズル4の振動
子に高周波を供給することにより、該振動子に取り付け
た振動板で1〜4MHzの高周波を発生する。かかる高
周波振動ノズル4への弗酸水溶液の供給、振動板による
1〜4MHzの高周波の発生によって、該振動ノズル4
のノズル口4aから弗酸水溶液の霧28が噴射される。 この時、ミクロンオーダ乃至サブミクロンオーダの霧2
7が発生されると共に、前記オーダの霧発生と前記霧発
生室1での霧28の滞留により弗酸水溶液中に本来含ま
れていた微粒子状物質が分離される。なお、前記バー型
高周波振動ノズル4の作動と共に、前記高周波発振器6
からケーブル15を通して前記霧発生室1底面に設けた
別の高周波振動ノズル14の振動子に高周波を供給する
ことにより、該振動子に取り付けられた振動板で1〜4
MHzの高周波を発生する。かかる振動板からの1〜4
MHzの高周波振動は、前記霧発生室1底部の弗酸水溶
液9に付与されることにより、該弗酸水溶液9水面から
霧が霧発生室1内に噴射される。こうした別の高周波振
動ノズル14の併用により、前記霧発生室1内に霧28
を短時間で充満させることが可能となる。前記霧発生室
1底部に満たされた弗酸水溶液9は、該水溶液9に蓄積
された微粒子状物質を系外に除去するために、第2ポン
プ12の作動により排水管11に導入され、前記排水管
11に介装したフィルタ13により微粒子状物質が除去
された後、清浄度の高い弗酸水溶液として前記槽8内に
返送される。
【0019】霧発生室1内に十分な量の霧28を充満さ
せた後、前記バー型高周波振動ノズル4の作動を停止(
別の高周波振動ノズル14を作動させた場合には、該ノ
ズルの作動も停止)し、輸送路16に配置したシャッタ
17を開く。同時に、輸送路16部分に設けた複数のノ
ズル18から例えばクリーンエアーを前記処理室2側に
向けて噴射し、同時に前記排気ファン25を作動する。 かかる操作により前記霧発生室1内の弗酸水溶液の霧2
8は、前記輸送路16内にノズル18から噴射されたク
リーンエアーに乗って処理室2側に向けて加速されて前
記処理室2内に輸送され、前記処理室2内が前記霧の雰
囲気となる。処理室2が前記霧雰囲気になると、該処理
室2内に搬送されたキャリア21内の複数のシリコンウ
ェハ27に前記弗酸水溶液の霧が接触し、各ウェハ27
の表裏面がエッチングされる。
【0020】次いで、所定時間のエッチングを行った後
、前記シャッタ17を閉じ、前記ノズル18からのクリ
ーンエアーの噴射を停止する。ひきつづき、前記キャリ
ア21の上方に配置した複数の純水噴射ノズル22から
純水を噴射する。この時、前記純水は前記キャリア21
に立てて収納された複数のウェハ27の表裏面に沿って
噴射されることにより、前記各ウェハ27の表裏面がリ
ンスされる。 このようなリンス処理に際しては、弗酸水溶液の霧がシ
リコンウェハ27に再付着するのを防止するために、リ
ンス後期に排気ファン25を作動して霧を排気管24を
通して排出することが望ましい。
【0021】次いで、純水噴射ノズル22からの純水噴
射を停止した後、前記ガス供給ノズル23からクリーン
エアーを処理室2内に供給すると共に排気ファン25を
作動して処理室2内のガスや霧を排気管24を通して排
気することにより、処理室2内をクリーンエアーに置換
する。この後、ゲート20を開き、搬送部材19により
エッチング、リンス処理後のウェハ27が収納されたキ
ャリア21をゲート20を通して処理室2の外部に搬送
する。
【0022】以上のような洗浄方法によれば、霧発生室
1で予め発生させたミクロンオーダ乃至サブミクロンオ
ーダの弗酸水溶液の霧を処理室2内に輸送し、シリコン
ウェハ27が配置された該処理室2を霧雰囲気にするこ
とにより、該ウェハ27の表裏面全体を前記弗酸水溶液
の霧で均一にエッチングすることができる。しかも、こ
の後に前記霧雰囲気に曝されたシリコンウェハ27に純
水噴射ノズル22から純水を該ウェハ27面に沿って噴
射することによって、該ウェハ27両面を良好にリンス
できる。また、前記エッチング及びリンス処理に際し、
前記ウェハ27を前記霧発生室1で既に微粒子状物質が
分離された清浄度の高い弗酸水溶液の霧に曝すことがで
きるため、前記微粒子状物質による二次汚染を防止でき
、高い清浄度でエッチング及びリンス処理することがで
きる。更に、前記エッチング及びリンス処理を密閉した
処理室2で行なう、つまりクローズ状態で連続的な処理
を行なうことによって、エッチング後の活性なウェハ2
7表裏面の酸化を回避できる。従って、シリコンウェハ
27の表裏面全体を均一かつ高い清浄度で洗浄すること
ができる。
【0023】なお、上記実施例では霧発生室に設けた高
周波振動ノズルとしてバー型のものを用いたが、これに
限定されず、通常のノズル口が丸形の高周波振動ノスル
を用いてもよい。
【0024】上記実施例では、霧発生室の底面に設けた
高周波振動ノズルとして振動子に高周波のみを供給し、
該霧発生室の底部に満たした弗酸水溶液に高周波振動を
与えて該弗酸水溶液を噴霧する構造のものを用いたが、
これに限定されない。例えば、霧発生室の側壁に設けた
高周波振動ノズルと同様な構造、つまりノズル口と振動
板の間の本体部分に弗酸水溶液を供給する構造の高周波
振動ノズルを霧発生室の底面に設けてもよい。
【0025】上記実施例では、霧雰囲気に曝された状態
のシリコンウェハに純水を噴射したが、これに限定され
ない。例えば、処理室内の霧を排気すると共に処理室内
にガス供給ノズルからアルゴン等の不活性ガスを供給し
て処理室内を不活性ガスで置換した後、シリコンウェハ
に純水を噴射してリンス処理を行ってもよい。
【0026】
【発明の効果】以上詳述した如く、本発明によればシリ
コンウェハの表裏面全体を均一かつ高い清浄度で洗浄し
得る方法、並びにかかる均一かつ高い清浄度でシリコン
ウェハの洗浄を実現し得る装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の洗浄装置を示す概略図。 1…霧発生室、2…処理室、4…高周波振動ノズル、5
…高周波発振器、8…槽、9…弗酸水溶液、14…高周
波振動ノズル、16…輸送路、17…シャッタ、18…
ノズル、19…搬送部材、20…ゲート、21…キャリ
ア、22…純水噴射ノズル、25…排気ファン、27…
シリコンウェハ、28…霧。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  霧発生室内で弗酸水溶液に高周波振動
    を与えて弗酸水溶液の霧を発生させる工程と、前記弗酸
    水溶液の霧を処理室内に輸送させ、前記処理室に立てて
    配置したシリコンウェハを前記霧の雰囲気に曝してエッ
    チングを行う工程と、前記霧の雰囲気に曝されたシリコ
    ンウェハに純水を該ウェハ面に沿って噴射することによ
    り該ウェハ両面をリンスする工程とを具備したことを特
    徴とするシリコンウェハの洗浄方法。
  2. 【請求項2】  弗酸水溶液の高周波振動ノズルが付設
    された霧発生室と、前記霧発生室に連結された処理室と
    、前記霧発生室と前記処理室との連通部に配置されたシ
    ャッタと、前記処理室内に複数のシリコンウェハを立て
    て収納した収納部材を搬送するための搬送手段と、前記
    収納部材の上方に位置する前記処理室に設けられ、純水
    を前記収納部材の各シリコンウェハ面に沿って噴射する
    ための純水噴射ノズルとを具備したことを特徴とするシ
    リコンウェハの洗浄装置。
  3. 【請求項3】  矩形筒状の輸送路を、前記霧発生室と
    処理室の隔壁部分に貫通させると共に、前記輸送路の両
    端を前記各室に突出させ、かつ前記霧発生室側に位置す
    る前記輸送路の端部にシャッタを配置し、更に前記輸送
    路に清浄度の高い空気又は不活性ガスを前記処理室側に
    向けて噴射するためのノズルを設けたことを特徴とする
    請求項2記載のシリコンウェハの洗浄装置。
  4. 【請求項4】  前記高周波振動ノズルは、前記霧発生
    室の側壁及び底面に設けられることを特徴とする請求項
    2記載のシリコンウェハの洗浄装置。
  5. 【請求項5】  前記霧発生室の底部には弗酸水溶液が
    満たされ、かつ該霧発生室の底面に設けられる前記高周
    波振動ノズルのノズル口が前記弗酸水溶液の水面より下
    に位置されていることを特徴とする請求項2記載のシリ
    コンウェハの洗浄装置。
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