KR100825964B1 - 반도체 세정 설비 및 그의 처리 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 다수의 처리조들을 구비하는 반도체 세정 설비 및 그의 처리 방법에 관한 것이다. 반도체 세정 설비는 HF 처리조와, HF 처리조 이전에 위치하는 HQDR(Hot Quick Dump Rinse) 처리조를 포함한다. 반도체 세정 설비는 HF 레시피를 처리하는 경우, HF 처리조 이전에 위치하는 HQDR 처리조를 버퍼로 사용하고, HF 처리조로 웨이퍼를 투입한다. 따라서 본 발명에 의하면, HQDR 처리조의 순수를 드레인하여 버퍼로 사용함으로써, HF 처리조의 HF 약액이 균일도를 유지된다.

반도체 세정 설비, 처리조, HQDR, HF, 농도, 버퍼 기능

Description

반도체 세정 설비 및 그의 처리 방법{SEMICONDUCTOR CLEANNING EQUIPMENT AND METHOD FOR PROCESSING THEREOF}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 세정 설비의 구성을 도시한 블럭도;

도 2 내지 도 5는 도 1에 도시된 HQDR 처리조의 처리 패턴들을 도시한 도면들이다.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *

100 : 반도체 세정 설비 102 : 제어부

104 : 이송 로봇 106 : 처리조

110 : HQDR 처리조 112 : HF 처리조

본 발명은 반도체 제조 설비에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 반도체 세정 설비 및 그의 처리 방법에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 세정 설비는 배치형 처리 설비로, 세정, 린스 및 건조 등의 세정 공정에 따른 다수의 처리조(bath)들을 구비하고, 이를 순차적으로 처리한다.

이러한 반도체 세정 설비는 웨이퍼의 HF 레시피를 처리하기 위해서, HF 처리조 이전에 HQDR 처리조가 구비되며, HF 레시피 이전에 HQDR 공정을 처리하여야 된다. HF 처리조는 HF 약액의 농도 비율을 설정하여 공정을 처리한다. 이 때, HQDR 처리조는 순수가 공급되어 있으며 웨이퍼에 순수가 묻은 상태에서 HF 처리조에 웨이퍼가 투입되면, HF 약액의 균일도가 저하된다.

따라서, HF 농도가 헌팅(hunting)되는 현상이 발생되어 공정 불량의 원인이 된다.

본 발명의 목적은 HF 레시피를 처리하기 위한 HQDR 처리 패턴을 갖는 반도체 세정 설비 및 그의 처리 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 HF 약액의 균일성을 유지하기 위한 반도체 세정 설비 및 그의 처리 방법을 제공하는 것이다.

상기 목적들을 달성하기 위한, 본 발명의 반도체 세정 설비는 불화수소 레시피 처리시, 불화수소 처리조로 웨이퍼를 투입하기 이전에 HQDR 처리조를 버퍼로 사용하도록 제어하는데 그 한 특징이 있다. 이와 같이 반도체 세정 설비는 불화수소의 균일도를 유지시킨다.

본 발명의 다수의 처리조들을 구비하는 반도체 세정 설비는, 상기 처리조들 중 불화수소 레시피를 처리하는 불화수소(HF) 처리조와; 상기 처리조들 중 상기 불화수소 처리조 이전에 구비되고, 핫 순수로 세정하는 HQDR(Hot Quick Dump Rinse) 처리조 및; 상기 불화수소 레시피 처리시, 상기 불화수소 처리조로 웨이퍼를 투입하기 이전에 상기 HQDR 처리조를 버퍼로 사용하도록 제어하는 제어부를 포함한다.

한 실시예에 있어서, 상기 제어부는; 상기 HQDR 처리조의 상기 버퍼 기능을 처리하는 처리 패턴을 구비한다.

다른 실시예에 있어서, 상기 제어부는 상기 HQDR 처리조에 웨이퍼 로트 투입 전에 순수를 드레인시킨다.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 다수의 처리조들을 구비하여 세정 공정을 처리하는 반도체 세정 설비의 처리 방법이 제공된다. 이 방법에 의하면, 상기 세정 공정 중 불화수소 레시피를 처리하는 경우, 다수의 처리조들 중 불화수소 처리조 이전에 위치하는 HQDR(Hot Quick Dump Rinse) 처리조를 버퍼로 사용하고, 상기 불화수소 처리조로 웨이퍼를 투입한다.

한 실시예에 있어서, 상기 HQDR 처리조를 버퍼로 사용하는 것은 상기 불화수소 처리조로 웨이퍼를 투입하기 이전에 상기 HQDR 처리조의 순수를 드레인한다.

본 발명의 실시예들은 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.

이하 첨부된 도 1 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 세정 설비의 구성을 도시한 도면이다.

도 1을 참조하면, 반도체 세정 설비(100)는 다수의 처리조(106)들과, 처리조(106)들로 웨이퍼를 이송하는 적어도 하나의 이송 로봇(104) 및, 반도체 세정 설비(100)의 제반 동작을 제어하는 제어부(102)를 포함한다. 또 반도체 세정 설비(100)는 제어부(102)에 의해 처리조(106)들의 약액을 공급, 순환 및 배출시키는 약액 공급/순환 장치(미도시됨)(예를 들어, 약액 공급원, 배관, 노즐 및 펌프 등)를 포함한다.

다수의 처리조(106)들은 HF 레시피를 처리하는 HF 처리조(112)와, HF 레시피 처리시 HF 처리조(112) 이전에 구비되어 순수로 세정하는 HQDR 처리조(110)를 포함한다.

따라서 본 발명의 반도체 세정 설비(100)는 HQDR 처리조(110)의 처리 패턴을 4 가지로 구비된다. 즉, 제 1 내지 제 3 처리 패턴은 기존의 반도체 세정 설비의 HQDR 처리조의 처리 패턴들이고, 제 4 처리 패턴은 본 발명에 따른 HQDR 처리조(110)의 버퍼 기능을 처리하는 처리 패턴이다.

구체적으로 도 2 내지 도 5는 도 1에 도시된 HQDR 처리조의 처리 패턴들을 도시한 도면들이다.

도 2를 참조하면, HQDR 처리조(110)의 제 1 처리 패턴은 고온 순수를 이용하는 패턴으로, 먼저 웨이퍼 투입 전에 핫 순수(H_DIW)를 공급하고, 쿨 순수를 업플로우(UPFLOW)시키고, 버블링(BUBBLE)한 후 배수(DRAIN)시킨다. 이어서 드레 인(DRAIN)과 동시에 샤워(SHOWER)한다. 도 3을 참조하면, 제 2 처리 패턴은 저온 순수를 이용하는 패턴으로, 웨이퍼 투입 전에 쿨 순수를 업플로우(UPFLOW)시키고 버블링(BUBBLE)한 후, 드레인(DRAIN)과 샤워(SHOWER)를 동시에 처리한다. 도 4를 참조하면, 제 3 처리 패턴은 순수를 업플로우시키는 패턴으로, 웨이퍼를 투입하기 전에 이전의 순수를 배수(DRAIN)하고 다시 핫 순수를 공급(H-DIW)한 다음, 웨이퍼를 투입한다. 이어서 쿨 순수를 업플로우(UPFLOW)시키고 버블링(BUBBLE)시킨다. 이 처리 패턴은 전 처리조에서 약액을 사용하지 않은 경우 이송 로봇의 연계성을 유지하기 위하여 대기 상태에 처리된다.

그리고 도 5를 참조하면, 제 4 처리 패턴은 HQDR 처리조(110)를 버퍼로 이용하는 패턴으로, HF 처리조(112)로 웨이퍼를 투입하기 이전에 HQDR 처리조(110)의 순수를 드레인(DRAIN)시키고, 쿨 순수를 업플로우(UPFLOW)한다.

특히, 본 발명의 반도체 세정 설비(100)는 사이드(side) 타입의 경우, 웨이퍼 로딩 시간이 많이 소요되므로 미리 웨이퍼를 투입하게 되는데, HF 처리조(112) 이전에 위치하는 HQDR 처리조(110)의 순수를 드레인하여 HQDR 처리조(110)로 웨이퍼를 투입함으로써, 이후 HF 처리조(112)에서 HF 레시피 처리시, HF 약액의 균일도를 향상시키고, 그 결과 수율 및 생산성이 향상되는 효과를 얻을 수 있다.

이상에서, 본 발명에 따른 반도체 세정 설비의 구성 및 작용을 상세한 설명과 도면에 따라 도시하였지만, 이는 실시예를 들어 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 반도체 세정 설비는 HF 레시피 처리시, HF 처리조 이전의 HQDR 처리조를 버퍼로 사용함으로써, HF 약액의 균일도를 유지하고, 생산성을 향상시킬 수 있다.

Claims (5)

1. 다수의 처리조들을 구비하는 반도체 세정 설비에 있어서:

   상기 처리조들 중 불화수소 레시피를 처리하는 불화수소(HF) 처리조와;

   상기 처리조들 중 상기 불화수소 처리조 이전에 구비되고 핫 순수로 세정 가능한 HQDR(Hot Quick Dump Rinse) 처리조와;

   상기 HQDR 처리조를 복수의 처리 패턴으로 처리하도록 상기 HQDR 처리조를 제어하는 제어부를 포함하되,

   상기 복수의 처리 패턴은 상기 불화수소 레시피 처리시 상기 불화수소 처리조로 웨이퍼로트를 투입하기 이전에 상기 HQDR 처리조를 버퍼로 사용하는 처리 패턴을 포함하며,

   상기 HQDR 처리조를 버퍼로 사용하는 처리 패턴은 상기 HQDR 처리조에 웨이퍼 로트 투입 전에 상기 HQDR 처리조로부터 순수를 드레인시키고, 상기 HQDR 처리조에서 웨이퍼로트를 불출한 이후에 상기 HQDR 처리조로 쿨 순수를 업플로우하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 세정 설비.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 복수의 처리 패턴은 순수가 상기 불화수소 처리조로 공급되는 도중에 웨이퍼 로트를 투입하는 처리 패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 세정 설비.
3. 다수의 처리조들을 구비하여 세정 공정을 처리하는 반도체 세정 설비의 처리 방법에 있어서:

   상기 세정 공정 중 불화수소 레시피를 처리하는 경우, 다수의 처리조들 중 불화수소 처리조 이전에 위치하는 HQDR(Hot Quick Dump Rinse) 처리조를 버퍼로 사용하되,

   상기 HQDR(Hot Quick Dump Rinse) 처리조를 버퍼로 사용하는 것은 상기 HQDR 처리조에 웨이퍼 로트 투입 전에 상기 HQDR 처리조로부터 순수를 드레인시키고, 상기 HQDR 처리조에서 웨이퍼로트를 불출한 이후에 상기 HQDR 처리조에 쿨 순수를 업플로우하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 세정 설비의 처리 방법.
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