JPS63319A

JPS63319A - 二酸化硫黄とビニル化合物から成る多元共重合体

Info

Publication number: JPS63319A
Application number: JP14231286A
Authority: JP
Inventors: Minoru Matsuda; 松田　實; Hiroshi Ono; 浩小野
Original assignee: Chisso Corp
Current assignee: JNC Corp
Priority date: 1986-06-18
Filing date: 1986-06-18
Publication date: 1988-01-05
Anticipated expiration: 2009-04-20
Also published as: JPH0629323B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔技術の分野〕本発明は、二酸化硫黄とビニル化合物とから成る新規な
多元共重合体に関する。更に詳しくは、電子線またはＸ
線により高感度で分解するポジ型で、且つ耐ドライエツ
チング性にすぐれた新規なレジスト材料ならびに該材料
の有効成分としての上記多元共重合体に関する。

〔従来の技術〕

最近数年間におけるＬＳＩの進歩はめざましく、ＬＳＩ
の微細加工に用いられるレジスト材料にも高性能が要求
されている。該高性能とは、光、電子線、Ｘ線に対し、
高感度で且つ高解像度を有することである。　　ＬＳＩ
技術分野では、更に最近は、微細加工の段階で化学エツ
チングに代って、ドライエツチングを行う方法が主流を
占めるようになり、レジスト材料にもドライエツチング
耐性を持つことが要求されるようになった。

ところで従来のポジ型レジスト用高分子材料としては、
二酸化硫黄とオレフィンの共重合体やメタクリル酸メチ
ル系の高分子などが知られている（楢岡清威著「エレク
トロニクスの精密微細加−工」総合電子出版社昭和５８
年）、シかしながら、多くのポジ型レジスト物質は、プ
ラズマ照射に耐えることができない、それ故に、上述し
た欠点があるにも拘らず化学的エツチングが一般的に用
いられている。

しかし、基板のエツチング法の主流は、今やその分解能
、再現性、スループットの優秀さの故に、プラズマ照射
法によるエツチングへと移りつつある。したがって、耐
プラズマ性にすぐれたポジ型レジストの開発が急務であ
る。

〔発明の目的〕

本発明者等は、上述の問題を改良すべく鋭意研究の結果
、ポリ（オレフィン−スルホン）に芳香環を有するビニ
ル化合物単位もしくはシリコン含有ビニル化合物単位を
導入することによって、ポリ（オレフィン−スルホン）
の電子線露光に対する高感度という特性を低下させるこ
となく、ドライエツチング耐性を付与することが可能で
あることを見出し、本発明を完成した。

以上の記述から明らかなように１本発明の目的は、第一
にポリ（オレフィン−スルホン）に芳香環を有するビニ
ル化合物単位もしくはシリコン含有ビニル化合物単位が
導入された新規な共重合体を提供することである（だ（
し、該共重合体が二元共重合体であって、シリコン含有
ビニル化合物が核と換トリアルキルシリルスチレンであ
る場合については、本発明者等が先に発明し、特願昭８
１−５１．ｆｆ３８号として出願されている）。

本発明の目的は、第二に上記共重合体（特に三元以上の
共重合体）を有効成分とするポジ型レジスト材料を提供
することである。

〔発明の構成拳効果〕

本発明は、下記（１）〜（０の第一発明と　（５）〜（
６）の第二発明からなる。

（１）１〜５０〜９９モル％のビニル化合物（多元共重
合体が二元共重合体である場合は核置換トリアルキルシ
リルスチレンを除く）とを構造単位とし、重量平均分子
量が１．０００〜ｉ、ｏｏｏ、ｏｏｏであることを特徴
とする二酸化硫黄とビニル化合物から成る多元共重合体
。

（２）ビニル化合物が、クロルスチレン、クロルメチル
スチレン、アセトキシスチレンもしくはヒドロキシスチ
レンから選ばれたいづれかの化合物である前記第（１）
項に記載の２元共重合体。

（３）ビニル化合物として■脂肪族オレフィン炭化水素
および■芳香環を有するビニル化合物もしくはシリコン
含有ビニル化合物から選ばれた１以上の化合物を構造単
位とし、該構造単位■および■の合計量が５０〜３９モ
ル％である３元以上の共重合体。

（４）ビニル化合物として■１−ブテン、２−メチル−
１−ブテンもしくは２−メチル−１−ペンテンから選ば
れた１以上の脂肪族オレフィン炭化水素と■スチレン、
クロルスチレン、アセトキシスチレン、ヒドロキシスチ
レン、トリメチルシリルスチレンから選ばれた１以上の
芳香環を有するビニル化合物もしくは、トリメチルビニ
ルシラン、トリメチルアリルシランから選ばれた１以上
のシリコン化合物を構造単位とする前記第（３）項に記
載の３元以上の共重合体。

（１）１〜５０〜７０モル％のビニル化合物とを構造単
位とし、重量平均分子量が５０，０００〜１．（＋００
．Ｑ（１０であり、該ビニル化合物である構造単位中全
量の２０〜４９モル％を占める構造単位■と同じく１〜
３０モル％を占める構造単位■とがその一方が一種以上
の■脂肪族オレフィン炭化水素で他の一方が一種以上の
■芳香環を有するビニル化合物もしくはシリコン含有ビ
ニル化合物である二酸化硫黄とビニル化合物からなる３
元以上の共重合体を有効成分とするポジ型のレジスト材
料。

（８）構造単位■が１−ブテン、２−メチル−１−ブテ
ンもしくは２−メチル−１−ペンテンから選ばれた一種
以上の脂肪族オレフィン炭化水素であり、構造単位■が
スチレン、クロルスチレン、アセトキシスチレン、ヒド
ロキシスチレン、トリメチルシリルスチレン、トリメチ
ルビニルシランもしくはトリメチルアリルシランである
前記第（５）項に記載のポジ型のレジスト材料。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明の多元共重合体は式（１）によって表わされる線
状の高分子化合物である。

式（１）％式％表わしく同じであっても異なっていてもよい）、Ｒ５日
Ｈ，ＣＩ、ＯＣＯＣＨ３，ＯＨ，５ｉＲ３，Ｒ６＊　Ｃ
Ｈ３，Ｃ２Ｈ５，Ｃ３Ｈ７を表わす、尚、・は、単環又
は多環の芳香環を表わす、又、ｐはシーケンス長を表し
１〜１０を、ｑはＯ〜４を示し、ｋ、１．ｍ、・・・は
それらの構造単位のモル分率に相当し、これらの構造単
位がポリマー中不規則に分布、共重合していることを示
す、尚、ｋ＝ｔｔｒ＝ｏの場合は２元共重合を示す。

１−ブテン、２−メチル−１−ブテン、２−メチル−１
−ぺシラン、２−ペンテン（ｃｉｓもしくはｔｒａｎｓ
体を含で示される構造単位■には１−ビニルナフタレン
、２−ビニルナフタレン、スチレン、クロルスチレン、
アセトキシスチレン、ヒドロキシスチレン。

トリメチルシリルスチレン、トリメチルビニルシラン、
トリメチルアリルシラン等を包含する。

本発明の２元以上の共重合体（以下本発明の共重合体と
いうことがある）は二酸化硫黄と上記構造単位■の１種
或いは２種以上と上記構造単位■の１種或いは２種以上
とを原料とし、公知のラジカル重合法もしくはレドック
ス系重合法によって合成できる。

本発明の共重合体の組成は、二癩化硫黄と上記ビニル化
合物の選択、配合比及び重合温度によって、又、分子量
は重合開始剤の種類、量及び重合温度を適正に選択する
ことによって制御できる。

重合開始剤としてはフリーラジカル重合用として゛公知
の開始剤がいずれも使用可能である。好ましい例として
は、アゾビスイソブチロニトリル、ｔ−ブチルハイドロ
ペルオキシドもしくはジ−ｔ−ブチルペルオキシドを挙
げることができる。また本発明の共重合体を光照射によ
っても得ることができる。

以上いずれの場合も使用する重合開始剤の量を増減する
ことによって目的とする共重合体の分子量を得ることが
可能となる。実用的な該使用量は、限定されないが１〜
１００ｍｍｏｌ／ｕである。

重合温度は目的とする分子量ならびに前述式（１）に示
した所望の組成比に応じて一１００〜１００°Ｃの範囲
内で所定の温度を選択できる。

温度に依存せず、はぼ１：１の割合を与えるに対し、　
（スチレン誘導体）ｐ−スルホン部分の組成比率は重合
温度に依存し、重合温度を低くするに従　。

ってＰの値は小さくなる。即ち、ｌ：ｌの割合に近づく
。

一方、本発明の共重合体を電子線あるいはＸ線レジスト
として用いる場合、その電子線あるいはＸ線照射による
分解感度は上記ｐの値が１に近づくほど、向上する。従
って、特に本発明の２元共重合体をレジストとして用い
る場合には重合温度を＋３０〜−１００℃とすることが
好ましい。

本発明の方法にかかわる共重合反応は、塊状重合法事溶
液重合法によって実施できる。溶液重合法に使用する溶
剤としては限定されないが、例えば、クロルベンゼン、
０−ジクロルベンゼンもしくはジクロルメタンが好まし
い。

共重合反応の所要時間は他の共重合条件により異なるが
、１−１２０時間、好ましくは４〜４８時間である。所
定の共重合時間経過後は、公知方法により、未反応単量
体、溶剤等を分離し、固体状又は（必要に応じて）溶液
状の共重合体を得る。

温度１重合溶剤を適正に選択することにより、重量平均
分子量がｔ、ｏｏｏ〜１，０００，０００であり、所定
の構造単位組成比率を有する共重合体を得ることができ
る。

本発明の共重合体をレジスト材料として用いる場合、そ
の重量平均分子量は該材料の性能に影テし、その性能の
面で決定的ではないが、該分子量の範囲は、重量平均分
子量で５０，０００〜１，０００，０００が好ましい。

本発明の多元共重合体は、汎用有機溶剤の溶液として、
基材にスプレーもしくはスピンコード法で均一に塗布で
きる。該溶液は通常該共重合体の濃度として、約３〜２
０重量％、好ましくは約４〜１０重量％溶液として用い
る。好ましい溶剤としては、該共重合体の熱分解温度以
下の浦点を持つものが用いられ、例えば、ジオキサン、
クロルベンゼン、メチルセロソルブアセテート（ＭＣＡ
）等が好ましい。

本発明の共重合体をレジスト材ネ１として用いる体の溶
剤溶液、すなわちレジスト溶液を基材にスピン塗布し、
ついで該塗布物中の溶剤を加熱蒸発によって完全に除去
し、均一なレジスト膜を形成させる。該フィルムの膜厚
は０．４〜Ｉｇｍとする液（後述）を用いて溶解させる
ことにより、現像を行う。

適当な現像液としては、例えばアミルアセテート、メチ
ルセロソルブアセテート、クロルベンゼン、シクロペン
タノン、ジオキサンもしくはテトラヒドロフラン等の良
溶剤（１）１〜２−メトキシエタノール、イソプロパツ
ール等の貧溶剤とを適当な比率、例えば良溶剤１０：貧
溶剤１、ないし良溶剤１：貧溶剤１０（いずれも容精比
）で混合した混合溶剤を挙げることができる。

本発明の共重合体中にシリル基および／または芳香環を
有する化合物を含有する共重合体はレジストフィルムと
して用いた時、基材加工の際のマスクとしての役割を示
す、すなわち、シリル基および／または芳香環を有する
レジストフィルムはプラズマエツチングによって、分解
が起ると同時に、芳香環同志の架橋が起り、障壁層を形
づくる。又酸素プラズマによってシリル基が酸化され、
レジスト層の表面にＳｉＯｘ層が形成し、障壁層となり
、より優れた耐プラズマ性を示す、試験例に示す通り、
本発明の共重合体中に、スチレン、クロルスチレン、ク
ロルメチルスチレン、アセトキシスチレン、ヒドロキシ
スチレン、トリメチルシリルスチレン、トリメチルビニ
ルシラン、トリメチルアリルシラン等シリル基および／
または芳香環を有するもの（構造単位■）を含有するも
のは、耐プラズマ性がすぐれている。そしてポリ（オレ
フィン−スルホン）にこれらＷ　ａ　単位■を１０〜３
０モル％共重合させることで、充分その目的を達成する
ことができる。

以下実施例により本発明を説明する。

実施例１１００■文の耐圧ガラス製重合管に新しく蒸留したｐ−
アセトキシスチレン２０ｇと７ゾビスインブチロニトリ
ル２２ｍｇを入れる。ついで重合管内の酸素を、重合管
中の内容物な冷結下真空脱気を繰り返して除去し、つい
でＰ２Ｏ５で脱水乾燥した液体の８０２　（−１０℃で
）　５．４ｍＪ１を加えて封管しよく混合する。この重
合管を６０℃の定温水槽に入れ、１００分間重合させる
。ついで該重合管を一７０℃以下に急冷し、重合反応を
停止させ、開封後、未反応のＳＯ２を追い出す、残った
重合液に少量のＴＨＦを加えて均一溶液とし、該溶液を
多量のメタノール中に撹拌下投入すると白色のポリマー
が沈殿してくる。このポリマーを溶解−沈殿を繰り返し
て精製後、３０℃で２４時間真空乾燥する。収量は３．
８ｇである。このポリマーのＩＲスペクトルを第１図に
示す、　ＩＲスペクトルと元素分析値より本ポリマーは
ｐ−７セトキシスチレンースルホンの２元共重合体で、
その組成はｐ−アセトキシスチレン単位が８７モル％、
ＳＯ２単位が３３モル％であった。又、この２元共重合
体をＧＰＣ分析した所、ポリスチレン換算で重量平均分
子量３９０，０００、分散度は１．８であった。

実施例２２００層文の三角フラスコ中に６０＊＋ｌのジオキサン
を入れ、これに実施例１で得たｐ−アセトキシスチレン
−スルホン共重合体の２ｇを加え、長時間撹拌して均一
溶液とする。このフラスコにＩＮの塩酸水溶液４　ｔａ
ｎを加え、室温で２４時間撹拌し加水分解する０次いで
この溶液にジクロルメタン４０扉文を加え、ポリマーを
溶剤層に移す０次いで溶剤層を分液濾とに移し、生成し
た酢酸及び残塩酸を充分な量の水で中性になる迄水洗す
る。中性になった溶剤層を多量のへキサン中に投入して
ポリマーを沈殿させる。こうして得られたポリマーをＩ
Ｒスペクトル分析をした所、はとんどのアセトキシ基が
消失しており、本ポリマーはｐ−ヒドロキシスチレン−
スルホン２元共重合体であった。

尚、実施例１に示した方法、すなわち重合開始剤ノ存在
下、ｐ−ヒドロキシスチレンとＳＯ２との重合反応でも
、ｐ−ヒドロキシスチレン−スルホン共重合体を得るこ
とができる。

実施例３１００層文の耐圧ガラス製重合管に新しく蒸留したｐ−
クロルスチレン３８＋ＪＬとアゾビスイソブチロニトリ
ル４０＋ｓｇを入れる。ついで実施例１と同様重合管内
の酸素を除去し、ＳＯ２（−１０℃で）　９　ｍｌを加
え、よく混合する。この重合管を３０℃の定温水槽に浸
漬し、１９時間反応させる。ついで該重合管を一７０℃
以下に急冷し１重合反応を停止させる。

あと処理を実施例１と同様に行い、ポリマー５．０ｇを
得た。このポリマーのＩＲスペクトルを第２図に示す、
　ＩＲスペクトルと元素分析値とより木ポリマーは、ｐ
−クロルスチレン−スルホン共ｆｆｉ合体で、その組成
はｐ−クロルスチレン単位が６０モル％、ＳＯ２単位が
４０モル％であった。又、この共重合体の重量平均分子
量は４８３，０００で、分散度は２．２であった。

実施例４１００１又の耐圧ガラス製重合管に新しく蒸留したクロ
ルメチルスチレン（’−ｕｐ一体混合物）４５．８ｍＪ
ｌと７ゾビスイソブチロニトリル９１ｍｇを入れる。つ
いで重合管内の酸素を実施例１と同様の方法で除去し、
ＳＯ２（−１０℃で）　９ｍ文を加え、よく混合する。

この重合管を３０℃の定温水槽に浸清し、２５時間反応
させる。ついで該重合管を一７０℃以下に急冷し、重合
反応を停止させる。あと処理を実施例１と同様に行い、
ポリマー６．３ｇを得た。

このポリマーのＩＲスペクトルを第３図に示す、　ＩＲ
スペクトルと元素分析値より本ポリマーは、クロルメチ
ルスチレン−スルホン共重合体で、その組成はクロルメ
チルスチレン単位が６７モル％、ＳＯ２単位が３３モル
％であった。又、この共重合体の重量平均分子量は３２
０，０００で分散度は２．０であった。

実施例５１００■文の耐圧ガラス製重合管に新しく蒸留したｐ−
）リメチルシリルスチレン５．１ｇとアゾビスイソブチ
ロニトリル４０ｍｇを入れる。ついで実施例１と同様、
重合管内の酸素を除去し、ついであらかじめ計量してお
いたｌ−ブテン１８．５ｇを加え、更にＳＯ２（−１０
℃で）　　１３．０１文を加え、よく混合する。

この重合管を５０℃の定温水槽に浸漬し、２４時間反応
させる。ついで該重合管を一７０℃以下に急冷し、重合
反応を停止させる。あと処理を実施例１と同様に行い、
ポリマー１．９ｇを得た。このポリマーのＩＲスペクト
ルを第４図に示す、　ＩＲスペクトルと元素分析値より
１本ポリマーはｐｉミリメチルシリルスチレン−−ブテ
ン−スルホン３元共重合体であり、その組成はＰｉミリ
メチルスチレン位が１７モル％、１−ブテン単位が３８
モル％、ＳＯ２単位が４５モル％であった。又、この３
元共重合体の重量平均分子量は１８８，０００で、分散
度は２．３であった。

実施例６１００■文の耐圧ガラス製重合管に新しく蒸留したビニ
ルトリメチルシラン８ｇとアゾビスイソブチロニトリル
１００ｍｇを入れる。ついで実施例１と同様に重合管内
の酸素を除去し、ついでＳＯ２（−１ｏ℃で）　　２９
．４ｍＪｌを加え、よく混合する。この重合管を一７８
℃のガラス製低温槽に浸漬し、　２９０ｎｍ以下の光を
カットしたＨｇランプで５時間光照射する。

５時間後重合管を開封し、冷却したアセトン３０厘文を
加えて均一溶液とし、該溶液を多量のメタノール中に撹
拌下投入すると白色のポリマーが沈殿してくる。このポ
リマーを精製し、真空乾繰する。収量は５．４ｇである
。このポリマーのＩＲスペクトル分析と元素分析値より
本ポリマーは、ビニルトリメチルシラン−１−ブテン−
スルホン３元共重合体で、その組成はビニルトリメチル
シラン単位が９モル％、ｌ−ブテン単位が４１モル％、
ＳＯ２単位が５０モル％であった。又、この３元共重合
体の重量平均分子量は５１１，０００で、分散度は３．
８であった。

試験例１実施例５で得られた３元共重合体をメチルセロソルブア
セテ−）　（ＭＣＡ）に溶解し、７．０重量％の溶液と
し、０．２ル層のフィルターにで濾過した。

この溶液をシリコンウェハ上にスピンナーを使用し、回
転数２０００ｒｐ■で６０秒間塗布し、該被塗布物を　
１２０℃のクリーンオープン中で１時間プリベークした
。この時の塗膜厚は０．４８μｍであった。このものに
電子線描画装置を用い、照射量を変化させ、電子線照射
を行った。

次いでこの基板をジオキサン−インプロパツール（容積
比でに８）混合溶剤にて室温１分間浸漬し、次いでイソ
プロパツールにて３０秒間リンスして現像を行った。こ
ののち１００℃のオーブン中で３０分間ポストベークを
行った。

こうして得られたそれぞれのパターンの残膜を触針段差
針により測定し、残膜が完全に除去されている部分の照
射量（感度）を求めた所、７×１Ｏ−６Ｃ／ｃｍ２　で
あった。

又　このレジストの耐エツチング性を平行平板、形エツ
チング装置に−ｒ−ＣＣ１ａガス、流速１５０ｍ１／ｇ
ｉｎ。

ＲＦパワー密度０．８４ｗ／ｃｍ２　、圧力１０Ｐａノ
条件テ１０分間エツチングを行いその速度を求めた所。

３２ＱＡ／ｍｉｎテあった。

試験例２実施例４で得られた２元共重合体を５．０重量％ＭＣＡ
溶液とし、試験例１と同様の手順で濾過、塗布、プリベ
ークを行った。この時の塗膜厚は０．４０４ｍであった
。このものに電子線描画装置を用い、照射量を変化させ
、電子線照射を行った。

次いでこの基板をジオキサン９：イソプロパツール５（
いづれも容積比）の混合溶剤で室温１分間浸漬し、次い
でインプロパツールにて３０秒間リンスして現像を行っ
た。こののち　１２０℃にて３０分間ポストベークを行
った８本試験例の場合は、非照射部分が完全に溶解し、
照射部分が架橋硬化していたので、この残膜を触針段差
針で測定し、０．３ル履硬化している部分の照射量（感
度）を求めた所、ｌ　Ｘ　１Ｏ−６Ｃ／ｃ層２であった
。

又、このレジストの耐エツチング性を試験例１と同じ装
置ニテ、ＣＦａ　＋５＄０２ガス、流速２００ｍ１／ｓ
ｉｎ。

ＲＦ／ゞワー密度０．２４ｗ／ａｍ２．圧力１０Ｐａの
条件で求めた所、　５５０Ａ／■ｉｎ、であった、尚、
比較として用いたノボラック樹脂（商品名ＡＺ−１３５
０Ｊ）のエツチング速度は５３０Ａ／ｓｉｎ、　テあっ
た。

試験例３．４実施例３で得られたｐ−クロルスチレン−スルホ２２元
共重合体の耐エツチング性を試験例１．２と同様に測定
した。

又、試験例４としてスチレン−スルホン共重合体（組成
６０モル％−４０モル％）の耐エツチング性を測定した
。その結果を比較として用いたＡＺ−１３５０Ｊのエツ
チング速度と共に表に示す。

【図面の簡単な説明】

第１〜４図は、本発明の共重合体の赤外線吸収スペクト
ルを示す。図において、第１図：　実施例１で得られた共重合体、第２図：　実
施例３で得られた共重合体、第３図：　実施例４で得ら
れた共重合体、第４図：　実施例５で得られた共重合体
である。以上

Claims

【特許請求の範囲】

（１）１〜５０モル％の▲数式、化学式、表等がありま
す▼で示される構造単位と、５０〜９９モル％のビニル
化合物（多元共重合体が二元共重合体である場合は核置
換トリアルキルシリルスチレンを除く）とを構造単位と
し、重量平均分子量が１，０００〜１，０００，０００
であることを特徴とする二酸化硫黄とビニル化合物から
成る多元共重合体。
（２）ビニル化合物が、クロルスチレン、クロルメチル
スチレン、アセトキシスチレンもしくはヒドロキシスチ
レンから選ばれたいづれかの化合物である特許請求の範
囲第（１）項に記載の２元共重合体。
（３）ビニル化合物として［１］脂肪族オレフィン炭化
水素および［２］芳香環を有するビニル化合物もしくは
シリコン含有ビニル化合物から選ばれた１以上の化合物
を構造単位とし、該構造単位［１］および［２］の合計
量が５０〜９９モル％である３元以上の共重合体。
（４）ビニル化合物として［１］−ブテン、［２］−メ
チル−１−ブテンもしくは２−メチル−１−ペンテンか
ら選ばれた１以上の脂肪族オレフィン炭化水素と［２］
スチレン、クロルスチレン、アセトキシスチレン、ヒド
ロキシスチレン、トリメチルシリルスチレンから選ばれ
た１以上の芳香環を有するビニル化合物もしくは、トリ
メチルビニルシラン、トリメチルアリルシランから選ば
れた１以上のシリコン化合物を構造単位とする特許請求
の範囲第（３）項に記載の３元以上の共重合体。
（５）３０〜５０モル％の▲数式、化学式、表等があり
ます▼で示される構造単位と、５０〜７０モル％のビニ
ル化合物とを構造単位とし、重量平均分子量が５０，０
００〜１，０００，０００であり、該ビニル化合物であ
る構造単位中全量の２０〜４９モル％を占める構造単位
１と同じく１〜３０モル％を占める構造単位（２）とが
その一方が一種以上の（１）脂肪族オレフィン炭化水素
で他の一方が一種以上の（２）芳香環を有するビニル化
合物もしくはシリコン含有ビニル化合物である二酸化硫
黄とビニル化合物からなる３元以上の共重合体を有効成
分とするポジ型のレジスト材料。
（６）構造単位１が１−ブテン、２−メチル−１−ブテ
ンもしくは２−メチル−１−ペンテンから選ばれた一種
以上の脂肪族オレフィン炭化水素であり、構造単位２が
スチレン、クロルスチレン、アセトキシスチレン、ヒド
ロキシスチレン、トリメチルシリルスチレン、トリメチ
ルビニルシランもしくはトリメチルアリルシランである
特許請求の範囲第（５）項に記載のポジ型のレジスト材
料。