KR100746645B1 - 지지 부재, 이를 포함하는 기판 세정 장치, 그리고 기판세정 방법. - Google Patents

지지 부재, 이를 포함하는 기판 세정 장치, 그리고 기판세정 방법. Download PDF

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Abstract

본 발명은 웨이퍼들을 세정하는 장치에 관한 것이다. 본 발명의 장치에 의하면, 세정 공정 진행시 최외곽에 제공된 기판의 외측면과 인접한 영역에 안내판이 제공된다. 상기 안내판은 상기 기판의 하단으로부터 공급된 세정액이 상기 기판의 외측면을 따라 수직 방향으로 상부로 흐르도록 안내할 수 있는 형상을 가진다.
세정, 지지부재, 안내판, 웨이퍼

Description

지지 부재, 이를 포함하는 기판 세정 장치, 그리고 기판 세정 방법. {SUPPORTER AND APPARATUS FOR CLEANING SUBSTRATES WITH THE SUPPORTER, AND METHOD FOR CLEANING SUBSTRATES}
도 1은 일반적으로 사용되는 지지부재의 사시도;
도 2는 도 1의 지지부재 사용시 웨이퍼들에 공급되는 세정액의 흐름 경로를 보여주는 도면;
도 3과 도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판 세정 장치의 단면도들;
도 5는 도 3의 지지 부재의 일 예를 보여주는 사시도;
도 6은 도 5의 지지부재의 측면도;
도 7과 도 8은 각각 도 1의 지지부재와 도 5의 지지부재 사용시 세정액의 흐름 경로를 비교하여 보여주는 도면들; 그리고
도 9는 도 1의 지지부재를 사용하여 공정 진행시 발생되는 공정불량의 일 예를 보여주는 도면이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 처리조 200 : 지지부재
220 : 지지로드 240 : 고정대
260 : 안내판 300 : 노즐
본 발명은 반도체 소자를 제조하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 반도체 기판을 세정하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 증착, 사진, 식각, 그리고 연마 등과 같은 다양한 단위 공정들의 반복적인 수행에 의해 제조된다. 세정 공정은 이들 단위 공정들을 수행할 때 반도체 웨이퍼의 표면에 잔류하는 잔류 물질(residual chemicals), 작은 파티클(small particles), 오염물(contaminants), 또는 불필요한 막을 제거하는 공정이다. 최근에 웨이퍼에 형성되는 패턴이 미세화됨에 따라 세정 공정의 중요도는 더욱 커지고 있다.
반도체 웨이퍼의 세정 공정은 반도체 웨이퍼 상의 오염물질을 화학적 반응에 의해 식각 또는 박리시키는 화학 용액 처리 공정(약액 처리 공정), 약액 처리된 반도체 웨이퍼를 탈이온수로 세척하는 린스 공정, 그리고 린스 처리된 반도체 웨이퍼를 건조하는 건조 공정으로 이루어진다.
종래에는 세정 공정을 수행하는 장치로 원심력을 이용하여 하나의 웨이퍼에 대해 건조 공정을 수행하는 스핀 건조기(spin dryer)가 사용되었다. 그러나 스핀 건조기는 하나의 웨이퍼에 대해 공정이 수행되므로 생산성이 크게 저하되는 문제가 있다. 따라서 최근에는 세정액에 복수의 웨이퍼들이 잠기도록 하여 공정을 수행하는 배치식 건조기가 사용되고 있다.
배치식 건조기는 세정액이 채워지는 처리조를 가지며, 상기 처리조 내에는 웨이퍼들을 지지하는 지지부재와 그 아래에 제공되어 세정액을 공급하는 노즐이 설치된다. 도 1은 일반적으로 사용되고 있는 지지부재의 사시도이다. 도 1을 참조하면, 지지부재는 웨이퍼의 가장자리가 삽입되는 슬롯들이 형성된 지지 로드들과 이들의 끝단을 연결하며 공정 진행시 지지부재를 처리조에 고정하는 고정대를 가진다. 고정대는 하부에 위치되며 지지 로드들을 결합하는 결합판과 이로부터 상부로 연장되며 로드 형상을 가지는 고정 로드를 가진다.
도 2는 상술한 지지 부재 사용시 웨이퍼로 공급되는 세정액의 흐름을 보여주는 도면이다. 고정 로드와 웨이퍼 사이의 공간에서 세정액 저항은 다른 영역에서 세정액 저항에 비해 높다. 일반적으로 사용되고 있는 지지 부재에서 고정 로드는 그 폭(W1)이 좁기 때문에, 고정 로드와 웨이퍼 사이로 공급된 세정액이 고정 로드의 측방향으로 쉽게 빠져나간다. 따라서 웨이퍼의 외측면 중앙 영역으로 공급되는 세정액의 량이 적으며, 이로 인해 최외곽에 위치된 웨이퍼들의 외측면의 중앙 영역(특히, 그 상단 영역)이 다른 영역에 비해 상대적으로 세정이 잘 이루어지지 않는다.
본 발명은 최외곽에 위치된 웨이퍼의 세정 효율을 향상시킬 수 있는 기판 세 정 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 기판을 세정하는 장치를 제공한다. 상기 장치는 공정이 수행되는 공간을 제공하는 처리조, 공정 진행시 상기 처리조 내에 제공되며 기판들이 세워진 상태로 열을 이루도록 상기 기판들을 지지하는 지지부재, 그리고 상기 처리조 내에서 상기 지지부재 아래에 배치되며 상기 기판들로 세정액을 분사하는 세정액 공급 부재를 포함한다. 상기 지지부재는 상기 기판들의 가장자리가 삽입되는 슬롯들이 형성된 지지 로드들, 상기 지지 로드들을 연결하고 공정 진행시 상기 지지부재를 상기 처리조에 고정하는 고정대, 그리고 상기 지지 로드의 끝단에 제공된 슬롯의 일측에 설치되며 아래로부터 공급된 세정액이 그 슬롯에 삽입된 기판의 외측면을 따라 수직하게 흐르도록 상기 세정액의 흐름을 안내하는 안내판을 구비한다. 상기 안내판은 상기 최외곽에 위치된 기판의 하단을 향해 유입되는 세정액이 그 상단까지 수직방향으로 흐르도록 안내할 수 있도록 형상 지어지는 것이 바람직하다.
일 예에 의하면, 상기 안내판의 폭은 상기 기판의 지름의 1/2 이상이고, 상기 안내판의 길이는 상기 기판의 지름의 3/4 이상이다. 또한, 상기 안내판의 폭은 그 길이 방향을 따라 동일하게 제공될 수 있다. 또한, 상기 지지 로드의 끝단에 제공된 슬롯에 삽입된 기판과 상기 안내판 사이의 간격은 상기 슬롯들에 삽입된 기판들 사이의 간격과 동일할 수 있다. 일 예에 의하면, 상기 안내판의 폭은 상기 기판의 지름보다 좁고, 상기 안내판의 길이는 상기 기판의 지름보다 짧다. 상기 고정대는 상기 지지 로드의 양단에 각각 제공되고, 상기 안내판은 상기 지지 로드의 최 외곽에 제공된 기판들의 양측에 각각 제공될 수 있다. 상기 안내판은 상기 지지 부재에 고정 설치되는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 일렬로 세워진 상태로 배치된 기판들로 세정액을 공급하여 상기 기판들을 세정하는 방법을 제공한다. 상기 방법에 의하면, 세정 공정 진행시 상기 최외곽에 제공된 기판의 외측면과 인접한 영역에 안내판을 제공하여 상기 기판의 하단으로부터 공급된 세정액이 상기 기판의 외측면을 따라 수직 방향으로 상부로 흐르도록 한다. 상기 안내판은 상기 일렬로 세워진 상태로 배치된 기판들의 양측에 각각 제공될 수 있다. 상기 안내판은 상기 최외곽에 위치된 기판의 하단을 향해 유입되는 세정액이 그 상단까지 수직방향으로 흐르도록 안내할 수 있도록 형상 지어지는 것이 바람직하다. 상기 안내판의 폭은 상기 기판의 지름의 1/2 이상이고, 상기 안내판의 길이는 상기 기판의 지름의 3/4 이상인 것이 바람직하다. 또한, 상기 안내판의 폭은 그 길이 방향을 따라 동일한 것이 바람직하다. 또한, 상기 안내판은 상기 기판들을 지지하는 지지 부재에 고정 설치되는 것이 바람직하다. 상기 세정액은 화학 용액 또는 세척액일 수 있다.
또한, 본 발명은 복수의 기판들이 세워진 상태로 일렬로 위치되도록 상기 기판들을 지지하는 지지 부재를 제공한다. 상기 지지 부재는 상기 기판들의 가장자리가 삽입되는 슬롯들이 형성된 지지 로드들과 상기 기판들 중 최외곽에 위치된 기판과 인접하게 설치되며, 아래로부터 공급된 세정액이 상기 최외곽에 위치된 기판의 외측면을 따라 상부로 수직하게 흐르도록 안내하는 안내판을 포함한다. 상기 안내판은 상기 최외곽에 위치된 기판의 하단을 향해 유입되는 세정액이 그 상단까지 수 직방향으로 흐르도록 안내할 수 있도록 형상 지어진다. 일 예에 의하면, 상기 안내판의 폭은 상기 기판의 지름의 1/2 이상이고, 상기 안내판의 지름은 상기 기판의 지름의 2/3에 해당되는 길이 이상으로 제공된다. 상기 안내판의 폭은 그 길이 방향을 따라 동일하게 제공될 수 있다. 또한, 상기 슬롯들 중 가장 끝단에 제공된 슬롯에 삽입된 기판과 상기 안내판 사이의 간격은 상기 슬롯들에 삽입된 기판들 사이의 간격과 동일하게 제공될 수 있다. 또한, 상기 지지 부재에는 상기 지지 로드들의 끝단을 연결하는 결합판과 이로부터 상부로 연장되는 로드 형상의 고정 로드를 가지는 고정대가 더 제공될 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 3 내지 도 9를 참조하면서 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석돼서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공된 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 더욱 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
도 3과 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치(10)를 개략적으로 보여주는 단면도들이다. 기판 세정 장치(10)는 복수의 웨이퍼들(W)에 대해 세정공정을 수행한다. 도 3과 도 4를 참조하면, 기판 세정 장치(10)는 처리조(100), 지지부재(200), 그리고 세정액 공급 부재를 가진다. 처리조(100)는 웨이퍼(W)를 수용하며 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 지지부재(200)는 처리조(100) 내에서 웨이 퍼들(W)을 지지한다. 세정액 공급 부재는 공정에 사용되는 세정액을 처리조(100) 내로 공급한다.
일 예에 의하면, 세정액은 웨이퍼(W) 상에 잔류하는 화학 용액을 제거하기 위해 사용되는 탈이온수와 같은 세척액일 수 있다. 다른 예에 의하면, 세정액은 웨이퍼(W) 상에 잔류하는 막질, 유기물질, 파티클 등과 같은 오염물을 제거하기 위해 사용되는 인산, 불산, 황산, 또는 수산화 암모늄 등과 같은 화학 용액일 수 있다.
아래에서는 황산(H2SO4)과 같은 화학 용액을 사용하여 웨이퍼들(W) 상에 잔류하는 막질이나 오염물질을 제거하는 공정을 수행하는 장치를 예로 들어 설명한다. 예컨대, 웨이퍼에서 제거하고자 하는 막질은 포토레지스트일 수 있다. 이하, 상술한 구성요소들에 대해 상세히 설명한다.
처리조(100)는 상부가 개방된 공간을 가지는 내조(120)와 이로부터 넘쳐흐르는 세정액을 수용하도록 내조(120)의 외측벽을 감싸는 외조(140)를 가진다. 내조(120)의 바닥면에는 내조(120) 내 세정액을 배출하는 배출구(122)가 형성되고, 배출구(122)에는 개폐 밸브(170a)가 설치된 배출관(170)이 연결된다. 외조(140)의 바닥면에는 외조(140) 내 세정액을 배출하는 배출구(142)가 형성되며, 배출구(142)에는 개폐 밸브(190a)가 설치된 배출관(190)이 형성된다.
세정액 공급 부재는 내조(120) 내로 세정액을 공급한다. 세정액 공급 부재는 노즐(300)을 가진다. 노즐(300)은 복수 개가 제공될 수 있다. 각각의 노즐(300)은 내조(120) 내에 배치되며 긴 로드 형상을 가진다. 각각의 노즐(300)에는 그 길이방 향을 따라 복수의 분사공들(320)이 형성된다. 노즐들(300)에는 세정액 공급관(180)이 연결된다. 세정액은 세정액 저장부(도시되지 않음)로부터 세정액 공급관(180)을 통해 노즐들(300)로 공급된다.
세정액 공급관(180)에는 그 내부 통로를 개폐하거나 그 내부 통로를 흐르는 세정액의 유량을 조절하는 밸브(180a)가 설치된다. 또한, 상술한 배출관(190)으로부터 회수관(160)이 분기되고, 회수관(160)은 세정액 공급관(180)과 연결된다. 회수관(160)에는 내부 통로를 개폐하는 밸브(160a)가 설치된다. 내조(120)로부터 배출된 세정액은 회수관(160)과 세정액 공급관(180)을 통해 다시 내조(120)로 공급되어 재사용된다. 회수관(160)에는 펌프(162), 필터(164), 그리고 히터(166)가 설치된다. 펌프(162)는 세정액에 유동압을 제공하고, 필터(164)는 세정액으로부터 오염물질을 제거하며, 히터(166)는 세정액이 공정 온도를 유지하도록 세정액을 가열한다.
내조(120) 내에는 공정 진행시 웨이퍼들(W)을 지지하는 지지부재(200)가 배치된다. 도 5를 참조하면, 지지부재(200)는 지지 로드들(220), 고정대(240), 그리고 안내판(260)을 가진다. 지지 로드(220)는 긴 로드 형상을 가진다. 각각의 지지 로드(220)에는 그 길이 방향을 따라 웨이퍼 가장자리 영역 일부가 삽입되는 슬롯들(222)이 형성된다. 슬롯(222)은 50개가 설치될 수 있다. 슬롯들(222)의 수는 가감될 수 있다. 지지 로드들(220)은 복수 개 제공되며, 이들은 서로 평행하게 배치된다. 일 예에 의하면, 지지부재(200)는 웨이퍼(W)의 가장자리 하단 영역이 삽입되도록 배치되는 중앙 지지 로드(220a)와 이로부터 양측으로 일정거리 이격되어 배치된 2개의 측부 지지 로드들(220b)을 가진다. 상술한 구조로 인해 공정진행시 웨이퍼들(W)은 세워진 상태로 그리고 일렬로 나란하게 놓여진다. 이하, 지지 로드(220)의 일측 끝단에 형성된 슬롯(222)부터 순차적으로 제 1 슬롯, 제 2 슬롯, …, 제 50 슬롯이라 하고, 이들 각각에 삽입된 웨이퍼를 제 1 웨이퍼(W1), 제 2 웨이퍼(W2), …, 제 50 웨이퍼(W50)라 칭한다.
지지 로드(220)들의 양측에는 이들을 연결하고 지지부재(200)를 처리조(100)에 고정시키는 고정대(240)가 배치된다. 고정대(240)는 각각의 지지 로드들(220)의 끝단부가 고정되는 판 형상의 결합판(242)과 이로부터 상부로 연장되어 처리조(100)에 고정결합되는 로드 형상의 고정 로드(244)를 가진다. 이와 달리, 지지부재(200)는 처리조(100)에 고정되지 않고, 구동기(도시되지 않음)에 의해 상하로 이동가능한 구조를 가질 수 있다.
공정 진행시 노즐(300)로부터 분사된 세정액은 지지부재(200)의 아래로부터 웨이퍼들(W)의 표면을 따라 상부로 공급된다. 제 2 웨이퍼(W2) 내지 제 49 웨이퍼(W49)의 양측면, 그리고 제 1 웨이퍼(W1)와 제 50 웨이퍼(W50)의 내측면은 서로 대향되는 면에 웨이퍼가 제공되어 있기 때문에 세정 환경이 유사하다. 그러나 제 1 웨이퍼(W1)와 제 50 웨이퍼(W50)의 외측면은 이들과 상이한 세정 환경을 가진다.
안내판(260)은 최외곽에 위치된 웨이퍼(W1, W50)의 외측면이 다른 웨이퍼들의 측면과 유사한 환경이 되도록 세정액의 흐름을 안내한다. 다시 도 5를 참조하면, 안내판(260)은 지지 로드(220)에 고정설치된다. 안내판(260)은 제 1 슬롯에 삽입된 제 1 웨이퍼(W1)와 고정대(240) 사이 및 제 50 슬롯에 삽입된 제 50 웨이퍼(W2)와 고정대(240) 사이에 각각 위치된다. 제 1 웨이퍼(W1)와 안내판(260), 그리고 제 50 웨이퍼(W50)와 안내판(260) 사이의 간격은 각각 웨이퍼들(W) 간의 간격과 동일하게 제공된다.
안내판(260)은 제 1 웨이퍼(W1) 또는 제 50 웨이퍼(W50)의 외측면 하단으로 공급된 세정액이 그 상단까지 수직하게 공급되게 안내하도록 형상지어진다. 도 6은 안내판(260)의 일 예를 보여준다. 도 6을 참조하면, 안내판(260)은 평판 형상을 가지며, 상하 방향으로 수직하게 설치된다. 안내판(260)의 하측변(262)은 지지 로드들(220)의 끝단을 지나도록 라운드진다. 안내판(260)의 좌측변(264)과 우측변(266)은 상하 방향으로 수직하게 제공되고, 안내판(260)의 상측변(268)은 좌우 방향으로 수평하게 제공된다. 상술한 형상으로 인해 안내판(260)은 상하 방향으로 동일한 폭을 가진다. 안내판(260)은 그 수직 방향 중심축이 웨이퍼의 수직 방향 중심축과 대응되도록 위치된다. 안내판(260)은 공정에 사용되는 황산 등과 같은 화학 용액에 의해 손상(damage)되지 않은 재질로 제조된다. 일 예에 의하면, 안내판(260)은 폴리테트라플루오르에치렌(PTFE)과 같은 테프론(듀폰사의 상품명) 재질로 제조될 수 있다.
안내판(260)과 최외곽에 위치된 웨이퍼(W1, W50) 사이의 공간으로 유입된 세 정액이 측방향으로 빠져나가는 것을 방지하기 위해 안내판(260)은 충분히 넓은 폭(W′)을 가진다. 안내판(260)의 폭(W′)은 웨이퍼(W) 지름의 1/2 이상인 것이 바람직하다. 또한, 안내판(260)과 웨이퍼(W1, W50) 사이의 공간으로 유입된 세정액이 웨이퍼(W)의 상단까지 웨이퍼(W)의 외측면을 따라 흐르도록 안내판(260)은 충분히 긴 길이(L′)를 가진다. 안내판(260)의 길이(L′)는 웨이퍼(W) 지름의 3/4 이상인 것이 바람직하다. 또한, 안내판(260)의 길이와 폭이 너무 길면 처리조(100)의 크기에 영향을 미친다. 따라서 안내판(260)의 길이(L′)와 폭(W′)은 웨이퍼(W) 지름과 동일하거나 이보다 작은 것이 바람직하다.
도 7은 안내판(260)이 장착되지 않은 지지 부재(900)를 사용하여 공정 수행시 제 1 웨이퍼(W1)의 외측면에서 세정액의 흐름을 보여주는 도면이다. 웨이퍼들(W) 사이로 공급된 세정액은 웨이퍼들(W)의 폭이 충분히 넓기 때문에 웨이퍼의 바깥쪽으로 빠져나가지 않고 대체로 균일하게 수직 방향으로 상부로 흐른다. 그러나 도 7에서 점선으로 표시된 바와 같이, 제 1 웨이퍼(W1)의 외측면을 따라 흐르는 세정액 중 제 1 웨이퍼(W1)의 외측면과 로드 형상의 고정 로드(944) 사이로 유입된 세정액은 고정 로드(944)의 좁은 폭으로 인해 상부로 수직 방향으로 흐르지 못하고 고정 로드(944)의 측방향으로 빠져나간다.
도 8은 안내판(260)이 장착된 지지 부재(200)를 사용하여 공정 수행시 제 1 웨이퍼(W1)의 외측면에서 세정액의 흐름을 보여주는 도면이다. 도 8에 도시된 바와 같이, 안내판(260)이 충분히 넓은 폭과 긴 길이를 가지기 때문에 안내판(260)과 제 1 웨이퍼(W1) 사이의 공간으로 유입된 세정액은 대체로 수직하게 제 1 웨이퍼(W1)의 외측면을 따라 제 1 웨이퍼(W1)의 상단까지 흐른다.
도 9는 도 7에 도시된 지지 부재 사용시 최외곽에 위치된 웨이퍼(W)의 상부 영역에서 발생된 찌꺼기 형태의 결함(defects)을 보여준다. 세정액으로는 황산 용액이 사용되었고, 웨이퍼(W) 상에서 제거되는 막질은 포토 레지스트이다. 도 9에 도시된 결함은 웨이퍼(W)의 상부 영역으로 황산 용액이 충분히 공급되지 않았기 때문이다. 그러나 도 5에 도시된 지지 부재 사용시 상술한 찌꺼기 형태의 결함은 제거되었다.
상술한 안내판(260)의 형상은 바람직한 일 예를 설명한 것이다. 또한, 상술한 예에서는 안내판(260)의 폭이 길이 방향(상하 방향)을 따라 동일한 것으로 설명하였다. 그러나 안내판(260)의 폭은 길이방향으로 변화되는 크기를 가질 수 있다. 또한, 세정액이 웨이퍼(W)의 하단부터 상단까지 웨이퍼의 외측면을 따라 상하로 수직 방향으로 흐르도록 안내할 수 있도록 안내판(260)은 다양한 형상 및 크기로 제공될 수 있다.
상술한 예에서는 고정대(240)가 지지 로드(220)의 양측에 각각 제공되고, 안내판(260)이 슬롯들(222)의 양측에 각각 설치되는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 고정대(240)는 지지 로드(220)의 일측에만 제공되고, 안내판(260)은 슬롯(222)의 일측에만 설치될 수 있다.
다음에는 도 3의 장치에서 공정이 수행되는 과정을 개략적으로 설명한다. 처음에 내조(120) 내부가 화학 용액으로 채워진다. 이송로봇(도시되지 않음)에 의해 약 50매의 웨이퍼들(W)이 지지 로드(220)의 슬롯들(222)에 각각 삽입된다. 노즐(300)로부터 화학 용액이 웨이퍼들(W)을 향해 계속적으로 공급된다. 내조(120)로부터 넘쳐흐르는 화학 용액은 외조(140)로 수용된 후 배출관(190)을 통해 배출된다. 화학 용액은 순환되어 재사용된다. 추가적으로 노즐(300)을 통해 탈이온수가 계속적으로 공급되어 내조(120) 내 화학 용액을 탈이온수로 치환하면서 세척 공정이 계속적으로 수행될 수 있다.
본 발명에 의하면, 최외곽에 위치된 웨이퍼의 외부환경을 다른 웨이퍼들과 유사한 조건으로 하여 세정 균일도를 향상시킨다.
또한, 본 발명에 의하면, 최외곽에 위치된 웨이퍼의 외측면 전체 영역으로 세정액이 충분히 공급되도록 하여 최외곽에 위치된 웨이퍼의 세정 효율을 향상시킨다.

Claims (19)

  1. 기판을 세정하는 장치에 있어서,
    공정이 수행되는 공간을 제공하는 처리조와;
    공정 진행시 상기 처리조 내에 제공되며 기판들이 세워진 상태로 열을 이루도록 상기 기판들을 지지하는 지지부재와; 그리고
    상기 처리조 내에 상기 지지부재 아래에 배치되어 상기 기판들로 세정액을 분사하는 세정액 공급 부재를 포함하되,
    상기 지지부재는,
    상기 기판들의 가장자리가 삽입되는 슬롯들이 형성된 지지 로드들과;
    상기 지지 로드들을 연결하는 결합판 및 상기 결합판으로부터 기판의 중앙 영역과 대향되도록 상부로 연장되는 로드 형상의 고정 로드를 가지는 고정대와; 그리고
    상기 지지 로드의 끝단에 제공된 슬롯에 삽입된 기판과 상기 고정 로드 사이에 설치되며, 상기 고정 로드보다 넓은 폭을 가지는 안내판을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  2. 기판을 세정하는 장치에 있어서,
    공정이 수행되는 공간을 제공하는 처리조와;
    공정 진행시 상기 처리조 내에 제공되며 기판들이 세워진 상태로 열을 이루도록 상기 기판들을 지지하는 지지부재와; 그리고
    상기 처리조 내에 상기 지지부재 아래에 배치되어 상기 기판들로 세정액을 분사하는 세정액 공급 부재를 포함하되,
    상기 지지부재는,
    상기 기판들의 가장자리가 삽입되는 슬롯들이 형성된 지지 로드들과;
    상기 지지 로드들을 연결하고 공정 진행시 상기 지지부재를 상기 처리조에 고정하는 고정대와; 그리고
    상기 지지 로드의 끝단에 제공된 슬롯의 일측에 설치되며, 아래로부터 공급된 세정액이 상기 지지 로드의 끝단에 제공된 슬롯에 삽입된 기판의 외측면을 따라 수직하게 흐르도록 상기 세정액의 흐름을 안내하는 안내판을 구비하며,
    상기 안내판의 폭은 상기 기판의 지름의 1/2 이상인 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 안내판의 길이는 상기 기판의 지름의 3/4 이상인 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  4. 기판을 세정하는 장치에 있어서,
    공정이 수행되는 공간을 제공하는 처리조와;
    공정 진행시 상기 처리조 내에 제공되며 기판들이 세워진 상태로 열을 이루도록 상기 기판들을 지지하는 지지부재와; 그리고
    상기 처리조 내에 상기 지지부재 아래에 배치되어 상기 기판들로 세정액을 분사하는 세정액 공급 부재를 포함하되,
    상기 지지부재는,
    상기 기판들의 가장자리가 삽입되는 슬롯들이 형성된 지지 로드들과;
    상기 지지 로드들을 연결하고 공정 진행시 상기 지지부재를 상기 처리조에 고정하는 고정대와; 그리고
    상기 지지 로드의 끝단에 제공된 슬롯의 일측에 설치되며, 아래로부터 공급된 세정액이 상기 지지 로드의 끝단에 제공된 슬롯에 삽입된 기판의 외측면을 따라 수직하게 흐르도록 상기 세정액의 흐름을 안내하는 안내판을 구비하며,
    상기 지지 로드의 끝단에 제공된 슬롯에 삽입된 기판과 상기 안내판 사이의 간격은 상기 슬롯들에 삽입된 기판들 사이의 간격과 동일한 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  5. 기판을 세정하는 장치에 있어서,
    공정이 수행되는 공간을 제공하는 처리조와;
    공정 진행시 상기 처리조 내에 제공되며 기판들이 세워진 상태로 열을 이루도록 상기 기판들을 지지하는 지지부재와; 그리고
    상기 처리조 내에 상기 지지부재 아래에 배치되어 상기 기판들로 세정액을 분사하는 세정액 공급 부재를 포함하되,
    상기 지지부재는,
    상기 기판들의 가장자리가 삽입되는 슬롯들이 형성된 지지 로드들과;
    상기 지지 로드들을 연결하고 공정 진행시 상기 지지부재를 상기 처리조에 고정하는 고정대와; 그리고
    상기 지지 로드의 끝단에 제공된 슬롯의 일측에 설치되며, 아래로부터 공급된 세정액이 상기 지지 로드의 끝단에 제공된 슬롯에 삽입된 기판의 외측면을 따라 수직하게 흐르도록 상기 세정액의 흐름을 안내하는 안내판을 구비하며,
    상기 안내판은 상기 최외곽에 위치된 기판의 하단을 향해 유입되는 세정액이 그 상단까지 수직방향으로 흐르도록 안내할 수 있도록 형상지어지는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 안내판의 폭은 상기 기판의 지름보다 좁고, 상기 안내판의 길이는 상기 기판의 지름보다 짧은 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 안내판의 폭은 그 길이 방향을 따라 동일한 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  8. 기판을 세정하는 장치에 있어서,
    공정이 수행되는 공간을 제공하는 처리조와;
    공정 진행시 상기 처리조 내에 제공되며 기판들이 세워진 상태로 열을 이루도록 상기 기판들을 지지하는 지지부재와; 그리고
    상기 처리조 내에 상기 지지부재 아래에 배치되어 상기 기판들로 세정액을 분사하는 세정액 공급 부재를 포함하되,
    상기 지지부재는,
    상기 기판들의 가장자리가 삽입되는 슬롯들이 형성된 지지 로드들과;
    상기 지지 로드들을 연결하고 공정 진행시 상기 지지부재를 상기 처리조에 고정하는 고정대와; 그리고
    상기 지지 로드의 끝단에 제공된 슬롯의 일측에 설치되며, 아래로부터 공급된 세정액이 상기 지지 로드의 끝단에 제공된 슬롯에 삽입된 기판의 외측면을 따라 수직하게 흐르도록 상기 세정액의 흐름을 안내하는 안내판을 구비하며,
    상기 고정대는 상기 지지 로드의 양단에 각각 제공되고,
    상기 안내판은 상기 지지 로드의 최외곽에 제공된 기판들의 양측에 각각 제공된 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  9. 기판을 세정하는 장치에 있어서,
    공정이 수행되는 공간을 제공하는 처리조와;
    공정 진행시 상기 처리조 내에 제공되며 기판들이 세워진 상태로 열을 이루도록 상기 기판들을 지지하는 지지부재와; 그리고
    상기 처리조 내에 상기 지지부재 아래에 배치되어 상기 기판들로 세정액을 분사하는 세정액 공급 부재를 포함하되,
    상기 지지부재는,
    상기 기판들의 가장자리가 삽입되는 슬롯들이 형성된 지지 로드들과;
    상기 지지 로드들을 연결하고 공정 진행시 상기 지지부재를 상기 처리조에 고정하는 고정대와; 그리고
    상기 지지 로드의 끝단에 제공된 슬롯의 일측에 설치되며, 아래로부터 공급된 세정액이 상기 지지 로드의 끝단에 제공된 슬롯에 삽입된 기판의 외측면을 따라 수직하게 흐르도록 상기 세정액의 흐름을 안내하는 안내판을 구비하며,
    상기 안내판은 상기 지지 부재에 고정 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  10. 제 1 항, 제 4 항, 제 8 항, 그리고 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 안내판의 폭은 상기 기판의 지름의 1/2 이상이고, 기판의 지름보다 좁으며,
    상기 안내판의 길이는 상기 기판의 지름의 3/4 이상이고, 기판의 지름보다 짧은 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  11. 일렬로 세워진 상태로 배치된 기판들로 세정액을 공급하여 상기 기판들을 세정하는 방법에 있어서,
    최외곽에 제공된 기판의 외측면과 인접한 영역에 안내판을 제공하여 상기 최외곽에 제공된 기판의 하단으로부터 공급된 세정액이 상기 최외곽에 제공된 기판의 외측면을 따라 수직 방향으로 상부로 흐르도록 하되,
    상기 안내판은 상기 일렬로 세워진 상태로 배치된 기판들의 양측에 각각 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
  12. 일렬로 세워진 상태로 배치된 기판들로 세정액을 공급하여 상기 기판들을 세정하는 방법에 있어서,
    최외곽에 제공된 기판의 외측면과 인접한 영역에 안내판을 제공하여 상기 최외곽에 제공된 기판의 하단으로부터 공급된 세정액이 상기 최외곽에 제공된 기판의 외측면을 따라 수직 방향으로 상부로 흐르도록 하되,
    상기 안내판의 폭은 상기 기판의 지름의 1/2 이상이고, 상기 안내판의 길이는 상기 기판의 지름의 3/4 이상인 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
  13. 일렬로 세워진 상태로 배치된 기판들로 세정액을 공급하여 상기 기판들을 세정하는 방법에 있어서,
    최외곽에 제공된 기판의 외측면과 인접한 영역에 안내판을 제공하여 상기 최외곽에 제공된 기판의 하단으로부터 공급된 세정액이 상기 최외곽에 제공된 기판의 외측면을 따라 수직 방향으로 상부로 흐르도록 하되,
    상기 안내판의 폭은 그 길이 방향을 따라 동일한 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
  14. 일렬로 세워진 상태로 배치된 기판들로 세정액을 공급하여 상기 기판들을 세정하는 방법에 있어서,
    최외곽에 제공된 기판의 외측면과 인접한 영역에 안내판을 제공하여 상기 최외곽에 제공된 기판의 하단으로부터 공급된 세정액이 상기 최외곽에 제공된 기판의 외측면을 따라 수직 방향으로 상부로 흐르도록 하되,
    상기 안내판은 상기 기판들을 지지하는 지지 부재에 고정 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
  15. 일렬로 세워진 상태로 배치된 기판들로 세정액을 공급하여 상기 기판들을 세정하는 방법에 있어서,
    최외곽에 제공된 기판의 외측면과 인접한 영역에 안내판을 제공하여 상기 최외곽에 제공된 기판의 하단으로부터 공급된 세정액이 상기 최외곽에 제공된 기판의 외측면을 따라 수직 방향으로 상부로 흐르도록 하되,
    상기 세정액은 화학 용액 또는 세척액인 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
  16. 복수의 기판들이 세워진 상태로 일렬로 위치되도록 상기 기판들을 지지하는 지지 부재에 있어서,
    상기 기판들의 가장자리가 삽입되는 슬롯들이 형성된 지지 로드들과;
    상기 지지 로드들을 연결하는 결합판 및 상기 결합판으로부터 기판의 중앙 영역과 대향되도록 상부로 연장되는 로드 형상의 고정 로드를 가지는 고정대와; 그리고
    상기 지지 로드의 끝단에 제공된 슬롯에 삽입된 기판과 상기 고정 로드 사이에 설치되며, 상기 고정 로드보다 넓은 폭을 가지는 안내판을 포함하는 것을 특징으로 하는 지지 부재.
  17. 복수의 기판들이 세워진 상태로 일렬로 위치되도록 상기 기판들을 지지하는 지지 부재에 있어서,
    상기 기판들의 가장자리가 삽입되는 슬롯들이 형성된 지지 로드들과;
    상기 슬롯들 중 가장 끝단에 제공된 슬롯과 인접하게 설치되며, 아래로부터 공급된 세정액이 상기 가장 끝단에 제공된 슬롯에 삽입된 기판의 외측면을 따라 상부로 수직하게 흐르도록 안내하는 안내판을 포함하되,
    상기 안내판의 폭은 상기 기판의 지름의 1/2 이상이고, 상기 안내판의 길이는 상기 기판의 지름의 2/3에 해당되는 길이 이상으로 제공된 것을 특징으로 하는 지지 부재.
  18. 복수의 기판들이 세워진 상태로 일렬로 위치되도록 상기 기판들을 지지하는 지지 부재에 있어서,
    상기 기판들의 가장자리가 삽입되는 슬롯들이 형성된 지지 로드들과;
    상기 슬롯들 중 가장 끝단에 제공된 슬롯과 인접하게 설치되며, 아래로부터 공급된 세정액이 상기 가장 끝단에 제공된 슬롯에 삽입된 기판의 외측면을 따라 상부로 수직하게 흐르도록 안내하는 안내판을 포함하되,
    상기 슬롯들 중 가장 끝단에 제공된 슬롯에 삽입된 기판과 상기 안내판 사이의 간격은 상기 슬롯들에 삽입된 기판들 사이의 간격과 동일한 것을 특징으로 하는 지지 부재.
  19. 복수의 기판들이 세워진 상태로 일렬로 위치되도록 상기 기판들을 지지하는 지지 부재에 있어서,
    상기 기판들의 가장자리가 삽입되는 슬롯들이 형성된 지지 로드들과;
    상기 슬롯들 중 가장 끝단에 제공된 슬롯과 인접하게 설치되며, 아래로부터 공급된 세정액이 상기 가장 끝단에 제공된 슬롯에 삽입된 기판의 외측면을 따라 상부로 수직하게 흐르도록 안내하는 안내판을 포함하되,
    상기 지지 로드들의 끝단을 연결하는 결합판과 이로부터 상부로 연장되는 로드 형상의 고정 로드를 가지는 고정대를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 지지 부재.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113394134A (zh) * 2021-05-11 2021-09-14 桂林芯隆科技有限公司 一种用于芯片划片的自动喷液装置及其方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5966250B2 (ja) * 2011-03-16 2016-08-10 富士電機株式会社 基板支持治具
CN103157640A (zh) * 2011-12-09 2013-06-19 龙焱能源科技（杭州）有限公司 一种玻璃清洗花篮
CN206961808U (zh) * 2017-07-14 2018-02-02 君泰创新（北京）科技有限公司 硅片清洗工装
US20200006093A1 (en) * 2018-06-29 2020-01-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wet bench structure

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06302577A (ja) * 1993-04-14 1994-10-28 Sanyo Electric Co Ltd 半導体基板の処理装置
KR20010006830A (ko) * 1999-06-02 2001-01-26 고미야 히로요시 반도체 처리 장치 및 처리 방법
JP2001232311A (ja) 2000-02-28 2001-08-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6137842A (ja) * 1984-07-30 1986-02-22 Daikin Ind Ltd 非帯電性高分子材料
DE3440111C1 (de) * 1984-11-02 1986-05-15 Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau Traegerhorde
JPH06103720B2 (ja) * 1989-10-09 1994-12-14 株式会社東芝 半導体ウェハ支持キャリア
JP3194209B2 (ja) * 1992-11-10 2001-07-30 東京エレクトロン株式会社 洗浄処理装置
US5704493A (en) * 1995-12-27 1998-01-06 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate holder
US6845779B2 (en) * 2001-11-13 2005-01-25 Fsi International, Inc. Edge gripping device for handling a set of semiconductor wafers in an immersion processing system

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06302577A (ja) * 1993-04-14 1994-10-28 Sanyo Electric Co Ltd 半導体基板の処理装置
KR20010006830A (ko) * 1999-06-02 2001-01-26 고미야 히로요시 반도체 처리 장치 및 처리 방법
JP2001232311A (ja) 2000-02-28 2001-08-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113394134A (zh) * 2021-05-11 2021-09-14 桂林芯隆科技有限公司 一种用于芯片划片的自动喷液装置及其方法
CN113394134B (zh) * 2021-05-11 2022-10-25 桂林芯隆科技有限公司 一种用于芯片划片的自动喷液装置及其方法

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