JPS61202441A - 有機膜のエツチング方法 - Google Patents
有機膜のエツチング方法Info
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- JPS61202441A JPS61202441A JP4307585A JP4307585A JPS61202441A JP S61202441 A JPS61202441 A JP S61202441A JP 4307585 A JP4307585 A JP 4307585A JP 4307585 A JP4307585 A JP 4307585A JP S61202441 A JPS61202441 A JP S61202441A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は有機膜の酸素イオン、あるいは酸素プラズマを
含むガス中でのエツチング方法に関する。
含むガス中でのエツチング方法に関する。
集積回路素子やバブルメモリ素子等では年々微細なバタ
ン形成技術が要求され、すでに１μｍ以下のパターン形
成技術が必要とされている。？−のためエツチング技術
としてのイオンエツチング、プラズマエツチングなどの
ドライエツチング法が開発されてきている。
ン形成技術が要求され、すでに１μｍ以下のパターン形
成技術が必要とされている。？−のためエツチング技術
としてのイオンエツチング、プラズマエツチングなどの
ドライエツチング法が開発されてきている。
エツチング時のマスク材料として有機膜が広く使用され
ているが、マスク材料に高いドライエツチング耐性が要
求されることは言うまでもない。
ているが、マスク材料に高いドライエツチング耐性が要
求されることは言うまでもない。
一般に有機膜は酸素イオン、あるいは酸素プラズマによ
るドライエツチングに対して弱く、該エツチング工程に
おけるマスク材料としては不適当であると考えられてき
たが、鈴木らはケイ素原子を含有する有機膜が、反応性
酸素イオンエツチングに対して極めて強く、充分にマス
ク材料として有効であることを示した（ジャーナル・オ
プ・ジ・エレクトロケミカル・ソサエティー、 Ｊ、Ｅ
ｌｅｃｔｒｏ−ｅｈｅｍ、 Ｓａｃ、、 １３０巻９号
１９６２頁、 １９８３年）。
るドライエツチングに対して弱く、該エツチング工程に
おけるマスク材料としては不適当であると考えられてき
たが、鈴木らはケイ素原子を含有する有機膜が、反応性
酸素イオンエツチングに対して極めて強く、充分にマス
ク材料として有効であることを示した（ジャーナル・オ
プ・ジ・エレクトロケミカル・ソサエティー、 Ｊ、Ｅ
ｌｅｃｔｒｏ−ｅｈｅｍ、 Ｓａｃ、、 １３０巻９号
１９６２頁、 １９８３年）。
本発明者らは前記有機膜の酸素イオンエツチングに対す
る耐性について検討を続けた結果、善ツチング前に前記
有機膜をアルカリ溶液に浸すと、その後によく水洗して
も酸素イオンエツチングに対しての耐性が減少すること
を見い出した・この耐性の減少は、ケイ素原子を含む有
機膜だけでなく、有機膜全般にわたるということが継続
する実験によって明らかとなった。また、酸素イオンエ
ツチングのみでなく、酸素プラズマエツチングや酸素−
四フツ化炭素混合ガスによる反応性エツチングにおいて
も全く同様の現象が観察され、有機膜をそのようなエツ
チングにおけるマスク材料として使用する際には、例え
ば現像工程等でのアルカリ溶液との接触は好ましくない
という欠点があった。
る耐性について検討を続けた結果、善ツチング前に前記
有機膜をアルカリ溶液に浸すと、その後によく水洗して
も酸素イオンエツチングに対しての耐性が減少すること
を見い出した・この耐性の減少は、ケイ素原子を含む有
機膜だけでなく、有機膜全般にわたるということが継続
する実験によって明らかとなった。また、酸素イオンエ
ツチングのみでなく、酸素プラズマエツチングや酸素−
四フツ化炭素混合ガスによる反応性エツチングにおいて
も全く同様の現象が観察され、有機膜をそのようなエツ
チングにおけるマスク材料として使用する際には、例え
ば現像工程等でのアルカリ溶液との接触は好ましくない
という欠点があった。
本発明の目的は、アルカリ溶液との接触において減少し
た有機膜の酸素イオン、あるいは酸素プラズマを含むガ
ス中でのエツチングに対する耐性を回復させることにあ
る。
た有機膜の酸素イオン、あるいは酸素プラズマを含むガ
ス中でのエツチングに対する耐性を回復させることにあ
る。
本発明はアルカリ性溶液と接触した有機膜を酸素イオン
あるいは酸素プラズマを含むガス中でエツチングする工
程において、該有機膜を酸性溶液に浸して後エツチング
することを特徴とする有機膜のエツチング方法である。
あるいは酸素プラズマを含むガス中でエツチングする工
程において、該有機膜を酸性溶液に浸して後エツチング
することを特徴とする有機膜のエツチング方法である。
平行平板電力印加力式による反応性イオンエツチング装
置において、反応性酸素による有機膜のエツチング速度
に関してアルカリ溶液との接触によって増大したエツチ
ング速度は酸性溶液との接触によって回復するというこ
とがわかった。４几酸素プラズマによるエツチング工程
においても全く同じ現象が見い出された。本発明の方法
によるエツチング速度の回復現象は有機膜の種類を問わ
ず、アルカリ溶液との接触によってエツチング耐性の減
少する有機物のすべてに適用できる。
置において、反応性酸素による有機膜のエツチング速度
に関してアルカリ溶液との接触によって増大したエツチ
ング速度は酸性溶液との接触によって回復するというこ
とがわかった。４几酸素プラズマによるエツチング工程
においても全く同じ現象が見い出された。本発明の方法
によるエツチング速度の回復現象は有機膜の種類を問わ
ず、アルカリ溶液との接触によってエツチング耐性の減
少する有機物のすべてに適用できる。
上記現象が起こる理由は明らかではないが、アルカリ性
溶液との接触後、水洗工程を経た後に、有機膜表面に極
く微量に付着したアルカリ性物質あるいは有機膜自身の
アルカリ溶液による若干の変質部分がエツチング速度の
増大を生み出し、かかるアルカリ性物質あるいは変質部
分が酸性溶液との接触において、最初の状態あるいはそ
れに近似した状態に修復するために、エツチング速度が
回復するものと推定される。
溶液との接触後、水洗工程を経た後に、有機膜表面に極
く微量に付着したアルカリ性物質あるいは有機膜自身の
アルカリ溶液による若干の変質部分がエツチング速度の
増大を生み出し、かかるアルカリ性物質あるいは変質部
分が酸性溶液との接触において、最初の状態あるいはそ
れに近似した状態に修復するために、エツチング速度が
回復するものと推定される。
次に本発明の実施例を詳細に説明する。
シフレ−社製ポジ型フォトレジストＡＺ−１３５０Ｊ。
デュポン社ポリイミドＰＩ−２５５５，３−）リフチル
シリルメトキシ−２−メチルフェノール０．３部、！−
２−メチルレゾルシン０．２部とホルムアルデヒド０．
５部より合成したノボラック樹脂（ＳＩＰと略す）６３
ｓをシリコン基板上に塗布した。
シリルメトキシ−２−メチルフェノール０．３部、！−
２−メチルレゾルシン０．２部とホルムアルデヒド０．
５部より合成したノボラック樹脂（ＳＩＰと略す）６３
ｓをシリコン基板上に塗布した。
乾燥後、０．５規定のテトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド水溶液囚または０．５規定の水酸化ナトリウム水
溶液の）に１分間浸漬し、その後蒸留水で１分間よく洗
った。この６種類の有機膜の平行平板型ドライエツチン
グ装置における反・応性酸素によるドライエツチング速
度を、塩酸に１分間浸漬する処理をし次ものとしないも
のとで比較し次。
キシド水溶液囚または０．５規定の水酸化ナトリウム水
溶液の）に１分間浸漬し、その後蒸留水で１分間よく洗
った。この６種類の有機膜の平行平板型ドライエツチン
グ装置における反・応性酸素によるドライエツチング速
度を、塩酸に１分間浸漬する処理をし次ものとしないも
のとで比較し次。
結果を以下の表に示す、エツチング条件は、酸素流量５
ＪＩＣｅｍ＋圧力ｔ −６ｐａ ｓ高周波電力０．１６
Ｗ／ｃＩｌである。
ＪＩＣｅｍ＋圧力ｔ −６ｐａ ｓ高周波電力０．１６
Ｗ／ｃＩｌである。
（以下余白゛）
；、１．．′
いずれの場合も、塩酸処理によって著しいエツチング速
度の減少が観測された。
度の減少が観測された。
以上述べたように本発明によれば、きわめて簡便な方法
を用いることにより、現像液等のアルカリ溶液との接触
において減少した有機膜の酸素イオン、あるいは酸素プ
ラズマを含むガス中におけるエツチング耐性を回復させ
ることができる効果を有するものである。
を用いることにより、現像液等のアルカリ溶液との接触
において減少した有機膜の酸素イオン、あるいは酸素プ
ラズマを含むガス中におけるエツチング耐性を回復させ
ることができる効果を有するものである。
なお、本発明において用いる酸性溶液としては実施例で
述べた希塩酸にとどまらず、希硫酸、欽酢酸等一般的プ
ロトン酸をすべて含むことは言うまでもない、また水溶
液に限らず、塩酸とアルコール類の混合物なども有効で
ある。
述べた希塩酸にとどまらず、希硫酸、欽酢酸等一般的プ
ロトン酸をすべて含むことは言うまでもない、また水溶
液に限らず、塩酸とアルコール類の混合物なども有効で
ある。
また、実施例には酸素ガスによるエツチング例を示した
が、ＣＦ、やＣＣ１ａを微量に含む酸素ガス中のエツチ
ングにおいても本発明の効果は失われない。
が、ＣＦ、やＣＣ１ａを微量に含む酸素ガス中のエツチ
ングにおいても本発明の効果は失われない。
特許出願人 日本電気株式会社
、−゛二ゝ
Claims (1)
- （１）アルカリ性溶液と接触した有機膜を酸素イオンあ
るいは酸素プラズマを含むガス中でエッチングする工程
において、該有機膜を酸性溶液に浸した後、エッチング
することを特徴とする有機膜のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4307585A JPS61202441A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | 有機膜のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4307585A JPS61202441A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | 有機膜のエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61202441A true JPS61202441A (ja) | 1986-09-08 |
Family
ID=12653725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4307585A Pending JPS61202441A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | 有機膜のエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61202441A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2047407A1 (es) * | 1991-06-05 | 1994-02-16 | Planells Almerich | Metodo de esterilizacion para el envasado de productos alimenticios. |
-
1985
- 1985-03-05 JP JP4307585A patent/JPS61202441A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2047407A1 (es) * | 1991-06-05 | 1994-02-16 | Planells Almerich | Metodo de esterilizacion para el envasado de productos alimenticios. |
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