JPH0283926A - ウェーハ上の静電気除去方法 - Google Patents
ウェーハ上の静電気除去方法Info
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ウェーハ表面に帯電した静電気の除去に関す
るものである。
るものである。
従来より、ウェーハを次処理工程へ投入する際は、特開
昭57−154836号公報に記載のように、比抵抗値
の高い純水を、ウェーハ表面に吹き付けて、異物を除去
する方法がとられていた。
昭57−154836号公報に記載のように、比抵抗値
の高い純水を、ウェーハ表面に吹き付けて、異物を除去
する方法がとられていた。
しかし、帯電したウェーハの静電気の除去をすると云う
点には配慮されていなかった。
点には配慮されていなかった。
本発明の目的は、ウェーハ表面に帯電した静電気の影響
による、回路形成のための処理装置の搬送テーブル等に
吸着するトラブルを防止し、装置停止時間を短くすると
共に、静電気による回路形成途上の回路欠陥の発生を防
止する方法を提供することにある。
による、回路形成のための処理装置の搬送テーブル等に
吸着するトラブルを防止し、装置停止時間を短くすると
共に、静電気による回路形成途上の回路欠陥の発生を防
止する方法を提供することにある。
上記目的は、Si(シリコン)、ガラス、水晶。
セラミックス、タンタル酸リチウム等のウェーハ基板上
に1回路形成を目的として、処理装置導入前に、酢酸、
ギ酸、修酸、あるいは、アンモニアガス、水酸化アンモ
ニウムを超純水中に溶解させてpHを4.0〜9.0に
調整した液中に、浸漬あるいは、スプレー吹き付けを行
ない乾燥することにより、ウェーハに帯電した静電気の
除去が達成される。
に1回路形成を目的として、処理装置導入前に、酢酸、
ギ酸、修酸、あるいは、アンモニアガス、水酸化アンモ
ニウムを超純水中に溶解させてpHを4.0〜9.0に
調整した液中に、浸漬あるいは、スプレー吹き付けを行
ない乾燥することにより、ウェーハに帯電した静電気の
除去が達成される。
酢酸等の物質は、水溶液中で、イオンに解離し。
このイオンが静電気を除去する役目をする。
例、 酢酸の場合水溶液中で
Iρ
CH,・C+H”
ゝC
に解離する。
以下1本発明の詳細を実施例により説明する。
第1図のように、ウェーハLにアルミニウム及びアルミ
ニュウム合金薄膜による電極を形成するため1表面にレ
ジスト塗布して加熱したため帯電したウェーハを、パタ
ーンを焼き付ける露光装置へ投入前に、酢酸を添加して
pH6,0に調整した。
ニュウム合金薄膜による電極を形成するため1表面にレ
ジスト塗布して加熱したため帯電したウェーハを、パタ
ーンを焼き付ける露光装置へ投入前に、酢酸を添加して
pH6,0に調整した。
18℃の超純水中に浸漬、乾燥を行なった後、同装置で
、露光を行なったところ、静電気障害による回路欠陥の
発生、装置への吸着による装置停止がなくなった。
、露光を行なったところ、静電気障害による回路欠陥の
発生、装置への吸着による装置停止がなくなった。
本発明による、静電気除去液により、ウェーハに帯電し
た静電気を除去することができるので。
た静電気を除去することができるので。
静電気による回路欠陥発生防止、装置稼動率の向上、の
効果がある。
効果がある。
第1図は、本発明の一実施例のウェーハ上の静電気除去
方法を説明する系統図、第2図は他の実施例の説明図で
ある。 1・・・供給源、2・・・コントロール弁、3,4.8
・・・ポンプ55・・・超純水、6・・・混合槽、7・
・・フィルター、9.11・・・静電気除去液、10・
・・浸漬槽。 12・・・排水、13・・・ウェハ。
方法を説明する系統図、第2図は他の実施例の説明図で
ある。 1・・・供給源、2・・・コントロール弁、3,4.8
・・・ポンプ55・・・超純水、6・・・混合槽、7・
・・フィルター、9.11・・・静電気除去液、10・
・・浸漬槽。 12・・・排水、13・・・ウェハ。
Claims (1)
- 1、ウェーハを回路形成工程の各装置へ導入前に酢酸等
の酸性物質あるいは、水酸化アンモニウム等のアルカリ
性物質を超純水液中に溶解させ、pH5.0〜9.0に
調整した液中に浸漬あるいは、スプレーすることを特徴
とするウェーハ上の静電気除去方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23495988A JPH0283926A (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | ウェーハ上の静電気除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23495988A JPH0283926A (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | ウェーハ上の静電気除去方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0283926A true JPH0283926A (ja) | 1990-03-26 |
Family
ID=16978938
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23495988A Pending JPH0283926A (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | ウェーハ上の静電気除去方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0283926A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014130872A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
US9972515B2 (en) | 2012-12-28 | 2018-05-15 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
WO2022219800A1 (ja) * | 2021-04-16 | 2022-10-20 | 武彦 大木 | 身辺具 |
-
1988
- 1988-09-21 JP JP23495988A patent/JPH0283926A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014130872A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
US9972515B2 (en) | 2012-12-28 | 2018-05-15 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
WO2022219800A1 (ja) * | 2021-04-16 | 2022-10-20 | 武彦 大木 | 身辺具 |
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