JP2009094523A - 基板処理装置及び方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明は、処理液が満たされる処理槽に基板を浸漬して洗浄する装置及び方法に関する。本発明による基板処理装置は、各々の処理槽に具備され工程時に基板を支持するボートを有し、前記ボートは、工程時に基板の互いに異なる部分と接触して基板を支持する。本発明は、各々の処理槽のボートが支持する基板の接触部分を互いに相違するようにして、ある一つの処理槽で洗浄されなかった基板の接触部分が他の処理槽で洗浄されるようにすることによって、基板を支持する支持部材によって基板の洗浄効率が低下することを防止する。
【選択図】図３

Description

本発明は、基板処理装置及び方法に関し、より詳細には、処理液で満たされた処理槽にウェハを浸漬して洗浄する基板処理装置及び前記装置の基板処理方法に関する。
一般的に半導体製造工程は、ウェハ上の微粒子金属不純物、有機汚染物、表面被膜などの様々な異物を除去する洗浄工程を含む。このような洗浄工程を行う装置のうちバッチ式ウェハ洗浄装置は基板洗浄ユニットを含む。基板洗浄ユニットは、ウェハの洗浄を行うユニットであり、複数の処理槽（ｔｒｅａｔｉｎｇ ｂａｔｈ）を含む。複数の処理槽は、ほぼ同一な構造を有し互いに隣接して配置される。各々の処理槽は、供給ラインから処理液の供給を受けてこれを保存し、ウェハ洗浄の時に複数のウェハを処理槽内部に満たされた処理液に浸漬して洗浄する。
しかし、上述した構造の洗浄装置は、工程時にウェハを支持する支持部材によってウェハの洗浄効率が低下する現象が発生する。すなわち、工程時に処理槽に浸漬されたウェハは支持部材に載置されて支持される。この時、支持部材と接触するウェハの部分は処理槽内の処理液によって洗浄されず、後続工程時にウェハ処理工程の効率が低下する。
そこで本発明は、上記従来の基板処理装置及び方法の問題点に鑑みてなされたものであって、その目的は、基板を支持する支持部材によって基板の洗浄効率が低下することを防止する基板処理装置及び方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、支持部材と接触する基板の部分を効果的に洗浄する基板処理装置及び方法を提供することにある。
上記目的を達成するためになされた本発明による基板処理装置は、基板を処理する装置であって、
内部に処理液で満たされる空間を有するハウジングと、前記基板を支持する支持部材とを含み、工程時に前記ハウジング内部で前記基板を洗浄する処理槽と、複数の前記処理槽間に基板を移送する移送部と、を有し、前記支持部材は複数の支持部を含み、前記複数の処理槽が少なくとも第１処理槽と第２処理槽を含む場合には、第１処理槽での工程時に、前記基板が、第１ハウジング内部で第１支持部材の複数の支持部に接触する部分と、第２処理槽での工程時に、前記基板が、第２ハウジング内部で第２支持部材の複数の支持部に接触する部分とは互いに相違するように形成されている、ことを特徴とする。
前記第１支持部材と前記第２支持部材は、工程時に前記ハウジング内部で垂直になるように基板を支持し、前記第１支持部材と前記第２支持部材各々は、基板の端の一部分と接触する第１支持部及び第２支持部を含み、前記第１支持部と前記第２支持部は、前記ハウジング内部に浸漬された基板の中心を上下に横切る垂直線を基準に互いに対称に配置され、前記第１支持部材の前記第１支持部と前記第２支持部との間の距離は、前記第２支持部材の前記第１支持部と前記第２支持部との間の距離と相違することが好ましい。
前記第１支持部及び前記第２支持部各々は、工程時に基板と接触する接触部を含み、
前記第１支持部の接触部の高さと前記第２支持部の接触部の高さは、互いに同一であることが好ましい。
前記第１支持部材と前記第２支持部材は、工程時に前記ハウジング内部で垂直になるように基板を支持し、前記第１支持部材と前記第２支持部材各々は、基板の端の一部分と接触する第１支持部、第２支持部、そして第３支持部を含み、前記第１支持部と前記第２支持部は、前記第３支持部を基準に両側に配置され、前記第１支持部材の前記第１支持部と前記第２支持部との間の距離は、前記第２支持部材の前記第１支持部と前記第２支持部との間の距離と相違することが好ましい。
前記第１支持部、前記第２支持部、そして前記第３支持部各々は、工程時に基板と接触する接触部を含み、前記第１支持部の接触部の高さと前記第２支持部の接触部の高さは、互いに同一であり、前記第３支持部の高さは、前記第１支持部及び前記第２支持部の接触部の高さより低いことが好ましい。
前記第１支持部と前記第２支持部は、工程時に前記ハウジング内部に浸漬された基板の中心を上下に垂直に横切る垂直線を基準に左右対称の形状であることが好ましい。
前記第１支持部材と前記第２支持部材は、工程時に前記ハウジング内部で垂直になるように基板を支持し、前記第１支持部材と前記第２支持部材各々は、基板の端の一部分と接触する第１支持部、第２支持部、第３支持部、そして第４支持部を含み、前記第１支持部と前記第２支持部は、前記基板の中心を上下に横切る垂直線を基準に左右対称に配置され、前記第３支持部と前記第４支持部は、前記第１支持部と前記第２支持部との間で前記基板の中心を上下に横切る垂直線を基準に左右対称に配置され、前記第１支持部材の前記第１支持部と前記第２支持部との間の距離は、前記第２支持部材の前記第１支持部と前記第２支持部との間の距離と相違し、前記第１支持部材の前記第３支持部と前記第４支持部との間の距離は、前記第２支持部材の前記第３支持部と前記第４支持部との間の距離と相違することが好ましい。
前記第１支持部、前記第２支持部、前記第３支持部、そして前記第４支持部各々は、工程時に基板と接触する接触部を含み、前記第１支持部の接触部の高さと前記第２支持部の接触部の高さは、互いに同一であり、前記第３支持部の接触部の高さと前記第４支持部の接触部の高さは、互いに同一であり、 前記第１支持部及び前記第２支持部の接触部の高さは、前記第３支持部及び前記第４支持部の接触部の高さより高いことが好ましい。
前記第１処理槽及び前記第２処理槽は、互いに隣接して配置されることが好ましい。
第１洗浄部は、前記第１ハウジングに第１処理液を供給する第１供給ラインを含み、第２洗浄部は、前記第２ハウジングに前記第１処理液と相違する第２処理液を供給する第２供給ラインを含むことが好ましい。
第１洗浄部は、前記第１ハウジングに第１処理液を供給する第１供給ラインを含み、第２洗浄部は、前記第２ハウジングに前記第１処理液を供給する第２供給ラインを含むことが好ましい。
また、上記目的を達成するためになされた本発明による基板処理方法は、処理液に基板を浸漬して基板を洗浄する複数の処理槽を具備して基板を洗浄し、前記複数の処理槽が少なくとも第１処理槽と第２処理槽を含む場合には、第１処理槽での工程時に前記基板が第１支持部材の複数の支持部に接触する部分と、第２処理槽での工程時に第２支持部材の複数の支持部に接触する部分とは互いに相違するように基板を支持して、基板を洗浄することを特徴とする。
前記処理槽は、内部に処理液が満たされる複数のハウジング及び前記ハウジング各々に具備され前記ハウジング内部で基板を支持する支持部材を含み、前記基板の互いに異なる部分の支持は、前記ハウジング各々に具備する前記支持部材を相違する形象で形成することによって行われることが好ましい。
前記支持部材は、工程時に前記ハウジング内部で垂直になるように基板を支持し、前記基板の互いに異なる部分の支持は、前記ハウジングに浸漬された基板の中心を横切る垂直線を基準に基板の一側端の側面と接触する前記支持部材の第１支持部と、前記垂直線を基準に基板の他側端の側面と接触する前記支持部材の第２支持部との距離を、前記処理槽毎に相違するように形成することによって行われることが好ましい。
前記処理槽のうち少なくとも二つの処理槽は、互いに異なる処理液を使用して基板を洗浄することが好ましい。
前記処理槽のうち少なくとも二つの処理槽は、互いに同一な処理液を使用して基板を洗浄することが好ましい。
前記基板の洗浄は、前記処理槽のうち何れか一つの処理槽で洗浄工程が行われた直後のウェハを前記何れか一つの処理槽と隣接する他の処理槽に浸漬して行われることがこのましい。
本発明によると、工程時に基板を支持する支持部材によって基板の洗浄効率が低下することを防止して、基板の洗浄効率を向上させる。すなわち、本発明によると、工程時に各々の処理槽が基板の相違する部分を支持することによって、ある一つの処理槽で支持部材と接触する基板部分が他の処理槽で洗浄されるようにして基板の洗浄効率を向上させる。
次に、本発明に係る基板処理装置及び方法を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。明細書全体において同一の参照符号は同一の構成要素を示す。
また、本発明による実施の形態は、ウェハを洗浄液に浸漬して洗浄する半導体基板洗浄装置を例に取り上げて説明したが、本発明は、所定の処理液で基板を処理する全ての基板処理装置に適用が可能である。
＜実施の形態＞
図１は、本発明による基板処理装置を示す平面図であり、図２は、図１に図示されたウェハ洗浄ユニットを示す正面図である。そして、図３は、図１に図示されたウェハ洗浄ユニットを示す側面図であり、図４は、図３に図示された本発明によるウェハ洗浄ユニットの処理槽のボートを示す図である。
図１を参照すると、本発明による基板処理装置（ａｐｐａｒａｔｕｓ ｆｏｒ ｔｒｅａｔｉｎｇ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）１は、半導体基板（以下、「ウェハ」と称する）を処理する工程を行う。基板処理装置１は、カセット処理ユニット（ｃａｓｓｅｔｔｅ ｔｒｅａｔｉｎｇ ｕｎｉｔ）、第１ウェハ移送ユニット（ｆｉｒｓｔ ｗａｆｅｒ ｔｒａｎｓｆｅｒｉｎｇ ｕｎｉｔ）３０、ウェハ洗浄ユニット（ｗａｆｅｒ ｃｌｅａｎｉｎｇ ｕｎｉｔ）４０、そして第２ウェハ移送ユニット（ｓｅｃｏｎｄ ｗａｆｅｒ ｔｒａｎｓｆｅｒｉｎｇ ｕｎｉｔ）５０を含む。
カセット処理ユニットは、複数のウェハを収納する部材（以下、「カセット」と称する）（Ｃ）を処理する。カセット処理ユニットにはストッカーユニット（ｓｔｏｃｋｅｒ ｕｎｉｔ）が使用される。ストッカーユニットは、カセット収納部１０及びカセット移送部２０を含む。カセット収納部１０には複数のカセット（Ｃ）が移送され収納される。カセット収納部１０は、カセット（Ｃ）が搬入されるための搬入部１２及びカセット収納部１０からカセット（Ｃ）が搬出されるための搬出部１４を有する。カセット収納部１０は、上下左右にカセット（Ｃ）を配置して収納する。
カセット移送部２０は、カセット収納部１０に収納されたカセット（Ｃ）を第１ウェハ移送ユニット３０に移送する。カセット移送部２０は、少なくとも一つの移送アーム（ｔｒａｎｓｆｅｒ ａｒｍ）２２を有する。移送アーム２２は、カセット収納部１０のプレート（図示せず）に載置されたカセット（Ｃ）を移動させ、後述する第１ウェハ移送ユニット３０のロボットアーム３２、３４がカセット（Ｃ）内のウェハＷを処理する位置に位置させる。移送アーム２２は、ガイドレール（ｇｕｉｄｅ ｒａｉｌ）２４に沿って直線往復移動しながら、カセット収納部１０に載置されたカセット（Ｃ）のうち工程上要求されるカセット（Ｃ）を処理する位置に移動される。
第１ウェハ移送ユニット３０は、カセット処理ユニットとウェハ洗浄ユニット４０との相互間にウェハＷを移送する。第１ウェハ移送ユニット３０は、第１ロボットアーム（ｆｉｒｓｔ ｒｏｂｏｔ ａｒｍ）３２及び第２ロボットアーム（ｓｅｃｏｎｄ ｒｏｂｏｔ ａｒｍ ）３４を有する。第１ロボットアーム３２は、カセット処理ユニットからウェハ洗浄ユニット４０にウェハＷを移送し、第２ロボットアーム３４は、ウェハ洗浄ユニット４０から洗浄工程が完了されたウェハＷをカセット処理ユニットに移送する。
基板洗浄ユニット４０は、ウェハＷを洗浄する工程を行う。基板洗浄ユニット（以下、「ウェハ洗浄ユニット」と称する）４０は、移送部（ｔｒａｎｓｆｅｒ ｍｅｍｂｅｒ）１００、第１洗浄部（ｆｉｒｓｔ ｃｌｅａｎｉｎｇ ｍｅｍｂｅｒ）２００、そして第２洗浄部（ｓｅｃｏｎｄ ｃｌｅａｎｉｎｇ ｍｅｍｂｅｒ）３００を有する。 第１洗浄部２００と第２洗浄部３００は、移送部１００を基準に両側に配置される。第１洗浄部２００と第２洗浄部３００は、基板処理装置１の長さ方向に沿ってほぼ平行に配置される。第１洗浄部２００及び第２洗浄部３００各々は、複数の処理槽（ｔｒｅａｔｉｎｇ ｂａｔｈ）を具備する。ウェハ洗浄ユニット４０の構成に対する詳細な説明は後述する。
第２ウェハ移送ユニット５０は、第１洗浄部２００から第２洗浄部３００にウェハＷを移送する。第２ウェハ移送ユニット５０は、第３ロボットアーム（ｔｈｉｒｄ ｒｏｂｏｔ ａｒｍ ）５２及びガイドレール（ｇｕｉｄｅ ｒａｉｌ）５４を含む。第３ロボットアーム５２は、ガイドレール５４に沿って移動する。第３ロボットアーム５２は、工程時にガイドレール５４に沿って直線往復移動し、前記第３ロボットアーム５２に第１洗浄部２００で洗浄工程が完了したウェハＷが第２洗浄部３００に移送される。
次に、本発明によるウェハ洗浄ユニット４０の構成に対して詳しく説明する。図２及び図３を参照すると、移送部１００は、第１洗浄部２００及び第２洗浄部３００にウェハＷを移送する。移送部１００は、第１ロボットアーム１１０及び第２ロボットアーム１２０を含む。第１ロボットアーム１１０は、第１アーム１１２及びガイドレール１１４を含む。第１アーム１１２は、ガイドレール１１４に沿って移動しながら、第１洗浄部２００の各々の処理槽にウェハＷを移送する。同様に、第２ロボットアーム１２０は、第２アーム１２２及びガイドレール１２４を含む。第２アーム１２２は、ガイドレール１２４に沿って移動しながら、第２洗浄部３００の各々の処理槽にウェハＷを移送する。
第１洗浄部２００及び第２洗浄部３００は、ウェハＷを洗浄する工程を行う。第１洗浄部２００及び第２洗浄部３００は、複数の処理槽（ｔｒｅａｔｉｎｇ ｂａｔｈ）を含む。各々の処理槽は、処理液を使用してウェハＷを洗浄する工程を行う。この時、各々の処理槽で使用される処理液は互いに相違するか、または、各々の処理槽で使用される処理液が同一である。
一実施の形態として、第１洗浄部２００及び第２洗浄部３００各々は四つの処理槽を含む。第１洗浄部２００及び第２洗浄部３００が具備する処理槽は、互いに一列に配置され、各々の処理槽が使用する処理液は互いに相違できる。または、選択的に各々の処理槽のうち全部または一部の処理槽が使用する処理液は同一であり得る。本実施の形態では、第１洗浄部２００の処理槽を第１乃至第４処理槽２１０、２２０、２３０、２４０と称し、第２洗浄部３００の処理槽は、第５乃至第８処理槽３１０、３２０、３３０、３４０と称する。しかし、第１乃至第８処理槽２１０、２２０、２３０、２４０、３１０、３２０、３３０、３４０の配置は様々に変更することが可能である。
また、各々の処理槽は、ほぼ同一な構成及び構造を有する一方、工程時にウェハＷを支持する支持部材（以下、「ボート（ｂｏａｔ）」と称する）の構造は相違する。従って、本実施の形態では、第１処理槽２１０の構成を詳しく説明し、第２乃至第８処理槽２２０、２３０、２４０、３１０、３２０、３３０、３４０）の構成のうちボートを除いた残りの構成に対する詳細な説明は省略する。
第１処理槽（ｆｉｒｓｔ ｔｒｅａｔｉｎｇ ｂａｔｈ）２１０は、第１ハウジング（ｆｉｒｓｔ ｈｏｕｓｉｎｇ）２１２、第１ボート（ｆｉｒｓｔ ｂｏａｔ）２１４、第１噴射ノズル（ｆｉｒｓｔ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｎｏｚｚｌｅ）２１６、そして第１供給ライン（ｆｉｒｓｔ ｓｕｐｐｌｙ ｌｉｎｅ）２１８を含む。第１ハウジング２１２は、内部にウェハＷを洗浄する空間を有する。第１ハウジング２１２は、内槽（ｉｎｎｅｒ ｂａｔｈ）２１２ａ及び外槽（ｏｕｔｅｒ ｂａｔｈ）２１２ｂを有する。内槽２１２ａは、内部に処理液が満たされ、ウェハ洗浄工程時にウェハＷが浸漬される空間を提供する。外槽２１２ｂは、内槽２１２ａの側面を囲むように提供され、内槽２１２ａから溢れる処理液を収容する。第１ボート２１４は、工程時に第１ハウジング２１２内部でウェハＷを支持する。この時、第１ボート２１４は、第１ハウジング２１２内部で複数のウェハＷが垂直に立つように支持する。第１噴射ノズル２１６は、工程時に、第１供給ライン２１８から処理液の供給を受け、第１ボート２１４に安着したウェハＷに処理液を噴射する。ここで、処理液は、ウェハＷ表面に残留する異物を除去するための薬液である。
第１ボート２１４は、工程時に、内槽２１２ａの内部でウェハＷが垂直に立つように支持する。一実施の形態として、図４を参照すると、第１ボート２１４は、第１支持部２１４ａ及び第２支持部２１４ｂを有する。第１支持部２１４ａ及び第２支持部２１４ｂ各々は、長いバー（ｂａｒ）形象を有し、互いに一定間隔に離隔して平行に配置される。第１支持部２１４ａ及び第２支持部２１４ｂ各々には、工程時にウェハＷの端の一部と接触する接触部２１４ａ’、２１４ｂ’が形成される。接触部２１４ａ’、２１４ｂ’は、ウェハＷの端の一部が挿入される溝（ｇｒｏｏｖｅ）の形態に提供される。従って、工程時に、第１処理槽２１０の内槽２１２ａに浸漬されたウェハＷは、端の一部が第１及び第２支持部２１４ａ、２１４ｂに形成された接触部２１４ａ’、２１４ｂ’に挿入されて支持される。
第２処理槽２２０は、第１処理槽２１０の構成と大体同一な構成を有する。すなわち、第２処理槽２２０は、第２ハウジング（ｓｅｃｏｎｄ ｈｏｕｓｉｎｇ）２２２、第２ボート（ｓｅｃｏｎｄ ｂｏａｔ）２２４、第２噴射ノズル（ｓｅｃｏｎｄ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｎｏｚｚｌｅ）２２６、そして第２供給ライン（ｓｅｃｏｎｄ ｓｕｐｐｌｙ ｌｉｎｅ）２２８を含む。第２ハウジング２２２は、内部に処理液が満たされる空間を有し、第２ボート２２４は、工程時に、第２ハウジング２２２内部でウェハＷを支持する。第２噴射ノズル２２６は、工程時に、第２供給ライン２２８から供給された処理液を第２ボート２２４に安着したウェハＷに噴射する。
ここで、各々の処理槽２１０、２２０、２３０、２４０、３１０、３２０、３３０、３４０に具備される各々のボートは、工程時にウェハＷの互いに異なる部分を支持する。例えば、各々のボートにおいて、工程時にウェハＷと接触する接触部を有する支持部の間の距離を互いに相違するようにして、工程時に、各々の処理槽に具備されるボートがウェハＷの互いに異なる部分と接触して支持するようにする。すなわち、一実施の形態として図４を参照すると、第１ボート２１４の第１支持部２１４ａと第２支持部２１４ｂとの間の距離ｄ１に比べて、第２ボート２２４の第１支持部２２４ａと第２支持部２２４ｂとの間の距離ｄ２を長くする。従って、図５に示すように、第１処理槽２１０の工程時にウェハＷが第１ボート２１４の第１及び第２支持部２１４ａ、２１４ｂに接触する部分Ｐ１、Ｐ２と、第２処理槽２２０の工程時にウェハＷが第２ボート２２４の第１及び第２支持部２２４ａ、２２４ｂに接触する部分Ｐ１’、Ｐ２’とは、互いに相違する。
上述した一実施の形態では二つの支持部を有するボートを例に取り上げて説明したが、ボートの個数及び形象、そして構造は多様に変更及び変形できる。例えば、本発明の他の実施の形態によるボートは三つの支持部を有する。すなわち、図６を参照すると、本発明の他の実施の形態による第１処理槽２１０の第１ボート２１４’は、第１乃至第３支持部２１４ａ、２１４ｂ、２１４ｃを有する。第１支持部２１４ａ及び第２支持部２１４ｂは、第３支持部２１４ｃを基準に左右対称に配置される。この時、第１支持部２１４ａ及び第２支持部２１４ｂの接触部２１４ａ’、２１４ｂ’の高さは、第３支持部２１４ｃの接触部２１４ｃ’高い。同様に、第２処理槽２２０の第２ボート２２４’は、第１乃至第３支持部２２４ａ、２２４ｂ、２２４ｃを有する。第１乃至第３支持部２２４ａ、２２４ｂ、２２４ｃ各々は、第１処理槽２１０の第１ボート２１４’の構成とほぼ同一な形象を有する。この時、第２ボート２２４’の第１支持部２２４ａと第２支持部２２４ｂとの間の距離ｄ２は、第１ボート２１４’の第１支持部２１４ａと第２支持部２１４ｂとの間の距離ｄ１より長い。従って、図７に示すように、第１処理槽２１０のウェハ洗浄工程時に、ウェハＷが第１ボート２１４’の第１乃至第３支持部２１４ａ、２１４ｂ、２１４ｃ各々に接触する部分Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３と第２処理槽２２０のウェハ洗浄工程時に、ウェハＷが第２ボート２２４’の第１乃至第３支持部２２４ａ、２２４ｂ、２２４ｃ各々に接触する部分Ｐ１’、Ｐ２’、Ｐ３’は互いに相違する。
このような本発明の他の実施の形態によるボートを有するウェハ洗浄ユニット４０は、一実施の形態によるボートを有するウェハ洗浄ユニット４０に比べて、ウェハＷを支持する支持部をさらに具備することによって、工程時にウェハＷをより安定的に支持する。
また、本発明のまた他の実施の形態では、ボートが四つの支持部を有する。すなわち、図８を参照すると、本発明のまた他の実施の形態による第１処理槽２１０の第１ボート２１４’’は、第１乃至第４支持部２１４ａ、２１４ｂ、２１４ｃ、２１４ｄを有する。第１支持部２１４ａ及び第２支持部２１４ｂは、工程時にボート２１４’’に載置されたウェハＷの中心を上下に横切る垂直線Ｘ１を基準に左右対称に配置される。第３支持部２１４ｃ及び第４支持部２１４ｄは、第１支持部２１４ａ及び第２支持部２１４ｂの間に配置され垂直線Ｘ１を基準に左右対称に配置される。この時、第１支持部２１４ａ及び第２支持部２１４ｂの接触部２１４ａ’、２１４ｂ’の高さは、第３支持部２１４ｃ及び第４支持部２１４ｄの接触部２１４ｃ’、２１４ｄ’より高い。そして、第２処理槽２２０の第２ボート２２４’’は、第１乃至第４支持部２２４ａ、２２４ｂ、２２４ｃ、２２４ｄを有する。第１乃至第４支持部２２４ａ、２２４ｂ、２２４ｃ、２２４ｄ各々は、第１処理槽２１０の第１ボート２１４’’の構成とほぼ同一な形象を有する。この時、第２ボート２２４’’の第１支持部２２４ａと第２支持部２２４ｂとの間の距離ｄ３は、第１ボート２１４’’の第１支持部２１４ａと第２支持部２１４ｂとの間の距離ｄ１より長い。また、第２ボート２２４’’の第３支持部２２４ｃと第４支持部２２４ｄとの間の距離ｄ４は、第１ボート２１４’’の第３支持部２１４ｃと第４支持部２１４ｄとの間の距離ｄ２より長い。
従って、図９に示すように、第１処理槽２１０のウェハ洗浄工程時に、ウェハＷが第１ボート２１４’’の第１乃至第４支持部２１４ａ、２１４ｂ、２１４ｃ、２１４ｄに接触する部分Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４と第２処理槽２２０のウェハ洗浄工程時に、ウェハＷが第２ボート２２４’’の第１乃至第４支持部２２４ａ、２２４ｂ、２２４ｃ、２２４ｄに接触する部分Ｐ１’、Ｐ２’、Ｐ３’、Ｐ４’は互いに相違する。
このような本発明のまた他の実施の形態によるボートを有するウェハ洗浄ユニットは、他の実施の形態によるボートを有するウェハ洗浄ユニットに比べて、ウェハＷを支持する支持部をさらに具備することによって、工程時にウェハＷをより安定的に支持し、各々の処理槽のボートに具備される支持部の位置を相違するようにして、工程時に各々の処理槽のボートが基板の相違する部分と接触するようにして基板を支持する。
以下、図１０を参照して上述した基板処理装置１の基板処理工程の過程を詳しく説明する。図１０は、本発明による基板処理方法を示すフローチャートである。基板処理装置１の工程では、まずストッカーユニットにカセット（Ｃ）が搬入される（Ｓ１１０）。すなわち、洗浄工程が行われるウェハＷを収納したカセット（Ｃ）は、カセット収納部１０の搬入部１２を通じてカセット収納部１０に搬入される。搬入部１２に搬入されたカセット（Ｃ）は、カセット移送部２０の移送アーム２２によってカセット収納部１０の既設定の位置に上下左右に整列して収納される。
第１ウェハ移送ユニット３０は、カセット移送部２０の移送アーム２２によって移送されたカセット（Ｃ） 内のウェハＷを搬出した後ウェハ洗浄ユニット４０に移送する（Ｓ１２０）。すなわち、第１ロボットアーム３２は、移送アーム２２によって移送されたカセット（Ｃ）内のウェハＷを順次に搬出した後、これをウェハ洗浄ユニット４０の第１アーム１１２に移送する。
ウェハ洗浄ユニット４０は、移送されたウェハＷを洗浄する（Ｓ１３０）。すなわち、移送部１００の第１ロボットアーム１１０は、第１洗浄部２００の各々の処理槽２１０、２２０、２３０、２４０にウェハＷを浸漬することによって、ウェハＷ表面の異物を除去する。また、移送部１００の第２ロボットアーム１２０は、第２洗浄部３００の各々の処理槽３１０、３２０、３３０、３４０にウェハＷを浸漬することによって、ウェハＷ表面の異物を除去する。ウェハ洗浄ユニット４０のウェハ洗浄工程に対する詳細な説明は後述する。
洗浄工程が完了したウェハＷは、カセット処理ユニット内のカセット（Ｃ）に移送される（Ｓ１４０）。すなわち、ウェハ洗浄ユニット４０によって洗浄工程が完了したウェハＷは、第１ウェハ移送ユニット３０の第２ロボットアーム３４によってカセット移送部２０に位置したカセット（Ｃ）に搬入される。そして、洗浄工程が完了したウェハＷを収納したカセット（Ｃ）は、ストッカーユニットの搬出部１４を通じて基板処理装置１から搬出された後、後続工程が行われる設備に移送される（Ｓ１５０）。
上述したウェハ洗浄工程が行われる間各々の処理槽は、工程時にウェハＷの互いに異なる部分を支持してウェハＷを洗浄する（Ｓ１３０）。すなわち、移送部１００の第１ロボットアーム１１０は、第１処理槽２１０の内槽２１２ａにウェハＷを浸漬する。第１処理槽２１０の内槽２１２ａに浸漬したウェハＷは第１ボート２１４に安着する。この時、ウェハＷは、第１ボート２１４の第１及び第２支持部２１４ａ、２１４ｂに形成される溝２１４ａ’、２１４ｂ’に端の一部が挿入され支持される。第１ボート２１４にウェハＷが載置されると、第１噴射ノズル２１６は、第１供給ライン２１８から処理液の供給を受け、第１ボート２１４に載置されたウェハＷに第１処理液を噴射する。噴射された第１処理液は、ウェハＷ表面に付着した異物を除去する。この時、第１及び第２支持部２１４ａ、２１４ｂと接触するウェハＷの部分Ｐ１、Ｐ２は、噴射される第１処理液によって完全に洗浄されない。
第１処理槽２１０でのウェハＷ洗浄が完了すると、第１ロボットアーム１１０は第１処理槽２１０からウェハＷを搬出した後、第２処理槽２２０の内槽２２２ａにウェハＷを浸漬する。第２処理槽２２０に浸漬したウェハＷは第２ボート２２４に載置される。ここで、第２処理槽２２０の第２ボート２２４の第１及び第２支持部２２４ａ、２２４ｂがウェハＷと接触する部分Ｐ１’、Ｐ２’は、第１処理槽２１０の第１ボート２１４の第１及び第２支持部２１４ａ、２１４ｂがウェハＷと接触する部分Ｐ１、Ｐ２と相違する。第２ボート２２４にウェハＷが載置されると、第２噴射ノズル２２６は、第２供給ライン２２８から処理液の供給を受けてウェハＷに噴射する。この時、第２処理槽２２０の第２供給ライン２２８が供給する第２処理液は、第１処理槽２１０の供給ライン２１８が供給する処理液と相違しても良い。または、選択的に第１処理液と第２処理液は、互いに同一な処理液であっても良い。第２噴射ノズル２２６によって噴射される第２処理液は、ウェハＷ表面の異物を除去し、第１処理槽２１０で洗浄されなかったウェハＷの端の部分Ｐ１、Ｐ２も洗浄する。
第２処理槽２２０でのウェハＷ洗浄が完了すると、第１ロボットアーム１１０は、第３及び第４処理槽２３０、２４０に順次にウェハＷを浸漬し、第３処理槽２３０及び第４処理槽２４０は浸漬したウェハＷを洗浄する。この時、図３に示すように、第３処理槽２３０及び第４処理槽２４０に具備される第３及び第４ボート２３４、２４４の第１支持部と第２支持部との間の距離ｄ３、ｄ４が互いに相違するので、第３及び第４ボート２３４、２４４は、工程時にウェハＷ端の互いに異なる部分と接触する。従って、ウェハＷは、第１乃至第４処理槽２１０、２２０、２３０、２４０のボートの互いに異なる部分と接触して洗浄工程が行われる。
第１洗浄部２００のウェハＷ洗浄が完了すると、第２洗浄部３００のウェハＷ洗浄が行われる。すなわち、第２ウェハ移送ユニット５０は第１洗浄部２００から第２洗浄部３００にウェハＷを移送する。そして、第２ロボットアーム１２０は、第５処理槽３１０から第８処理槽３４０に順次にウェハＷを浸漬し、第５乃至第８処理槽３１０、３２０、３３０、３４０は順次にウェハＷを洗浄する。この時、第５乃至第８処理槽３１０、３２０、３３０、３４０は、前述した第１洗浄部２００と同一な方式により各々具備されるボートの第１及び第２支持部の間の距離を相違するようにして、第５乃至第８処理槽３１０、３２０、３３０、３４０の工程時ににウェハＷの互いに異なる部分がボートと接触して洗浄工程が行われる。
洗浄工程が完了したウェハＷは、カセット処理ユニット内のカセット（Ｃ）に移送される（Ｓ１４０）。すなわち、ウェハ洗浄ユニット４０によって洗浄工程が完了したウェハＷは、第１ウェハ移送ユニット３０の第２ロボットアーム３４によってカセット移送部２０に位置したカセット（Ｃ）に搬入される。（Ｓ１４０）。そして、洗浄工程が完了したウェハＷを収納したカセット（Ｃ）は、ストッカーユニットの搬出部１４を通じて基板処理装置１から搬出された後、後続工程が行われる設備に移送される（Ｓ１５０）。
上述のように、本発明によるウェハ洗浄ユニット及び基板処理装置は、各々の処理槽のボートの支持部の間の距離を相違するようにして、ウェハ洗浄の時に各々の処理槽に具備されるボートがウェハと接触する部分を相違するようにする。従って、ある処理槽でボートと接触して洗浄されなかったウェハの部分が他の処理槽で洗浄されることにより、装置の洗浄工程の効率が向上する。
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
本発明の実施の形態による基板処理装置を示す平面図である。 図１に図示されたウェハ洗浄ユニットを示す正面図である。 図１に図示されたウェハ洗浄ユニットを示す側面図である。 図３に図示されたボートを示す斜視図である。 本発明の実施の形態による基板処理方法を示す図である。 本発明の他の実施の形態による基板洗浄過程を説明する図である。 本発明の他の実施の形態による基板洗浄過程を説明する図である。 本発明のまた他の実施の形態による基板洗浄過程を説明する図である。 本発明のまた他の実施の形態による基板洗浄過程を説明する図である。 発明の実施の形態による基板洗浄過程を説明するフローチャートである。
符号の説明
１ 基板処理装置
１０ カセット収納部
２０ カセット移送部
３０ 第１ウェハ移送ユニット
４０ ウェハ洗浄ユニット
５０ 第２ウェハ移送ユニット
１００ 移送部
２００ 第１洗浄部
３００ 第２洗浄部

Claims (17)

  1. 基板を処理する装置であって、
    内部に処理液で満たされる空間を有するハウジングと、前記基板を支持する支持部材とを含み、
    工程時に前記ハウジング内部で前記基板を洗浄する処理槽と、
    複数の前記処理槽間に基板を移送する移送部と、を有し、
    前記支持部材は複数の支持部を含み、
    前記複数の処理槽が少なくとも第１処理槽と第２処理槽を含む場合には、
    第１処理槽での工程時に、前記基板が、第１ハウジング内部で第１支持部材の複数の支持部に接触する部分と、第２処理槽での工程時に、 第２ハウジング内部で第２支持部材の複数の支持部に接触する部分とは互いに相違するように形成されている、ことを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記第１支持部材と前記第２支持部材は、
    工程時に前記ハウジング内部で垂直になるように基板を支持し、
    前記第１支持部材と前記第２支持部材各々は、
    基板の端の一部分と接触する第１支持部及び第２支持部を含み、
    前記第１支持部と前記第２支持部は、
    前記ハウジング内部に浸漬された基板の中心を上下に横切る垂直線を基準に互いに対称に配置され、
    前記第１支持部材の前記第１支持部と前記第２支持部との間の距離は、
    前記第２支持部材の前記第１支持部と前記第２支持部との間の距離と相違することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記第１支持部及び前記第２支持部各々は、
    工程時に基板と接触する接触部を含み、
    前記第１支持部の接触部の高さと前記第２支持部の接触部の高さは、
    互いに同一であることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記第１支持部材と前記第２支持部材は、
    工程時に前記ハウジング内部で垂直になるように基板を支持し、
    前記第１支持部材と前記第２支持部材各々は、
    基板の端の一部分と接触する第１支持部、第２支持部、そして第３支持部を含み、
    前記第１支持部と前記第２支持部は、前記第３支持部を基準に両側に配置され、
    前記第１支持部材の前記第１支持部と前記第２支持部との間の距離は、
    前記第２支持部材の前記第１支持部と前記第２支持部との間の距離と相違することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  5. 前記第１支持部、前記第２支持部、そして前記第３支持部各々は、
    工程時に基板と接触する接触部を含み、
    前記第１支持部の接触部の高さと前記第２支持部の接触部の高さは、互いに同一であり、
    前記第３支持部の高さは、
    前記第１支持部及び前記第２支持部の接触部の高さより低いことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 前記第１支持部と前記第２支持部は、
    工程時に前記ハウジング内部に浸漬された基板の中心を上下に垂直に横切る垂直線を基準に左右対称の形状であることを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 前記第１支持部材と前記第２支持部材は、
    工程時に前記ハウジング内部で垂直になるように基板を支持し、
    前記第１支持部材と前記第２支持部材各々は、
    基板の端の一部分と接触する第１支持部、第２支持部、第３支持部、そして第４支持部を含み、
    前記第１支持部と前記第２支持部は、前記基板の中心を上下に横切る垂直線を基準に左右対称に配置され、
    前記第３支持部と前記第４支持部は、前記第１支持部と前記第２支持部との間で前記基板の中心を上下に横切る垂直線を基準に左右対称に配置され、
    前記第１支持部材の前記第１支持部と前記第２支持部との間の距離は、
    前記第２支持部材の前記第１支持部と前記第２支持部との間の距離と相違し、
    前記第１支持部材の前記第３支持部と前記第４支持部との間の距離は、
    前記第２支持部材の前記第３支持部と前記第４支持部との間の距離と相違することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  8. 前記第１支持部、前記第２支持部、前記第３支持部、そして前記第４支持部各々は、
    工程時に基板と接触する接触部を含み、
    前記第１支持部の接触部の高さと前記第２支持部の接触部の高さは、
    互いに同一であり、
    前記第３支持部の接触部の高さと前記第４支持部の接触部の高さは、
    互いに同一であり、
    前記第１支持部及び前記第２支持部の接触部の高さは、
    前記第３支持部及び前記第４支持部の接触部の高さより高いことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
  9. 前記第１処理槽及び前記第２処理槽は、
    互いに隣接して配置されることを特徴とする請求項１乃至８の何れか一項に記載の基板処理装置。
  10. 第１洗浄部は、
    前記第１ハウジングに第１処理液を供給する第１供給ラインを含み、
    第２洗浄部は、
    前記第２ハウジングに前記第１処理液と相違する第２処理液を供給する第２供給ラインを含むことを特徴とする請求項１乃至８の何れか一項に記載の基板処理装置。
  11. 第１洗浄部は、
    前記第１ハウジングに第１処理液を供給する第１供給ラインを含み、
    第２洗浄部は、
    前記第２ハウジングに前記第１処理液を供給する第２供給ラインを含むことを特徴とする請求項１乃至８の何れか一項に記載の基板処理装置。
  12. 処理液に基板を浸漬して基板を洗浄する複数の処理槽を具備して基板を洗浄し、
    前記複数の処理槽が少なくとも第１処理槽と第２処理槽を含む場合には、
    第１処理槽での工程時に前記基板が第１支持部材の複数の支持部に接触する部分と、第２処理槽での工程時に第２支持部材の複数の支持部に接触する部分とは互いに相違するように基板を支持して、基板を洗浄することを特徴とする基板処理方法。
  13. 前記処理槽は、
    内部に処理液が満たされる複数のハウジング及び前記ハウジング各々に具備され前記ハウジング内部で基板を支持する支持部材を含み、
    前記基板の互いに異なる部分の支持は、
    前記ハウジング各々に具備する前記支持部材を相違する形象で形成することによって行われることを特徴とする請求項１２に記載の基板処理方法。
  14. 前記支持部材は、
    工程時に前記ハウジング内部で垂直になるように基板を支持し、
    前記基板の互いに異なる部分の支持は、
    前記ハウジングに浸漬された基板の中心を横切る垂直線を基準に基板の一側端の側面と接触する前記支持部材の第１支持部と、前記垂直線を基準に基板の他側端の側面と接触する前記支持部材の第２支持部との距離を、前記処理槽毎に相違するように形成することによって行われることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理方法。
  15. 前記処理槽のうち少なくとも二つの処理槽は、
    互いに異なる処理液を使用して基板を洗浄することを特徴とする請求項１２乃至１４の何れか一項に記載の基板処理方法。
  16. 前記処理槽のうち少なくとも二つの処理槽は、
    互いに同一な処理液を使用して基板を洗浄することを特徴とする請求項１２乃至１４の何れか一項に記載の基板処理方法。
  17. 前記基板の洗浄は、
    前記処理槽のうち何れか一つの処理槽で洗浄工程が行われた直後のウェハを前記何れか一つの処理槽と隣接する他の処理槽に浸漬して行われることを特徴とする請求項１２乃至１４の何れか一項に記載の基板処理方法。
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