TWI388025B - 處理基板的裝置及其方法 - Google Patents

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Description

處理基板的裝置及其方法
本文所揭露之本發明有關於處理基板的裝置及其方法，且更特定而言，有關於使用處理槽來處理基板的裝置和使用此裝置來處理基板的方法，其中，此處理槽藉由將晶圓浸入於填充處理溶液的處理槽內而清洗晶圓。
製造半導體元件之製程包括清洗製程，此清洗製程自半導體晶圓移除各種外來物質，諸如微粒金屬雜質(corpuscle metal impurity)、有機污染物和表面薄膜。在執行清洗製程的裝置中，批式晶圓清洗裝置包括基板清洗單元。基板清洗單元是執行基板清洗之單元。基板清洗單元包括多個處理槽。處理槽具有大致相同的結構並鄰近安置。處理溶液透過供應管線而供應至處理槽中之每一者並儲存於處理槽中之每一者中。當清洗晶圓時，藉由將晶圓浸入儲存於處理槽中的處理溶液內來清洗晶圓。
但是，在具有上述結構的清洗裝置中晶圓的清洗效率可能會由於在清洗製程期間支撐晶圓之支撐構件而降低。浸入於處理槽中的晶圓安置於支撐構件上並在清洗製程期間藉由支撐構件來支撐。此時，與支撐構件接觸之晶圓的一部份不能藉由處理槽中的處理溶液來清洗。結果，在執行隨後的製程時，晶圓處理製程的效率可能會降低。
某些實施例提供清洗基板的裝置。此裝置包括第一處 理槽和第二處理槽以及轉移部份，此第一處理槽包括第一外殼和第一支撐構件，此第一外殼具有填充處理溶液之空間，此第一支撐構件在製程期間支撐第一外殼中之基板，且此第二處理槽包括第二外殼和第二支撐構件，此第二外殼具有填充處理溶液的空間且此第二支撐構件在製程期間支撐第二外殼中之基板，且此轉移部份將基板轉移至第一處理槽和第二處理槽，其中，此第一支撐件和第二支撐件經成形使得在製程期間第一支撐件與第二支撐件與基板的接觸點不同。
某些實施例提供清洗基板的方法。此方法為使用處理槽來清洗基板，處理槽藉由將基板浸入於處理溶液中而清洗基板，其中處理槽中之至少兩個藉由支撐浸入於處理溶液中的基板的不同點而清洗基板。
現參看附圖而在下文中更全面地描述本發明，在附圖中示出本發明的實施例。但本發明可體現為多種不同形式且不應認為限於本文所陳述的實施例。而是提供此等實施例使得本揭露內容全面且完整，並向熟習此項技術者全面地傳達本發明之範疇。在圖式中，為了清楚起見，可誇示各層和區域之大小和相對大小。貫穿全文，類似的元件符號指出類似的元件。
圖1是根據本發明之處理基板的裝置的頂視平面圖，且圖2是圖1中所描繪的基板清洗單元的正視圖。圖3是圖1所描繪的基板清洗單元之側視圖，且圖4是圖3中所 描繪之基板清洗單元之透視圖。
參看圖1，處理基板的裝置1執行處理半導體基板(在下文中，其被稱作晶圓)之製程。處理基板的裝置1包括盒處理單元(cassette treating unit)、第一晶圓轉移單元30、晶圓清洗單元40和第二晶圓轉移單元50。
盒處理單元處理用於接收多個晶圓之構件(在下文中，其被稱作盒)。使用堆料機單元(stocker unit)作為盒處理單元。堆料機單元包括盒接收部份10和盒轉移部份20。多個盒C轉移至盒接收部份10且盒接收部份10接收多個盒。盒接收部份10包括載入部份12和載出部份14，載入部份12將盒C載運到盒接收部份10中，載出部份14將盒C自盒接收部份10載出。盒C沿著盒接收部份10之列和行而達成二維裝載。
盒轉移部份20將安置於盒接收部份10中的盒C轉移至第一晶圓轉移單元30。盒轉移部份20包括至少一個轉移臂22。轉移臂22將安置於盒接收部份10的板16上的盒C移動至一定位置，在該位置處第一晶圓轉移單元30的機器人臂32和34處理安置於盒中的晶圓。轉移臂22沿導軌24來回線性移動並到達用於處理盒的位置，該盒在盒接收部份10中安置的盒中屬於需要處理的。
第一晶圓轉移單元30在盒處理單元與晶圓清洗單元40之間轉移晶圓W。第一晶圓轉移單元30包括第一機器人臂32和第二機器人臂34。第一機器人臂32將晶圓W自盒處理單元轉移至晶圓清洗單元40且第二機器人臂34 自清洗單元40轉移多個已完成清洗製程之晶圓W。
基板清洗單元40執行清洗晶圓W之製程。基板清洗單元40(在下文中，其被稱作晶圓清洗單元)包括轉移部份100、第一清洗部份200和第二清洗部份300。第一清洗部份200和第二清洗部份300安置於轉移部份100的兩側。第一清洗部份200和第二清洗部份300沿著裝置1的長度方向平行地安置。第一清洗部份200和第二清洗部份300中之每一者包括多個處理槽。
第二晶圓轉移單元50將晶圓W自第一清洗部份200轉移至第二清洗部份300。第二晶圓轉移單元50包括第三機器人臂52和導軌54。第三機器人臂52沿著導軌54移動。第三機器人臂52沿著導軌54來回線性移動。第三機器人臂52接收已完成清洗製程之晶圓W並將晶圓W轉移至第二清洗部份300。
參看圖2和圖3，轉移部份100將晶圓W轉移至第一清洗部份200和第二清洗部份300。轉移部份100包括第一機器人臂110和第二機器人臂120。第一機器人臂110包括第一臂112和導軌114。第一臂112沿著導軌114移動並將晶圓W轉移至第一清洗部份200的處理槽中之每一者。以相同方式，第二機器人臂120包括第二臂122和導軌124。第二臂122沿著導軌124移動並將晶圓W轉移至第二清洗部份300的處理槽中之每一者。
第一清洗部份200和第二清洗部份300執行一種清洗晶圓W之製程。第一清洗部份200與第二清洗部份300 包括多個處理槽。該等處理槽中之每一者使用處理溶液來清洗晶圓W。此時，該等處理槽中之每一者可使用不同的溶液或相同的處理溶液。
在一實施例中，第一清洗部份200與第二清洗部份300中之每一者包括四個處理槽。包括於第一清洗部份200和第二清洗部份300中之處理槽安置成一排且在該等處理槽中之每一者中所使用的處理溶液可不同。所有處理槽或該等處理槽中之一部份可使用相同的處理溶液。在本實施例中，在第一清洗部份200中之處理槽被稱作第一處理槽至第四處理槽210、220、230和240，且在第二清洗部份300中之處理槽被稱作第五處理槽至第八處理槽。但第一處理槽至第八處理槽210、220、230、240、310、320、330和340可不同地安置著。
每個處理槽具有大致相同的構造和結構但支撐晶圓W之支撐構件(在下文中，其被稱作晶舟)的結構不同。因此，在本實施例中，詳細地描述第一處理槽210的構造並描述第二處理槽至第八處理槽220、230、240、310、320、330和340的晶舟。
第一處理槽210包括第一外殼212、第一晶舟214、第一注入噴嘴(injection nozzle)216和第一供應管線218。第一外殼212包括清洗晶圓W之空間。第一外殼212包括內槽212a和外槽212b。內槽212a填充著處理溶液並提供在清洗製程期間浸沒晶圓W的空間。外槽212b包圍內槽212a的側表面並容納自內槽212a溢出的處理溶液。在清洗製程 期間，第一晶舟214在第一外殼212內支撐晶圓W。第一晶舟214支撐多個晶圓W使得晶圓W垂直地置放。第一供應噴嘴216自第一供應管線218接收處理溶液並將處理溶液注入至置放於第一晶舟214中的晶圓W。處理溶液是用於自晶圓W的表面移除殘留異物之化學溶液。
在內槽212a內，第一晶舟214支撐晶圓W使得在清洗製程中晶圓W垂直地置放。在一實施例中，參看圖4，第一晶舟214包括第一支撐部份214a和第二支撐部份214b。第一支撐部份214a與第二支撐部份214b為棒狀(bar shape)且彼此平行以預定距離間隔開。接觸晶圓W的邊緣的一部份的接觸部份214a’和214b’形成於各別的第一支撐部份214a與第二支撐部份214b上。接觸部份214a’和214b’包括凹槽，晶圓W的邊緣的一部份插入於凹槽中。浸入於處理槽210的內槽212a中的晶圓W的邊緣的一部份藉由插入於形成於第一支撐部份214a與第二支撐部份214b上的接觸部份214a’和214b’內而被支撐。
第二處理槽220具有與第一處理槽210大致相同的構造。即，第二處理槽220包括第二外殼222、第二晶舟224、第二注入噴嘴226以及第二供應管線228。填充著處理溶液之空間設於第二外殼222內。在第二外殼222內，第二晶舟224支撐晶圓W。第二注入噴嘴226自第二供應管線228接收一種處理溶液並在清洗製程期間將該處理溶液注射至置放於第二晶舟224上的晶圓W內。
在清洗製程期間，包括於處理槽210、220、230、240、 310、320、330和340中之每一者內的晶舟中的每一者支撐晶圓W的不同部份。使晶舟中之每一者的支撐部份之間的距離不同，使得晶舟中之每一者藉由與晶圓W的不同部份接觸而支撐晶圓W。參看圖4，第一晶舟214的第一支撐部份214a與第二支撐部份214b之間的距離d1大於第二晶舟224的第一支撐部份214a與第二支撐部份214b之間的距離d2。因此，如圖5所示，晶圓W與第一處理槽210的第一支撐部份214a和第二支撐部份214b接觸的接觸點P1和P2不同於晶圓W與第二處理槽220的第一支撐部份224a和第二支撐部份224b接觸的接觸點P1’與P2’。
在上述實施例中，描述了具有兩個支撐部份的晶舟。但晶舟的數目、形狀和結構可有各種變化。舉例而言，根據本發明之另一實施例的晶舟包括三個支撐構件。
參看圖6，根據另一實施例之第一處理槽210之第一晶舟214’包括第一支撐部份至第三支撐部份212a、212b和212c。第一支撐部份212a和第二支撐部份212b關於第三支撐部份212c兩側而對稱地安置著。第一支撐部份212a和第二支撐部份212b的接觸部份212a’和212b’的高度大於支撐部份212c的接觸部份212c’的高度。以相同方式，第二處理槽220的第二晶舟224’包括第一支撐部份至第三支撐部份224a、224b和224c。第一支撐部份至第三支撐部份224a、224b和224c中之每一者具有與第一處理構件210的第一晶舟214’大致相同的結構。第二晶舟224’的第一支撐部份224a與第二支撐部份224b之間的距離d2大於 第一晶舟214’的第一支撐部份214a與第二支撐部份214b之間的距離d1。如圖7所示，當在第一處理槽210’中清洗晶圓W時晶圓W與第一支撐部份至第三支撐部份214a、214b和214c接觸的接觸點P1、P2和P3不同於在第二處理槽220中清洗當晶圓W時晶圓W與第二晶舟224’的第一支撐部份至第三支撐部份224a、224b和224c接觸的接觸點P1’、P2’和P3’。
具有根據本發明之另一實施例的晶舟的晶圓清洗單元40包括比具有根據一實施例的晶舟的晶圓清洗單元40更多的晶圓支撐部份。結果，在清洗製程期間，晶圓W在更穩定的條件下被支撐著。
在又一實施例中，晶舟包括四個支撐部份。參看圖8，第一處理槽210的第一晶舟214”包括第一支撐部份至第四支撐部份212a、212b、212c和212d。第一支撐部份212a和第二支撐部份212b關於垂直地穿過置放於第一晶舟214”上的晶圓W的中心的垂直線X1兩側對稱地安置著。第三支撐部份212c和第四支撐部份212d在第一支撐部份212a與第二支撐部份212b之間關於垂直線X1兩側對稱地安置著。第一支撐部份212a和第二支撐部份212b的接觸部份212a’和212b’的高度大於第三支撐部份和第四支撐部份212c與212d的的接觸部份212c’和212d’的高度。第二處理槽220的第二晶舟224”包括第一支撐部份至第四支撐部份224a、224b、224c和224d。第一支撐部份至第四支撐部份224a、224b、224c和224d中之每一者具有與第一 處理槽210的第一晶舟214”大致相同的結構。第二晶舟224”的第一支撐部份224a與第二支撐部份224b之間的距離d3大於第一晶舟214”的第一支撐部份214a與第二支撐部份214b之間的距離d1。而且，第二晶舟224”的第三支撐部份224c與第四支撐部份224d之間的距離d4大於第一晶舟214”的第三支撐部份214c與第四支撐部份214d之間的距離d2。
因此，如圖9所示，在清洗製程期間，晶圓W與第一晶舟214”的第一支撐部份至第四支撐部份214a、214b、214c和214d接觸的接觸點P1、P2、P3和P4不同於晶圓W與第二晶舟224”的第一支撐部份至第四支撐部份224a、224b、224c和224d接觸的接觸點P1’、P2’、P3’和P4’。
具有根據又一實施例的晶舟的基板清洗單元包括比具有根據另一實施例的晶舟的基板清洗單元更多的晶圓支撐部份。結果，在清洗製程期間，晶圓W以更穩定的條件而被支撐著。使包括於處理槽中每一者中的晶舟的支撐部份的位置不同，使得包括於處理槽中之每一者中的晶舟的支撐部份可與晶圓W的不同點接觸。
參看圖10，詳細地描述了基板處理裝置處理基板之製程。圖10是示出根據本發明之處理基板的方法的流程圖。若處理基板之製程開始，則盒C載入於堆料單元中(S110)。即，將接收多個待執行清洗製程的晶圓W之盒C藉由盒接收部份10的載入部份12而載入於盒接收部份10 中。載入於載入部份12中的盒C藉由盒轉移部份20的轉移臂22而二維排列於盒接收部份10的預定位置上。
第一晶圓轉移單元30將自盒轉移部份20的轉移臂22接收的盒C的晶圓W載出並將晶圓W轉移至晶圓清洗單元40(S120)。即，第一機器人臂32依序將自轉移臂22接收的盒C的晶圓W載出並隨後將晶圓W轉移至晶圓清洗單元40的第一臂42b。
晶圓清洗單元40清洗所接收的晶圓W(S130)。即，該轉移部份100的第一機器人臂110將晶圓W浸入於第一清洗部份200的各別處理槽210中，從而移除殘留異物。該轉移部份100的第二機器人臂120使晶圓W浸入於第二清洗部份300的處理槽310之每一者中，從而移除晶圓W上的殘留異物。將在下文中描述藉由晶圓清洗單元40執行之晶圓清洗製程。
完成清洗製程之晶圓W被轉移至盒處理單元中的盒C(S140)。即，藉由第二清洗單元44完成清洗製程之晶圓W藉由第二臂44而載入於位於盒轉移部份20的盒C中。包括完成清洗製程的晶圓W之盒C藉由堆料單元的載出部份14而自裝置1載出並轉移至執行隨後的製程之設備(S150)。
處理槽中之每一者支撐著晶圓W的不同點並在執行晶圓清洗製程時清洗晶圓W(S130)。即，轉移部份100的第一機器人臂110將晶圓W浸入於第一處理槽210的內槽212中。浸入於第一處理槽210的內槽212中的晶圓W置 放於第一晶舟214上。晶圓W的邊緣的一部藉由插入於形成於第一晶舟214的第一支撐部份214a和第二支撐部份214b上的凹槽214a’和214b’中而被支撐著。若晶圓W置放於第一晶舟214上，則第一注入噴嘴216自第一供應構件218接收處理溶液並將第一處理溶液注入至置放於第一晶舟214上的晶圓W內。晶圓W與第一支撐部份214a和第二支撐部份214b接觸的點P1和P2不能藉由第一處理溶液來完全清洗。
當在第一處理槽210中完成晶圓W清洗時，第一機器人臂110將晶圓W自第一處理槽210載出並將晶圓W浸入於第二處理槽220的內槽222中。浸入於第二處理槽220中的晶圓W置放於晶舟224上。晶圓W與第二晶舟224的第一支撐部份224a和第二支撐部份224b接觸的接觸點P1’與P2’不同於晶圓W與第一晶舟214的第一支撐部份214a和第二支撐部份214b接觸的接觸點P1與P2。當晶圓W置放於第二晶舟224上時，第二注入噴嘴226自第二供應管線228接收處理溶液並將處理溶液注入到晶圓W內。藉由第二處理槽220的第二供應管線228供應之第二處理溶液可不同於藉由第一處理槽210的第一供應管線218所供應之第一處理溶液。或者，第一處理溶液可與第二處理溶液相同。藉由第二注入噴嘴226注入之第二處理溶液移除晶圓W的表面上的殘留異物而且還移除在第一處理槽210中未被清洗的晶圓W的邊緣點P1和P2上的殘留異物。
當在第二處理槽220中完成晶圓W清洗時，第一機器人臂110依序將晶圓W浸入於第三處理槽230和第四處理槽240中且第三處理槽230和第四處理槽240清洗所浸入之晶圓W。如圖3所示，第三處理槽230的第三晶舟234的第一支撐部份與第二支撐部份之間的距離d3不同於第四處理槽240的第四晶舟244的第一支撐部份與第二支撐部份之間的距離d4。結果，第三晶舟234和第四晶舟244是與晶圓W的邊緣的不同點接觸。因此，第一處理槽至第四處理槽210、220、230和240的第一晶舟至第四晶舟分別與晶圓W的不同點接觸並執行清洗製程。
若完成了第一清洗部份200之晶圓W的清洗，則執行第二清洗部份300的晶圓W的清洗。即，第二晶圓轉移單元50將晶圓W自第一清洗部份200轉移至第二清洗部份300。第二機器人臂120依序將晶圓W浸入於第五至第八處理槽310、320、330和340中且第五處理槽至第八處理槽310、320、330和340依序清洗晶圓W。使第五處理槽至第八處理槽310、320、330和340的晶舟的第一支撐部份與第二支撐部份不同，使得第五處理槽至第八處理槽310、320、330和340的晶舟分別接觸晶圓W的不同點並執行清洗製程。
完成了清洗製程之晶圓W被轉移至盒處理單元之盒C(S140)。即，藉由第二清洗單元44來完成清洗製程之晶圓W藉由第一基板清洗單元42之第二臂44b而載入於位於盒轉移部份20的盒C中(S140)。用於接收已完成清洗製 程的晶圓W之盒C藉由堆料單元之載出部份14而自裝置1載出並轉移至執行隨後的製程的設備(S150)。
如上文所述，在根據本發明之基板清洗單元和基板處理裝置中，使處理槽的晶舟的支撐部份之間的距離不同，使得處理槽之晶舟分別與晶圓W的不同點接觸並執行清洗製程。因此，可在不同的處理槽中清洗由於晶圓W上的點與任一處理槽的晶舟接觸而未被清洗的晶圓W上的點，藉此改良清洗製程之效率。
1‧‧‧處理基板的裝置
10‧‧‧盒接收部份
12‧‧‧載入部份
14‧‧‧載出部份
20‧‧‧盒轉移部份
22‧‧‧轉移臂
30‧‧‧第一晶圓轉移單元
32‧‧‧機器人臂
34‧‧‧機器人臂
40‧‧‧基板清洗單元
50‧‧‧第二晶圓轉移單元
52‧‧‧機器人臂
54‧‧‧導軌
100‧‧‧轉移部份
110‧‧‧第一機器人臂
112‧‧‧第一臂
114‧‧‧導軌
120‧‧‧第二機器人臂
122‧‧‧第二臂
124‧‧‧導軌
200‧‧‧第一清洗部份
210‧‧‧第一處理槽
210’‧‧‧第一處理槽
212‧‧‧第一外殼
212a‧‧‧內槽
212b‧‧‧外槽
212a‧‧‧第一支撐部份
212b‧‧‧第二支撐部份
212c‧‧‧第三支撐部份
212d‧‧‧第四支撐部份
212a’‧‧‧接觸部份
212b’‧‧‧接觸部份
212c’‧‧‧接觸部份
214‧‧‧第一晶舟
214’‧‧‧第一晶舟
214”‧‧‧第一晶舟
214a‧‧‧第一支撐部份
214b‧‧‧第二支撐部份
214c‧‧‧第三支撐部份
214d‧‧‧第四支撐部份
214a’‧‧‧凹槽
214b’‧‧‧凹槽
214a’‧‧‧接觸部份
214b’‧‧‧接觸部份
216‧‧‧第一注入噴嘴
218‧‧‧第一供應管線
220‧‧‧第二處理槽
222‧‧‧第二外殼
224‧‧‧第二晶舟
224’‧‧‧第二晶舟
224”‧‧‧第二晶舟
224a‧‧‧第三支撐部份
224b‧‧‧第三支撐部份
224c‧‧‧第三支撐部份
224d‧‧‧第四支撐部份
226‧‧‧第二注入噴嘴
228‧‧‧第二供應管線
230‧‧‧第三處理槽
234‧‧‧第三晶舟
240‧‧‧第四處理槽
244‧‧‧第四晶舟
C‧‧‧盒
d1‧‧‧距離
d2‧‧‧距離
d3‧‧‧距離
d4‧‧‧距離
P1‧‧‧接觸點
P2‧‧‧接觸點
P3‧‧‧接觸點
P4‧‧‧接觸點
P1’‧‧‧接觸點
P2’‧‧‧接觸點
P3’‧‧‧接觸點
P4’‧‧‧接觸點
W‧‧‧晶圓
X1‧‧‧垂直線
圖1是根據本發明之處理基板的裝置的頂視平面圖。
圖2是圖1所描繪的基板清洗單元之正視圖。
圖3是圖1所描繪之基板清洗單元之側視圖。
圖4是圖3所描繪的晶舟的透視圖。
圖5是說明根據本發明之處理基板的方法的流程圖。
圖6至圖10描述根據本發明清洗基板之製程的圖式。
1‧‧‧處理基板的裝置
10‧‧‧盒接收部份
12‧‧‧載入部份
14‧‧‧載出部份
20‧‧‧盒轉移部份
22‧‧‧轉移臂
30‧‧‧第一晶圓轉移單元
32‧‧‧機器人臂
34‧‧‧機器人臂
40‧‧‧基板清洗單元
50‧‧‧第二晶圓轉移單元
52‧‧‧機器人臂
54‧‧‧導軌
100‧‧‧轉移部份
110‧‧‧第一機器人臂
112‧‧‧第一臂
114‧‧‧導軌
120‧‧‧第二機器人臂
122‧‧‧第二臂
124‧‧‧導軌
200‧‧‧第一清洗部份
210‧‧‧第一處理槽
220‧‧‧第二處理槽
230‧‧‧第三處理槽
240‧‧‧第四處理槽
300‧‧‧第二清洗部份
310‧‧‧處理槽
320‧‧‧處理槽
330‧‧‧處理槽
340‧‧‧處理槽

Claims (2)

  1. 一種處理基板的裝置，包括：第一處理槽，包括第一外殼和第一支撐構件，其中所述第一外殼具有填充著處理溶液之空間，且在製程期間第一支撐構件在所述第一外殼中支撐所述基板；第二處理槽，包括第二外殼和第二支撐構件，其中，所述第二外殼具有填充著處理溶液的空間，且在製程期間所述第二支撐構件在所述第二外殼中支撐所述基板；以及轉移部份，將所述基板轉移至所述第一處理槽和所述第二處理槽，其中所述第一支撐構件與所述第二支撐構件經成形使得在製程期間所述第一支撐構件和所述第二支撐構件與所述基板接觸的點不同，其中，所述第一支撐構件和第二支撐構件支撐所述基板使得在製程期間所述基板垂直地置放於所述外殼內，其中所述第一支撐構件和第二支撐構件中之每一者還包括與所述基板的邊緣的一部份接觸的第一支撐部份、第二支撐部份、第三支撐部份和第四支撐部份，所述第一支撐部份與第二支撐部份相對於垂直地橫過所述基板的中心的垂直線而在兩側對稱地安置著，所述第三支撐部份與第四支撐部份相對於垂直地橫過所述基板的中心的垂直線而在兩側對稱地安置著並位於所述第一支撐部份與第二支撐部份之間，其中所述第一支撐構件的所述第一支撐部份與所述第二支撐部份之間的距離不同於所述第二支撐構件的所述第一支撐部份與所述第二支撐部份之間的距離，且其中所述 第一支撐構件的所述第三支撐部份與所述第四支撐部份之間的距離不同於所述第二支撐構件的所述第三支撐部份與所述第四支撐部份之間的距離。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之處理基板的裝置，其中，所述第一支撐部份至第四支撐部份中之每一者具有在製程期間接觸所述基板之接觸部份，其中所述第一支撐部份的所述接觸部份的高度是與所述第二支撐部份的所述接觸部份的高度相同，其中所述第三支撐部份之所述接觸部份的高度是與所述第四部份的接觸部份的高度相同，且其中所述第一支撐部份和第二支撐部份的所述接觸部份的高度高於所述第三支撐部份和所述第四支撐部份的所述接觸部份的高度。
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