JPH07254550A - アクリル系レジストの形成方法 - Google Patents
アクリル系レジストの形成方法Info
- Publication number
- JPH07254550A JPH07254550A JP6045359A JP4535994A JPH07254550A JP H07254550 A JPH07254550 A JP H07254550A JP 6045359 A JP6045359 A JP 6045359A JP 4535994 A JP4535994 A JP 4535994A JP H07254550 A JPH07254550 A JP H07254550A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acrylic resist
- plating
- copper
- electrode layer
- ammonia water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/389—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a coupling agent, e.g. silane
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
- C25D5/022—Electroplating of selected surface areas using masking means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/108—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by semi-additive methods; masks therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
- H05K3/385—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by conversion of the surface of the metal, e.g. by oxidation, whether or not followed by reaction or removal of the converted layer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/03—Metal processing
- H05K2203/0315—Oxidising metal
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
- H05K2203/1157—Using means for chemical reduction
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
- H05K2203/1163—Chemical reaction, e.g. heating solder by exothermic reaction
Abstract
(57)【要約】
【目的】 銅の表面にアクリル系レジストを塗布する方
法、更に詳細には、銅の表面にアクリル系レジストを塗
布する際の、アクリル系レジストの形成方法に関し、銅
の表面にアクリル系レジストを良好に密着させることが
可能な、アクリル系レジストの形成方法を実現すること
を目的とする。 【構成】 基板１１上に形成した銅の層１２の表面にア
クリル系レジスト１３を塗布するに際し、その塗布に先
立って、基板１１上の銅の層１２の表面にアンモニア水
を塗るように構成する。
法、更に詳細には、銅の表面にアクリル系レジストを塗
布する際の、アクリル系レジストの形成方法に関し、銅
の表面にアクリル系レジストを良好に密着させることが
可能な、アクリル系レジストの形成方法を実現すること
を目的とする。 【構成】 基板１１上に形成した銅の層１２の表面にア
クリル系レジスト１３を塗布するに際し、その塗布に先
立って、基板１１上の銅の層１２の表面にアンモニア水
を塗るように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、銅の表面にアクリル系
レジストを塗布する方法に関し、更に詳細には、銅の表
面にアクリル系レジストを塗布する際の、アクリル系レ
ジストの形成方法に関する。
レジストを塗布する方法に関し、更に詳細には、銅の表
面にアクリル系レジストを塗布する際の、アクリル系レ
ジストの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】多層基板の製造において、配線パターン
の形成に電解メッキプロセスが用いられている。この電
解メッキプロセスでは、銅の表面にアクリル系レジスト
を塗布する工程が含まれている。図３は上記電解メッキ
プロセスで配線パターンを形成する工程の一例を示す図
である。以下、各工程を順次説明する。
の形成に電解メッキプロセスが用いられている。この電
解メッキプロセスでは、銅の表面にアクリル系レジスト
を塗布する工程が含まれている。図３は上記電解メッキ
プロセスで配線パターンを形成する工程の一例を示す図
である。以下、各工程を順次説明する。
【０００３】まず電解メッキプロセスでは基板表面を導
電性皮膜で覆う必要がある。そこで、スパッタリング等
により基板１上に銅のメッキ用電極層（メッキ下地）２
を形成する（ステップＡ）。尚、このメッキ用電極層２
の多くの部分は後述のメッキ後に取り除かねばならない
ので、メッキ用電極層２は薄く形成する。
電性皮膜で覆う必要がある。そこで、スパッタリング等
により基板１上に銅のメッキ用電極層（メッキ下地）２
を形成する（ステップＡ）。尚、このメッキ用電極層２
の多くの部分は後述のメッキ後に取り除かねばならない
ので、メッキ用電極層２は薄く形成する。
【０００４】次にメッキ用電極層２の表面にアクリル系
レジスト３を塗布する（ステップＢ）。アクリル系レジ
スト等のフォトレジストは、樹脂と感光剤、或いは感光
性の樹脂を溶剤で溶かしたもので、接着性を有し、メッ
キ用電極層２に付着するものである。
レジスト３を塗布する（ステップＢ）。アクリル系レジ
スト等のフォトレジストは、樹脂と感光剤、或いは感光
性の樹脂を溶剤で溶かしたもので、接着性を有し、メッ
キ用電極層２に付着するものである。
【０００５】このフォトレジストには、(I)感光した部
分のみが重合して現像液に不溶になり、感光しない部分
が現像液に溶けてなくなるネガレジストと、(II)感光し
た部分のみが分解して現像液に溶けてなくなり、感光し
ない部分が残るポジレジストとがある。前者のネガレジ
ストは薄膜多層基板の微細パターンの形成に適している
が、メッキ用電極層２への密着性は悪い。本例に用いた
アクリル系レジスト３はこのネガレジストタイプのもの
である。
分のみが重合して現像液に不溶になり、感光しない部分
が現像液に溶けてなくなるネガレジストと、(II)感光し
た部分のみが分解して現像液に溶けてなくなり、感光し
ない部分が残るポジレジストとがある。前者のネガレジ
ストは薄膜多層基板の微細パターンの形成に適している
が、メッキ用電極層２への密着性は悪い。本例に用いた
アクリル系レジスト３はこのネガレジストタイプのもの
である。
【０００６】この塗布後、アクリル系レジスト３をプリ
ベークし、この上にフォトマスク４を配置し、紫外線等
を用いて露光を行い、アクリル系レジスト３を感光させ
る（ステップＣ）。これにより、フォトマスク４のパタ
ーンがアクリル系レジスト３に転写される。
ベークし、この上にフォトマスク４を配置し、紫外線等
を用いて露光を行い、アクリル系レジスト３を感光させ
る（ステップＣ）。これにより、フォトマスク４のパタ
ーンがアクリル系レジスト３に転写される。
【０００７】次に、アクリル系レジスト３の現像により
未感光の箇所を現像液で溶かす（ステップＤ）。この
後、メッキ用電極層２を負極に接続して銅の電解メッキ
を行う。アクリル系レジスト３は電気を通さないため、
アクリル系レジスト３が除去された部分にのみ銅メッキ
がなされ、そこに銅のメッキ層５が形成される（ステッ
プＥ）。銅のメッキ層５の厚さは、メッキ下地であるメ
ッキ用電極層２に比べて、例えば１０倍程度厚い。
未感光の箇所を現像液で溶かす（ステップＤ）。この
後、メッキ用電極層２を負極に接続して銅の電解メッキ
を行う。アクリル系レジスト３は電気を通さないため、
アクリル系レジスト３が除去された部分にのみ銅メッキ
がなされ、そこに銅のメッキ層５が形成される（ステッ
プＥ）。銅のメッキ層５の厚さは、メッキ下地であるメ
ッキ用電極層２に比べて、例えば１０倍程度厚い。
【０００８】電解メッキ後、アクリル系レジスト３の剥
離を行う（ステップＦ）。このアクリル系レジスト３を
剥離した時点では、メッキ下地であるメッキ用電極層２
が全て残っており、全ての銅のメッキ層５はメッキ用電
極層２によって電気的に導通した状態にある。そこで、
露出しているメッキ用電極層２を除去する必要がある。
離を行う（ステップＦ）。このアクリル系レジスト３を
剥離した時点では、メッキ下地であるメッキ用電極層２
が全て残っており、全ての銅のメッキ層５はメッキ用電
極層２によって電気的に導通した状態にある。そこで、
露出しているメッキ用電極層２を除去する必要がある。
【０００９】このため、全面エッチング等により、露出
しているメッキ用電極層２を除去する。このエッチング
等は薄いメッキ用電極層２を除去するに足りる時間だけ
行う。これにより、露出していたメッキ用電極層２は除
去され、銅のメッキ層５の配線パターンが形成されるこ
とになる（ステップＧ）。
しているメッキ用電極層２を除去する。このエッチング
等は薄いメッキ用電極層２を除去するに足りる時間だけ
行う。これにより、露出していたメッキ用電極層２は除
去され、銅のメッキ層５の配線パターンが形成されるこ
とになる（ステップＧ）。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】アクリル系レジスト３
は、薄膜多層基板の微細パターンの形成に適している
が、銅のメッキ用電極層２との密着力は弱い。それにも
拘わらず、従来の上記電解メッキプロセスでは、銅のメ
ッキ用電極層２の表面にアクリル系レジスト３を塗布す
る際に、アクリル系レジスト３の密着力アップのための
手立てを講じていない。
は、薄膜多層基板の微細パターンの形成に適している
が、銅のメッキ用電極層２との密着力は弱い。それにも
拘わらず、従来の上記電解メッキプロセスでは、銅のメ
ッキ用電極層２の表面にアクリル系レジスト３を塗布す
る際に、アクリル系レジスト３の密着力アップのための
手立てを講じていない。
【００１１】その理由は、アクリル系レジスト以外であ
れば、レジストの密着力を高めるための密着改良剤（例
えば、1.1.1、3.3.3-ヘキサメチルジシラザン）が存在す
るが、アクリル系レジストについては、有効な密着改良
剤が存在しないからである。
れば、レジストの密着力を高めるための密着改良剤（例
えば、1.1.1、3.3.3-ヘキサメチルジシラザン）が存在す
るが、アクリル系レジストについては、有効な密着改良
剤が存在しないからである。
【００１２】このため、アクリル系レジスト３をプリベ
ークし、この上にフォトマスク４を配置して露光を行
い、現像し、ポストベークを行った時点において、アク
リル系レジスト３がメッキ用電極層２の表面から浮いて
しまうという事態が生じることがあった。
ークし、この上にフォトマスク４を配置して露光を行
い、現像し、ポストベークを行った時点において、アク
リル系レジスト３がメッキ用電極層２の表面から浮いて
しまうという事態が生じることがあった。
【００１３】この状態で、電解メッキを行うと、図４に
示すように、アクリル系レジスト３とメッキ用電極層２
との間にまでメッキ液が入り込み、銅のメッキ層が形成
されることになる。このメッキしみ込みにより発生した
アクリル系レジスト３とメッキ用電極層２との間のメッ
キ層は、それがメッキ用電極層２よりも厚い場合、ステ
ップＧでのエッチングにおいても除去されずに残り、メ
ッキ層５を短絡させ配線ショートを発生させるという問
題があった。
示すように、アクリル系レジスト３とメッキ用電極層２
との間にまでメッキ液が入り込み、銅のメッキ層が形成
されることになる。このメッキしみ込みにより発生した
アクリル系レジスト３とメッキ用電極層２との間のメッ
キ層は、それがメッキ用電極層２よりも厚い場合、ステ
ップＧでのエッチングにおいても除去されずに残り、メ
ッキ層５を短絡させ配線ショートを発生させるという問
題があった。
【００１４】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、銅の層の表面にアクリル系レジスト
を良好に密着させることが可能な、アクリル系レジスト
の形成方法を実現することにある。
ので、その目的は、銅の層の表面にアクリル系レジスト
を良好に密着させることが可能な、アクリル系レジスト
の形成方法を実現することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】図１は本発明方法の原理
を示す工程図である。本発明では、まず、基板１１上に
銅の層１２を形成する（ステップＡ）。次に、銅の層１
２の表面にアンモニア水を塗る（ステップＢ）。このア
ンモニア処理後、銅の層１２の表面にアクリル系レジス
ト１３を塗布する（ステップＣ）。
を示す工程図である。本発明では、まず、基板１１上に
銅の層１２を形成する（ステップＡ）。次に、銅の層１
２の表面にアンモニア水を塗る（ステップＢ）。このア
ンモニア処理後、銅の層１２の表面にアクリル系レジス
ト１３を塗布する（ステップＣ）。
【００１６】上記基板１１は、その表面で銅の層１２を
支持するものであり、板状のものであっても、シート状
のものであってもよい。その材料も、ガラス，セラミッ
ク，樹脂等或いは金属であってもよく、これらの任意の
組み合わせでなる複合材料からなるものでもよい。更
に、上記基板１１は、例えば、配線基板，多層基板，半
導体基板，実装基板等と呼ばれるものの作製途中のもの
であってもよい。基板１１上への銅の層１２の形成は、
どのような手段を用いてもよく、例えば、スパッタリン
グが用いられる。
支持するものであり、板状のものであっても、シート状
のものであってもよい。その材料も、ガラス，セラミッ
ク，樹脂等或いは金属であってもよく、これらの任意の
組み合わせでなる複合材料からなるものでもよい。更
に、上記基板１１は、例えば、配線基板，多層基板，半
導体基板，実装基板等と呼ばれるものの作製途中のもの
であってもよい。基板１１上への銅の層１２の形成は、
どのような手段を用いてもよく、例えば、スパッタリン
グが用いられる。
【００１７】銅の層１２の表面にアンモニア水を塗る際
には、スピンコート法を用いると、均一なアンモニア処
理が可能になる。即ち、チャックに基板１１を固定し、
アンモニア水を基板１１に形成された銅の層１２上に所
定量注出してから、チャック即ち基板１１を回転すれ
ば、銅の層１２上に薄く均一にアンモニア水が広がり、
均一なアンモニア処理が可能になる。勿論、スピンコー
ト法を用いずに、例えば、基板１１をアンモニア水の中
に一定時間だけ浸すことによりアンモニア処理を行って
もよい。
には、スピンコート法を用いると、均一なアンモニア処
理が可能になる。即ち、チャックに基板１１を固定し、
アンモニア水を基板１１に形成された銅の層１２上に所
定量注出してから、チャック即ち基板１１を回転すれ
ば、銅の層１２上に薄く均一にアンモニア水が広がり、
均一なアンモニア処理が可能になる。勿論、スピンコー
ト法を用いずに、例えば、基板１１をアンモニア水の中
に一定時間だけ浸すことによりアンモニア処理を行って
もよい。
【００１８】このアンモニア処理後、銅の層１２の表面
を乾燥し、銅の層１２の表面にアクリル系レジスト１３
を塗布する。尚、アンモニア水を塗る際に前述のスピン
コート法を用いた場合は、基板１１の回転により乾燥も
行われることになり、エアーブロー等による乾燥は不要
になる。
を乾燥し、銅の層１２の表面にアクリル系レジスト１３
を塗布する。尚、アンモニア水を塗る際に前述のスピン
コート法を用いた場合は、基板１１の回転により乾燥も
行われることになり、エアーブロー等による乾燥は不要
になる。
【００１９】アンモニア水としては、その濡れ性を向上
させるためにエタノールが混合されたアンモニア水を用
いることが好ましい。更に、アンモニア水として、その
濃度（アンモニア水中のアンモニアの濃度）が略１〜４
％WTのものを用いると、密着力の改善だけでなく、後述
のアンモニアとアクリル系レジスト１３内の成分との異
常反応（ゲル化）も防げる。
させるためにエタノールが混合されたアンモニア水を用
いることが好ましい。更に、アンモニア水として、その
濃度（アンモニア水中のアンモニアの濃度）が略１〜４
％WTのものを用いると、密着力の改善だけでなく、後述
のアンモニアとアクリル系レジスト１３内の成分との異
常反応（ゲル化）も防げる。
【００２０】多層基板の製造における、配線パターンの
形成に用いられる電解メッキプロセスでは、基板上に形
成した銅のメッキ用電極層の表面にアクリル系レジスト
を塗布し、該アクリル系レジストの塗布膜にマスク用の
パターンを形成した後、銅のメッキを行い、その後、ア
クリル系レジストの剥離を行い、アクリル系レジストに
被覆されていなかった部分のメッキ用電極層をエッチン
グにより除去することによって、銅のメッキ層による配
線パターンを形成するが、この場合にも、アクリル系レ
ジストの塗布に先立って、基板上の銅のメッキ用電極層
の表面にアンモニア水を塗れば、密着力の改善が図れ
る。
形成に用いられる電解メッキプロセスでは、基板上に形
成した銅のメッキ用電極層の表面にアクリル系レジスト
を塗布し、該アクリル系レジストの塗布膜にマスク用の
パターンを形成した後、銅のメッキを行い、その後、ア
クリル系レジストの剥離を行い、アクリル系レジストに
被覆されていなかった部分のメッキ用電極層をエッチン
グにより除去することによって、銅のメッキ層による配
線パターンを形成するが、この場合にも、アクリル系レ
ジストの塗布に先立って、基板上の銅のメッキ用電極層
の表面にアンモニア水を塗れば、密着力の改善が図れ
る。
【００２１】
【作用】本発明においては、銅の表面がアンモニア水に
よって処理され、これにより、銅に対するアクリル系レ
ジストの密着力が向上する。
よって処理され、これにより、銅に対するアクリル系レ
ジストの密着力が向上する。
【００２２】
【実施例】次に図面を用いて本発明方法の実施例を説明
する。図２は電解メッキプロセスで配線パターンを形成
する工程における本発明の一実施例を示す図である。以
下、各工程を順次説明する。 （ステップＡ）スパッタリング等により基板２１上に銅
のメッキ用電極層（メッキ下地）２２を形成する。前述
のように、このメッキ用電極層２２の多くの部分は後述
のメッキ後に取り除かねばならないので、メッキ用電極
層２２は薄く形成する。 （ステップＢ）メッキ用電極層２２の表面にアンモニア
水を塗る。ここで使用するアンモニア水としては、その
濡れ性を向上させるために、エタノールが混合されたア
ンモニア水を用いている。本実施例におけるアンモニア
水の濃度は、略１％WTである。尚、本実施例におけるエ
タノールの混合比は、アンモニア水１リットルに対して
エタノール６０ミリリットルである。
する。図２は電解メッキプロセスで配線パターンを形成
する工程における本発明の一実施例を示す図である。以
下、各工程を順次説明する。 （ステップＡ）スパッタリング等により基板２１上に銅
のメッキ用電極層（メッキ下地）２２を形成する。前述
のように、このメッキ用電極層２２の多くの部分は後述
のメッキ後に取り除かねばならないので、メッキ用電極
層２２は薄く形成する。 （ステップＢ）メッキ用電極層２２の表面にアンモニア
水を塗る。ここで使用するアンモニア水としては、その
濡れ性を向上させるために、エタノールが混合されたア
ンモニア水を用いている。本実施例におけるアンモニア
水の濃度は、略１％WTである。尚、本実施例におけるエ
タノールの混合比は、アンモニア水１リットルに対して
エタノール６０ミリリットルである。
【００２３】このアンモニア処理の際に、本実施例では
スピンコート法を用いている。具体的には、チャックに
基板２１を固定し、アンモニア水を基板２１に形成され
たメッキ用電極層２２上に所定量注出してから、基板２
１を例えば３０００rpmで数秒間回転させ、メッキ用電
極層２２上の全面に薄く均一にアンモニア水を広げ且つ
乾燥させることによって、均一なアンモニア処理を行わ
せている。 （ステップＣ）メッキ用電極層２２の表面にアクリル系
レジスト２３を塗布する。この塗布にも、スピンコート
法を用いる。従って、ステップＢにて基板２１をチャッ
クに固定したままの状態で本ステップに移れることにな
り、作業が容易になる。本実施例で用いているアクリル
系レジスト２３はネガレジストタイプのものである。 （ステップＤ）塗布したアクリル系レジスト２３をプリ
ベークした後、この上にフォトマスク２４を配置し、紫
外線を用いて露光を行い、フォトマスク２４のパターン
をアクリル系レジスト２３に転写させる。 （ステップＥ）現像により未感光の箇所を現像液で溶か
す。 （ステップＦ）メッキ用電極層２２を負極に接続して銅
の電解メッキを行い、アクリル系レジスト２３が除去さ
れた部分に銅のメッキ層２５を形成する。前述のよう
に、銅のメッキ層２５の厚さは、メッキ下地であるメッ
キ用電極層２２に比べて、例えば１０倍程度厚い。 （ステップＧ）アクリル系レジスト２３の剥離を行う。 （ステップＨ）全面エッチングにより、露出しているメ
ッキ用電極層２２を除去する。このエッチングは薄いメ
ッキ用電極層２２を除去するに足りる時間だけ行う。こ
れにより、銅のメッキ層２５の配線パターンが形成され
る。
スピンコート法を用いている。具体的には、チャックに
基板２１を固定し、アンモニア水を基板２１に形成され
たメッキ用電極層２２上に所定量注出してから、基板２
１を例えば３０００rpmで数秒間回転させ、メッキ用電
極層２２上の全面に薄く均一にアンモニア水を広げ且つ
乾燥させることによって、均一なアンモニア処理を行わ
せている。 （ステップＣ）メッキ用電極層２２の表面にアクリル系
レジスト２３を塗布する。この塗布にも、スピンコート
法を用いる。従って、ステップＢにて基板２１をチャッ
クに固定したままの状態で本ステップに移れることにな
り、作業が容易になる。本実施例で用いているアクリル
系レジスト２３はネガレジストタイプのものである。 （ステップＤ）塗布したアクリル系レジスト２３をプリ
ベークした後、この上にフォトマスク２４を配置し、紫
外線を用いて露光を行い、フォトマスク２４のパターン
をアクリル系レジスト２３に転写させる。 （ステップＥ）現像により未感光の箇所を現像液で溶か
す。 （ステップＦ）メッキ用電極層２２を負極に接続して銅
の電解メッキを行い、アクリル系レジスト２３が除去さ
れた部分に銅のメッキ層２５を形成する。前述のよう
に、銅のメッキ層２５の厚さは、メッキ下地であるメッ
キ用電極層２２に比べて、例えば１０倍程度厚い。 （ステップＧ）アクリル系レジスト２３の剥離を行う。 （ステップＨ）全面エッチングにより、露出しているメ
ッキ用電極層２２を除去する。このエッチングは薄いメ
ッキ用電極層２２を除去するに足りる時間だけ行う。こ
れにより、銅のメッキ層２５の配線パターンが形成され
る。
【００２４】上記ステップＡ乃至Ｈを経て銅のメッキ層
を作製したときのメッキしみ込み発生率（配線ショート
が発生する割合。本明細書では、６インチ角の基板に幅
５０μｍのラインと幅５０μｍのスペースとを交互にス
トライプ状に形成した場合に、配線ショートが発生する
基板の割合を意味する）について以下説明する。
を作製したときのメッキしみ込み発生率（配線ショート
が発生する割合。本明細書では、６インチ角の基板に幅
５０μｍのラインと幅５０μｍのスペースとを交互にス
トライプ状に形成した場合に、配線ショートが発生する
基板の割合を意味する）について以下説明する。
【００２５】メッキのしみ込みは、銅のメッキ用電極層
２２に対するアクリル系レジスト２３の密着力の不足に
起因して発生する。本発明では、メッキ用電極層２２へ
のアクリル系レジスト２３の塗布に先立って、メッキ用
電極層２２の表面にアンモニア水を塗っているため、ア
クリル系レジスト２３の密着力の改善がなされる。
２２に対するアクリル系レジスト２３の密着力の不足に
起因して発生する。本発明では、メッキ用電極層２２へ
のアクリル系レジスト２３の塗布に先立って、メッキ用
電極層２２の表面にアンモニア水を塗っているため、ア
クリル系レジスト２３の密着力の改善がなされる。
【００２６】このため、アクリル系レジスト２３がメッ
キ用電極層２２の表面から浮いてしまうという事態は生
じ難くなり、メッキしみ込み発生率が大幅に低下する。
アンモニア処理によって、銅のメッキ用電極層２２に対
するアクリル系レジスト２３の密着力が改善する理由と
しては、次の及びが考えられる。
キ用電極層２２の表面から浮いてしまうという事態は生
じ難くなり、メッキしみ込み発生率が大幅に低下する。
アンモニア処理によって、銅のメッキ用電極層２２に対
するアクリル系レジスト２３の密着力が改善する理由と
しては、次の及びが考えられる。
【００２７】銅のメッキ用電極層２２とアンモニアが
化学結合にて錯体層を形成し、その錯体層とアクリル系
レジスト２３（アクリル樹脂）とが化学結合して、強固
な密着効果が発生する。
化学結合にて錯体層を形成し、その錯体層とアクリル系
レジスト２３（アクリル樹脂）とが化学結合して、強固
な密着効果が発生する。
【００２８】アンモニアがメッキ用電極層２２表面の
酸化膜を除去し純粋な銅を露出させ、アクリル系レジス
ト２３の密着力を向上させる。このメッキ用電極層２２
に対するアクリル系レジスト２３の密着力は、実験によ
れば、アンモニア水の濃度が高くなるにつれて向上す
る。一方、アンモニア水の濃度が高くなると、アクリル
系レジスト２３内の成分とアンモニアとが反応し、ゲル
化が起こることも判明した。
酸化膜を除去し純粋な銅を露出させ、アクリル系レジス
ト２３の密着力を向上させる。このメッキ用電極層２２
に対するアクリル系レジスト２３の密着力は、実験によ
れば、アンモニア水の濃度が高くなるにつれて向上す
る。一方、アンモニア水の濃度が高くなると、アクリル
系レジスト２３内の成分とアンモニアとが反応し、ゲル
化が起こることも判明した。
【００２９】このゲル化が多く生じると、アクリル系レ
ジスト２３本来の感光特性に障害が発生することにな
る。従って、アンモニア水の濃度は、ゲル化の抑制と密
着力の改善の２つの観点から選択する必要がある。
ジスト２３本来の感光特性に障害が発生することにな
る。従って、アンモニア水の濃度は、ゲル化の抑制と密
着力の改善の２つの観点から選択する必要がある。
【００３０】又、特に多層配線の場合であっては、メッ
キ用電極層２２（形成表面）に凹凸があり、メッキ用電
極層２２上にアンモニア水が良好に広がり難い。そこ
で、上記凹凸があってもアンモニア水が良好に広がるよ
うに、言い換えればアンモニア水の濡れ性を向上させる
ために、本実施例では、アンモニア水にエタノールを適
量混合し、アンモニア水の表面張力を下げている。
キ用電極層２２（形成表面）に凹凸があり、メッキ用電
極層２２上にアンモニア水が良好に広がり難い。そこ
で、上記凹凸があってもアンモニア水が良好に広がるよ
うに、言い換えればアンモニア水の濡れ性を向上させる
ために、本実施例では、アンモニア水にエタノールを適
量混合し、アンモニア水の表面張力を下げている。
【００３１】上記実施例のようにアンモニア処理を行っ
た場合と、アンモニア処理を全く行わなかった従来の場
合とでは、メッキしみ込み発生率に次のような差が生じ
る。 本実施例の場合のメッキしみ込み発生率 ３％ アンモニア処理が無い場合のメッキしみ込み発生率 ７０％ この実験結果が示すように、アンモニア処理はアクリル
系レジスト２３の密着力を大幅に改善する。しかし、前
述のように、アンモニア水の濃度をあまり高くすると、
アクリル系レジスト２３内の成分とアンモニアとが反応
し、ゲル化がより多く起き、アクリル系レジスト２３本
来の感光特性に障害が発生する。上記実施例でのゲル化
発生率（ゲル化部分の体積割合）は、０．５％であり、
この程度ではアクリル系レジスト２３本来の感光特性に
障害は発生しない。
た場合と、アンモニア処理を全く行わなかった従来の場
合とでは、メッキしみ込み発生率に次のような差が生じ
る。 本実施例の場合のメッキしみ込み発生率 ３％ アンモニア処理が無い場合のメッキしみ込み発生率 ７０％ この実験結果が示すように、アンモニア処理はアクリル
系レジスト２３の密着力を大幅に改善する。しかし、前
述のように、アンモニア水の濃度をあまり高くすると、
アクリル系レジスト２３内の成分とアンモニアとが反応
し、ゲル化がより多く起き、アクリル系レジスト２３本
来の感光特性に障害が発生する。上記実施例でのゲル化
発生率（ゲル化部分の体積割合）は、０．５％であり、
この程度ではアクリル系レジスト２３本来の感光特性に
障害は発生しない。
【００３２】アンモニア水の濃度を上記実施例の１％WT
から徐々に増加させていくと、アクリル系レジスト２３
の密着力は更に改善されるが、ゲル化がより多く発生す
る。アンモニア水の濃度を４％WTにまで高め、その他の
条件を上記実施例の場合と同様にした場合、メッキしみ
込み発生率とゲル化発生率は次の通りである。
から徐々に増加させていくと、アクリル系レジスト２３
の密着力は更に改善されるが、ゲル化がより多く発生す
る。アンモニア水の濃度を４％WTにまで高め、その他の
条件を上記実施例の場合と同様にした場合、メッキしみ
込み発生率とゲル化発生率は次の通りである。
【００３３】メッキしみ込み発生率 ０％ ゲル化発生率 ３％ アンモニア水の濃度を４％WTまで増加させると、メッキ
しみ込みは発生しなくなるが、ゲル化発生率が３％まで
増加してしまう。微細パターンの形成には、ゲル化発生
率がこの値よりも高くなることは好ましくない。従っ
て、密着力の改善及びゲル化の抑制という観点からは、
アンモニア水の濃度は、おおよそ１〜４％WTが好まし
い。特に、アンモニア水の濃度を上記実施例のように略
１％WTに選択すれば、メッキしみ込み発生率とゲル化発
生率の双方を低下させることができ、好都合である。
しみ込みは発生しなくなるが、ゲル化発生率が３％まで
増加してしまう。微細パターンの形成には、ゲル化発生
率がこの値よりも高くなることは好ましくない。従っ
て、密着力の改善及びゲル化の抑制という観点からは、
アンモニア水の濃度は、おおよそ１〜４％WTが好まし
い。特に、アンモニア水の濃度を上記実施例のように略
１％WTに選択すれば、メッキしみ込み発生率とゲル化発
生率の双方を低下させることができ、好都合である。
【００３４】尚、上記説明においては、フォトレジスト
の場合の実施例を述べたが、本発明方法はフォトレジス
トに限るものではない。又、上記実施例におけるエタノ
ールの混入量は極めて広範囲に選択することができ、ア
ンモニア水１リットルに対してエタノール６０ミリリッ
トルの混入量に限る必要は全くない。
の場合の実施例を述べたが、本発明方法はフォトレジス
トに限るものではない。又、上記実施例におけるエタノ
ールの混入量は極めて広範囲に選択することができ、ア
ンモニア水１リットルに対してエタノール６０ミリリッ
トルの混入量に限る必要は全くない。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
銅の表面へのアクリル系レジストの塗布に先立って、銅
の表面がアンモニア水によって処理されるため、銅に対
するアクリル系レジストの密着力が向上する。
銅の表面へのアクリル系レジストの塗布に先立って、銅
の表面がアンモニア水によって処理されるため、銅に対
するアクリル系レジストの密着力が向上する。
【図１】本発明方法の原理を示す工程図である。
【図２】電解メッキプロセスで配線パターンを形成する
工程における本発明方法の一実施例を示す図である。
工程における本発明方法の一実施例を示す図である。
【図３】電解メッキプロセスで配線パターンを形成する
工程の従来例を示す図である。
工程の従来例を示す図である。
【図４】従来工程におけるメッキしみ込みの説明図であ
る。
る。
１，１１，２１ 基板 ２，２２ メッキ用電極層 １２ 銅の層 ３，１３，２３ アクリル系レジスト ４，２４ フォトマスク ５，２５ メッキ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/18 Ｄ 7511−4Ｅ 3/24 Ａ 7511−4Ｅ
Claims (5)
- 【請求項１】 基板（１１）上に形成した銅の層（１
２）の表面にアクリル系レジスト（１３）を塗布するに
際し、その塗布に先立って、前記基板（１１）上の銅の
層（１２）の表面にアンモニア水を塗ることを特徴とす
るアクリル系レジストの形成方法。 - 【請求項２】 基板（２１）上に形成した銅のメッキ用
電極層（２２）の表面にアクリル系レジスト（２３）を
塗布し、該アクリル系レジスト（２３）の塗布膜にマス
ク用のパターンを形成した後、銅のメッキを行い、その
後、前記アクリル系レジスト（２３）の剥離を行い、前
記アクリル系レジスト（２３）に被覆されていなかった
部分のメッキ用電極層（２２）をエッチングにより除去
することによって、銅のメッキ層（２５）による配線パ
ターンを形成するに際し、 前記アクリル系レジスト（２３）の塗布に先立って、前
記基板（２１）上の銅のメッキ用電極層（２２）の表面
にアンモニア水を塗ることを特徴とするアクリル系レジ
ストの形成方法。 - 【請求項３】 前記アンモニア水として、その濡れ性を
向上させるためにエタノールが混合されたアンモニア水
を用いることを特徴とする請求項１又は２記載のアクリ
ル系レジストの形成方法。 - 【請求項４】 前記アンモニア水として、その濃度が略
１〜４％WT（重量パーセント）のものを用いることを特
徴とする請求項１又は２又は３記載のアクリル系レジス
トの形成方法。 - 【請求項５】 前記アンモニア水を塗るのにスピンコー
ト法を用いることを特徴とする請求項１乃至４の何れか
に記載のアクリル系レジストの形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6045359A JPH07254550A (ja) | 1994-03-16 | 1994-03-16 | アクリル系レジストの形成方法 |
| US08/400,563 US5578186A (en) | 1994-03-16 | 1995-03-08 | Method for forming an acrylic resist on a substrate and a fabrication process of an electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6045359A JPH07254550A (ja) | 1994-03-16 | 1994-03-16 | アクリル系レジストの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07254550A true JPH07254550A (ja) | 1995-10-03 |
Family
ID=12717092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6045359A Pending JPH07254550A (ja) | 1994-03-16 | 1994-03-16 | アクリル系レジストの形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5578186A (ja) |
| JP (1) | JPH07254550A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111244197B (zh) * | 2020-01-20 | 2022-03-01 | 南开大学 | 一种铜基薄膜太阳电池正电极及其制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR890004583B1 (ko) * | 1984-06-29 | 1989-11-16 | 히다찌가세이고오교 가부시끼가이샤 | 금속표면 처리공정 |
| GB8801736D0 (en) * | 1988-01-27 | 1988-02-24 | Ciba Geigy Ag | Method of making patterns |
-
1994
- 1994-03-16 JP JP6045359A patent/JPH07254550A/ja active Pending
-
1995
- 1995-03-08 US US08/400,563 patent/US5578186A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5578186A (en) | 1996-11-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4069076A (en) | Liquid lamination process | |
| US5004672A (en) | Electrophoretic method for applying photoresist to three dimensional circuit board substrate | |
| CA1155736A (en) | Method of etching polyimide | |
| US6653055B1 (en) | Method for producing etched circuits | |
| JPS62232989A (ja) | 基板上の回路線の形成方法 | |
| JPH09288358A (ja) | 導体回路の形成方法 | |
| JPH07254550A (ja) | アクリル系レジストの形成方法 | |
| KR100216732B1 (ko) | 알루미늄 박막의 식각방법 | |
| JPS6148831A (ja) | 光硬化性構造体 | |
| JP2000156556A (ja) | スルーホール部を有する基板へのレジスト層形成方法及びプリント配線基板の製造方法 | |
| JPH07336020A (ja) | 導体パターンの形成方法 | |
| JPS6045242A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH0458170B2 (ja) | ||
| JPH11340606A (ja) | レジスト層の形成方法及びプリント配線基板の製造方法 | |
| JP2500659B2 (ja) | 印刷配線板の製造方法 | |
| JPH0784373A (ja) | 絶縁膜のパターン形成方法 | |
| JPH0836258A (ja) | 感光性エレメント、その積層方法及びレジスト形成方法 | |
| JPH05198559A (ja) | ポリイミド・パタ−ンの形成方法 | |
| JPH1115406A (ja) | 電極の製造法及び電極を有する基板 | |
| KR100405451B1 (ko) | 반도체 소자의 평탄화 방법 | |
| JPH10118563A (ja) | 厚膜パターン形成方法 | |
| JPH1116883A (ja) | ベンゾシクロブテン樹脂層のウェットエッチング処理方法 | |
| JPH0784374A (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
| JPH0962012A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH05198562A (ja) | ポリイミド・パタ−ンの形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020402 |