JPS6012547A - 高コントラストホトレジスト現像剤 - Google Patents
高コントラストホトレジスト現像剤Info
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- JPS6012547A JPS6012547A JP59125000A JP12500084A JPS6012547A JP S6012547 A JPS6012547 A JP S6012547A JP 59125000 A JP59125000 A JP 59125000A JP 12500084 A JP12500084 A JP 12500084A JP S6012547 A JPS6012547 A JP S6012547A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
-
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- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規な現像剤およびポジティブホトレジスト層
を現像する改良法、さらに詳しくはアルカリ可溶性樹脂
であるジアゾケトンホトレジストを処理して、現像され
たホトレジストのコントラストを高める際に使用する現
像剤に関する。本発明は、生じるすべての露出差の不利
な効果の影響紫よシ小さくする点で特に有用である。す
なわちコントラストが高ければ高いほど、露出の差によ
るホトレジストの現像・ぞターンにおける幾何学的寸法
への影響は少なくなるので、特に有用である。
を現像する改良法、さらに詳しくはアルカリ可溶性樹脂
であるジアゾケトンホトレジストを処理して、現像され
たホトレジストのコントラストを高める際に使用する現
像剤に関する。本発明は、生じるすべての露出差の不利
な効果の影響紫よシ小さくする点で特に有用である。す
なわちコントラストが高ければ高いほど、露出の差によ
るホトレジストの現像・ぞターンにおける幾何学的寸法
への影響は少なくなるので、特に有用である。
但し、もちろん、ホトレジストの露出は適切なものとし
てである。
てである。
ホトレジストは、ホトレジストフィルムを基体表面に塗
布し、照射源、たとえば紫外線、にさらした後に、その
現像液に対する溶解度レスポンスが変化する材料である
。露出の結果、ホトレジストフィルムの露出部分と非露
出(マスクした)部分との間に溶解速度差が生じ、フィ
ルムの現像後、表面レリーフ・ξターンが生じる。露出
部分がよシ高度に可溶性となる。これらのホトレジスト
は、ポジティブホトレジストと呼ばれる。しかしながら
、ホトレジストの溶解度の変化は相対変化にすぎず、ホ
トレジストのあまり可溶性でない非露出部分でもある程
度溶解するので、ホトレジストの相対的に可溶性の部分
と相対的に非可溶性の部分との間の現像速度の差(一般
的にはコントラストと呼ばれる)を高める方法はすべて
有利力方法である。
布し、照射源、たとえば紫外線、にさらした後に、その
現像液に対する溶解度レスポンスが変化する材料である
。露出の結果、ホトレジストフィルムの露出部分と非露
出(マスクした)部分との間に溶解速度差が生じ、フィ
ルムの現像後、表面レリーフ・ξターンが生じる。露出
部分がよシ高度に可溶性となる。これらのホトレジスト
は、ポジティブホトレジストと呼ばれる。しかしながら
、ホトレジストの溶解度の変化は相対変化にすぎず、ホ
トレジストのあまり可溶性でない非露出部分でもある程
度溶解するので、ホトレジストの相対的に可溶性の部分
と相対的に非可溶性の部分との間の現像速度の差(一般
的にはコントラストと呼ばれる)を高める方法はすべて
有利力方法である。
ポジティブホトレジストは一般的には、水性のアルカリ
可溶性樹脂、たとえばノボラック樹脂または$す(p−
ヒドロサシスチレン)とジアゾナフトキノンスルホン酸
エステル増感剤とからなる。
可溶性樹脂、たとえばノボラック樹脂または$す(p−
ヒドロサシスチレン)とジアゾナフトキノンスルホン酸
エステル増感剤とからなる。
樹脂および増感剤は、スピンコーティングのような方法
で、有機溶剤または溶剤混合物から支持体。
で、有機溶剤または溶剤混合物から支持体。
たとえばシリコンウニ7アーおよびクロムメッキガラス
プレート、上に塗布する。ポジティブホトレジストの処
理に使われてきた現像剤は水性アルカリ溶液、たとえば
珪酸ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、
テトラメチル水酸化アンモニウムおよび水酸化アンモニ
ウムである。現像剤は、レジストフィルムに・ξターン
を生ぜしめるために光または他の照射形態にさらされた
被覆ホトレジストフィルム部分を除去する。
プレート、上に塗布する。ポジティブホトレジストの処
理に使われてきた現像剤は水性アルカリ溶液、たとえば
珪酸ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、
テトラメチル水酸化アンモニウムおよび水酸化アンモニ
ウムである。現像剤は、レジストフィルムに・ξターン
を生ぜしめるために光または他の照射形態にさらされた
被覆ホトレジストフィルム部分を除去する。
現行のポジティブホトレジストシステムでは処理条件に
より3ないし5のコントラスト(ガンマ−)が得られる
。この程度のガンマであることに伴ない種々の問題が生
じることは報告されている性能から明らかである。一般
的には、高いガンマすなわちガンマ5は弱い現像剤を使
用しそして現像時間を長くすることによって得られるが
、処理をコントロールするために感度が低下する。従っ
て、感度を犠性にせずに、少なくとも5、好ましくは1
0の程度またはこれより上のガンマにしうる現像剤が望
まれていることは明らかである。
より3ないし5のコントラスト(ガンマ−)が得られる
。この程度のガンマであることに伴ない種々の問題が生
じることは報告されている性能から明らかである。一般
的には、高いガンマすなわちガンマ5は弱い現像剤を使
用しそして現像時間を長くすることによって得られるが
、処理をコントロールするために感度が低下する。従っ
て、感度を犠性にせずに、少なくとも5、好ましくは1
0の程度またはこれより上のガンマにしうる現像剤が望
まれていることは明らかである。
本発明によって、ホトレジストのコントラストを高める
、ポジティブホトレジスト金属イオン水性塩基現像剤が
提供される。得られるガンマは5よシ上、最適には10
よシ上でおる。コントラストが高いと、ホトレジストの
イメージン〆の際におけるライン幅のコントロールおよ
び処理寛容度が高まる。ライン幅のコントロールは、被
覆支持体上に段または地勢が網羅されているレジストに
、細かい線をはつさシと示そうとする場合に重要である
。・ξターン化したレジストの幾何学的模様のライン幅
の寸法はラインが段を横切るときに変化する。レジスト
のコントラストが高くなるほど、段を横切る寸法変化の
効果は小さくなる。高いコントラストによって得られる
処理寛容度は、隣接部分の非露出レジストに影響を及ぼ
すことなく、霧出レジスIf過度に現像する(よシ長く
現像する)ことができるためである。その結果S 1マ
イクロメ一ター未満の極く小さ表幾何学的模様をつける
ことができ、そしてレジスト処理は条件、たとえば露出
、現像剤濃度および温度、の変化にあまシ影響されない
。
、ポジティブホトレジスト金属イオン水性塩基現像剤が
提供される。得られるガンマは5よシ上、最適には10
よシ上でおる。コントラストが高いと、ホトレジストの
イメージン〆の際におけるライン幅のコントロールおよ
び処理寛容度が高まる。ライン幅のコントロールは、被
覆支持体上に段または地勢が網羅されているレジストに
、細かい線をはつさシと示そうとする場合に重要である
。・ξターン化したレジストの幾何学的模様のライン幅
の寸法はラインが段を横切るときに変化する。レジスト
のコントラストが高くなるほど、段を横切る寸法変化の
効果は小さくなる。高いコントラストによって得られる
処理寛容度は、隣接部分の非露出レジストに影響を及ぼ
すことなく、霧出レジスIf過度に現像する(よシ長く
現像する)ことができるためである。その結果S 1マ
イクロメ一ター未満の極く小さ表幾何学的模様をつける
ことができ、そしてレジスト処理は条件、たとえば露出
、現像剤濃度および温度、の変化にあまシ影響されない
。
高コントラストは、非イオン性フルオロカーボン界面活
性剤を水性アルカリ金属塩基、好ましくは水酸化カリウ
ムまたはナトリウム、現像剤に添加することによる本発
明に従って得られる。界面活性剤の混入で予想外のそし
てもつとも実際的な改良がホトレジスト現像剤に加えら
れる。本発明のフルオロカーボン界面活性剤変性現像剤
を使ったコントラストの改良は、界面活性剤の異なる現
像剤するいはフルオロカーボン界面活性剤を除いた現像
剤で得られるコントラストと比較すると、一般的に3倍
以上になる。
性剤を水性アルカリ金属塩基、好ましくは水酸化カリウ
ムまたはナトリウム、現像剤に添加することによる本発
明に従って得られる。界面活性剤の混入で予想外のそし
てもつとも実際的な改良がホトレジスト現像剤に加えら
れる。本発明のフルオロカーボン界面活性剤変性現像剤
を使ったコントラストの改良は、界面活性剤の異なる現
像剤するいはフルオロカーボン界面活性剤を除いた現像
剤で得られるコントラストと比較すると、一般的に3倍
以上になる。
図面の数字は、フィルムを現像した後の標準化したフィ
ルムの厚み対曲線Aで示すようなフィルム露出の対数の
プロットからなる。露出は、レジストにあたる電磁線(
radiation)を説明する適当な測定単位%たと
えば平方センナメーター当シのミリジュール(、、J/
cll)、 で表わしうる。残留フィルムの厚みは非露
出フィルムの現像後の厚みに対して標準化する。コント
ラストは、フィルム損失が生じている直線部分上の曲線
の切線のこう配の負数として表わす。ガンマ(γ)の計
算式は以下の通)である: (式中、E、は、切線E、B が残留フィルムのなくな
る軸をさえぎる露出量であシ、E、は曲線の切線が完全
な残留フィルムの厚みをさえぎる(点B)露出である。
ルムの厚み対曲線Aで示すようなフィルム露出の対数の
プロットからなる。露出は、レジストにあたる電磁線(
radiation)を説明する適当な測定単位%たと
えば平方センナメーター当シのミリジュール(、、J/
cll)、 で表わしうる。残留フィルムの厚みは非露
出フィルムの現像後の厚みに対して標準化する。コント
ラストは、フィルム損失が生じている直線部分上の曲線
の切線のこう配の負数として表わす。ガンマ(γ)の計
算式は以下の通)である: (式中、E、は、切線E、B が残留フィルムのなくな
る軸をさえぎる露出量であシ、E、は曲線の切線が完全
な残留フィルムの厚みをさえぎる(点B)露出である。
本発明の現像剤を用いるホトレジストは、組成物の無用
部分が露出と同時によシ可溶性となる増感剤−樹脂組成
物である。
部分が露出と同時によシ可溶性となる増感剤−樹脂組成
物である。
、この種のポジティブホトレジストに使用される適当な
増感剤は1分子の隣接位置にジアゾおよびケト基を有す
るジアゾケトン類、たとえばここに参考文献としてあげ
る米国特許第2,958,599号、第3,046,1
10号、第3,046,114号、第3,046,11
6号、第3,046,118号、第3,046,119
号、第3.046,121号。
増感剤は1分子の隣接位置にジアゾおよびケト基を有す
るジアゾケトン類、たとえばここに参考文献としてあげ
る米国特許第2,958,599号、第3,046,1
10号、第3,046,114号、第3,046,11
6号、第3,046,118号、第3,046,119
号、第3.046,121号。
第3,046,122号、第3.046,123号。
第3,106,465号、第3,148,983号、第
3,635,709号、第3,711,285号。
3,635,709号、第3,711,285号。
第4,174,222号に記載のキノン−ジアジド8ス
ルホン酸誘導体類である。ポジティブホトレジストに使
用する代表的な感光性化合物の例を表1に示す。光増感
剤は樹脂の溶解度を減じる働きをする。照射と同時に、
光増感剤は化学反応を行なって露出部分のホトレジスト
の可溶化速度を高めるカルボン酸を形成する。
ルホン酸誘導体類である。ポジティブホトレジストに使
用する代表的な感光性化合物の例を表1に示す。光増感
剤は樹脂の溶解度を減じる働きをする。照射と同時に、
光増感剤は化学反応を行なって露出部分のホトレジスト
の可溶化速度を高めるカルボン酸を形成する。
(l渇
38C
一般に、ジアゾナフトキノン基を一つよシ多く含有する
光増感剤は、ホトレジストをよシ高いコントラストのも
のにするので好ましい。適当なアルカリ可溶性樹脂をポ
ジティブホトレジストに用いうる。本発明で考えられる
これらのものは、ノボラックとして知られている市販の
プレポリマー化したフェノールアルデヒド樹脂、たとえ
ばフェノールホルムアルデヒド9、である。この種の樹
脂は、参考文献としてここにめげる、米国特許第3,2
01,239号、第3.868,254号、第4,12
3,219号および第4,173,470号に明らかに
されている。これうのフェノールアルデヒド″樹脂コン
パウンドは有機溶剤およびアルカリ水溶液に可溶性でな
ければならない。
光増感剤は、ホトレジストをよシ高いコントラストのも
のにするので好ましい。適当なアルカリ可溶性樹脂をポ
ジティブホトレジストに用いうる。本発明で考えられる
これらのものは、ノボラックとして知られている市販の
プレポリマー化したフェノールアルデヒド樹脂、たとえ
ばフェノールホルムアルデヒド9、である。この種の樹
脂は、参考文献としてここにめげる、米国特許第3,2
01,239号、第3.868,254号、第4,12
3,219号および第4,173,470号に明らかに
されている。これうのフェノールアルデヒド″樹脂コン
パウンドは有機溶剤およびアルカリ水溶液に可溶性でな
ければならない。
周知の什成法で、いくつかのフェノール化合物類および
アルデヒドまたはアルデヒドを生成する化合物からノボ
ランク樹脂が得られる。使用しうるフェノール化合物類
にはフェノール、キシレノール、クレゾール、レゾルシ
ノール、ナフトール、ヒト90キノン、アルキルフェノ
ール類おヨヒノ\ロダン化フェノール類があるが、これ
らに限定されない。使用しうるアルデヒド類およびアル
デヒドを生成する化合物類の例はホルムアルデヒド、ア
セトアルデヒド、・クラホルムアルデヒドゝ、ホルマリ
ン、アクロレイン、クロトンアルデヒド9およびフルフ
ラールであるが、これらに限定されない。
アルデヒドまたはアルデヒドを生成する化合物からノボ
ランク樹脂が得られる。使用しうるフェノール化合物類
にはフェノール、キシレノール、クレゾール、レゾルシ
ノール、ナフトール、ヒト90キノン、アルキルフェノ
ール類おヨヒノ\ロダン化フェノール類があるが、これ
らに限定されない。使用しうるアルデヒド類およびアル
デヒドを生成する化合物類の例はホルムアルデヒド、ア
セトアルデヒド、・クラホルムアルデヒドゝ、ホルマリ
ン、アクロレイン、クロトンアルデヒド9およびフルフ
ラールであるが、これらに限定されない。
本発明では、非イオン性フルオロカーボン界面活性剤を
、水性アルカリ金属塩基、好ましくは水酸化カリウム、
からなる現像剤に添加して、相当かつ予想外の改良がコ
ントラストに関して得られた。他のアルカリ塩基、たと
えば水酸化す) IJウム、珪酸ナトリウムおよび水酸
化リチウム、も用いうる。この予想外の改良を生ぜしめ
る界面活性剤は、式Rf−Y−(OH20H20)ユR
〔式中、Yは−CH2CH2o−1−8O□NR/−1
SO3,5O2N(R1)CH2CO2、CO2および
−GO−NR/ よ)なる群から選択した基であり、R
fは式CpF2P+、(式中、Pは3〜17の整数であ
る)の直鎖または分岐鎖のいずれかであJ、Rは水素ま
だは炭素原子数1〜30のアシルまたはアルキルであシ
、mは2〜26の整数であり、好ましくはmは5〜26
の整数であり、そしてRf は水素または炭素原子数1
〜6のアルキル基である〕で特徴づけられるものである
。この種のフルオロ界面活性剤の適当な例には、表■に
示すものおよび類似物そしてさらに一般的にはこれらの
混会物がある。
、水性アルカリ金属塩基、好ましくは水酸化カリウム、
からなる現像剤に添加して、相当かつ予想外の改良がコ
ントラストに関して得られた。他のアルカリ塩基、たと
えば水酸化す) IJウム、珪酸ナトリウムおよび水酸
化リチウム、も用いうる。この予想外の改良を生ぜしめ
る界面活性剤は、式Rf−Y−(OH20H20)ユR
〔式中、Yは−CH2CH2o−1−8O□NR/−1
SO3,5O2N(R1)CH2CO2、CO2および
−GO−NR/ よ)なる群から選択した基であり、R
fは式CpF2P+、(式中、Pは3〜17の整数であ
る)の直鎖または分岐鎖のいずれかであJ、Rは水素ま
だは炭素原子数1〜30のアシルまたはアルキルであシ
、mは2〜26の整数であり、好ましくはmは5〜26
の整数であり、そしてRf は水素または炭素原子数1
〜6のアルキル基である〕で特徴づけられるものである
。この種のフルオロ界面活性剤の適当な例には、表■に
示すものおよび類似物そしてさらに一般的にはこれらの
混会物がある。
表■
b CF3(OF2)5−C−N(CH3)−(G(2
CH□O)1□−G(3c CF3((F2)3−SO
2−NH−(CH2O(20)□、−G(。
CH□O)1□−G(3c CF3((F2)3−SO
2−NH−(CH2O(20)□、−G(。
d CF′3(α2)8−田2(イ)−(1□開2O)
8−a−+3g 0F3(ClF3)5−ω−0−((
](2G(20)、−C4H0本発明のフルオロ界面活
性剤を含まないあるいは本発明のフルオロ界面活性剤以
外の界面活性剤たとえばエーロゾル08(0,005%
)の水酸化カリウム現像剤のような現像剤を使用すると
、コントラストは各々2.2および2.6であった。本
発明のフルオロカーボン界面活性剤では、たとえば、コ
ントラストは12.5であった。比較のために使用した
ホトレジストはジアゾナフトキノンスルホyyエステル
光増感剤を含むノボラック樹脂であった。ホトレジスト
被覆はスピンコーティングで製造した。支持体は半導体
装置の製造に一般的に使用されるシリコンウェファ−で
あった。これらのウェファ−は200℃で脱水ベークを
行々い、その後コーティングを行なう直前にキシレン中
の50%へキサメチルジシラザンで20秒間下塗り処理
した。ウェファ−を、厚み1ミクロメーター(μ771
)のレジストフィルムが得られるような速度で回転させ
た。被覆したウェファ−を100℃にて30分間、強制
空気対流炉内でベークした。ベーク後、同じウェファ−
に種々の露出量が加えられるように、裡々の光学濃度の
窓を有する、オブトーラインステップタブレットレゾル
ーションマスフでウェファ−を露出した。入射露光は、
露光しない場合から、レジストを支持体に至るまで現像
するのに十分な露光を行なう場合までの、ステップタブ
レントによる露光範囲を提供するものである。この技術
分野に熟練した人々であれば、別の方法で、評価のため
の既知の露出度の部分およびウェファ−を得ることもで
きる。
8−a−+3g 0F3(ClF3)5−ω−0−((
](2G(20)、−C4H0本発明のフルオロ界面活
性剤を含まないあるいは本発明のフルオロ界面活性剤以
外の界面活性剤たとえばエーロゾル08(0,005%
)の水酸化カリウム現像剤のような現像剤を使用すると
、コントラストは各々2.2および2.6であった。本
発明のフルオロカーボン界面活性剤では、たとえば、コ
ントラストは12.5であった。比較のために使用した
ホトレジストはジアゾナフトキノンスルホyyエステル
光増感剤を含むノボラック樹脂であった。ホトレジスト
被覆はスピンコーティングで製造した。支持体は半導体
装置の製造に一般的に使用されるシリコンウェファ−で
あった。これらのウェファ−は200℃で脱水ベークを
行々い、その後コーティングを行なう直前にキシレン中
の50%へキサメチルジシラザンで20秒間下塗り処理
した。ウェファ−を、厚み1ミクロメーター(μ771
)のレジストフィルムが得られるような速度で回転させ
た。被覆したウェファ−を100℃にて30分間、強制
空気対流炉内でベークした。ベーク後、同じウェファ−
に種々の露出量が加えられるように、裡々の光学濃度の
窓を有する、オブトーラインステップタブレットレゾル
ーションマスフでウェファ−を露出した。入射露光は、
露光しない場合から、レジストを支持体に至るまで現像
するのに十分な露光を行なう場合までの、ステップタブ
レントによる露光範囲を提供するものである。この技術
分野に熟練した人々であれば、別の方法で、評価のため
の既知の露出度の部分およびウェファ−を得ることもで
きる。
露出後、レジストを、公知の現像剤に適したいずれかの
方法、たとえば浸漬、スプレーおよび・ξドル法、で本
発明の現像剤組成物と接触させてよい。本発明の新しい
現像剤組成物は少なくともpH9、好ましくはpH約1
0.5より上、そしてさらに好ましくはPH12より上
で作用する。現像後、処理物を水ですすぎ、さらに従来
の方法で処理することができる。種々の露出度でのホト
レジストの残留厚みは、適当な方法、たとえば干渉計、
ブoフィロメトリー(profiLometry) お
よび橢円偏光測定器、で測定できる。
方法、たとえば浸漬、スプレーおよび・ξドル法、で本
発明の現像剤組成物と接触させてよい。本発明の新しい
現像剤組成物は少なくともpH9、好ましくはpH約1
0.5より上、そしてさらに好ましくはPH12より上
で作用する。現像後、処理物を水ですすぎ、さらに従来
の方法で処理することができる。種々の露出度でのホト
レジストの残留厚みは、適当な方法、たとえば干渉計、
ブoフィロメトリー(profiLometry) お
よび橢円偏光測定器、で測定できる。
曲線Aで示すプロットはフィルムの残留厚み対各段階の
露出度の対数で作成した。コントラストは上記のように
曲線から決定した。一般、に、ガンマが高いほど、レジ
スト/現像剤システムの性能がよい。好ましいガンマ値
は、5を越えたものであり、最適なのは10またはこれ
より上のガンマ値である。この作用の数学的関係は図面
の数字に示されている。フルオロカーボン界面活性剤の
量は現像剤の約0.0001%〜約1.0%で使用する
のが有利である。さらに効果的なフルオロカーボン界面
活性剤の量は0.0005%〜0.5%である。
露出度の対数で作成した。コントラストは上記のように
曲線から決定した。一般、に、ガンマが高いほど、レジ
スト/現像剤システムの性能がよい。好ましいガンマ値
は、5を越えたものであり、最適なのは10またはこれ
より上のガンマ値である。この作用の数学的関係は図面
の数字に示されている。フルオロカーボン界面活性剤の
量は現像剤の約0.0001%〜約1.0%で使用する
のが有利である。さらに効果的なフルオロカーボン界面
活性剤の量は0.0005%〜0.5%である。
好ましい範囲は0.001〜0.1%である。水酸化カ
リウムの濃度は感度レイルの保持に応じて変化させなけ
ればガしない。界面活性剤を増加するにつれ、現像剤を
より高濃度にする必要がある。
リウムの濃度は感度レイルの保持に応じて変化させなけ
ればガしない。界面活性剤を増加するにつれ、現像剤を
より高濃度にする必要がある。
アルカリ金属塩基には、KOHの他に、 tJzOH。
Li0H1珪酸ナトリウム等、または水性現像剤に溶解
したとき、水酸化カリウムと同等のイオン塩基度を供給
しうる化合物が含オれる。たとえは、珪酸ナトリウム全
使用する場合、Nα20対5LO2の比は1:1〜3:
1が好ましい。アルカリ金属水酸化物の量は、たとえは
、KOHを使用する場合、約0.1%〜約10%、好ま
しくは0.5%〜5%で変化させうる。以下の実施例で
本発明を説明する。実施例中の細部は、特許請求の範囲
に明示ししであるもの以外は限定されるものでは々い。
したとき、水酸化カリウムと同等のイオン塩基度を供給
しうる化合物が含オれる。たとえは、珪酸ナトリウム全
使用する場合、Nα20対5LO2の比は1:1〜3:
1が好ましい。アルカリ金属水酸化物の量は、たとえは
、KOHを使用する場合、約0.1%〜約10%、好ま
しくは0.5%〜5%で変化させうる。以下の実施例で
本発明を説明する。実施例中の細部は、特許請求の範囲
に明示ししであるもの以外は限定されるものでは々い。
実施例1
ノボラック樹脂および表1の式15に示す光増感剤をス
ピンコーティングしてホトレジスト被覆物を製造した。
ピンコーティングしてホトレジスト被覆物を製造した。
支持体は、少なくとも16時間200℃脱水は−クを行
ない、次にコーティング直前にキシレン中の50%へキ
サメチルジシラザンで20秒間処理したシリコンウェフ
ァ−であった。ウェファ−は厚み1ミクロメーター(μ
m)のフィルムが得られるように回転させた。被覆ウェ
ファ−を強制空気対流炉内で100℃にて30分間ベー
クした。ベーキング後、同じウェファ−に様々な露出量
を加えるために、種々の光学濃度の窓を有する、オプト
ーラインステップタブレットレゾルーションマスクを通
して、ウニ7アーを紫外光にさらした。入射露光は、露
光しない場合から、レジストを支持体に至るまで現像す
るのに十分な露光を行なう場合までの範囲である。0.
25N水性水酸化カリウム現像液を製造した。上記のよ
うに7ボランク樹脂および増感剤からなるレジストを被
覆し、処理した。被覆支持体を、この現像液中で22℃
にて60秒間、浸漬現像した。これを脱イオン水中です
すぎ、乾燥した。コントラストおよび感度データを表■
に示す。
ない、次にコーティング直前にキシレン中の50%へキ
サメチルジシラザンで20秒間処理したシリコンウェフ
ァ−であった。ウェファ−は厚み1ミクロメーター(μ
m)のフィルムが得られるように回転させた。被覆ウェ
ファ−を強制空気対流炉内で100℃にて30分間ベー
クした。ベーキング後、同じウェファ−に様々な露出量
を加えるために、種々の光学濃度の窓を有する、オプト
ーラインステップタブレットレゾルーションマスクを通
して、ウニ7アーを紫外光にさらした。入射露光は、露
光しない場合から、レジストを支持体に至るまで現像す
るのに十分な露光を行なう場合までの範囲である。0.
25N水性水酸化カリウム現像液を製造した。上記のよ
うに7ボランク樹脂および増感剤からなるレジストを被
覆し、処理した。被覆支持体を、この現像液中で22℃
にて60秒間、浸漬現像した。これを脱イオン水中です
すぎ、乾燥した。コントラストおよび感度データを表■
に示す。
実施例2
0、25 N水性水酸化カリウム現像液を0.005%
エーロゾルO8(インプロ♂ルナフタレンスルホン酸ナ
トリウム、アメリカン・サイアナミツト9社から市販さ
れている非弗素化界面活性剤)を添加して製造した。支
持体は実施例1に記載のようにして製造した。処理支持
体を、この現像液中に22℃にて60秒間、浸漬現像し
た。これを脱イオン水中ですすぎ、乾燥した。コントラ
ストおよび感度データを表■に示す。
エーロゾルO8(インプロ♂ルナフタレンスルホン酸ナ
トリウム、アメリカン・サイアナミツト9社から市販さ
れている非弗素化界面活性剤)を添加して製造した。支
持体は実施例1に記載のようにして製造した。処理支持
体を、この現像液中に22℃にて60秒間、浸漬現像し
た。これを脱イオン水中ですすぎ、乾燥した。コントラ
ストおよび感度データを表■に示す。
実施例3
0.27N水性水酸化ナトリウム現像液を製造した。支
持体は実施例1に記載のように製造した。
持体は実施例1に記載のように製造した。
処理した支持体を、22℃にて60秒間、この現像液中
で浸漬現像した。これを脱イオン水中ですすぎ、乾燥し
た。コントラストおよび感度データを表■に示す。
で浸漬現像した。これを脱イオン水中ですすぎ、乾燥し
た。コントラストおよび感度データを表■に示す。
実施例4
5.7%水水性メタ珪酸ナトリウム氷水化物現像液製造
した。支持体は実施例1に記載のように製造した。処理
した支持体を、22℃にて60秒間、この現像液中で浸
漬現像した。これを脱イオン水中ですすぎ、乾燥した。
した。支持体は実施例1に記載のように製造した。処理
した支持体を、22℃にて60秒間、この現像液中で浸
漬現像した。これを脱イオン水中ですすぎ、乾燥した。
コントラストおよび感度データを表■に示す。
実施例5
0.271N水性水酸化カリウム現像液を、0.016
%の式F(CF2)3−6(CH2CH20)5−26
CH2CH20Hの混合物を添加して製造した。支持体
は実施例1に記載のようにして製造した。処理した支持
体を、22℃にて60秒間、この現像液中で浸漬現像し
た。こ:n、’e脱イオン水中ですすぎ、乾燥した。コ
ントラストおよび感度を表■に示す、。
%の式F(CF2)3−6(CH2CH20)5−26
CH2CH20Hの混合物を添加して製造した。支持体
は実施例1に記載のようにして製造した。処理した支持
体を、22℃にて60秒間、この現像液中で浸漬現像し
た。こ:n、’e脱イオン水中ですすぎ、乾燥した。コ
ントラストおよび感度を表■に示す、。
実施例6
0.27N水性水酸化ナトリウム現像液を、0.013
%の実施例5で使用した界面活性剤を加えて製造した。
%の実施例5で使用した界面活性剤を加えて製造した。
支持体は実施例1に記載のようにして製造した。処理し
た支持体を、22℃にて60秒間、この現像液中で浸漬
現像した。これを脱イオン水中ですすぎ、乾燥した。コ
ントラストおよび感度データを表■に示す。
た支持体を、22℃にて60秒間、この現像液中で浸漬
現像した。これを脱イオン水中ですすぎ、乾燥した。コ
ントラストおよび感度データを表■に示す。
実施例7
5.7%水水性メタ珪酸ナトリウム氷水化物現像液、0
.015%の実施例5で使用した界面活性剤を加えて製
造した。支持体は実施例1に記載のようにして製造した
。処理した支持体を、22℃にて60秒間、この現像液
中で浸漬現像した。これを脱イオン水中ですすぎ、乾燥
した。コントラストおよび感度データを表■中に示す。
.015%の実施例5で使用した界面活性剤を加えて製
造した。支持体は実施例1に記載のようにして製造した
。処理した支持体を、22℃にて60秒間、この現像液
中で浸漬現像した。これを脱イオン水中ですすぎ、乾燥
した。コントラストおよび感度データを表■中に示す。
実施例8
0.27N水性水酸化カリウム現像液を、o、oos%
(7)弐Rf、−5o2−N(Et)−(CH20H2
0) 15−26−GO−C24H49(式中、Rfは
飽和フルオロアルキル05F11〜07F□5 であり
、約20%)Rfハ分岐していた)の界面活性剤混合物
を加えて製造した。
(7)弐Rf、−5o2−N(Et)−(CH20H2
0) 15−26−GO−C24H49(式中、Rfは
飽和フルオロアルキル05F11〜07F□5 であり
、約20%)Rfハ分岐していた)の界面活性剤混合物
を加えて製造した。
支持体は実施例1に記載のようにして製造した。
処理した支持体を、22℃にて60秒間、この功像液中
で浸漬現像した。これを脱イオン水中ですすぎ、乾燥し
た。コントラストおよび感度は表m中に示す。
で浸漬現像した。これを脱イオン水中ですすぎ、乾燥し
た。コントラストおよび感度は表m中に示す。
実施例9
0.27水性水酸化カリウム現像液を、0.12%ノ式
Rf−(CH2a(20)2−2o−CH20H2oC
H3(式中、Rfは飽和フルオロアルキルC3F1、〜
C7F□5 であり、約20%のRfは分岐していた)
のフルオロカーボン化分物の混合物を添加して製造した
。支持体は実施例1に記載のようにして製造した。処理
した支持体を、22℃にて60秒間、この現像液中で浸
漬現像した。これを脱イオン水中ですすぎ、乾燥した。
Rf−(CH2a(20)2−2o−CH20H2oC
H3(式中、Rfは飽和フルオロアルキルC3F1、〜
C7F□5 であり、約20%のRfは分岐していた)
のフルオロカーボン化分物の混合物を添加して製造した
。支持体は実施例1に記載のようにして製造した。処理
した支持体を、22℃にて60秒間、この現像液中で浸
漬現像した。これを脱イオン水中ですすぎ、乾燥した。
コントラストおよび感度ブータラ表mに示す。
実施例10
5.7%水性メタ珪酸ナトリウム五水化物全、0.12
%の実施例9で使用したフルオロカーボン界面活性剤の
混合物で製造した。支持体は実施例1に記載のようにし
て製造した。処理した支持体を、22°G60秒、この
現像液中で浸漬現像した。
%の実施例9で使用したフルオロカーボン界面活性剤の
混合物で製造した。支持体は実施例1に記載のようにし
て製造した。処理した支持体を、22°G60秒、この
現像液中で浸漬現像した。
これを脱イオン水中ですすぎ、乾燥した。コントラスト
および感度データ全表mに示す。
および感度データ全表mに示す。
実施例11
0.16N水性水酸化ナトリウム現像液を製造した。二
酸化シリコン支持体く増感剤が60/30/10比の表
1の例11/1/7から々る以外は、実施例1に記載の
ようにして製造した。処理した支持体を%22℃にて6
0秒間、この現像液中で浸漬現像した。これを脱イオン
水中ですすぎ、乾燥した。コントラストおよび感度デー
タを表■に示す。
酸化シリコン支持体く増感剤が60/30/10比の表
1の例11/1/7から々る以外は、実施例1に記載の
ようにして製造した。処理した支持体を%22℃にて6
0秒間、この現像液中で浸漬現像した。これを脱イオン
水中ですすぎ、乾燥した。コントラストおよび感度デー
タを表■に示す。
実施例12
0.16N水性水酸化ナトリウム現像液を、0.015
%の実施例5で使用した界面活性剤混合物を加えて製造
した。支持体は実施例11に記載のようにして製造した
。処理した支持体を、22℃にて60秒間、この現像液
中で浸漬現像した。
%の実施例5で使用した界面活性剤混合物を加えて製造
した。支持体は実施例11に記載のようにして製造した
。処理した支持体を、22℃にて60秒間、この現像液
中で浸漬現像した。
これを脱イオン水中ですすぎ、乾燥した。コントラスト
および感度データを表■に示す。
および感度データを表■に示す。
実施例13
0.16N水性水酸化す) I)ラム現像液を、o、o
os%の実施例8の界面活性剤混会物で製造した。支持
体は実施例11に記載のようにして製造した。処理した
支持体を、22℃にて60秒間、この現像液中で浸漬現
像した。これを脱イオン水中ですすき、乾燥した。コン
トラストおよび感度データを表■に示す。
os%の実施例8の界面活性剤混会物で製造した。支持
体は実施例11に記載のようにして製造した。処理した
支持体を、22℃にて60秒間、この現像液中で浸漬現
像した。これを脱イオン水中ですすき、乾燥した。コン
トラストおよび感度データを表■に示す。
実施例14
実施例5と同様な現像液を製造した。支持体は実施例1
に記載のようにして製造した。処理した支持体を、22
℃にて30秒間、この現像液中で・ぐドル現像した。こ
れを脱イオン水中ですすぎ、乾燥した。コントラストお
よび感度データを表■・ に示す。
に記載のようにして製造した。処理した支持体を、22
℃にて30秒間、この現像液中で・ぐドル現像した。こ
れを脱イオン水中ですすぎ、乾燥した。コントラストお
よび感度データを表■・ に示す。
実施例15
0.01%のCF3(OF2)5−Co−N(OH3)
−(CH20H20)□3CH3′ft含有する0、1
6N水性水酸化ナトリウム現像液を製造した。支持体を
実施例1に記載のようにして製造した。処理した支持体
を、22℃にて60秒間、この現像液中で浸漬現像した
。これを脱イオン水中ですすぎ、乾燥した。コントラス
トおよび感度データを表■に示す。
−(CH20H20)□3CH3′ft含有する0、1
6N水性水酸化ナトリウム現像液を製造した。支持体を
実施例1に記載のようにして製造した。処理した支持体
を、22℃にて60秒間、この現像液中で浸漬現像した
。これを脱イオン水中ですすぎ、乾燥した。コントラス
トおよび感度データを表■に示す。
実施例16
0.01%のCF3(CF2)3−802−NH−(C
H2CH20)□4CH3ヲ含有する0、16N水性水
酸化ナトリウム現像液を製造した。支持体は実施例1に
記載のようにして製造した。処理した支持体を、22℃
にて60秒間、この現像液中で浸漬現像した。これを脱
イオン水中ですすぎ、乾燥した。コントラストおよび感
度を表■1に示す。
H2CH20)□4CH3ヲ含有する0、16N水性水
酸化ナトリウム現像液を製造した。支持体は実施例1に
記載のようにして製造した。処理した支持体を、22℃
にて60秒間、この現像液中で浸漬現像した。これを脱
イオン水中ですすぎ、乾燥した。コントラストおよび感
度を表■1に示す。
実施例17
0.01%のCF3(CF2)8−802−〇−(CH
2CH20)8−CH3を含有する0、25N水性水酸
化カリウム現像液を製造した。支持体は実施例11に記
載のようにして製造した。処理した支持体を、22℃に
て60秒間、この現像液中で浸漬現像した。これを脱イ
オン水中ですすぎ、乾燥した。コントラストおよび感度
データを表mに示す。
2CH20)8−CH3を含有する0、25N水性水酸
化カリウム現像液を製造した。支持体は実施例11に記
載のようにして製造した。処理した支持体を、22℃に
て60秒間、この現像液中で浸漬現像した。これを脱イ
オン水中ですすぎ、乾燥した。コントラストおよび感度
データを表mに示す。
実施例18
0.01%ノaE′3(CF2)5−■−()−(OH
20H20)9C4H。
20H20)9C4H。
を含有する0、16N水性水酸化ナトリウム現像液を製
造した。支持体は実施例1に記載のようにして製造した
。処理した支持体を、22℃にて60秒間、この現像液
中で浸漬現像した。これを脱イオン水中ですすぎ、乾燥
した。コントラストおよび感度データ全表■に示す。
造した。支持体は実施例1に記載のようにして製造した
。処理した支持体を、22℃にて60秒間、この現像液
中で浸漬現像した。これを脱イオン水中ですすぎ、乾燥
した。コントラストおよび感度データ全表■に示す。
実施例19
0、01 % C7) 式Rf−8o2−N (Et
)−a(2CO□−(CH2CH20) 15−26−
c25H51のフルオロカーボン界面活性剤混会物を含
有する0、25N水性水酸化カリウム現像液を製造した
。支持体は実施例11に記載のようにして製造した。処
理した支持体を、22℃にて60秒間、この現像液中で
浸漬混会した。これを脱イオン水中ですすき゛、乾燥し
た。コントラストおよび感度を表■に示す。
)−a(2CO□−(CH2CH20) 15−26−
c25H51のフルオロカーボン界面活性剤混会物を含
有する0、25N水性水酸化カリウム現像液を製造した
。支持体は実施例11に記載のようにして製造した。処
理した支持体を、22℃にて60秒間、この現像液中で
浸漬混会した。これを脱イオン水中ですすき゛、乾燥し
た。コントラストおよび感度を表■に示す。
(2印
表■
l KOHナシ 25 2.2
2 KOHインプロピル−ナフタレ 25 2.6ンス
ルホ4唆ナトリウム 3 NαOHナシ 41.9 4Nα2SzO3ナシ9 1.8 5 KOHF(CF20F2)3−6− s 12.5
(C;H2CH20)5−26− CH2CH20H 6NαOH実施例5参照 17 7.67 Nα28
LQ a 実施例5参照 26 8.38 KOH(c
zl Rf−sO2−N (Et)−1116,4(O
H2田20)15−26− CoC24H49 9KOH’ Iα)Rf−(CH20H20) 11
3.3(CH2CH20)2−2oCH3 10Nα2StO3実施例9参照 14 2.811
NaOHナシ11 3.2 (29) 12 NaOH実施例5参照 28 10.213 N
αOH実施例8参照 29 8.814 KOH実施例
5参照 8 12,015 NaOH0F3(OF2)
5−00−N 20 10.0(CH3)−(CH2a
(□0)1□ −田。
ルホ4唆ナトリウム 3 NαOHナシ 41.9 4Nα2SzO3ナシ9 1.8 5 KOHF(CF20F2)3−6− s 12.5
(C;H2CH20)5−26− CH2CH20H 6NαOH実施例5参照 17 7.67 Nα28
LQ a 実施例5参照 26 8.38 KOH(c
zl Rf−sO2−N (Et)−1116,4(O
H2田20)15−26− CoC24H49 9KOH’ Iα)Rf−(CH20H20) 11
3.3(CH2CH20)2−2oCH3 10Nα2StO3実施例9参照 14 2.811
NaOHナシ11 3.2 (29) 12 NaOH実施例5参照 28 10.213 N
αOH実施例8参照 29 8.814 KOH実施例
5参照 8 12,015 NaOH0F3(OF2)
5−00−N 20 10.0(CH3)−(CH2a
(□0)1□ −田。
16 NαOHCF3(CF2)3−8O2−NH−2
010,0(a(2CyrX20)14−CH3 17Ko)(’ CF3(CF2)8−8O3−101
0,0(CH2CH20)8−CI(3 18NαOH(CF3(CF2)5−002− 15
10.0(CH2CH20)9−a(3 19KOH(α)■畳幻2−N(Et )−1510,
0C)(2CO2−(OH20H20) 1s−26−C25HB□ (α)Rf=05F、1−07F15テ、約20 %(
D Rfは分岐している。
010,0(a(2CyrX20)14−CH3 17Ko)(’ CF3(CF2)8−8O3−101
0,0(CH2CH20)8−CI(3 18NαOH(CF3(CF2)5−002− 15
10.0(CH2CH20)9−a(3 19KOH(α)■畳幻2−N(Et )−1510,
0C)(2CO2−(OH20H20) 1s−26−C25HB□ (α)Rf=05F、1−07F15テ、約20 %(
D Rfは分岐している。
本発明は紫外光(290〜500 nm) に敏感なポ
ジティブホトレジストに関して述べてきたが、この新し
い現像剤は電子ビーム、X線、イオンビーム、ディープ
紫外(220〜290 nm) 光および他の電磁線に
敏感なポジティブレジストにも適用できる。
ジティブホトレジストに関して述べてきたが、この新し
い現像剤は電子ビーム、X線、イオンビーム、ディープ
紫外(220〜290 nm) 光および他の電磁線に
敏感なポジティブレジストにも適用できる。
本発明を好ましい具体例に関して特に述べてきたが、こ
の技術分野に熟練した人々には、本発明の精神および範
囲から逸脱することなく形態および詳細の変更ができる
ことは言うまでもないであろう。
の技術分野に熟練した人々には、本発明の精神および範
囲から逸脱することなく形態および詳細の変更ができる
ことは言うまでもないであろう。
添付の図面は、フィルム現像後の、標準化したフィルム
の厚み対フィルム露出の対数をプロットした、現像剤コ
ントラスト曲線である。 特許出願人 アライド・コーポレーション0 0 U o ’t’r ケ二一 アメリカ合衆国ニューヨーク州 14219プラスデル・ジャックス ・トレイル4802
の厚み対フィルム露出の対数をプロットした、現像剤コ
ントラスト曲線である。 特許出願人 アライド・コーポレーション0 0 U o ’t’r ケ二一 アメリカ合衆国ニューヨーク州 14219プラスデル・ジャックス ・トレイル4802
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)キノンジアジドスルホン酸誘導体類およびアルカ
リ可溶性樹脂を支持体上に塗布したものからなる、そし
て表面レリーフ・ξターンを形成するために電磁線(r
ad、1ation)に露出した、電磁線感応性ポジテ
ィブレジストフィルムを現像する方法であって、 フィルムの露出部分が少なくとも部分的に溶解するまで
、 露出フィルムを、現像剤の1量に基づいて少なくとも0
.0001%の式: %式%) 〔式中、Yは−CH2CH20−1S○2NR/、S0
3.5O2N’(Rf)CH2CO2、cO2オヨび−
C○−NR/、lj)なる群から選択した基であシ、R
fは式CPF2P+□ (式中、Pは3〜17の整数で
ある)の直鎖および分岐鎖よりなる群から選択した基で
あシ、Rは水素または炭素原子数1〜30のアシルまた
はアルキルであり、mは2〜26の整数であシ、そして
R′は水素または炭素原子数1〜6のアルキル基である
〕 で表わされるフルオロカーボン界面活性剤を含む水性ア
ルカリ現像剤と接触させる、 ことよシなる上記の方法。 (2)(α)水性アルカリ金属塩基 (b) 水および <c+ 全重量に基づいて少なくとも0.0001%の
式: %式%) 〔式中、Yは−CH2CH2O−1−8O2NR/。 SO3,502N(R1)CH2CO2、GO□オヨヒ
−Co−NR/ よシなる群から選択した基であシ、R
fは式CpF2p+□ (式中、Pは3〜17の整数で
ある)の直鎖および分岐鎖よシなる群から選択した基で
あシ、Rは水素または炭素原子数1〜30のアシルまた
はアルキル基であり、mは2〜26の整数であシ、そし
てR′は水素または炭素原子数1〜6のアルキル基であ
る〕 で表されるフルオロカーボン界面活性剤よシなる電磁線
感応性フィルム用の現像剤。 (3)(α)が水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウム
よシなる群から選択したものであシ、そして(C1が約
0.001%〜約0.1%の量で存在する、特許請求の
範囲第(2)項記載の現像剤。 (4) (C1が式: %式%) 〔式中、Rfは式CpF2P+1(式中、pは5〜10
の整数である)で表わされる分岐または非分岐フルオロ
カーボンフラグメントであシ、Yバー5O2−N(R’
)−CH2CO2−−?l’6す、R′は炭素原子数1
〜4のアルキル基であり、mは15〜26の整数であり
、そしてRは炭素原子数15〜30のアルキル基である
〕で表わされるフルオロケミカル界面活性剤である、特
許請求の範囲第(2)項記載の現像剤。 (51(C1が式: %式%) 〔式中、Rfは式CPF2P+1(式中、pは5〜,1
0の整数である)の分岐または非分岐フルオロカーボン
であり、Yは一3O2N(Rf)−でロシ、R′は炭素
原子数1〜4のアルキル基であシ、mは15〜26の整
数であり、そしてRは炭素原子数15〜30のアシル基
である〕 で表わされるフルオロケミカル界面活性剤である、特許
請求の範囲第(2)項記載の現像剤。 (6)半導体装置を形成するために支持体上に塗布した
感光性樹脂フィルムの露光したものを、現像するための
現像剤組成物であって、約10.5よシ上のpHとする
のに十分なアルカリ金属水酸化物を含有し、そして約0
.0001〜約1.000%の式: %式%) 〔式中、Yは−CH2CH20−1SO2NR11SO
3,5O2N(R1)CH2CO3CO2および−Go
−NR/よシなる群から選択した基であり、Rfは式C
PF2P+□ (式中、pは3〜17の整数である)で
表わされる直鎖および分岐鎖よシなる群から選択した基
であシ、Rは水素または炭素原子数1〜30のアシルま
たはアルキル基でめシ、mは2〜26の整数であシ、そ
してR′は水素または炭素原子数1〜6のアルキル基で
ある〕 で表わされるフルオロカーボン界面活性剤を含む、水溶
液からなる上記の現像剤組成物。 (カ アルカリ金属水酸化物が水酸化カリウムである、
特許請求の範囲第(6)項記載の組成物。 (8)(α)水性アルカリ金属塩基、 (h) 水および (?l 式: %式%) 〔式中、 Rf f−i式CPF2p+□ のフルオロ
カーボンフラグメントであり、Pは3〜17の整数でめ
シ、Yは−CH2CH20−であシ、mは5〜26の整
数で1)、そしてRはHである〕 で表わされるフルオロケミカル界面活性剤よシなる電磁
線感応性フィルム用の現像剤。 (9)(α)が水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウム
よシなる群から選択したものであシ、そして(C1が約
0.0005%〜約0.5%の量で存在する、特許請求
の範囲第(8)項記載の現像剤。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US50557183A | 1983-06-17 | 1983-06-17 | |
US505571 | 1983-06-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6012547A true JPS6012547A (ja) | 1985-01-22 |
JPH0462576B2 JPH0462576B2 (ja) | 1992-10-06 |
Family
ID=24010858
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59125000A Granted JPS6012547A (ja) | 1983-06-17 | 1984-06-18 | 高コントラストホトレジスト現像剤 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0129106B1 (ja) |
JP (1) | JPS6012547A (ja) |
KR (1) | KR860001559B1 (ja) |
CA (1) | CA1251350A (ja) |
DE (1) | DE3469074D1 (ja) |
HK (1) | HK49289A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61177727A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-09 | Sony Corp | ポジタイプフオトレジストの現像方法 |
JPS62247357A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-10-28 | マイクロシィ・インコーポレーテッド | コントラストが高く、金属イオンの少ないホトレジスト現像組成物および現像法 |
JPS63158552A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平版印刷版の製造方法 |
JPS6472154A (en) * | 1987-09-12 | 1989-03-17 | Tama Kagaku Kogyo Kk | Positive type photoresist developing solution |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01177541A (ja) * | 1988-01-07 | 1989-07-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平版印刷版の製造方法 |
US5811221A (en) * | 1997-05-30 | 1998-09-22 | Kodak Polychrome Graphics, Llc | Alkaline developing composition and method of use to process lithographic printing plates |
US6083662A (en) * | 1997-05-30 | 2000-07-04 | Kodak Polychrome Graphics Llc | Methods of imaging and printing with a positive-working infrared radiation sensitive printing plate |
Citations (3)
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---|---|---|---|---|
JPS5051324A (ja) * | 1973-09-04 | 1975-05-08 | ||
JPS54116227A (en) * | 1978-03-01 | 1979-09-10 | Fujitsu Ltd | Formation method for positive type resist image |
JPS5740429A (en) * | 1980-08-25 | 1982-03-06 | Chisso Corp | 4-(4-n-alkyl-1-cyclohexen-1-yl)-4'-fluorobiphenyl |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2921142A1 (de) * | 1979-05-25 | 1980-12-11 | Bayer Ag | Verwendung von perfluoralkansulfonamid- salzen als tenside |
-
1984
- 1984-05-28 DE DE8484106059T patent/DE3469074D1/de not_active Expired
- 1984-05-28 EP EP84106059A patent/EP0129106B1/en not_active Expired
- 1984-05-28 CA CA000455255A patent/CA1251350A/en not_active Expired
- 1984-06-12 KR KR1019840003299A patent/KR860001559B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1984-06-18 JP JP59125000A patent/JPS6012547A/ja active Granted
-
1989
- 1989-06-22 HK HK492/89A patent/HK49289A/xx not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5051324A (ja) * | 1973-09-04 | 1975-05-08 | ||
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JPS5740429A (en) * | 1980-08-25 | 1982-03-06 | Chisso Corp | 4-(4-n-alkyl-1-cyclohexen-1-yl)-4'-fluorobiphenyl |
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JPS61177727A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-09 | Sony Corp | ポジタイプフオトレジストの現像方法 |
JPS62247357A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-10-28 | マイクロシィ・インコーポレーテッド | コントラストが高く、金属イオンの少ないホトレジスト現像組成物および現像法 |
JPS63158552A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平版印刷版の製造方法 |
JPS6472154A (en) * | 1987-09-12 | 1989-03-17 | Tama Kagaku Kogyo Kk | Positive type photoresist developing solution |
JPH0455504B2 (ja) * | 1987-09-12 | 1992-09-03 | Tama Kagaku Kogyo Kk |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0129106B1 (en) | 1988-01-27 |
CA1251350A (en) | 1989-03-21 |
DE3469074D1 (en) | 1988-03-03 |
HK49289A (en) | 1989-06-30 |
EP0129106A1 (en) | 1984-12-27 |
KR850000704A (ko) | 1985-02-28 |
JPH0462576B2 (ja) | 1992-10-06 |
KR860001559B1 (ko) | 1986-10-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |