JP2001183843A - アンダーコート樹脂組成物及びこれを用いたレジスト像の製造法 - Google Patents
アンダーコート樹脂組成物及びこれを用いたレジスト像の製造法Info
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- Materials For Photolithography (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスクブランクスの表面の影響を打ち消し、
ポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物のパターンの断面形
状を矩形に現出させることができるアンダーコート樹脂
組成物及びレジスト像の製造法を提供する。 【解決手段】 ポリ（ビニルメチルエーテル）樹脂及び
フッ素系水溶性界面活性剤を含有するアンダーコート樹
脂組成物。マスクブランクス上に上記のアンダーコート
樹脂組成物の塗膜を形成し、この塗膜上にポジ型化学増
幅系感光性樹脂組成物の塗膜を形成し、次いで、このポ
ジ型化学増幅系感光性樹脂組成物の塗膜に活性化学線を
照射し、現像するレジスト像の製造法。
ポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物のパターンの断面形
状を矩形に現出させることができるアンダーコート樹脂
組成物及びレジスト像の製造法を提供する。 【解決手段】 ポリ（ビニルメチルエーテル）樹脂及び
フッ素系水溶性界面活性剤を含有するアンダーコート樹
脂組成物。マスクブランクス上に上記のアンダーコート
樹脂組成物の塗膜を形成し、この塗膜上にポジ型化学増
幅系感光性樹脂組成物の塗膜を形成し、次いで、このポ
ジ型化学増幅系感光性樹脂組成物の塗膜に活性化学線を
照射し、現像するレジスト像の製造法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体用フォトマ
スク等の製作において、ポジ型化学増幅系感光性樹脂組
成物塗膜とマスクブランクスの間に形成して用いられる
アンダーコート樹脂組成物に関する。
スク等の製作において、ポジ型化学増幅系感光性樹脂組
成物塗膜とマスクブランクスの間に形成して用いられる
アンダーコート樹脂組成物に関する。
【０００２】本発明はまた、このアンダーコート樹脂組
成物とポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物を用いたレジ
スト像の製造法に関し、特に、紫外線、遠紫外線、Ｘ
線、電子線などの放射線のパターン状照射によりパター
ン潜像形成部に酸を発生させ、この酸を触媒とする反応
によって、当該照射部と未照射部のアルカリ現像液に対
する溶解性を変化させ、パターンを現出させるレジスト
像の製造法に関する。
成物とポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物を用いたレジ
スト像の製造法に関し、特に、紫外線、遠紫外線、Ｘ
線、電子線などの放射線のパターン状照射によりパター
ン潜像形成部に酸を発生させ、この酸を触媒とする反応
によって、当該照射部と未照射部のアルカリ現像液に対
する溶解性を変化させ、パターンを現出させるレジスト
像の製造法に関する。
【０００３】
【従来の技術】近年、集積回路については高集積化に伴
う微細化が進み、２５６ＭＤＲＡＭ等においては、サブ
ハーフミクロン以下のパターン形成が要求されるように
なり、解像力の優れたレジスト材料が要望されている。
特に、最近は微細化の前倒し傾向が顕著となり、デバイ
スメーカにとってはより微細なパターンを形成するリソ
グラフィ技術を確立する競争が激化している。
う微細化が進み、２５６ＭＤＲＡＭ等においては、サブ
ハーフミクロン以下のパターン形成が要求されるように
なり、解像力の優れたレジスト材料が要望されている。
特に、最近は微細化の前倒し傾向が顕著となり、デバイ
スメーカにとってはより微細なパターンを形成するリソ
グラフィ技術を確立する競争が激化している。
【０００４】現在は、光を光源とするリソグラフィ技術
が主流であり、今後さらに厳しくなる微細化への対応の
ため、光源である光の短波長化が進んでおり、先端デバ
イスの微細加工にはＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎ
ｍ）が適用されている。さらに、０．１５μｍ以下の微
細加工にはＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、０．
１３μｍ以下の微細加工にＦ2エキシマレーザ（１５３
ｎｍ）が光源として本命視されている。さらに０．１μ
ｍ以下の微細加工にはＸ線や電子線による露光が実用に
最も近いリソグラフィ技術として有望視されている。こ
のように、光源である光の短波長化により微細加工は可
能となっていくが、これに用いるフォトマスクにも加工
寸法の微細化、加工精度の向上が必要とされている。
が主流であり、今後さらに厳しくなる微細化への対応の
ため、光源である光の短波長化が進んでおり、先端デバ
イスの微細加工にはＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎ
ｍ）が適用されている。さらに、０．１５μｍ以下の微
細加工にはＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、０．
１３μｍ以下の微細加工にＦ2エキシマレーザ（１５３
ｎｍ）が光源として本命視されている。さらに０．１μ
ｍ以下の微細加工にはＸ線や電子線による露光が実用に
最も近いリソグラフィ技術として有望視されている。こ
のように、光源である光の短波長化により微細加工は可
能となっていくが、これに用いるフォトマスクにも加工
寸法の微細化、加工精度の向上が必要とされている。
【０００５】フォトマスクの微細加工には、光を光源と
するリソグラフィ技術と電子線を用いるリソグラフィ技
術があり、最先端の微細加工には精度の点から電子線を
用いるリソグラフィ技術が用いられている。電子線描画
装置は、スループットは低いが精度の良いラスタースキ
ャン型と、スループットは高いが精度で劣るベクタース
キャン型がある。最近、ベクタースキャン型では、微細
化及び高精度化対応を図るため、加速電圧を高くしてレ
ジスト塗膜中の電子散乱を抑えビームプロファイルを向
上させた装置が主流となりつつある。この方式の描画装
置を採用することにより、スループットが高く加工精度
の優れたフォトマスクの製作が可能となった。
するリソグラフィ技術と電子線を用いるリソグラフィ技
術があり、最先端の微細加工には精度の点から電子線を
用いるリソグラフィ技術が用いられている。電子線描画
装置は、スループットは低いが精度の良いラスタースキ
ャン型と、スループットは高いが精度で劣るベクタース
キャン型がある。最近、ベクタースキャン型では、微細
化及び高精度化対応を図るため、加速電圧を高くしてレ
ジスト塗膜中の電子散乱を抑えビームプロファイルを向
上させた装置が主流となりつつある。この方式の描画装
置を採用することにより、スループットが高く加工精度
の優れたフォトマスクの製作が可能となった。
【０００６】一方、高加速電圧の電子線描画装置に使用
されるレジスト材料は高感度である必要があり、低感度
のレジスト材料では想定しているスループットが得られ
ない。また、微細化及び高精度化を実現するためのドラ
イエッチングプロセスにはレジストパターンプロファイ
ルが垂直であることが要求される。このような感度、解
像度、レジスト形状の垂直性を実現させるレジスト材料
には酸触媒反応を利用した化学増幅系感光性樹脂組成物
が有望である（米国特許第３，７７９，７７８号明細
書、特開昭５９−４５４３９号公報、特開平２−２５８
５０号公報）。しかしながら、化学増幅系感光性樹脂組
成物はその反応機構から下地基板の依存性があり、特に
フォトマスク基板に蒸着されている遮光膜である酸化ク
ロム膜上ではレジスト特性が大きく変化してしまう問題
がある。
されるレジスト材料は高感度である必要があり、低感度
のレジスト材料では想定しているスループットが得られ
ない。また、微細化及び高精度化を実現するためのドラ
イエッチングプロセスにはレジストパターンプロファイ
ルが垂直であることが要求される。このような感度、解
像度、レジスト形状の垂直性を実現させるレジスト材料
には酸触媒反応を利用した化学増幅系感光性樹脂組成物
が有望である（米国特許第３，７７９，７７８号明細
書、特開昭５９−４５４３９号公報、特開平２−２５８
５０号公報）。しかしながら、化学増幅系感光性樹脂組
成物はその反応機構から下地基板の依存性があり、特に
フォトマスク基板に蒸着されている遮光膜である酸化ク
ロム膜上ではレジスト特性が大きく変化してしまう問題
がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、マス
クブランクスの表面の影響を打ち消し、紫外線、遠紫外
線、Ｘ線、電子線などの放射線のパターン状照射により
パターン潜像形成部に酸を発生させ、この酸を触媒とす
る反応によって、当該照射部と未照射部のアルカリ現像
液に対する溶解性を変化させるポジ型化学増幅系感光性
樹脂組成物のパターンの断面形状を矩形に現出させるこ
とができるアンダーコート樹脂組成物を提供することに
ある。
クブランクスの表面の影響を打ち消し、紫外線、遠紫外
線、Ｘ線、電子線などの放射線のパターン状照射により
パターン潜像形成部に酸を発生させ、この酸を触媒とす
る反応によって、当該照射部と未照射部のアルカリ現像
液に対する溶解性を変化させるポジ型化学増幅系感光性
樹脂組成物のパターンの断面形状を矩形に現出させるこ
とができるアンダーコート樹脂組成物を提供することに
ある。
【０００８】本発明の他の目的は、解像度、パターンの
断面形状の良好なレジストパターンを現出させることが
できるレジスト像の製造法を提供することにある。
断面形状の良好なレジストパターンを現出させることが
できるレジスト像の製造法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、ポリ（ビニル
メチルエーテル）樹脂及びフッ素系水溶性界面活性剤を
含有することを特徴とするアンダーコート樹脂組成物に
関する。
メチルエーテル）樹脂及びフッ素系水溶性界面活性剤を
含有することを特徴とするアンダーコート樹脂組成物に
関する。
【００１０】本発明はまた、マスクブランクス上に上記
のアンダーコート樹脂組成物の塗膜を形成し、この塗膜
上にポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物の塗膜を形成
し、次いで、このポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物の
塗膜に活性化学線を照射し、現像することを特徴とする
レジスト像の製造法に関する。
のアンダーコート樹脂組成物の塗膜を形成し、この塗膜
上にポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物の塗膜を形成
し、次いで、このポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物の
塗膜に活性化学線を照射し、現像することを特徴とする
レジスト像の製造法に関する。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明のアンダーコート樹脂組成
物においては、ポリ（ビニルメチルエテール）樹脂が用
いられる。樹脂は成膜できることが必要であり、そのた
めに樹脂の数平均分子量は３００以上が好ましく、さら
にフォトマスク製造工程に使用することを考慮に入れる
と、数平均分子量は１，０００以上が好ましい。数平均
分子量の特に好ましい範囲は１，０００〜２，０００で
ある。なお、ここで数平均分子量は、ゲルパーミエーシ
ョンクロマトグラフィーにより標準ポリスチレンの検量
線を用いて測定した値である。
物においては、ポリ（ビニルメチルエテール）樹脂が用
いられる。樹脂は成膜できることが必要であり、そのた
めに樹脂の数平均分子量は３００以上が好ましく、さら
にフォトマスク製造工程に使用することを考慮に入れる
と、数平均分子量は１，０００以上が好ましい。数平均
分子量の特に好ましい範囲は１，０００〜２，０００で
ある。なお、ここで数平均分子量は、ゲルパーミエーシ
ョンクロマトグラフィーにより標準ポリスチレンの検量
線を用いて測定した値である。
【００１２】また、本発明のアンダーコート樹脂組成物
においてはフッ素系水溶性界面活性剤が用いられる。こ
れらは、市販品として求めることができ、住友スリーエ
ム（株）製フロラードＦＣ−９３やＦＣ−１３５などが
ある。この界面活性剤は、樹脂に対して３０重量％以下
混入させることが好ましく、１０重量％以下混入させる
ことがより好ましい。フッ素系水溶性界面活性剤の特に
好ましい範囲は２〜１０重量％である。本発明において
のフッ素系水溶性界面活性剤はストリエーション（塗膜
のムラ）防止効果には欠かせない材料である。
においてはフッ素系水溶性界面活性剤が用いられる。こ
れらは、市販品として求めることができ、住友スリーエ
ム（株）製フロラードＦＣ−９３やＦＣ−１３５などが
ある。この界面活性剤は、樹脂に対して３０重量％以下
混入させることが好ましく、１０重量％以下混入させる
ことがより好ましい。フッ素系水溶性界面活性剤の特に
好ましい範囲は２〜１０重量％である。本発明において
のフッ素系水溶性界面活性剤はストリエーション（塗膜
のムラ）防止効果には欠かせない材料である。
【００１３】本発明のアンダーコート樹脂組成物を用い
て、レジスト像を製造するには、マスクブランクス上に
本発明のアンダーコート樹脂組成物の塗膜を形成する。
塗膜の形成は、アンダーコート樹脂組成物の好ましくは
１〜１０重量％の水溶液を用いて、マスクブランクス上
に塗布し、塗膜を乾燥することにより行われる。アンダ
ーコート樹脂組成物の塗膜の乾燥は好ましくは９０℃以
上、より好ましくは９０〜１５０℃の温度で、好ましく
は２〜１０分間行われる。乾燥温度が９０℃未満では、
レジスト現像中にアンダーコート樹脂組成物の塗膜が溶
解してしまいレジストパターンが現出することが困難と
なる傾向がある。乾燥塗膜の厚さは５０〜１００ｎｍと
することが好ましい。
て、レジスト像を製造するには、マスクブランクス上に
本発明のアンダーコート樹脂組成物の塗膜を形成する。
塗膜の形成は、アンダーコート樹脂組成物の好ましくは
１〜１０重量％の水溶液を用いて、マスクブランクス上
に塗布し、塗膜を乾燥することにより行われる。アンダ
ーコート樹脂組成物の塗膜の乾燥は好ましくは９０℃以
上、より好ましくは９０〜１５０℃の温度で、好ましく
は２〜１０分間行われる。乾燥温度が９０℃未満では、
レジスト現像中にアンダーコート樹脂組成物の塗膜が溶
解してしまいレジストパターンが現出することが困難と
なる傾向がある。乾燥塗膜の厚さは５０〜１００ｎｍと
することが好ましい。
【００１４】次いで、このアンダーコート樹脂組成物の
塗膜上に、ポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物の塗膜を
形成する。ポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物として
は、日立化成工業（株）製ＲＥ−５１２０Ｐ、ＲＥ−５
１５０Ｐなどが好ましく使用できる。
塗膜上に、ポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物の塗膜を
形成する。ポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物として
は、日立化成工業（株）製ＲＥ−５１２０Ｐ、ＲＥ−５
１５０Ｐなどが好ましく使用できる。
【００１５】上記のポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物
の溶液をアンダーコート樹脂組成物の塗膜の上に塗布
し、乾燥し、好ましくは厚さ３００〜５００ｎｍのポジ
型化学増幅系感光性樹脂組成物の塗膜を形成する。
の溶液をアンダーコート樹脂組成物の塗膜の上に塗布
し、乾燥し、好ましくは厚さ３００〜５００ｎｍのポジ
型化学増幅系感光性樹脂組成物の塗膜を形成する。
【００１６】このポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物の
塗膜に、電子線等の活性化学線を照射し、現像すること
によりレジスト像が得られる。
塗膜に、電子線等の活性化学線を照射し、現像すること
によりレジスト像が得られる。
【００１７】活性化学線の好ましい照射量は１〜１００
μＣ／ｃｍ2であり、現像液としては好ましくはアルカ
リ性水溶液が用いられ、現像時間は、通常、３０〜２０
０秒間である。
μＣ／ｃｍ2であり、現像液としては好ましくはアルカ
リ性水溶液が用いられ、現像時間は、通常、３０〜２０
０秒間である。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例及びその比較例によっ
て本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの
実施例に限定されるものではない。
て本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの
実施例に限定されるものではない。
【００１９】実施例１ ポリ（ビニルメチルエーテル）樹脂の７０重量％水溶液
（東京化成製、Ｐ０３８４、数平均分子量１，５００）
１５ｇ、住友スリーエム（株）製フッ素系水溶性界面活
性剤フロラードＦＣ−９３、０．０５ｇを水１５０ｇに
溶解し、０．５μｍのフィルターを使用してポリマー水
溶液を得た。
（東京化成製、Ｐ０３８４、数平均分子量１，５００）
１５ｇ、住友スリーエム（株）製フッ素系水溶性界面活
性剤フロラードＦＣ−９３、０．０５ｇを水１５０ｇに
溶解し、０．５μｍのフィルターを使用してポリマー水
溶液を得た。
【００２０】この溶液をＨＯＹＡ製酸化クロム膜付き石
英基板上に、大日本スクリーン製自動塗布装置Ｄ−ＳＰ
ＩＮを用いて３０００ｒｐｍの回転数で３０秒間回転塗
布し１２０℃１２０秒間ホットプレート上で乾燥し、厚
さ６０ｎｍの塗膜を得た。このアンダーコート樹脂組成
物の塗膜が形成されている基板上に、日立化成工業
（株）製ポジ型化学増幅系レジストＲＥ−５１２０Ｐの
溶液を、大日本スクリーン製自動塗布装置Ｄ−ＳＰＩＮ
を用いて１８００ｒｐｍの回転数で３０秒間回転塗布し
１１０℃１２０秒間ホットプレート上で乾燥し厚さ４０
０ｎｍの塗膜を得た。
英基板上に、大日本スクリーン製自動塗布装置Ｄ−ＳＰ
ＩＮを用いて３０００ｒｐｍの回転数で３０秒間回転塗
布し１２０℃１２０秒間ホットプレート上で乾燥し、厚
さ６０ｎｍの塗膜を得た。このアンダーコート樹脂組成
物の塗膜が形成されている基板上に、日立化成工業
（株）製ポジ型化学増幅系レジストＲＥ−５１２０Ｐの
溶液を、大日本スクリーン製自動塗布装置Ｄ−ＳＰＩＮ
を用いて１８００ｒｐｍの回転数で３０秒間回転塗布し
１１０℃１２０秒間ホットプレート上で乾燥し厚さ４０
０ｎｍの塗膜を得た。
【００２１】この基板に、加速電圧５０ｋＶの電子線描
画装置を用いて、１０μＣ／ｃｍ2の照射量でＬ＆Ｓパ
ターンをレジスト膜に描画した後、９０℃、１０分間熱
処理してレジストの潜像部分のアルカリ水溶液に対する
溶解性を増加させる反応を促進した。この熱処理の後、
水酸化テトラメチルアンモニウムの２．３８重量％水溶
液を用いて潜像を形成したレジスト膜を６０秒間現像
し、ポジ型のレジストパターンを得た。０．２０μｍの
Ｌ＆Ｓ（ライン＆スペース）パターンの断面形状を電子
顕微鏡で観察した結果、レジストパターンの断面形状は
矩形であり良好であった。また、照射部に残査は確認さ
れなかった。
画装置を用いて、１０μＣ／ｃｍ2の照射量でＬ＆Ｓパ
ターンをレジスト膜に描画した後、９０℃、１０分間熱
処理してレジストの潜像部分のアルカリ水溶液に対する
溶解性を増加させる反応を促進した。この熱処理の後、
水酸化テトラメチルアンモニウムの２．３８重量％水溶
液を用いて潜像を形成したレジスト膜を６０秒間現像
し、ポジ型のレジストパターンを得た。０．２０μｍの
Ｌ＆Ｓ（ライン＆スペース）パターンの断面形状を電子
顕微鏡で観察した結果、レジストパターンの断面形状は
矩形であり良好であった。また、照射部に残査は確認さ
れなかった。
【００２２】実施例２ 実施例１でＨＯＹＡ製酸化クロム膜付き石英基板の代わ
りにＢａｒｅ Ｓｉ基板を用いた以外は、実施例１同様
にしてポジ型のレジストパターンを得た。０．２０μｍ
のＬ＆Ｓパターンの断面形状を電子顕微鏡で観察した結
果、レジストパターンの断面形状は矩形であり良好であ
った。また、照射部に残査は確認されなかった。
りにＢａｒｅ Ｓｉ基板を用いた以外は、実施例１同様
にしてポジ型のレジストパターンを得た。０．２０μｍ
のＬ＆Ｓパターンの断面形状を電子顕微鏡で観察した結
果、レジストパターンの断面形状は矩形であり良好であ
った。また、照射部に残査は確認されなかった。
【００２３】比較例１ アンダーコート塗膜を形成しなかったこと以外は、実施
例１と同様してにポジ型のレジストパターンを得た。
０．２０μｍのＬ＆Ｓパターンの断面形状を電子顕微鏡
で観察した結果、未解像であり、１．０μｍのレジスト
パターンの断面形状は台形形状であった。また、照射部
に残査が多数確認された。
例１と同様してにポジ型のレジストパターンを得た。
０．２０μｍのＬ＆Ｓパターンの断面形状を電子顕微鏡
で観察した結果、未解像であり、１．０μｍのレジスト
パターンの断面形状は台形形状であった。また、照射部
に残査が多数確認された。
【００２４】比較例２ アンダーコート塗膜を形成しなかったこと以外は、実施
例２と同様にしてポジ型のレジストパターンを得た。
０．２０μｍのＬ＆Ｓパターンの断面形状を電子顕微鏡
で観察した結果、逆台形形状となりレジストパターンが
倒れ未解像であり、１．０μｍのレジストパターンの断
面形状は逆台形形状であった。また、照射部に残査は確
認されなかった。
例２と同様にしてポジ型のレジストパターンを得た。
０．２０μｍのＬ＆Ｓパターンの断面形状を電子顕微鏡
で観察した結果、逆台形形状となりレジストパターンが
倒れ未解像であり、１．０μｍのレジストパターンの断
面形状は逆台形形状であった。また、照射部に残査は確
認されなかった。
【００２５】
【発明の効果】本発明のアンダーコート樹脂組成物はフ
ォトマスクブランクスの表面の影響を打ち消し、紫外
線、遠紫外線、Ｘ線、電子線などの放射線のパターン状
照射によりパターン潜像形成部に酸を発生させ、この酸
を触媒とする反応によって、当該照射部と未照射部のア
ルカリ現像液に対する溶解性を変化させるポジ型化学増
幅系感光性樹脂組成物のパターンの断面形状を矩形に現
出させることができる。
ォトマスクブランクスの表面の影響を打ち消し、紫外
線、遠紫外線、Ｘ線、電子線などの放射線のパターン状
照射によりパターン潜像形成部に酸を発生させ、この酸
を触媒とする反応によって、当該照射部と未照射部のア
ルカリ現像液に対する溶解性を変化させるポジ型化学増
幅系感光性樹脂組成物のパターンの断面形状を矩形に現
出させることができる。
【００２６】本発明のレジスト像の製造法は、感度、レ
ジストパターン形状に優れるレジストパターンを作製す
ることができる。
ジストパターン形状に優れるレジストパターンを作製す
ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AA02 AA03 AB08 AB16 AC04 AC08 AD03 BE00 BE10 BG00 DA14 DA18 DA35 FA17 2H095 BA07 BA08 BA10 BB01 BC01 5F046 HA07 JA22 LA18
Claims (2)
- 【請求項１】 ポリ（ビニルメチルエーテル）樹脂及び
フッ素系水溶性界面活性剤を含有することを特徴とする
アンダーコート樹脂組成物。 - 【請求項２】 マスクブランクス上に請求項１記載のア
ンダーコート樹脂組成物の塗膜を形成し、この塗膜上に
ポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物の塗膜を形成し、次
いで、このポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物の塗膜に
活性化学線を照射し、現像することを特徴とするレジス
ト像の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37013199A JP2001183843A (ja) | 1999-12-27 | 1999-12-27 | アンダーコート樹脂組成物及びこれを用いたレジスト像の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37013199A JP2001183843A (ja) | 1999-12-27 | 1999-12-27 | アンダーコート樹脂組成物及びこれを用いたレジスト像の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001183843A true JP2001183843A (ja) | 2001-07-06 |
Family
ID=18496148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP37013199A Pending JP2001183843A (ja) | 1999-12-27 | 1999-12-27 | アンダーコート樹脂組成物及びこれを用いたレジスト像の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001183843A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007241259A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-09-20 | Hoya Corp | マスクブランク用レジスト下層膜形成組成物、マスクブランク及びマスク |
-
1999
- 1999-12-27 JP JP37013199A patent/JP2001183843A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007241259A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-09-20 | Hoya Corp | マスクブランク用レジスト下層膜形成組成物、マスクブランク及びマスク |
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