KR20050016848A - 척 세정장치 및 세정방법 - Google Patents

척 세정장치 및 세정방법

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Abstract

본 발명은 이송장치에 의해 승하강되며 웨이퍼를 적재하는 슬롯들이 형성된 척을 세정하기 위한 장치 및 방법에 관한 것으로, 상부가 개방되고 세정액이 채워지는 배스, 상기 배스 상부에 위치되며 상기 척을 세정하는 세정부, 상기 척에 잔존하는 세정액을 제거하는 가스분사노즐을 포함하므로서, 배스에 공급되어지는 세정액을 오버 풀로워 상태에서 척을 투입하고, 척을 상승시키면서 발생하는 표면장력을 이용해 척에 묻어있는 파티클을 제거하고, 세정부에서 슬롯을 향해 탈이온수를 분사하므로서, 간격이 좁은 슬롯에 잔존하는 파티클을 제거할 수 있으며, 가스분사노즐에서 질소가스가 분사되어 척에 묻어있는 세정액을 제거한다.

Description

척 세정장치 및 세정방법{Apparatus and method for washing a chuck}
본 발명은 반도체 웨이퍼를 제조하는 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 웨이퍼를 적재하는 슬롯들이 형성된 척 세정장치 및 그 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조공정에서는 각 단계공정의 전후에 약액(chemical) 또는 순수(DIW)등을 이용하여 웨이퍼의 표면에 대한 세정공정을 실시하게 되는데, 이러한 세정공정에 사용되는 세정장비는 습식 식각 장치가 대표적이다.
상술한 종래의 습식 식각 장치는, 도 1에 도시된 바와 같이 용액이 저장되어 투입된 웨이퍼를 식각하는 화학조(10)와, 식각된 웨이퍼를 세척하도록 린스액이 담겨진 세정조(20,30)와, 웨이퍼의 표면에 잔류하는 세척액을 제거하는 건조조(40)와, 웨이퍼를 순차적으로 이송시키는 이송장치(100)로 구성된다.
이러한 이송장치(100)는 웨이퍼를 홀딩하는 슬롯이 형성된 척이 각 공정이 진행되는 동안 각각의 공정조에 웨이퍼와 함께 담그어지는데, 이때 상기 척과 슬롯에 이물질이 묻게되어 척을 주기적으로 세척하는 세정공정을 진행하게 된다.
도 2는 습식 식각 설비의 이송장치를 세정하는 장치가 도시되어 있다. 첨부된 도 2와 같이 이송장치(100)에 의해 상기 척은 세정액(50)이 담겨진 배스(200) 내부로 하강되어 척(110)에 묻어있는 불순물을 제거하게 된다.
그러나, 상기 척(110)에 형성되어 있으며 웨이퍼를 적재하는 슬롯들의 좁은 공간에 잔존하는 불순물은 쉽게 제거되지 않는 문제점이 있었다. 따라서, 불순물이 완전히 제거되지 않은 척(110)이 웨이퍼를 척킹하게 되어 웨이퍼를 오염시키는 문제점도 동반되었다.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 슬롯들의 작은 공간에 잔존하는 파티클을 더욱더 효과적으로 제거할 수 있는 척의 세정장치 및 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상술한 목적을 달성하기 위해 안출한 본 발명의 특징에 의하면, 이송장치에 의해 승하강되며 웨이퍼를 적재하는 슬롯들이 형성된 척을 세정하기 위한 장치는, 상부가 개방되고 세정액이 채워지는 배스, 상기 배스 상부에 위치되며 상기 척을 세정하는 세정부, 상기 척에 잔존하는 세정액을 제거하는 가스분사노즐을 포함한다.
본 발명에 따른 상기 세정부는 공급관, 상기 슬롯과 대향되는 위치의상기 공급관에 분사구들이 형성되는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명에서 상기 세정부는 탈이온수를 분사하는 노즐을 포함한다.
또한, 상기 세정부는 상기 배스와 상기 가스분사노즐 사이에 위치되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 특징에 의하면, 웨이퍼를 적재하는 슬롯들이 형성된 척을 세정하는 방법은, 상기 척을 세정액이 채워진 배스 내부로 하강시켜 상기 척을 1차세정하는 단계, 세정된 상기 척을 상기 배스 상부로 승강되는 단계, 상기 세정부로부터 상기 척의 슬롯에 탈이온수를 분사하여 2차세정하는 단계, 그리고 상기 척을 향해 상기 가스분사노즐로부터 질소가스를 분사하여 건조하는는 단계를 포함한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다. 또한, 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조번호를 병기한다.
도 3은 본 발명에 따른 이송장치의 척 세정장치를 도시한 바람직한 실시예이고, 도 4는 도 3에서 이송장치의 척 세정과정을 도시한 측단면도이다.
도 3 내지 도 4를 참조하면, 본 발명은 습식 식각장치에 사용되는 이송장치(100)의 척(110)을 세정하기 위한 것으로, 배스(200)와 세정부(120), 가스분사노즐(140)로 이루어진다.
상기 배스(200)는 상부가 개방된 내부세정조(210)와 외부저장조(220)로 구성되며, 상기 배스(200) 상부에는 이송장치(100)가 위치된다.
상기 내부세정조(210)는 그 하면, 또는 측면에 펌프(미도시)와 연결된 세정액공급관(213)이 연결되고, 이 세정액공급관(213)을 통해 상기 내부세정조(210)에 세정액(50)을 공급한다. 또한, 상기 외부저장조(220)는 하측에 배수관(222)이 설치되고, 상기 내부세정조(210)에서 오버 플로우되는 세정액(50)을 수용한 후 상기 배수관(222)을 통해 외부로 유출된다.
여기서, 상기 내부세정조(210)는 하나의 개구부(211)를 갖는 용기로 구성될 수 있지만, 바람직하게는 적은 양의 세정액(50)을 사용하기 위해 상기 내부세정조(210)의 중심부에 복수개의 격벽(212)을 형성한다.
상기 세정부(120)와 상기 가스분사노즐(140)은 상기 내부세정조(210) 상부의 개구부(211)와 인접하여 위치되는데, 상기 세정부(120)는 상기 개구부(211)의 길이방향으로 공급관(121)이 배치된다.
상기 공급관(121)은 각각의 척(110)에 형성된 슬롯(114)들과 인접되도록 각각 설치된다. 또한, 상기 공급관(121)은 상기 슬롯(114)들과 대향되는 위치에 복수개의 분사구(122)들이 형성되고, 상기 분사구(122)를 통해 탈이온수를 분사하게 된다.
한편, 상기 개구부(211) 상부의 일측에는 제 1지지부재(130a)가 결합되고, 상기 제 1지지부재(130a)와 대향되는 위치에 제 2지지부재(130b)가 결합된다. 상기 제 1지지부재(130a)와 상기 제 2지지부재(130b)는 상기 공급관(121)보다 높은 위치까지 돌출되고, 상기 제 1지지부재(130a)와 상기 제 2지지부재(130b)에는 복수개의 가스분사노즐(140)이 연결된다.
상기 가스분사노즐(140)은 질소가스가 분사되며, 상기 제 1지지부재(130a)와 상기 제 2지지부재(130b)의 일단이 연결된다. 또한, 상기 가스분사노즐(140)은 슬롯(114)들이 형성된 척(110)을 중심으로 양측방향에 각각 한쌍이 설치되어진다.
상기 척(110)은 이송장치로(100)부터 수직방향으로 연결되는 복수개의 수직부재(111,112)와 상기 수직부재(111,112)를 연결하는 수평부재(113)로 구성된다. 상기 수평부재(113)는 제 1수평부재(113a)와 제 2수평부재(113b)로 구성되고, 다수매의 웨이퍼를 적재할 수 있도록 슬롯(114)들이 형성된다.
상기 수직부재(111,112)는 한쌍의 제 1수직부재(111a,111b)와 다른 한쌍의 제 2수직부재(112a,112b)로 구성된다. 상기 제 1수평부재(113a)가 한쌍의 상기 제 1수직부재(111a,111b) 하단을 연결하고, 상기 제 2수평부재(113b)가 한쌍의 상기 제 2수직부재(112a,112b)의 하단을 연결하는 구조를 갖는다.
따라서, 웨이퍼의 가장자리를 적재하는 슬롯(114)들은 상기 웨이퍼의 크기로 인해 소정거리 이격되어 서로 마주보도록 상기 제 1수평부재(113a)와 상기 제 2수평부재(113b)의 하단부에 형성된다. 또한, 한 쌍의 상기 가스분사노즐(140)이 상기 제 1수평부재(113a)를 중심으로 양측 방향에 각각 설치되고, 다른 한쌍의 가스분사노즐(140)은 상기 제 2수평부재(113b)를 중심으로 양측 방향에 설치된다.
상술한 바와 같이 구성된 본 발명의 척 세정장치의 세정단계는 다음과 같다.
내부세정조(210)의 하단과 연결된 세정액공급관(213)을 통해 세정액(50)을 공급한다. 이때, 상기 내부세정조(210)는 오버 플로우 될 때까지 채운다음, 이송장치(100)에 의해 척(110)을 상기 내부세정조(210)의 내부에 담근다. 이때, 상기 내부세정조(210)에서 넘치는 세정액(50)은 외부저장조(220)에 흐르게 되고, 배수관(222)을 통해 외부로 유출되어진다. 소정시간이 경과되면서 수직부재(111,112)와 슬롯(114)이 형성된 수평부재(113)에 묻어있는 불순물들이 제거된다.
이후, 상기 척(110)을 상기 내부세정조(210)의 상부로 승강한다. 이때, 공급관(121)을 통해 탈이온수가 분사구(122)에서 분사되어 상기 수평부재(113)에 형성된 슬롯(114)들을 집중적으로 세정하게 된다.
상기 척(110)이 승강하게 되면서 상기 수평부재(113)의 세정이 진행되는 동안 가스분사노즐(140)에서는 질소가스를 분사하여 세정이 완료된 척(110)을 건조하게 된다.
이상과 같이, 본 발명의 척 세정장치 및 방법으로 인해 수직부재와 수평부재로 구성된 척을 세정함과 동시에, 슬롯들과 대향되는 위치에 세정부가 구비되어 슬롯들의 좁은 공간으로 분사하므로서, 상기 슬롯들에 잔존하는 불순물을 보다 효과적으로 제거할 수 있다.
이상과 같이 본 발명인 척 세정장치로 인해 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 세정액이 채워진 배스에서 슬롯 및 슬롯이 형성된 척을 세정하고, 탈이온수를 분사하는 세정부에서 척에 형성된 슬롯을 집중적으로 세정하여 미세한 불순물을 제거한 후, 가스분사노즐을 통해 질소가스를 분사하여 척에 잔존하는 세정액을 제거할 수 있다.
둘째, 웨이퍼가 적재되도록 길이방향으로 형성된 각각의 슬롯들과 대향되는 위치에 분사구가 배치되도록 하여 탈이온수가 슬롯의 깊숙한 곳에 묻어 있는 불순물을 효과적으로 제거할 수 있다.
즉, 배스에 공급되어지는 세정액을 오버 풀로워 상태에서 척을 투입하고, 척을 상승시키면서 발생하는 표면장력을 이용해 척에 묻어있는 파티클을 제거하고, 세정부에서 슬롯을 향해 탈이온수를 분사하므로서, 간격이 좁은 슬롯에 잔존하는 파티클을 제거할 수 있으며, 가스분사노즐에서 질소가스가 분사되어 척에 묻어있는 세정액을 제거한다.
도 1은 종래의 습식 식각장치에 의한 식각공정을 개략적으로 도시한 공정 흐름도이고;
도 2는 종래 습식 식각 설비의 이송장치를 세정하는 장치가 도시한 도면이며;
도 3은 본 발명에 따른 이송장치의 척 세정장치를 도시한 바람직한 실시예; 그리고,
도 4는 도 3에서 이송장치의 척 세정과정을 도시한 측단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
50 : 세정액 100 : 이송장치
110 : 척 111,112 : 수직부재
111a,111b : 제 1수직부재 112a,112b : 제 2수직부재
113 : 수평부재 113a : 제 1수평부재
113b : 제 2수평부재 114 : 슬롯
120 : 세정부 121 : 공급관
122 : 분사구 130a : 제 1지지부재
130b : 제 2지지부재 140 : 가스분사노즐
200 : 배스 210 : 내부세정조
211,221 : 개구부 212 : 격벽
213 : 세정액공급관 220 : 외부저장조
222 : 배수관

Claims (5)

  1. 이송장치에 의해 승하강되며, 웨이퍼를 적재하는 슬롯들이 형성된 척을 세정하는 장치에 있어서;
    상부가 개방되고, 세정액이 채워지는 배스와;
    상기 배스 상부에 위치되며, 상기 슬롯을 세정하는 세정부와;
    상기 척에 잔존하는 세정액을 제거하는 가스분사노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 척 세정장치.
  2. 제 1항에 있어서;
    상기 세정부는;
    공급관과;
    상기 슬롯과 대향되는 위치의 상기 공급관에 분사구들이 형성되는 것을 특징으로 하는 척 세정장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 세정부는 탈이온수를 분사하는 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 척 세정장치.
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 세정부는;
    상기 배스와 상기 가스분사노즐 사이에 위치되는 것을 특징으로 하는 척 세정장치.
  5. 웨이퍼를 적재하는 슬롯들이 형성된 척을 세정하는 방법에 있어서;
    상기 척을 세정액이 채워진 배스 내부로 하강시켜 상기 척을 1차세정하는 단계와;
    세정된 상기 척을 상기 배스 상부로 승강하는 단계와;
    상기 세정부로부터 상기 척의 슬롯에 탈이온수를 분사하여 2차세정하는 단계와; 그리고,
    상기 척을 향해 상기 가스분사노즐로부터 질소가스를 분사하여 건조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 세정방법.
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