JPS6155246B2 - - Google Patents
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- JPS6155246B2 JPS6155246B2 JP56035504A JP3550481A JPS6155246B2 JP S6155246 B2 JPS6155246 B2 JP S6155246B2 JP 56035504 A JP56035504 A JP 56035504A JP 3550481 A JP3550481 A JP 3550481A JP S6155246 B2 JPS6155246 B2 JP S6155246B2
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/265—Selective reaction with inorganic or organometallic reagents after image-wise exposure, e.g. silylation
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- G—PHYSICS
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- G03F7/022—Quinonediazides
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- G—PHYSICS
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は一般的には放射線に感応するレジスト
の現像方法に係り、更に具体的にはレジストの乾
式現像方法に係る。
の現像方法に係り、更に具体的にはレジストの乾
式現像方法に係る。
今日、マイクロリソグラフイに於て用いられて
いるポジテイブ型のレジスト系は、フエノール−
ホルムアルデヒド・ノボラツク樹脂の如きアルカ
リに可溶な重合体とジアゾ・ケトン増感剤とから
成る。その様な増感剤及びレジストについては、
例えば米国特許第3046118号、第3046121号、第
3106445号、第3201239号、及び第3666473号の明
細書に記載されている。放射線による露光はレジ
ストの露光部分をアルカリ性溶液中に可溶にし、
通常はレジスト像はアルカリ性水溶液中で現像さ
れる。湿式現像剤を用いた場合には、アルミニウ
ムの如き基板材料のアルカリ性溶液による腐食、
良好でないプロフイルの制御、付着損失、並びに
現像に於ける偏り及び誤差の如き問題が生じ得
る。最近に於て、レジスト層の露光部分又は非露
光部分のいずれかを選択的に除去するために低温
反応性プラズマ又はグロー放電が用いられる乾式
現像技術が提案されている。乾式現像を達成する
場合の問題点は、露光されたレジストと露光され
ていないレジストとのプラズマ食刻速度が通常に
於て余り異ならないことである。
いるポジテイブ型のレジスト系は、フエノール−
ホルムアルデヒド・ノボラツク樹脂の如きアルカ
リに可溶な重合体とジアゾ・ケトン増感剤とから
成る。その様な増感剤及びレジストについては、
例えば米国特許第3046118号、第3046121号、第
3106445号、第3201239号、及び第3666473号の明
細書に記載されている。放射線による露光はレジ
ストの露光部分をアルカリ性溶液中に可溶にし、
通常はレジスト像はアルカリ性水溶液中で現像さ
れる。湿式現像剤を用いた場合には、アルミニウ
ムの如き基板材料のアルカリ性溶液による腐食、
良好でないプロフイルの制御、付着損失、並びに
現像に於ける偏り及び誤差の如き問題が生じ得
る。最近に於て、レジスト層の露光部分又は非露
光部分のいずれかを選択的に除去するために低温
反応性プラズマ又はグロー放電が用いられる乾式
現像技術が提案されている。乾式現像を達成する
場合の問題点は、露光されたレジストと露光され
ていないレジストとのプラズマ食刻速度が通常に
於て余り異ならないことである。
本発明による方法に於て、ポジテイブ型及びネ
ガテイブ型の両方のレジスト・パターンがノボラ
ツク樹脂とジアゾ・ケトンとから成るレジスト層
中に於て酸素プラズマを用いることによつて現像
され得る方法が達成される。
ガテイブ型の両方のレジスト・パターンがノボラ
ツク樹脂とジアゾ・ケトンとから成るレジスト層
中に於て酸素プラズマを用いることによつて現像
され得る方法が達成される。
本発明による方法によれば、基板上にフエノー
ル−ホルムアルデヒド樹脂とジアゾ・ケトンとか
ら成るレジスト材料の層を被覆しそして上記層を
放射線によりパターン状に露光することによつ
て、パターン状レジスト像が基板上に形成され
る。上記層中にマグネシウム化合物が導入されそ
してレジスト層の一部が選択的に除去される様に
上記層が酸素を含む低温プラズマ中に配置され
る。
ル−ホルムアルデヒド樹脂とジアゾ・ケトンとか
ら成るレジスト材料の層を被覆しそして上記層を
放射線によりパターン状に露光することによつ
て、パターン状レジスト像が基板上に形成され
る。上記層中にマグネシウム化合物が導入されそ
してレジスト層の一部が選択的に除去される様に
上記層が酸素を含む低温プラズマ中に配置され
る。
マグネシウム化合物は簡便には上記層をマグネ
シウム塩の溶液で処理することによつて上記層中
に導入される。
シウム塩の溶液で処理することによつて上記層中
に導入される。
マグネシウムは選択的に露光領域中に導入さ
れ、マグネシウムを導入された露光領域はプラズ
マ食刻に対して耐性を有する様になり、従つて通
常はポジテイブ型のレジストに対して通常の露光
及び現像工程が用いられたときに逆のネガテイブ
型の像が形成される。
れ、マグネシウムを導入された露光領域はプラズ
マ食刻に対して耐性を有する様になり、従つて通
常はポジテイブ型のレジストに対して通常の露光
及び現像工程が用いられたときに逆のネガテイブ
型の像が形成される。
本発明による方法とともに、例えば米国特許第
4007047号の明細書に記載されているネガテイブ
型の像を形成する現像技術を用いることによつ
て、ネガテイブ型の像と同様にポジテイブ型の像
も形成され得る。
4007047号の明細書に記載されているネガテイブ
型の像を形成する現像技術を用いることによつ
て、ネガテイブ型の像と同様にポジテイブ型の像
も形成され得る。
次に、本発明による方法について詳細に説明す
る。本発明による方法に於て有用なポジテイブ型
レジストはアルカリに可溶な樹脂を含む。その様
な樹脂の例としては、ホルムアルデヒドと、式 を有し、上記式に於てＡ及びＢは水素及び１乃至
６個の炭素原子を含むアルキル基より成る群から
選択されている多量のフエノールとを、酸又は塩
基による触媒により縮合させることによつて形成
され得るプリポリマー化されたフエノール−ホル
ムアルデヒド樹脂が挙げられる。
る。本発明による方法に於て有用なポジテイブ型
レジストはアルカリに可溶な樹脂を含む。その様
な樹脂の例としては、ホルムアルデヒドと、式 を有し、上記式に於てＡ及びＢは水素及び１乃至
６個の炭素原子を含むアルキル基より成る群から
選択されている多量のフエノールとを、酸又は塩
基による触媒により縮合させることによつて形成
され得るプリポリマー化されたフエノール−ホル
ムアルデヒド樹脂が挙げられる。
適当な増感剤は、米国特許第3201239号の明細
書に記載されている、一般式 を有し、上記式に於てR1はナフトキノン−（１，
２）−ジアジド基であり、R2は水素及びビドロキ
シルより成る群から選択されており、R3は水
素、アルキル、アリール、アルコキシ、アリール
オキシ、アミノ、及び複素環式の基より成る群か
ら選択されているナフトキノン−（１，２）−ジア
ジド・スルホン酸エステルの如き、分子上の隣接
位置にジアゾ及びケト基を有するジアゾ・ケトン
である。又、他の増感剤の例として、米国特許第
3046118号の明細書には、一般式 を有し、上記式に於てＸ及びX1はN2又はＯであ
り、同一の環に結合しているそれらは異なるもの
であり、Ｙは少くとも１つの芳香族、置換された
芳香族、又は複素環式の基を含む有機の結合体で
ある化合物が記載されており、米国特許第
3046121号の明細書には、一般式 を有し、上記式に於てＸ及びX1はN2及びＯより
成る群から選択されて相互に異なるものであり、
Ｙは水素及びハロゲンより成る群から選択されて
おり、Ｒは置換された又は置換されていないアリ
ール又は複素環式の基である化合物が記載されて
おり、米国特許第3106465号の明細書には、一般
式 又は の一方を有し、上記式に於てＤはナフトキノン−
（１，２）−ジアジド基であり、ＸはＨ及びOHよ
り成る群から選択されたものであり、Ｒは水素、
OR1，NR2R3，アルキル−、アリール−、及び複
素環式の基より成る群から選択されたものであ
り、R1はアルキル及びアリールより成る群から
選択されたものであり、R2及びR3は水素、アル
キル、及びアリールより成る群から選択されたも
のであつてR2及びR3は同一又は異なるものであ
る化合物が記載されている。その様な化合物の例
は、１−オキソ−２−ナフタレン−５−スルホン
酸の２，３，４−トリヒドロキシベンゾフエノ
ン・エステルである。これらの増感剤は通常レジ
スト組成物の樹脂成分の約12乃至30重量％の量で
用いられる。
書に記載されている、一般式 を有し、上記式に於てR1はナフトキノン−（１，
２）−ジアジド基であり、R2は水素及びビドロキ
シルより成る群から選択されており、R3は水
素、アルキル、アリール、アルコキシ、アリール
オキシ、アミノ、及び複素環式の基より成る群か
ら選択されているナフトキノン−（１，２）−ジア
ジド・スルホン酸エステルの如き、分子上の隣接
位置にジアゾ及びケト基を有するジアゾ・ケトン
である。又、他の増感剤の例として、米国特許第
3046118号の明細書には、一般式 を有し、上記式に於てＸ及びX1はN2又はＯであ
り、同一の環に結合しているそれらは異なるもの
であり、Ｙは少くとも１つの芳香族、置換された
芳香族、又は複素環式の基を含む有機の結合体で
ある化合物が記載されており、米国特許第
3046121号の明細書には、一般式 を有し、上記式に於てＸ及びX1はN2及びＯより
成る群から選択されて相互に異なるものであり、
Ｙは水素及びハロゲンより成る群から選択されて
おり、Ｒは置換された又は置換されていないアリ
ール又は複素環式の基である化合物が記載されて
おり、米国特許第3106465号の明細書には、一般
式 又は の一方を有し、上記式に於てＤはナフトキノン−
（１，２）−ジアジド基であり、ＸはＨ及びOHよ
り成る群から選択されたものであり、Ｒは水素、
OR1，NR2R3，アルキル−、アリール−、及び複
素環式の基より成る群から選択されたものであ
り、R1はアルキル及びアリールより成る群から
選択されたものであり、R2及びR3は水素、アル
キル、及びアリールより成る群から選択されたも
のであつてR2及びR3は同一又は異なるものであ
る化合物が記載されている。その様な化合物の例
は、１−オキソ−２−ナフタレン−５−スルホン
酸の２，３，４−トリヒドロキシベンゾフエノ
ン・エステルである。これらの増感剤は通常レジ
スト組成物の樹脂成分の約12乃至30重量％の量で
用いられる。
樹脂成分は、レジストが種々の基板上に薄い層
として被覆され得る様に、有機溶媒又は有機溶媒
混合物中に溶解される。適当な溶媒には、例え
ば、少量の酢酸ブチル及びキシレンを有する又は
有しないメチル又はエチル・セロソルブ・アセタ
ート；グリコール・モノメチル・エーテル、グリ
コール・モノエチル・エーテル；ビス−２−メト
キシエチル・エーテル（ジグライム）；及びメチ
ル・イソブチル・ケトン及びアセトンの如き脂肪
族ケトンの如きエーテル、エステル、及びケトン
等がある。レジスト溶液の固形分は通常約10乃至
40重量％の範囲である。
として被覆され得る様に、有機溶媒又は有機溶媒
混合物中に溶解される。適当な溶媒には、例え
ば、少量の酢酸ブチル及びキシレンを有する又は
有しないメチル又はエチル・セロソルブ・アセタ
ート；グリコール・モノメチル・エーテル、グリ
コール・モノエチル・エーテル；ビス−２−メト
キシエチル・エーテル（ジグライム）；及びメチ
ル・イソブチル・ケトン及びアセトンの如き脂肪
族ケトンの如きエーテル、エステル、及びケトン
等がある。レジスト溶液の固形分は通常約10乃至
40重量％の範囲である。
従来の方法に於ては、レジスト層が紫外線又は
電子ビームの如き放射線により露光されたとき、
増感剤の一部が塩基に不溶な形から可溶な形に変
化される。隣接するジアゾ・ケトンの基は、露光
された増感剤の分子を塩基に可溶な形にするカル
ボキシル基を形成するものと考えられる。ポジテ
イブ型のレリーフ像は、レジスト層の露光部分を
選択的に除去する、メタ珪酸ナトリウム、隣酸ナ
トリウム、及びオルト隣酸ナトリウムの混合物の
水溶液、又はKOH希薄溶液のいずれかの如きア
ルカリ性溶液でレジスト層を処理することによつ
て現像される。
電子ビームの如き放射線により露光されたとき、
増感剤の一部が塩基に不溶な形から可溶な形に変
化される。隣接するジアゾ・ケトンの基は、露光
された増感剤の分子を塩基に可溶な形にするカル
ボキシル基を形成するものと考えられる。ポジテ
イブ型のレリーフ像は、レジスト層の露光部分を
選択的に除去する、メタ珪酸ナトリウム、隣酸ナ
トリウム、及びオルト隣酸ナトリウムの混合物の
水溶液、又はKOH希薄溶液のいずれかの如きア
ルカリ性溶液でレジスト層を処理することによつ
て現像される。
本発明による方法に於ては、マグネジウム・イ
オンが露光された増感剤と、恐らく塩を形成する
ことによつて、反応せしめられ、その結果レジス
ト層の非露光部分が選択的に除去されるように、
露光部分に酸素を含むプラズマ雰囲気に対する耐
性が与えられる。その結果、逆のネガテイブ型の
像がレジスト層中に形成される。マグネシウムを
レジスト層中に導入するための好ましい方法は、
放射線により露光した後に、上記層を金属塩の水
溶液で処理することである。露光部分と非露光部
分との間のコントラストを維持してレジスト像を
基板表面迄完全に現像するためには、換言すれば
基板を適切にマスクするために残されねばならな
い量のレジスト層の厚さが確実に存在する様にす
るためには、露光量及びレジスト層の厚さに応じ
て単一のサイクルでなく幾つかのサイクルの金属
塩による処理及び酸素プラズマによる食刻が必要
とされ得る。
オンが露光された増感剤と、恐らく塩を形成する
ことによつて、反応せしめられ、その結果レジス
ト層の非露光部分が選択的に除去されるように、
露光部分に酸素を含むプラズマ雰囲気に対する耐
性が与えられる。その結果、逆のネガテイブ型の
像がレジスト層中に形成される。マグネシウムを
レジスト層中に導入するための好ましい方法は、
放射線により露光した後に、上記層を金属塩の水
溶液で処理することである。露光部分と非露光部
分との間のコントラストを維持してレジスト像を
基板表面迄完全に現像するためには、換言すれば
基板を適切にマスクするために残されねばならな
い量のレジスト層の厚さが確実に存在する様にす
るためには、露光量及びレジスト層の厚さに応じ
て単一のサイクルでなく幾つかのサイクルの金属
塩による処理及び酸素プラズマによる食刻が必要
とされ得る。
マグネシウム化合物を導入するための代替的方
法は、レジスト層を被覆する前にそれらをレジス
トと混合するか又はレジスト層中にマグネシウ
ム・イオンを注入する方法である。露光された
後、非露光部分のマグネシウムは水又は弱アルカ
リ性（約PH８〜９）水溶液中に浸されることによ
つて流出してしまう。
法は、レジスト層を被覆する前にそれらをレジス
トと混合するか又はレジスト層中にマグネシウ
ム・イオンを注入する方法である。露光された
後、非露光部分のマグネシウムは水又は弱アルカ
リ性（約PH８〜９）水溶液中に浸されることによ
つて流出してしまう。
水に溶けて弱アルカリ性（PH８〜９）溶液を形
成するマグネシウム塩が用いられ得る。その様な
塩には、例えば、酢酸マグネシウム、安息香酸マ
グネシウム、塩化マグネシウム、臭化マグネシウ
ム、弗化マグネシウム、沃化マグネシウム、硝酸
マグネシウム、硼酸マグネシウム及び硫酸マグネ
シウム等がある。水中に於てより高濃度の塩はレ
ジスト層中へのマグネシウム・イオンの導入を容
易にし、従つて本発明による方法の実施に於ては
例えば酢酸マグネシウムの如きより可溶な塩を用
いることが好ましい。塩の溶液の濃度は個々の塩
の溶解度に依存し、いかなる場合でも完全に飽和
した溶液の濃度よりも低い濃度が用いられる。処
理時間は温度及び塩の濃度に依存する。その処理
はレジスト層を膨潤させるが腐食させてはならな
い。約90℃迄の高温がレジスト層中へのマグネシ
ウム・イオンの導入を容易にすることが解つた。
成するマグネシウム塩が用いられ得る。その様な
塩には、例えば、酢酸マグネシウム、安息香酸マ
グネシウム、塩化マグネシウム、臭化マグネシウ
ム、弗化マグネシウム、沃化マグネシウム、硝酸
マグネシウム、硼酸マグネシウム及び硫酸マグネ
シウム等がある。水中に於てより高濃度の塩はレ
ジスト層中へのマグネシウム・イオンの導入を容
易にし、従つて本発明による方法の実施に於ては
例えば酢酸マグネシウムの如きより可溶な塩を用
いることが好ましい。塩の溶液の濃度は個々の塩
の溶解度に依存し、いかなる場合でも完全に飽和
した溶液の濃度よりも低い濃度が用いられる。処
理時間は温度及び塩の濃度に依存する。その処理
はレジスト層を膨潤させるが腐食させてはならな
い。約90℃迄の高温がレジスト層中へのマグネシ
ウム・イオンの導入を容易にすることが解つた。
現像は、酸素を含む低圧の雰囲気に於けるグロ
ー放電又は低温プラズマ中で行われる。本発明に
よる方法の実施に於ては、当分野に於て周知の如
く、無電極又はタル型の反応炉及び低圧グロー放
電チエンバ内に平行板の如き電極を含む反応炉等
の種々の型のグロー放電装置、又はダイオード反
応性イオン食刻装置が用いられ得る。用いられる
圧力及び電力は、均一なプラズマが得られる様に
圧力が選択されている使用装置に依存する。電力
は最良のコントラストが得られる様に選択される
べきであり、本発明による方法の実施に於ては約
50ワツト以下の領域に於ける低い電力が好ましい
ことが解つた。次に、本発明による方法をその一
好実施例について更に詳細に述べるが、それによ
つて限定されるものではない。
ー放電又は低温プラズマ中で行われる。本発明に
よる方法の実施に於ては、当分野に於て周知の如
く、無電極又はタル型の反応炉及び低圧グロー放
電チエンバ内に平行板の如き電極を含む反応炉等
の種々の型のグロー放電装置、又はダイオード反
応性イオン食刻装置が用いられ得る。用いられる
圧力及び電力は、均一なプラズマが得られる様に
圧力が選択されている使用装置に依存する。電力
は最良のコントラストが得られる様に選択される
べきであり、本発明による方法の実施に於ては約
50ワツト以下の領域に於ける低い電力が好ましい
ことが解つた。次に、本発明による方法をその一
好実施例について更に詳細に述べるが、それによ
つて限定されるものではない。
実施例
厚さ800Åの２酸化シリコン層を有する酸化さ
れた直径57mmのシリコン・ウエハが約１μｍの乾
燥時の厚さを有するレジスト層で回転被覆され
た。そのレジストは、フエノール−ホルムアルデ
ヒド・ノボラツク樹脂と、樹脂の約17重量％のジ
ヒドロキシベンゾフエノンの２−ジアゾ−１−オ
キソ−ナフタレン−５−スルホン酸ジエステルと
の混合物であつた。そのレジスト層が上記ジグラ
イム溶媒を除去するために約85℃の温度に於て20
分間ベークされそして20マイクロクーロン／cm2の
露光量が得られる様に走査型電子ビームによりパ
ターン状に露光された。露光されたレジスト層が
約PH９の600ｇ／の酢酸マグネシウム四水化物
の溶液中に85℃の温度で20分間浸漬され、脱イオ
ン水中で洗われ、そして送風乾燥された。それら
のウエハが、約150μＨｇの圧力及び約25ワツト
の電力を有する酸素雰囲気中に於ける低圧のグロ
ー放電中に20分間配置された。本実施例に於て
は、Tegal社製の“Plasmod”（商品名）剥離装置
が用いられた。レジスト層の非露光部分を酸化物
層の表面迄除去するために、マグネシウム溶液中
への浸漬及びプラズマ処理の工程が４回乃至５回
反復された。レジストのプロフイルをタリー・ス
テツプ（talystep）により測定した結果、元の
1.0μｍのレジストの厚さの約0.52が現像後に残
され、約2.1の膜厚減少率（film thinning
ratio）であることが示された。
れた直径57mmのシリコン・ウエハが約１μｍの乾
燥時の厚さを有するレジスト層で回転被覆され
た。そのレジストは、フエノール−ホルムアルデ
ヒド・ノボラツク樹脂と、樹脂の約17重量％のジ
ヒドロキシベンゾフエノンの２−ジアゾ−１−オ
キソ−ナフタレン−５−スルホン酸ジエステルと
の混合物であつた。そのレジスト層が上記ジグラ
イム溶媒を除去するために約85℃の温度に於て20
分間ベークされそして20マイクロクーロン／cm2の
露光量が得られる様に走査型電子ビームによりパ
ターン状に露光された。露光されたレジスト層が
約PH９の600ｇ／の酢酸マグネシウム四水化物
の溶液中に85℃の温度で20分間浸漬され、脱イオ
ン水中で洗われ、そして送風乾燥された。それら
のウエハが、約150μＨｇの圧力及び約25ワツト
の電力を有する酸素雰囲気中に於ける低圧のグロ
ー放電中に20分間配置された。本実施例に於て
は、Tegal社製の“Plasmod”（商品名）剥離装置
が用いられた。レジスト層の非露光部分を酸化物
層の表面迄除去するために、マグネシウム溶液中
への浸漬及びプラズマ処理の工程が４回乃至５回
反復された。レジストのプロフイルをタリー・ス
テツプ（talystep）により測定した結果、元の
1.0μｍのレジストの厚さの約0.52が現像後に残
され、約2.1の膜厚減少率（film thinning
ratio）であることが示された。
本実施例は、（光又は紫外線による露光と比べ
て）比較的低い露光量の電子ビーム露光方法を用
いても、２：１よりも良好な膜厚減少率が達成さ
れることを示している。光による露光の場合に
は、より多くの増感剤が変換されて、より大きな
コントラストが達成され得ることが予想される。
本実施例に於ては、始めに露光されたレジスト層
の部分が残される逆のネガテイブ型のレジスト像
が現像される。始めに露光された部分が除去され
るポジテイブ型のレジスト像を得るためには、例
えば米国特許第4007047号明細書に記載の方法が
用いられ得る。
て）比較的低い露光量の電子ビーム露光方法を用
いても、２：１よりも良好な膜厚減少率が達成さ
れることを示している。光による露光の場合に
は、より多くの増感剤が変換されて、より大きな
コントラストが達成され得ることが予想される。
本実施例に於ては、始めに露光されたレジスト層
の部分が残される逆のネガテイブ型のレジスト像
が現像される。始めに露光された部分が除去され
るポジテイブ型のレジスト像を得るためには、例
えば米国特許第4007047号明細書に記載の方法が
用いられ得る。
その方法によれば、レジスト層がパターン状に
露光された後に、弱酸性水溶液で処理され、それ
からマグネシウム塩で処理される前にレジスト層
全体が紫外線により露光される。この場合には、
マグネシウム化合物が始めに露光されなかつたレ
ジスト層の部分に導入され、それらの部分がプラ
ズマに対して耐性を有するようになり、従つてレ
ジスト層が酸素プラズマによる処理を施されたと
き始めに露光された部分が選択的に除去される。
露光された後に、弱酸性水溶液で処理され、それ
からマグネシウム塩で処理される前にレジスト層
全体が紫外線により露光される。この場合には、
マグネシウム化合物が始めに露光されなかつたレ
ジスト層の部分に導入され、それらの部分がプラ
ズマに対して耐性を有するようになり、従つてレ
ジスト層が酸素プラズマによる処理を施されたと
き始めに露光された部分が選択的に除去される。
本発明による方法は、プラズマを用いたレジス
ト層の現像方法を達成する。水溶液が用いられて
いるが、それらは反応性を有さず、アルミニウム
の如き下層を腐食せず、また実際に於て、通常
は、多サイクルの処理を用いた本発明による方法
の実施例の場合でも、完全に露出された基板表面
に接触することはない。
ト層の現像方法を達成する。水溶液が用いられて
いるが、それらは反応性を有さず、アルミニウム
の如き下層を腐食せず、また実際に於て、通常
は、多サイクルの処理を用いた本発明による方法
の実施例の場合でも、完全に露出された基板表面
に接触することはない。
Claims (1)
- １ 基板上にフエノール−ホルムアルデヒド樹脂
とジアゾ・ケトンとから成るレジスト材料の層を
被覆し、上記層を放射線によりパターン状に露光
し、上記層中にマグネシウム化合物を導入し、上
記層の一部が選択的に除去される様に上記層を酸
素を含むプラズマに接触させることを含む、基板
上にパターン状レジスト像を形成するための方
法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/145,163 US4307178A (en) | 1980-04-30 | 1980-04-30 | Plasma develoment of resists |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56161643A JPS56161643A (en) | 1981-12-12 |
| JPS6155246B2 true JPS6155246B2 (ja) | 1986-11-27 |
Family
ID=22511878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3550481A Granted JPS56161643A (en) | 1980-04-30 | 1981-03-13 | Method of forming pattern resist image |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4307178A (ja) |
| EP (1) | EP0038967B1 (ja) |
| JP (1) | JPS56161643A (ja) |
| CA (1) | CA1132832A (ja) |
| DE (1) | DE3162480D1 (ja) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56162744A (en) * | 1980-05-19 | 1981-12-14 | Hitachi Ltd | Formation of fine pattern |
| US4396704A (en) * | 1981-04-22 | 1983-08-02 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Solid state devices produced by organometallic plasma developed resists |
| US4500628A (en) * | 1981-04-22 | 1985-02-19 | At&T Bell Laboratories | Process of making solid state devices using silicon containing organometallic plasma developed resists |
| US4377437A (en) * | 1981-05-22 | 1983-03-22 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Device lithography by selective ion implantation |
| EP0090615B1 (en) * | 1982-03-26 | 1989-01-11 | Hitachi, Ltd. | Method for forming fine resist patterns |
| US4474621A (en) * | 1982-06-16 | 1984-10-02 | International Telephone And Telegraph Corporation | Method for low temperature ashing in a plasma |
| US4517276A (en) * | 1982-11-29 | 1985-05-14 | Varian Associates, Inc. | Metal-containing organic photoresists |
| CA1248402A (en) * | 1983-09-16 | 1989-01-10 | Larry E. Stillwagon | Method of making articles using gas functionalized plasma developed layer |
| US5215867A (en) * | 1983-09-16 | 1993-06-01 | At&T Bell Laboratories | Method with gas functionalized plasma developed layer |
| US4497891A (en) * | 1983-10-25 | 1985-02-05 | International Business Machines Corporation | Dry-developed, negative working electron resist system |
| US4552833A (en) * | 1984-05-14 | 1985-11-12 | International Business Machines Corporation | Radiation sensitive and oxygen plasma developable resist |
| US4670372A (en) * | 1984-10-15 | 1987-06-02 | Petrarch Systems, Inc. | Process of developing radiation imaged photoresist with alkaline developer solution including a carboxylated surfactant |
| US4613561A (en) * | 1984-10-17 | 1986-09-23 | James Marvin Lewis | Method of high contrast positive O-quinone diazide photoresist developing using pretreatment solution |
| GB8427149D0 (en) * | 1984-10-26 | 1984-12-05 | Ucb Sa | Resist materials |
| GB2171530B (en) * | 1985-02-27 | 1989-06-28 | Imtec Products Inc | Method of producing reversed photoresist images by vapour diffusion |
| US4981909A (en) * | 1985-03-19 | 1991-01-01 | International Business Machines Corporation | Plasma-resistant polymeric material, preparation thereof, and use thereof |
| US4782008A (en) * | 1985-03-19 | 1988-11-01 | International Business Machines Corporation | Plasma-resistant polymeric material, preparation thereof, and use thereof |
| US4710449A (en) * | 1986-01-29 | 1987-12-01 | Petrarch Systems, Inc. | High contrast low metal ion positive photoresist developing method using aqueous base solutions with surfactants |
| US4737425A (en) * | 1986-06-10 | 1988-04-12 | International Business Machines Corporation | Patterned resist and process |
| US4690838A (en) * | 1986-08-25 | 1987-09-01 | International Business Machines Corporation | Process for enhancing the resistance of a resist image to reactive ion etching and to thermal flow |
| US4968582A (en) * | 1988-06-28 | 1990-11-06 | Mcnc And University Of Nc At Charlotte | Photoresists resistant to oxygen plasmas |
| US5114827A (en) * | 1988-06-28 | 1992-05-19 | Microelectronics Center Of N.C. | Photoresists resistant to oxygen plasmas |
| US5061604A (en) * | 1990-05-04 | 1991-10-29 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Negative crystalline photoresists for UV photoimaging |
| JP2603148B2 (ja) * | 1990-06-08 | 1997-04-23 | 三菱電機株式会社 | パターン形成方法 |
| KR100234292B1 (ko) * | 1997-10-08 | 1999-12-15 | 윤종용 | 광디스크 제작용 마스터 디스크 제조방법 |
| CA2381128A1 (en) * | 2002-04-09 | 2003-10-09 | Quantiscript Inc. | Plasma polymerized electron beam resist |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3705055A (en) * | 1970-09-18 | 1972-12-05 | Western Electric Co | Method of descumming photoresist patterns |
| US3867216A (en) * | 1972-05-12 | 1975-02-18 | Adir Jacob | Process and material for manufacturing semiconductor devices |
| US4007047A (en) * | 1974-06-06 | 1977-02-08 | International Business Machines Corporation | Modified processing of positive photoresists |
| JPS5173389A (ja) * | 1974-12-23 | 1976-06-25 | Hitachi Ltd | Gasupurazumanyoruhotorejisutomakuno jokyoho |
| JPS5427369A (en) * | 1977-08-01 | 1979-03-01 | Hitachi Ltd | Pattern formation method |
| US4132586A (en) * | 1977-12-20 | 1979-01-02 | International Business Machines Corporation | Selective dry etching of substrates |
| US4201579A (en) * | 1978-06-05 | 1980-05-06 | Motorola, Inc. | Method for removing photoresist by hydrogen plasma |
| US4241165A (en) * | 1978-09-05 | 1980-12-23 | Motorola, Inc. | Plasma development process for photoresist |
-
1980
- 1980-04-30 US US06/145,163 patent/US4307178A/en not_active Expired - Lifetime
-
1981
- 1981-02-16 CA CA371,001A patent/CA1132832A/en not_active Expired
- 1981-03-13 JP JP3550481A patent/JPS56161643A/ja active Granted
- 1981-04-08 DE DE8181102643T patent/DE3162480D1/de not_active Expired
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