JPH04251850A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【産業上の利用分野】本発明はリソグラフ法に関する。 更に詳細には、本発明は、例えば半導体素子の製造を含
むリソグラフ法に関する。 【０００２】 【従来の技術】リソグラフ法は半導体デバイスの製造で
日常的に使用されている。利用可能なリソグラフ法のう
ち、光リソグラフ法が多用されている。光リソグラフ法
はブランケット露光技術に適しているという利点を有す
る。すなわち、照射光線に感光性の材料を、複数個のデ
バイスを製造するために加工している基板（例えば、シ
リコンウエハ）上に塗布する。次いで、塗布材料（すな
わち、レジスト）をマスク材料を通して露光し、下部の
基板に転写すべき所望のパターンに対応するレジストに
光を到達させる。露光は同時に全てのデバイスまたは基
板（例えば、シリコン基板）上で加工されている多数の
デバイスにも起こるので、この方法はブランケット露光
と考えられる。 【０００３】レジストの露光に使用されるエネルギーが
電子ビームである場合に通常使用されるラスタスキャン
技術のような他の方法に比べて、ブランケット露光方法
は比較的速いので、ブランケット露光方法のほうが好都
合である。しかし、一般的に、紫外線または可視光線に
よるブランケット露光により得られる分解能は電子線リ
ソグラフィのような他の方法により得られる分解能より
も若干劣る。 【０００４】ブランケット露光による優れた分解能は遠
紫外線またはＸ線を使用することにより得られる。Ｘ線
露光は遠紫外線による露光よりも優れた分解能を与える
可能性を有するが、広範囲にわたって研究されていない
。遠紫外線に対するホトレジスト感光性の一つの試みで
は、このような輻射線により照射された時に酸部分を生
成する化合物と共に、この生成酸と反応するポリマーを
使用する。 【０００５】代表的な酸生成剤／酸過敏性ポリマーの組
合せは、例えば、感光性酸生成剤としてオニウム塩と、
反応性置換基を有するポリマーとしてポリ（４−ｔ−ブ
トキシカルボニルオキシスチレン）のようなポリマーで
ある（米国特許第４４９１６２８号明細書参照）。化学
線により酸の分子が１個発生すると酸過敏性ポリマー中
の複数個の分子が反応を起こすので、このような系は一
般的に化学増幅系と呼ばれる。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】酸生成剤／ポリマー併
用物の感度を高めるために、酸と反応性の置換基と、露
光された時に分子量の減少を伴う鎖切断を誘発するポリ
マー中に存在する部分との両方を含むポリマーの使用が
提唱されている。１９８８年１０月３０日〜１１月２日
にニューヨーク州エレンビルで開かれた、“ソサエティ
　　オブ　　プラスチック　　エンジニアーズ”のミッ
ド　　ハドソン区域における、感光性ポリマー、原理、
方法および材料に関する地域テクニカル会議議事録の１
１頁にアール・ジー・タラスコン（Ｒ．Ｇ．Ｔａｒａｓ
ｃｏｎ）らが記載したように、このような併用物は酸生
成剤と、主鎖中にスルホン部分を有するポリマーとを含
む。この併用物は優れた結果を与えるが、レジスト中に
２個以上の材料が存在すると加工および製造上の複雑化
の要因になる。このような単一レジスト材料を使用する
ことにより、従来の２成分系レジスト混合物の使用に伴
うデバイス製造上および加工上の様々な問題点の解決が
望まれていた。 【０００７】 【課題を解決するための手段】電子線、Ｘ線または遠紫
外線で照射されると切断され、このような切断により酸
部分が生成される部分を主鎖中に含有する酸過敏性ポリ
マーを使用することにより単一材料のレジストを処方す
ることができる。その後、この酸部分は酸過敏性置換基
と化学反応を起こし、化学増幅反応を生起する。このよ
うなレジスト用として好適な材料は例えば、ポリ（４−
ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン−スルホン）な
どである。照射されたときに、この材料の一部分は切断
され、切断箇所にスルホン酸またはスルフィン酸末端基
を生成する。次いで、この酸は、加熱された場合、比較
的急速に、化学増幅モードで、４−ｔ−ブトキシカルボ
ニルオキシ部分と反応する。その結果、水性現像液に可
溶性のフェノール部分が生成される。この物質は比較的
感光性であり、例えば、１５〜５０ｍＪ／ｃｍ２　のＸ
線感光性を有する。 【０００８】 【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
する。本発明の材料は、遠紫外線（１９０〜２６０ｎｍ
の範囲内の波長を有する光）、Ｘ線（４〜１５０Ａ（オ
ングストローム）範囲内の波長を有する光）および電子
線で露光することからなる電子および光リソグラフ法で
有用である。しかし、３０Ａ以上のＸ線または２００ｎ
ｍ以下の紫外線の場合、レジスト膜の表面部分または表
面直下で吸収が起こるので、表面模写図が使用される（
ジー・エヌ・テイラー（Ｇ．Ｎ．Ｔａｙｌｏｒ）ら，“
ジャーナル　　オブ　　エレクトロケミカル　　ソサエ
ティ”，１３１，１６５４（１９８４）参照）。 【０００９】本発明の材料は前記の光線で照射されたと
きに酸を生成する追加物質が無くても有用であるが、遠
紫外線に対する感光性は大幅に低下する。特に、照射に
よりポリマー鎖中で切断を誘発し、この切断の結果、酸
部分が生成されるような部分がポリマー鎖中に存在する
材料が選択される。 【００１０】このような材料は例えば、ポリ（４−ｔ−
ブトキシカルボニルオキシスチレン−スルホン）である
。これは切断されると、スルホン酸またはスルフィン酸
末端基を有する低分子量ポリマーを生成する。露光レジ
ストが加熱処理された場合、すなわち、３０秒間〜４分
間の期間にわたって９０〜１５０℃の範囲内の温度に（
ホットプレート上で）曝された場合、この酸性媒体はポ
リマーの酸過敏性置換基（すなわち、前記の化合物例に
おけるｔ−ブトキシカルボニルオキシ置換基）と反応し
、フェノール部分を生成する。 【００１１】このフェノール部分の濃度、従って、現像
中の溶解速度は、存在する鎖切断生成部分の数およびポ
リマーの切断後に生成された酸とポリマーの酸過敏性置
換基との反応速度の両方により左右される。露光領域と
未露光領域との間の溶解度の差は使用材料をネガ形レジ
ストおよびポジ形レジストの両方いずれの形でも使用可
能にする。 【００１２】ポジ形レジストの場合、露光領域は未露光
領域用のものと異なる溶剤を使用することにより除去さ
れ、未露光領域は殆ど無傷で残る。ネガ形レジストの場
合、逆の特性の溶剤が使用される。 【００１３】何れの場合も、照射後の放射線過敏性組成
物の溶解速度に比べて照射前の放射線過敏性組成物の溶
解速度の割合を１：ｎとした場合、ｎは２未満であって
はならず、ポジ形像の場合、ｎは１０よりも大きいこと
が好ましい（ネガ形像の場合、０．５以下、好ましくは
、０．１未満である）。この範囲外の溶解比率は一般的
に、低コントラストで、しかも、劣化した像品質をもた
らす。ネガ形像の現像に使用される溶剤は、溶媒和の後
に残る材料中に膨潤を生じないようなものが選択され、
ネガ形像の現像に使用される溶剤は、未露光領域を殆ど
溶解しないようなものを選択しなければならない。 【００１４】露光領域と未露光領域との間の溶解度に適
当な差を生じさせるための代表的な一例は、【００１５
】 【化３】 【００１６】（式中、ＤはＳＯ２　のような鎖切断部分
であり、Ｒは酸過敏性部分であり、ｘおよびｙは１：１
〜１：１０の範囲内の比率である）のような材料が一般
的に望ましい。このような材料の具体例は前記化３の式
中、Ｒが種類（１）　 【００１７】 【化４】 【００１８】（式中、−Ｏ−Ｒ１　は例えば、ｔ−ブト
キシカルボニルオキシ、２−メチル−３−トリメチルシ
リル−２−プロパニルオキシカルボニルオキシまたはｔ
−アミルオキシカルボニルオキシのようなｔ−アルキル
カルボネートまたは、酸の存在下でＲ１　−Ｏ結合分解
を容易に受けるｔ−ブチル置換基であり、Ｒ２　は任意
置換基であるが露光輻射線の吸収を高めるために都合よ
く選択され、例えば、Ｘ線露光の場合にはＣｌまたはＢ
ｒなどである。）；非酸性の種類（２）　Ｇ−Ｏ−Ｒ１
　（式中、Ｇは低級アルキルであり、Ｒ１　は前記に定
義した通りのものである）；および種類（３）　 【００１９】 【化５】 【００２０】（式中、Ｑは任意置換基であり、アリール
または低級アルキルであり、Ｒ４　はｔ−ブチルまたは
、その誘導体、例えば、−ＣＨ（ＣＨ３　）−φまたは
−Ｃ（ＣＨ３　）２　−φであり、この置換基は酸性で
はない。）などのものである。 【００２１】この化３の材料はＤのコポリマーおよび不
飽和モノマーとして示されているが、化３の表示は、Ｒ
がポリマー鎖中で変化するような３種類以上の異なるモ
ノマーから生成されたポリマーも含むことを意味する。 例えば、 【００２２】 【化６】 【００２３】（式中、Ｒ´は前記定義のＲの種類（１）
　、（２）　または（３）　であり、Ｒ´´は前記定義
のＲの種類（１）　、（２）または（３）　であり、ｎ
およびｍは整数である。） 【００２４】ポリマー中に十分な酸過敏性が残れば、Ｒ
´およびＲ´´のうちの若干のものは酸過敏性基である
必要はない。代替の非酸過敏性基は例えば、低級アルキ
ルまたはアリールなどである。更に、ｘおよびｙは切断
誘発部分対酸過敏性基含有部分との相対的割合を示すた
めに使用され、鎖中のいかなる順序付も意味しない。す
なわち、切断誘発部分間の部分のタイプおよび部分の数
は鎖の長さに沿って同一である必要はない。従って、ｐ
は化３のｘおよびｙに関する制約を満たすために、ｎお
よびｙの値に関連してｐは選択される。一般的に、Ｒ´
が低級アルキルまたはエーテルである場合、合成による
生成の理由のためにｐは典型的には１である。 【００２５】鎖中の切断誘発置換基は、暴露されたとき
に切断が約１のＧＳ　値を十分に超える速度で起こるよ
うなものを選択することが好ましい。（ＧＳ　の定義に
関しては、１９８４年にアメリカ化学会から発行された
エル・エフ・トンプソンら編著「ＡＣＳシンポジウムシ
リーズ」，Ｎｏ．２６６，　４９頁に記載されたエム・
ジェー・ボーデン（Ｍ．Ｊ．Ｂｏｗｄｅｎ）の“ミクロ
リソグラフィ用材料”を参照されたい。） 【００２６】前記のような様々な酸過敏性置換基を利用
することにより、酸との所望の活性を得ることができる
。これらの置換基を選択することにより、酸の存在下で
カルボニウムイオンを生成させる。このカルボニウムイ
オンは利用可能なα−水素を離脱させるのに十分に安定
である。酸性でなく、照射されたときに酸性物質を生成
すれば、鎖切断部分の存在は必須要件ではない。 【００２７】使用されるポリマーは、３０℃よりも高い
、好ましくは、５０℃よりも高いガラス転移温度Ｔｇを
有しなければならない。Ｔｇが３０℃よりもかなり低い
場合、その後の二次加工中にレジストが流動し、その結
果、像形成が劣化しやすい。本発明のレジスト材料はピ
ンホールの無い連続的な被膜を形成しなければならない
。このような被膜は一般的に、０．３〜２μｍの範囲内
の膜厚のポリマー被覆により得られる。 【００２８】膜厚が２μｍよりも厚い被膜では、一般的
に分解能が劣る。なぜなら、一層微細な線幅の図形は現
像パターン中に狭い柱状部を形成するが、この柱状部が
変形しやすいためである。一般的な加速電圧における電
子線ビーム照射用および遠紫外線照射用の一層厚い膜厚
の被膜も大きな吸収を起こし、像品質の劣化を生じる。 【００２９】光照射の場合、照射波長範囲内における適
性な光学濃度はレジストの品質を高める。光学濃度が低
すぎる場合、照射放射線の低効率吸収が起こり、長時間
の照射時間を必要とする。一般的に、ポリマーに達する
化学線の少なくとも３０％について、好ましくは０．５
未満の光学濃度を有する材料を使用することが好ましい
。 【００３０】この範囲を超える光学濃度は一般的に、大
気／被膜ポリマー界面から最も遠いポリマー被膜の領域
に光を十分に到達させることができない。このような不
完全露光は像の品質を劣化させやすい。光学濃度はポリ
マー中の吸収種の濃度により左右され、ポリマーを形成
する構成モノマーの適当な相対濃度により調整される。 被膜の連続性に関して前記に説明したような膜厚の場合
、所望の光学濃度を維持すれば、有用な結果が得られる
。 【００３１】広範囲にわたる分解能および過敏性はポリ
マーの重量平均分子量には殆ど左右されない。（重量平
均分子量という用語はビルメイヤー（Ｂｉｌｌｍｅｙｅ
ｒ）　により定義され、ジョン　　ウイリー　　アンド
　　サンズ（Ｊ．Ｗｉｌｅｙ　＆　Ｓｏｎｓ）出版から
１９７１年に発行された「テキストブック　　オブ　　
ポリマー　　サイエンス（Ｔｅｘｔｂｏｏｋ　ｏｆ　Ｐ
ｏｌｙｍｅｒ　Ｓｃｉｅｎｃｅ）　」の６頁に記載され
ている。）しかし、分子量の分布およびポリマー中のモ
ノマーの相対的割合は分解能および過敏性に悪影響を及
ぼさない。酸反応性官能基を含有する部分に比べた鎖切
断誘発部分の相対的割合は前記で既に説明した。 【００３２】比較的高い過敏性の場合、一般的に、１０
以下、好ましくは４以下の分散性を有するポリマーを使
用することが好ましい。（分散性という用語はビルメイ
ヤーにより定義され、前掲書の６頁に記載されている。 ）５×１０６　よりも大きな分子量および１０よりも高
い分散性は、ポリマー溶解度およびレジストコントラス
トがそれぞれ低下するので望ましくない。ポリマーの分
子量は開始剤、モノマー濃度、溶剤および温度のような
重合反応条件により決定される。 【００３３】これらのパラメータは相互に関連しあうの
で、対照のサンプルを使用し、所望の分子量を得るのに
必要な特定条件を決定する。（前記の化１におけるよう
な材料の合成に関する一般的な反応方法および条件は、
ジー・オーディアン（Ｇ．Ｏｄｉａｎ）　著「プリンシ
プルス　　オブ　　ポリメリゼーション（Ｐｒｉｎｃｉ
ｐｌｅｓ　ｏｆ　Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）」第
２版，ウイリー・インターサイエンス（Ｗｉｌｅｙ−Ｉ
ｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ）社１９８１年出版，米国継続
特許出願第３１６０５１号明細書（１９８９年２月２４
日出願）およびケー・ジェー・イワン（Ｋ．Ｊ．Ｉｖａ
ｎ）およびジェー・ビー・ローズ（Ｊ．Ｂ．Ｒｏｓｅ）
の「アドバンシス　　イン　　マクロモレキュラー　　
ケミストリー（Ａｄｖａｎｃｅｓ　ｉｎ　Ｍａｃｒｏｍ
ｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）」，１，３３
５，（１９６８）などに開示されている。） 【００３４】しかし、一般的に、所望の範囲内の分子量
を有するポリマーは、遊離基溶液重合技術により生成さ
れる。この遊離基溶液重合技術では、熱力学天井温度以
下の温度、鎖切断誘発モノマー対酸反応性モノマーの相
対的モル割合が１：１〜１：１０、分解して遊離基のよ
うな開始基を生成する触媒、および、所望の化学量論お
よび分子量が得られるように調整された、反応媒体中の
これらモノマーの濃度などの条件を使用する。溶剤は所
望の濃度のモノマーを溶媒和しなけばならず、ポリマー
生成物を溶媒和しなければならず、しかも、重合反応を
停止させてはならない。（熱力学天井温度はジー・オー
ディアン（Ｇ．Ｏｄｉａｎ）　により定義され、前掲書
２６８頁に記載されている。） 【００３５】分散性は主に重合技術により左右される。 所望の範囲内の分散性を得るためには、一般的に、遊離
基重合法が使用される。対照サンプルを使用し、特定の
所望分散性に必要な正確な条件を決定する。 【００３６】レジスト材料は一般的に基板、例えば、半
導体デバイスを製造するのに加工されるシリコンウエハ
のような半導体系ウエハ表面に塗布される。前記のよう
に、塗布ウエハはその後、遠紫外線、電子線またはＸ線
で露光され、パターンが描画される。このパターンはそ
の後のエッチング（ウエットエッチングまたはプラズマ
エッチング）またはメタライゼーションのような二次加
工に使用される。この二次加工ではパターン付レジスト
をマスクとして使用する。 【００３７】半導体ウエハの二次加工中に、半導体材料
、別のポリマー、シリコン酸化物のような絶縁層、金属
またはこれらの材料に組み合わせのようなものを有する
基板表面にレジストを堆積することにより放射線過敏性
本体を形成することができる。更に、例えば、クロムマ
スクブランクおよびＸ線マスクメンブランなどの光マス
クブランクのような基板上にこれらの材料を堆積するこ
ともできる。 【００３８】塗布方法は常法通りである。一般的に、ポ
リマーはエチルエトキシプロピオネートのような適当な
溶剤に溶解させ、この溶液を濾過し、その後、ウエハ上
にスピンコートする。この方法により、０．１〜２．０
μｍの範囲内の膜厚を有する被膜が形成される。塗布後
、この材料をプレベークし、残留溶剤を除去し、基板に
対するレジストの密着性を高めることが好ましい。９０
〜１４０℃の範囲内の温度で１０秒〜６０分間にわたっ
てプレベークすることが望ましい。 【００３９】照射線量はレジスト組成および露光後のポ
ストベーク条件により左右される。しかし、ｘ＝１であ
る化１の化合物のような材料を、露光後に、１４０℃の
ホットプレート上で２．５分間ポストベークする場合、
化１においてｙ＝２の時は１０〜１００ｍＪ／ｃｍ２　
の範囲内の線量のＸ線（４〜２０Å）、化１においてｙ
＝３の時は４０ＫｅＶで６０〜１５０μＣ／ｃｍ２　の
範囲内の線量の電子線、また、化１においてｙ＝２の時
は１〜１．５Ｊ／ｃｍ２　の範囲内の線量の遠紫外線（
２４８ｎｍ）が好適である。１９８３年にアメリカ化学
会から発行されたエル・エフ・トンプソンら編著「ＡＣ
Ｓシンポジウムシリーズ」，Ｎｏ．２１９の“イントロ
ダクション　　オブ　　ミクロリソグラフィー（Ｉｎｔ
ｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒ
ａｐｈｙ）”に記載されているような常用の露光技術を
使用できる。 【００４０】露光後のレジスト材料をポストベークし、
酸過敏性置換基との反応を促進させる。一般的に、９０
〜１５０℃の範囲内の温度で１０秒〜６０分間にわたっ
てポストベークするのが効果的である。この露光後のポ
ストベーク用の好適な加熱手段としては、常用の加熱炉
、真空保持チャック機構を具備したホットプレートなど
が挙げられる。ホットプレート加熱源によれば、前記範
囲内の短いポストベーク時間で済む。露光像は一般的に
、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液のような材料
中で現像される。一般的に、２０秒間〜５分間にわたっ
て現像液中に浸漬すれば、所望の描画像が形成される。 【００４１】以下、具体例によりパターンの描画に使用
される条件を例証する。 実施例１ ８．５ｗ／ｖ％のエチルエトキシプロピオネート溶液を
使用し、５０００ｒｐｍ　の回転速度で２分間スピンコ
ートすることにより、膜厚が０．５μｍのポリ（４−ｔ
−ブトキシカルボニルオキシスチレン−スルホン）被膜
を形成した。このスピンコートされたポリマー被膜は前
記の化１（但し、式中、ｘ＝１，ｙ＝２であり、Ｒは種
類（１）　のタイプのものであり、Ｒ１　はｔ−ブトキ
シカルボニルであり、Ｒ２　は水素であり、重量平均分
子量は４．３×１０５　であり、分散性は２．１である
）に対応する組成を有していた。 【００４２】スピンコート前にシリコンウエハをヘキサ
メチルジシラザンにより９０℃で５分間処理した。スピ
ンコート終了後、ウエハをホットプレート上に載置し、
空気中で２分間にわたり１０５℃でベークした。ベーク
処理後、レジストを１４Ａに集束されたＸ線（４〜２０
Ａ）で露光した。一連の露光は、１０〜１２０ｍＪ／ｃ
ｍ２　の範囲内の照射線量により行った。露光後のウエ
ハをホットプレート上に載置し、空気中で２．５分間に
わたり１４０℃でポストベークした。０．１７Ｎの水酸
化テトラメチルアンモニウム水溶液中に３０秒間浸漬す
ることにより現像した。その後、脱イオン水で２０秒間
濯いだ。 【００４３】１００×１００μｍの面積を完全に発現お
よび分離させるのに必要な線量は１５ｍＪ／ｃｍ２　で
あり、０．４μｍの単離線幅を完全に発現および分離さ
せるのに必要な線量は３０ｍＪ／ｃｍ２　であった。 【００４４】実施例２ 前記の化１において、ｘ＝１およびｙ＝３であること以
外は実施例１の方法に従って行った。一連の電子線ビー
ム露光は、加速電圧４０ＫｅＶ、スポット電流１ｎＡで
３０〜１５０μＣ／ｃｍ２　の範囲内の線量によりベク
トル走査システム上で行った。 【００４５】０．２５μｍの線および空間パターンを完
全に発現および分離するのに必要な線量は１５０μＣ／
ｃｍ２　であり、完全に発現された２個の１０×１０μ
ｍパッド間に０．５０μｍの線を完全に発現および分離
させるのに必要な線量は８０μＣ／ｃｍ２　であった。 【００４６】実施例３ 露光線源として遠紫外線（２４８ｎｍ）を使用し、被膜
の膜厚を０．７μｍとしたこと以外は実施例１の方法に
従って行った。０．５〜１．５Ｊ／ｃｍ２　の範囲内の
線量により一連の照射を行った。 【００４７】５０μｍ２　よりも大きな面積を完全に発
現および分離するのに必要な線量は約１．２５Ｊ／ｃｍ
２　であった。 【００４８】 【発明の効果】以上説明したように、電子線、Ｘ線また
は遠紫外線で露光されると切断され、このような切断に
より酸部分が生成される部分を主鎖中に含有する酸過敏
性ポリマーを使用することにより単一材料のレジストを
処方することができる。その後、この酸部分は酸過敏性
置換基と化学反応を起こし、化学増幅反応を生起する。 このようなレジスト用として好適な材料は例えば、ポリ
（４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン−スルホ
ン）などである。このような単一レジスト材料を使用す
ることにより、従来の２成分系レジスト混合物の使用に
伴うデバイス製造上および加工上の様々な問題点が解決
される。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　放射線過敏性材料を所定のパターンで
   放射線に暴露し、前記材料中のパターンを現像し、製造
   工程中のその後の段階で前記材料中の前記パターンをマ
   スクとして使用することからなる半導体素子の製造方法
   において、前記放射線過敏性材料は主鎖とペンダント置
   換基とを有するポリマーからなり、前記主鎖の切断を誘
   発し、前記暴露および現像により酸を生成する部分が前
   記主鎖中に存在し、前記置換基は生成された酸と反応し
   、前記ポリマー以外には前記材料中に酸生成剤が全く存
   在しない、ことを特徴とする半導体素子の製造方法。
2. 【請求項２】　　前記放射線は電子線からなる請求項１
   の方法。
3. 【請求項３】　　前記放射線はＸ線からなる請求項１の
   方法。
4. 【請求項４】　　前記現像は高温でベークした後、溶剤
   で処理することからなる請求項１の方法。
5. 【請求項５】　　前記部分はスルホン官能基である請求
   項１の方法。
6. 【請求項６】　　前記置換基は 【化１】 からなる群から選択される員からなる請求項５の方法。
7. 【請求項７】　　前記置換基は 【化２】 からなる群から選択される員からなる請求項１の方法。
8. 【請求項８】　　前記ポリマーはスチレン−スルホンか
   らなる請求項１の方法。
9. 【請求項９】　　前記事後工程はプラズマエッチングか
   らなる請求項１の方法。