JPH0115152B2 - - Google Patents
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- JPH0115152B2 JPH0115152B2 JP55156253A JP15625380A JPH0115152B2 JP H0115152 B2 JPH0115152 B2 JP H0115152B2 JP 55156253 A JP55156253 A JP 55156253A JP 15625380 A JP15625380 A JP 15625380A JP H0115152 B2 JPH0115152 B2 JP H0115152B2
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- etching
- chromium
- alcohol
- island
- chromium oxide
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- Expired
Links
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Landscapes
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
この発明は、スパッタリング、真空蒸着等の方
法で膜形成されたプリント基板のクロム膜または
酸化クロム膜の湿式エツチングに関するものであ
る。 プリント基板からハードマスクを作成する工程
は、プリント基板にレジストを塗布、乾燥（プリ
ベーク）し、画像様に電磁線を曝射し、現像、水
洗、乾燥し、続いて70℃〜140℃で約30分のポス
トベークを行い、クロム膜または酸化クロム膜を
エツチングし、残つたレジストを剥離した後、乾
燥するのが一般的な作成工程である。時として
は、現像、水洗後直にエツチングに移されること
もある。 この工程の中、クロム膜または酸化クロム膜の
エツチングに関しては、エツチング液として従来
より硝酸第二セリウムアンモニウム系、塩化第二
鉄、赤血塩系及び過マンガン酸系の溶液が知られ
ている。 しかしながら従来の作成工程をエツチング液と
の組合せにおいて、レジスト膜を現像した後、一
度乾燥させたりあるいは低温でポストベークをす
ると、現像で露出したクロム部分または酸化クロ
ム部分か完全にエツチングできないクロム残りパ
ターン、いわゆる島残り現像を発生させやすい。 この島残り現象のために、ハードマスクに局所
的に点在する残留クロムまたは酸化クロムは、そ
の検知に大きなしかも無益な労力を要し、また発
生したハードマスクは廃棄の他はない。またもし
島残り現象を有するハードマスクをIC等の作成
に用いれば完全にICの機能を失う致命傷となる。
従つて島残り現象の発生を、ハードマスク作成工
程から排絶することは、ハードマスクの生産性の
大巾な向上と品質保証のために必須な要件とな
る。この発明の目的は、プリント基板からハード
マスク作成工程に於て発生するクロムまたは酸化
クロムの島残り現象を発生を排除することにあ
り、これによつてハードマスクの品質を上げ、か
つ作成収率を上げることにある。 本発明者は、湿式エツチングに於て、エツチン
グ処理に先立つてアルコール、好ましくは１価、
２価及び３価アルコールにより、又はアルコール
の中から選ばれる少なくとも２種類のアルコール
の混合物、更にはそれらの水溶液によつてエツチ
ング前処理を行い、しかもその他のハードマスク
作成工程を何ら変更することなく、完全に島残り
現象を排除することができた。 本発明のエツチング前処理液の調製に使用され
るアルコールは、好ましくは１価、２価及び３価
アルコールであり、置換基の炭素数は10以下であ
つて、アルキル基、アルケン基であることが好ま
しい。例えば、メタノール、エタノール、１―プ
ロパノール、２―プロパノール、１―ブタノー
ル、２―ブタノール、２―メチル―２―プロパノ
ール、２―メチル―１―プロパノール、１―ペン
タノール、２―ペンタノール、４―ペンテン―２
―オール、２，2′―ジメチルプロパノール、１，
２―エタンジオール、１，２，３―プロパトリオ
ール等である。 またエツチング前処理液におけるアルコール濃
度は、５％程度から島残り現象を完全に抑制する
ことができるが、アルコールの種類及び使用条件
によつて多少変化する。 本発明によるエツチング前処理の効果は、クロ
ム又は酸化クロム表面のぬれ特性の向上と、レジ
ストの溶解除去効果によると思われるが、エツチ
ング前処理によつて、エツチング特に発生するク
ロムパターンの島残り現象が全く発生せず、エツ
チングのバラツキのない均一なエツチング処理が
できる。特に従来より島残りの発生しやすかつた
純クロム膜においても、また常温から120℃まで
の比較的低い温度でのポストベーク処理でも、さ
らにはパターンとパターンの間隔が狭くパターン
密度の大きい画像でもその効果は顕著であり、島
残り現象の発生は皆無となる。 次に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発
明はこれにより限定されるのでない。 実施例 クロムと酸化クロムから構成される低反射クロ
ムプレートにホトレジストおOFPR―（東京応
化工業株式会社製）を0.5μｍに塗膜し、塗膜によ
り被服された基板面を露光、現像、水洗してから
90℃―30分のポストベークを行つた後、種々の濃
度のエタノール水溶液、または１，２，３―プロ
パントリオール水溶液に１分間浸漬し、さらに水
洗を行つてから、硝酸第二セリウムアンモニウム
500ｇと過塩素酸150c.c.および脱イオン水2200c.c.で
構成されるエツチング液に浸漬し、クロム膜が完
全に溶解し切つたジヤストエツチングで引き上げ
たものを顕微鏡で観察し、クロムパターンの島残
りが発生しているチツプ数から発生率を求めた。
その効果を次表に示す。
法で膜形成されたプリント基板のクロム膜または
酸化クロム膜の湿式エツチングに関するものであ
る。 プリント基板からハードマスクを作成する工程
は、プリント基板にレジストを塗布、乾燥（プリ
ベーク）し、画像様に電磁線を曝射し、現像、水
洗、乾燥し、続いて70℃〜140℃で約30分のポス
トベークを行い、クロム膜または酸化クロム膜を
エツチングし、残つたレジストを剥離した後、乾
燥するのが一般的な作成工程である。時として
は、現像、水洗後直にエツチングに移されること
もある。 この工程の中、クロム膜または酸化クロム膜の
エツチングに関しては、エツチング液として従来
より硝酸第二セリウムアンモニウム系、塩化第二
鉄、赤血塩系及び過マンガン酸系の溶液が知られ
ている。 しかしながら従来の作成工程をエツチング液と
の組合せにおいて、レジスト膜を現像した後、一
度乾燥させたりあるいは低温でポストベークをす
ると、現像で露出したクロム部分または酸化クロ
ム部分か完全にエツチングできないクロム残りパ
ターン、いわゆる島残り現像を発生させやすい。 この島残り現象のために、ハードマスクに局所
的に点在する残留クロムまたは酸化クロムは、そ
の検知に大きなしかも無益な労力を要し、また発
生したハードマスクは廃棄の他はない。またもし
島残り現象を有するハードマスクをIC等の作成
に用いれば完全にICの機能を失う致命傷となる。
従つて島残り現象の発生を、ハードマスク作成工
程から排絶することは、ハードマスクの生産性の
大巾な向上と品質保証のために必須な要件とな
る。この発明の目的は、プリント基板からハード
マスク作成工程に於て発生するクロムまたは酸化
クロムの島残り現象を発生を排除することにあ
り、これによつてハードマスクの品質を上げ、か
つ作成収率を上げることにある。 本発明者は、湿式エツチングに於て、エツチン
グ処理に先立つてアルコール、好ましくは１価、
２価及び３価アルコールにより、又はアルコール
の中から選ばれる少なくとも２種類のアルコール
の混合物、更にはそれらの水溶液によつてエツチ
ング前処理を行い、しかもその他のハードマスク
作成工程を何ら変更することなく、完全に島残り
現象を排除することができた。 本発明のエツチング前処理液の調製に使用され
るアルコールは、好ましくは１価、２価及び３価
アルコールであり、置換基の炭素数は10以下であ
つて、アルキル基、アルケン基であることが好ま
しい。例えば、メタノール、エタノール、１―プ
ロパノール、２―プロパノール、１―ブタノー
ル、２―ブタノール、２―メチル―２―プロパノ
ール、２―メチル―１―プロパノール、１―ペン
タノール、２―ペンタノール、４―ペンテン―２
―オール、２，2′―ジメチルプロパノール、１，
２―エタンジオール、１，２，３―プロパトリオ
ール等である。 またエツチング前処理液におけるアルコール濃
度は、５％程度から島残り現象を完全に抑制する
ことができるが、アルコールの種類及び使用条件
によつて多少変化する。 本発明によるエツチング前処理の効果は、クロ
ム又は酸化クロム表面のぬれ特性の向上と、レジ
ストの溶解除去効果によると思われるが、エツチ
ング前処理によつて、エツチング特に発生するク
ロムパターンの島残り現象が全く発生せず、エツ
チングのバラツキのない均一なエツチング処理が
できる。特に従来より島残りの発生しやすかつた
純クロム膜においても、また常温から120℃まで
の比較的低い温度でのポストベーク処理でも、さ
らにはパターンとパターンの間隔が狭くパターン
密度の大きい画像でもその効果は顕著であり、島
残り現象の発生は皆無となる。 次に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発
明はこれにより限定されるのでない。 実施例 クロムと酸化クロムから構成される低反射クロ
ムプレートにホトレジストおOFPR―（東京応
化工業株式会社製）を0.5μｍに塗膜し、塗膜によ
り被服された基板面を露光、現像、水洗してから
90℃―30分のポストベークを行つた後、種々の濃
度のエタノール水溶液、または１，２，３―プロ
パントリオール水溶液に１分間浸漬し、さらに水
洗を行つてから、硝酸第二セリウムアンモニウム
500ｇと過塩素酸150c.c.および脱イオン水2200c.c.で
構成されるエツチング液に浸漬し、クロム膜が完
全に溶解し切つたジヤストエツチングで引き上げ
たものを顕微鏡で観察し、クロムパターンの島残
りが発生しているチツプ数から発生率を求めた。
その効果を次表に示す。
【表】
表から明らかなように、島残りの発生は、アル
コール濃度５％までに激減し、５％以上のアルコ
ール水溶液の室温、１分間のエツチング前処理に
よつてゼロとなる。 また、エタノールと１，２，３―プロパントリ
オールの間には大きな効果の差はない。また５％
以上の濃度では島残り現象の発生がゼロであるの
で５％〜30％のアルコール濃度でエツチング前処
理を行うのが実質的である。
コール濃度５％までに激減し、５％以上のアルコ
ール水溶液の室温、１分間のエツチング前処理に
よつてゼロとなる。 また、エタノールと１，２，３―プロパントリ
オールの間には大きな効果の差はない。また５％
以上の濃度では島残り現象の発生がゼロであるの
で５％〜30％のアルコール濃度でエツチング前処
理を行うのが実質的である。
Claims (1)
- １ 置換基として炭素数10以下のアルキル基また
はアルケン基を有する脂肪族アルコール、または
該アルコールを５％以上含む水溶液でエツチング
前処理を行つた後にエツチングすることを特徴と
するクロム膜または酸化クロム膜のエツチング方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15625380A JPS5779173A (en) | 1980-11-05 | 1980-11-05 | Etching method for chromium film and chromium oxide film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15625380A JPS5779173A (en) | 1980-11-05 | 1980-11-05 | Etching method for chromium film and chromium oxide film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5779173A JPS5779173A (en) | 1982-05-18 |
| JPH0115152B2 true JPH0115152B2 (ja) | 1989-03-15 |
Family
ID=15623736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15625380A Granted JPS5779173A (en) | 1980-11-05 | 1980-11-05 | Etching method for chromium film and chromium oxide film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5779173A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3824861A1 (de) * | 1988-07-21 | 1990-01-25 | Productech Gmbh | Verfahren zur herstellung von loetverbindungen |
| US7018556B2 (en) * | 2003-10-10 | 2006-03-28 | Asml Holding N.V. | Method to etch chrome deposited on calcium fluoride object |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4861342A (ja) * | 1971-12-04 | 1973-08-28 | ||
| JPS50765A (ja) * | 1973-05-04 | 1975-01-07 | ||
| JPS5068332A (ja) * | 1973-10-19 | 1975-06-07 |
-
1980
- 1980-11-05 JP JP15625380A patent/JPS5779173A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4861342A (ja) * | 1971-12-04 | 1973-08-28 | ||
| JPS50765A (ja) * | 1973-05-04 | 1975-01-07 | ||
| JPS5068332A (ja) * | 1973-10-19 | 1975-06-07 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5779173A (en) | 1982-05-18 |
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