TWI689985B - 半導體基板處理裝置、剝離光阻的方法及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

半導體基板處理裝置、剝離光阻的方法及半導體裝置的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI689985B
TWI689985B TW105129515A TW105129515A TWI689985B TW I689985 B TWI689985 B TW I689985B TW 105129515 A TW105129515 A TW 105129515A TW 105129515 A TW105129515 A TW 105129515A TW I689985 B TWI689985 B TW I689985B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
ozone gas
filter
semiconductor substrate
circulation
photoresist
Prior art date
Application number
TW105129515A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201724246A (zh
Inventor
田牧一郎
Original Assignee
日商艾普凌科有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商艾普凌科有限公司 filed Critical 日商艾普凌科有限公司
Publication of TW201724246A publication Critical patent/TW201724246A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI689985B publication Critical patent/TWI689985B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/34—Imagewise removal by selective transfer, e.g. peeling away
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H01L2924/3512—Cracking
    • H01L2924/35121—Peeling or delaminating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

本發明提供在藉由向化學藥品導入臭氧氣體而實施抗蝕劑剝離的步驟中，使半導體基板表面的抗蝕劑殘渣減少的方法。本發明的特徵在於：對於處理半導體基板1的槽12設置循環線，在所述循環線分別設置著兩個循環泵（131、132）及兩個過濾器（141、142）；進而，在循環線內，裝入有使臭氧氣體溶入於化學藥品中的氣體導入夾具（34）。

Description

半導體基板處理裝置、剝離光阻的方法及半導體裝置的製造方法
本發明是有關於一種半導體基板處理裝置，其在作為製造半導體裝置的過程的光微影法(photolithography)中，主要用於將塗佈於半導體基板表面的光阻(photo resist)剝離的步驟、以及將附著於半導體基板表面的有機物質去除的步驟。
於使用了半導體基板的半導體裝置的製造中，進行將塗佈於半導體基板表面的光阻自基板表面剝離的步驟，或如下處理，即，為了將附著於半導體基板表面的有機物質去除而將半導體基板浸漬於將硫酸與過氧化氫水的混合液加熱至120℃以上的溫度所得的化學藥品中，然後，實施利用純水的清洗、乾燥處理。該技術是利用如下的技術，即，利用將藉由硫酸與過氧化氫水的反應而產生的過氧二硫酸等氧化性非常強的物質，將半導體基板表面的光阻等物質溶解或剝離。
進而，作為代替上述技術的手段，提出有如下技術，即， 向高溫的硫酸注入臭氧氣體而將硫酸與臭氧氣體導入至處理槽內，利用藉由硫酸與臭氧氣體的反應而生成的過氧二硫酸等氧化性強的物質，獲得和硫酸與過氧化氫水的混合液相同的效果。(例如參照專利文獻1)
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平11-174692號公報
然而，若利用專利文獻1揭示的裝置實施半導體基板的處理，則有如下可能性，即，經剝離的光阻膜首先會被過濾器(filter)捕獲，剛剝離後，因抗蝕劑大量剝離，故過濾器會被抗蝕劑污染，捕獲性能下降而無法捕獲的抗蝕劑會成為微粒子而再次附著於晶圓。而且，因利用浸透膜將臭氧溶入於化學藥品中的濃度存在極限，故有因轉印至半導體基板表面的圖案而抗蝕劑不易剝離的部分，從而存在即便藉由長時間的處理，於基板表面仍會殘留抗蝕劑的問題。
本發明是為了解決所述問題而成者，課題在於在半導體基板處理裝置中，使臭氧直接在洗淨槽內擴散，一面對化學藥品供給充分的濃度，一面消除過濾器的污染對半導體基板表面造成的影響。
本發明的特徵在於：對於處理半導體基板的槽設置循環線，在該循環線設置著兩個循環泵及兩個過濾器。進而，本發明的特徵在於：在循環線內裝入有使臭氧氣體溶入於化學藥品中的氣體導入夾具。
藉由使用所述手段而減少在抗蝕劑剝離處理後殘留於半導體基板表面的微粒子數。
1:半導體基板
2:半導體裝置
10:化學藥品投入裝置
12:處理槽
15:排水板狀夾具
16:晶圓保持夾具
30:臭氧氣體產生裝置
31:臭氧氣體擴散夾具
34:氣體導入夾具
40:加熱器
50:控制部
111:化學藥品投入閥
112:第1切換閥
113:第2切換閥
114:第3切換閥
131:第1循環泵
132:第2循環泵
141:第1過濾器
142:第2過濾器
321:第1臭氧氣體投入閥
322:第2臭氧氣體投入閥
圖1是表示作為本發明的實施例的半導體基板處理裝置的概略圖。
圖2是在表示作為本發明的實施例的半導體基板處理裝置的概略圖中設置化學藥品的第1循環方向的圖。
圖3是在表示作為本發明的實施例的半導體基板處理裝置的概略圖中設置化學藥品的第2循環方向的圖。
圖4是將利用作為本發明的實施例的半導體基板處理裝置進行處理時的殘留微粒子數與先前技術加以比較所得的圖。
以下，參照圖式對本發明的實施例進行說明。
圖1是表示作為本發明的實施例的半導體基板處理裝置的概略的圖。
預先儲存用於處理的化學藥品的處理槽12在其內部具 有加熱器(heater)40、臭氧氣體擴散夾具31、及排水板狀(drain board like)夾具15，在排水板狀夾具15上放置收納半導體基板1的晶圓保持夾具16而可進行化學藥品處理。投入化學藥品的化學藥品投入裝置10經由化學藥品投入閥111及配管而連接於處理槽12。在半導體基板1的表面，縱橫有規則地配置著多個半導體裝置2。
而且，處理槽12中設置著多個用於化學藥品循環的配管。化學藥品自處理槽12的上部溢出，經由第1切換閥112至第3切換閥114、第1過濾器141及第2過濾器142、第1循環泵131及第2循環泵132、以及配管而回到處理槽12中。第1循環泵131與第1過濾器141串聯連接，第2循環泵132與第2過濾器142亦串聯連接。而且，串聯連接的第1循環泵131與第1過濾器141，相對於串聯連接的第2循環泵132與第2過濾器142而並聯連接。
第1循環泵131與第2循環泵132之間設置著第1切換閥112，第1過濾器141與第2過濾器142之間設置著第2切換閥113。進而，用以向處理槽12注入臭氧氣體的臭氧氣體產生裝置30經由第1臭氧氣體投入閥321及配管而設置於處理槽12。臭氧氣體產生裝置30經由第2臭氧氣體投入閥322及配管且藉由氣體導入夾具34亦連接於化學藥品循環系統。另外，以上說明的化學藥品投入閥、加熱器、切換閥、循環泵、臭氧氣體投入閥等藉由控制部50而控制。
其次，使用圖1以藉由本發明實施的半導體基板的處理 為例進行說明。
半導體基板1收容於晶匣(cassette)等晶圓保持夾具16而導入至處理槽12內。處理槽12內收容著用以放置晶圓保持夾具16的排水板狀夾具15，晶圓保持夾具16為在其上保持半導體基板的機構。首先，晶圓保持夾具16藉由未圖示的搬送機器人搬入至處理槽12內。
在處理槽12內，自化學藥品投入裝置10藉由化學藥品投入閥111的開閉而將化學藥品供給至處理槽中。該化學藥品中主要使用硫酸。化學藥品在半導體基板1被搬入至處理槽12前貯存於處理槽12內。貯存的化學藥品藉由第1循環泵131而循環，循環的化學藥品藉由第1過濾器141而過濾。此時，閥的開閉狀態為第1切換閥112：打開、第2切換閥113：打開、第3切換閥114：關閉。
在處理槽12內收容著用以加熱化學藥品的加熱器40，藉由該加熱器40將貯存於處理槽12內的化學藥品加熱至規定的溫度。而且，在處理槽12內的排水板狀夾具15的下部附加有使臭氧氣體向處理槽12內部擴散的臭氧氣體擴散夾具31。臭氧氣體產生裝置30中產生的氣體藉由打開第1臭氧氣體投入閥321而通過臭氧氣體擴散夾具31向貯存在處理槽12內的化學藥品中擴散。一系列處理的順序藉由控制部50而全部統一地控制。該控制藉由所謂的處理程式(recipe)而規定，控制部依據該處理程式中設定的命令而實施控制。以下表示處理順序的一例。
步驟1
向處理槽12投入硫酸直至定量。此時使用的硫酸的濃度理想的是在作為半導體用而市售者中為最大濃度(96%以上)。
步驟2
藉由加熱器40將投入至處理槽12的硫酸加熱至設定的溫度為止。此時的硫酸的溫度理想的是140℃以上。
步驟3
將光阻所附著的半導體基板1浸漬於加入了硫酸的處理槽12中。
步驟4
將臭氧氣體通過臭氧氣體擴散夾具31導入至處理槽12內。臭氧氣體的流量理想的是10L~15L。若導入該流量以上的流量，則有因氣體的液中的氣體的流動，而半導體基板1在化學藥品中進行振動從而導致基板破損之虞。
此時的化學藥品的循環路徑表示於圖2。圖中的箭頭表示化學藥品流動的方向。將該循環路徑稱作第1循環路徑。此時的閥的開閉的設定為第1切換閥112打開、第2切換閥113打開、第3切換閥114關閉。
步驟5
將半導體基板1浸漬於處理槽12直至設定時間。浸漬時間理想的是5分鐘至10分鐘左右。若時間短，則表面會殘留大量的抗蝕劑。而且，若過長，則生產性會變差。此時，在處理槽 12內開始抗蝕劑的剝離。若進行處理直至10分鐘左右，則化學藥品的顏色變為大致無色，但過濾器會因抗蝕劑的剝離渣的影響而變色為茶褐色。
步驟6
若設定時間到，則將閥的設定變更為第1切換閥112關閉、第2切換閥113關閉、第3切換閥114打開。於是，化學藥品的循環路徑如圖3所示般變更。來自處理槽12的化學藥品通過未受到抗蝕劑污染的第2過濾器142而向處理槽12循環，從而幾乎不會有因抗蝕劑引起的半導體基板1的污染。將該路徑稱作第2循環路徑。該時間點剩餘的抗蝕劑的量非常少，從而抗蝕劑不會污染過濾器。
而且，平行地被第1過濾器141捕獲的抗蝕劑的微粒子亦溶入於循環的硫酸與臭氧的反應液中。此時，將第1過濾器141中供化學藥品循環的路徑稱作第3循環路徑。處理時間理想的是0分鐘~5分鐘左右。與切換閥112、切換閥113、切換閥114的開閉變更同時地，將第2臭氧氣體投入閥322設為打開。如此，臭氧氣體通過氣體導入夾具34而浸透於化學藥品中。此時的臭氧氣體流量理想的是1L~5L左右。藉此，抗蝕劑所附著的第1過濾器141利用硫酸與臭氧氣體反應所得的化學藥品而進行循環清洗，能夠在下一個批次處理時以整潔的狀態開始處理。
步驟7
設定時間結束後，將半導體基板1自處理槽12移至充 滿了純水的純水槽中，將半導體基板1表面所殘存的化學藥品成分去除。然後，閥的設定切換為第1切換閥112打開、第2切換閥113打開、第3切換閥114關閉的狀態。臭氧氣體的供給在該時間點停止，因此第2臭氧氣體投入閥322設為關閉。
步驟8
將半導體基板1自純水槽移動至乾燥裝置而進行乾燥。
以上，順序的一例結束。
如以上說明般，通常將如下作為一個處理週期：進行如下循環，即，利用通過第1循環泵131與第1過濾器141的第1循環路徑使導入了臭氧氣體的化學藥品循環，若抗蝕劑藉由抗蝕劑剝離而在處理槽12中溶解，則使導入了臭氧氣體的化學藥品在通過第2循環泵132與第2過濾器142的第2循環路徑中循環並回到處理槽12，並且，向通過第1循環泵131、第1過濾器141及氣體導入夾具34的第3循環路徑導入臭氧氣體而將第1過濾器141淨化。
圖4是表示利用本發明的半導體基板處理裝置進行處理時的殘留微粒子數的圖。對在使用先前技術的情況與使用本發明的情況下，於處理後殘留於半導體基板表面的微粒子數進行比較。根據該圖，可知：藉由本發明，殘留於半導體基板表面的微粒子數得以減少。
1‧‧‧半導體基板
2‧‧‧半導體裝置
10‧‧‧化學藥品投入裝置
12‧‧‧處理槽
15‧‧‧排水板狀夾具
16‧‧‧晶圓保持夾具
30‧‧‧臭氧氣體產生裝置
31‧‧‧臭氧氣體擴散夾具
34‧‧‧氣體導入夾具
40‧‧‧加熱器
50‧‧‧控制部
111‧‧‧化學藥品投入閥
112‧‧‧第1切換閥
113‧‧‧第2切換閥
114‧‧‧第3切換閥
131‧‧‧第1循環泵
132‧‧‧第2循環泵
141‧‧‧第1過濾器
142‧‧‧第2過濾器
321‧‧‧第1臭氧氣體投入閥
322‧‧‧第2臭氧氣體投入閥

Claims (3)

  1. 一種半導體基板處理裝置，將半導體基板上的光阻剝離，所述半導體基板處理裝置的特徵在於包括：處理槽，貯存化學藥品；第1循環路徑，為了使所述處理槽內的所述化學藥品循環而設置，所述化學藥品由所述處理槽、第1循環泵及第1過濾器依序循環；第2循環路徑，為了使所述處理槽內的所述化學藥品循環而與所述第1循環路徑並聯設置，所述化學藥品由所述處理槽、第2循環泵及第2過濾器依序循環；臭氧氣體產生裝置，經由臭氧氣體擴散夾具對所述處理槽的所述化學藥品供給臭氧氣體；以及第3循環路徑，所述化學藥品不循環於所述第2循環路徑且由所述第1循環泵、所述第1過濾器、及自所述臭氧氣體產生裝置供給臭氧氣體的氣體導入夾具依序循環。
  2. 一種剝離光阻的方法，將半導體基板上的光阻剝離，所述方法包括：使導入了臭氧氣體的化學藥品在依序通過處理槽、第1循環泵與第1過濾器的第1循環路徑循環的步驟；將附著所述光阻的所述半導體基板浸漬於所述處理槽的步驟；以及進行如下循環，即，若所述光阻在所述處理槽中溶解，則使 導入了臭氧氣體的所述化學藥品在依序通過所述處理槽、第2循環泵與第2過濾器的第2循環路徑循環並回到所述處理槽，並且，向依序通過所述第1循環泵、所述第1過濾器、及氣體導入夾具的第3循環路徑而循環的所述化學藥品導入臭氧氣體而將所述第1過濾器淨化的步驟。
  3. 一種半導體裝置的製造方法，所述半導體裝置設置於半導體基板上，所述半導體裝置的製造方法的特徵在於：具有將光阻剝離的剝離步驟，所述剝離步驟包括：使導入了臭氧氣體的化學藥品在依序通過處理槽、第1循環泵與第1過濾器的第1循環路徑循環的步驟；將附著所述光阻的所述半導體基板浸漬於所述處理槽的步驟；以及進行如下循環，即，若所述光阻在所述處理槽中溶解，則使導入了臭氧氣體的所述化學藥品在依序通過所述處理槽、第2循環泵與第2過濾器的第2循環路徑循環並回到所述處理槽，並且，向依序通過所述第1循環泵、所述第1過濾器、及氣體導入夾具的第3循環路徑而循環的所述化學藥品導入臭氧氣體而將所述第1過濾器淨化的步驟。
TW105129515A 2015-09-24 2016-09-12 半導體基板處理裝置、剝離光阻的方法及半導體裝置的製造方法 TWI689985B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-187340 2015-09-24
JP2015187340A JP6592316B2 (ja) 2015-09-24 2015-09-24 半導体基板処理装置、フォトレジストを剥離する方法、および半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201724246A TW201724246A (zh) 2017-07-01
TWI689985B true TWI689985B (zh) 2020-04-01

Family

ID=58406739

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105129515A TWI689985B (zh) 2015-09-24 2016-09-12 半導體基板處理裝置、剝離光阻的方法及半導體裝置的製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10504755B2 (zh)
JP (1) JP6592316B2 (zh)
KR (1) KR20170036614A (zh)
CN (1) CN106919014B (zh)
TW (1) TWI689985B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11174692A (ja) * 1997-08-27 1999-07-02 Motorola Inc 半導体基板上のフォトレジストを除去する装置および方法
US20040216763A1 (en) * 1997-05-09 2004-11-04 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece using ozone
TW201145382A (en) * 2010-03-15 2011-12-16 Kurita Water Ind Ltd Method of cleaning electronic material and cleaning system
JP2012204546A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Kurita Water Ind Ltd 電子材料洗浄方法および洗浄装置
TW201310510A (zh) * 2011-07-11 2013-03-01 Kurita Water Ind Ltd 金屬閘極半導體的洗淨方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04256318A (ja) * 1991-02-08 1992-09-11 Nec Yamagata Ltd 薬液処理装置
TW466558B (en) * 1999-09-30 2001-12-01 Purex Co Ltd Method of removing contamination adhered to surfaces and apparatus used therefor
JP2002096012A (ja) * 2000-09-26 2002-04-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US7219677B1 (en) * 2001-07-31 2007-05-22 David P Jackson Method and apparatus for supercritical ozone treatment of a substrate
JP2003098294A (ja) * 2001-09-27 2003-04-03 Hitachi Ltd オゾンを用いた除染方法及びその装置
JP2004327826A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Toshiba Corp 基板処理装置
TWI377453B (en) * 2003-07-31 2012-11-21 Akrion Technologies Inc Process sequence for photoresist stripping and/or cleaning of photomasks for integrated circuit manufacturing
JP4256318B2 (ja) 2004-09-10 2009-04-22 株式会社東芝 画像の消去方法及び画像消去装置
CN1971854A (zh) * 2005-11-21 2007-05-30 大日本网目版制造株式会社 基板处理方法及其装置
JP2008016620A (ja) * 2006-07-05 2008-01-24 Toshiba Corp 半導体製造装置及び半導体製造方法
JP4644170B2 (ja) * 2006-09-06 2011-03-02 栗田工業株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2012119491A (ja) * 2010-11-30 2012-06-21 Sharp Corp フォトレジストの除去方法
US8992691B2 (en) * 2011-04-05 2015-03-31 International Business Machines Corporation Partial solution replacement in recyclable persulfuric acid cleaning systems
JP6203489B2 (ja) * 2012-11-29 2017-09-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及びその洗浄方法
JP6311956B2 (ja) * 2013-07-17 2018-04-18 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 レジスト剥離液ろ過フィルタの洗浄液、洗浄装置および洗浄方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040216763A1 (en) * 1997-05-09 2004-11-04 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece using ozone
JPH11174692A (ja) * 1997-08-27 1999-07-02 Motorola Inc 半導体基板上のフォトレジストを除去する装置および方法
TW201145382A (en) * 2010-03-15 2011-12-16 Kurita Water Ind Ltd Method of cleaning electronic material and cleaning system
JP2012204546A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Kurita Water Ind Ltd 電子材料洗浄方法および洗浄装置
TW201310510A (zh) * 2011-07-11 2013-03-01 Kurita Water Ind Ltd 金屬閘極半導體的洗淨方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017063107A (ja) 2017-03-30
US10504755B2 (en) 2019-12-10
KR20170036614A (ko) 2017-04-03
CN106919014B (zh) 2021-05-11
US10916454B2 (en) 2021-02-09
JP6592316B2 (ja) 2019-10-16
US20200075357A1 (en) 2020-03-05
US20170092512A1 (en) 2017-03-30
TW201724246A (zh) 2017-07-01
CN106919014A (zh) 2017-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI402902B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
TW201923832A (zh) 基板處理裝置、基板處理裝置的洗淨方法
KR102611293B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기억 매체
JP2010021215A (ja) 洗浄システム及び洗浄液循環方法
TWI689985B (zh) 半導體基板處理裝置、剝離光阻的方法及半導體裝置的製造方法
US20030136429A1 (en) Vapor cleaning and liquid rinsing process vessel
KR100564582B1 (ko) 전자 소자 기판의 표면 처리 장치 및 이를 이용한 표면처리 방법
CN109411387B (zh) 药液供给装置、基板处理装置、药液供给方法、以及基板处理方法
JP2023029455A (ja) 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP2001271188A (ja) 基板処理装置
JP3530426B2 (ja) 基板の浸漬処理装置
WO2006030560A1 (ja) 基板処理法及び基板処理装置
JPH10289895A (ja) 基板処理方法及び同装置
TWI830345B (zh) 基板處理裝置以及基板處理方法
KR100909337B1 (ko) 습식 세정 방법 및 이를 제어하는 습식 세정 장치 콘트롤러
KR101870656B1 (ko) 기판 처리 설비 및 약액 공급 장치
KR100567128B1 (ko) 웨이퍼 세정 설비 및 이를 이용한 금속 잔유물 제거방법
JP2005270830A (ja) 冶具の洗浄装置及び洗浄方法
JP3000997B1 (ja) 半導体洗浄装置及び半導体装置の洗浄方法
KR101001306B1 (ko) 다수의 공정 챔버 처리를 위한 약액 공급 장치
JP2000040682A (ja) 半導体基板の洗浄方法及び洗浄装置
KR100825964B1 (ko) 반도체 세정 설비 및 그의 처리 방법
JPH03159123A (ja) 半導体ウエーハの洗浄方法
JPH04290432A (ja) 半導体製造装置
KR20180043238A (ko) 기판 처리 설비 및 약액 공급 장치

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees