JPS5983156A - 微細画像形成法 - Google Patents
微細画像形成法Info
- Publication number
- JPS5983156A JPS5983156A JP57193642A JP19364282A JPS5983156A JP S5983156 A JPS5983156 A JP S5983156A JP 57193642 A JP57193642 A JP 57193642A JP 19364282 A JP19364282 A JP 19364282A JP S5983156 A JPS5983156 A JP S5983156A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- resist
- mvk
- fine image
- developer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、微細画像形成に関するポジ型レジストとそれ
に適合する現像液を組合わぜて遠紫外光によ９１μｍ以
下の高精度を達しうる微細画像形成法に関する。
に適合する現像液を組合わぜて遠紫外光によ９１μｍ以
下の高精度を達しうる微細画像形成法に関する。
遠紫外光による照射は、従来の紫外光よりも短波長であ
るため、露光時の回折が少なく、このためによシ高度の
解像度が期待できるので光源として有用でおυ、またエ
ネルギーも大きく、重合体の光分解反応に有利で、これ
に適した感度のよいレジストの出現が要望されている。
るため、露光時の回折が少なく、このためによシ高度の
解像度が期待できるので光源として有用でおυ、またエ
ネルギーも大きく、重合体の光分解反応に有利で、これ
に適した感度のよいレジストの出現が要望されている。
従来用いられているポジ用遠紫外レジストとしてポリメ
チルメタアクリレ−） （、ＰＭＭＡ ）があるが、こ
れは感度が低いという欠点がある。
チルメタアクリレ−） （、ＰＭＭＡ ）があるが、こ
れは感度が低いという欠点がある。
またポリメチルイソプロペニルケトン（ＰＭＩＫ）は感
度が悪いために実用的でない上に、コストが高いという
不利がある。
度が悪いために実用的でない上に、コストが高いという
不利がある。
本発明者らは、長年にわたりメチルビニルケトン（以下
ＭＶＫと略記する。）の重合体を検討して来た結果、こ
れ（特にＭＶＫＡ合体）が現像液の適切な撫択により、
高い感度を有し、微細な高精度のポジ型画像が得られる
ことを見出し、本発明に到達したものである。
ＭＶＫと略記する。）の重合体を検討して来た結果、こ
れ（特にＭＶＫＡ合体）が現像液の適切な撫択により、
高い感度を有し、微細な高精度のポジ型画像が得られる
ことを見出し、本発明に到達したものである。
即ち、本発明は、メチルビニルケトンの単独のアリール
基、電子吸引性の置換基で置換した炭素数６〜９のアリ
ール基又は一般式−Ｃ−０−Ｒ３１ で表わされる基（ここにＲ３は水素又は炭素数１〜８の
アルキル基を表わす。）を表わす。）で表わされるモノ
マーとの共重合体の有機溶媒溶液をレジスト溶液として
基板上に塗布し、被膜を形成させ、遠紫外光を照射し、
現像液として一般式Ｒ’−０−ＣＨ２ＣＨ２０Ｈ（ここ
にＲ４は炭素数１〜４のアルキル基を表わす。）で表わ
されるセロンルブ系化合物を主成分とする液体を用いて
現像し、必要に応じてリンス又は洗いをすることにより
微細画像を形成する方法を要旨とする。
基、電子吸引性の置換基で置換した炭素数６〜９のアリ
ール基又は一般式−Ｃ−０−Ｒ３１ で表わされる基（ここにＲ３は水素又は炭素数１〜８の
アルキル基を表わす。）を表わす。）で表わされるモノ
マーとの共重合体の有機溶媒溶液をレジスト溶液として
基板上に塗布し、被膜を形成させ、遠紫外光を照射し、
現像液として一般式Ｒ’−０−ＣＨ２ＣＨ２０Ｈ（ここ
にＲ４は炭素数１〜４のアルキル基を表わす。）で表わ
されるセロンルブ系化合物を主成分とする液体を用いて
現像し、必要に応じてリンス又は洗いをすることにより
微細画像を形成する方法を要旨とする。
ＭＶＫは市販のγ−ケトブタノールを脱水して容易に得
ることができる。ＭＶＫは、コストも安価であることか
ら利用価値が高いと思われる。
ることができる。ＭＶＫは、コストも安価であることか
ら利用価値が高いと思われる。
本発明に使用するＭＶＫの共重合体のコモノマーとして
ばＲＩＲ２Ｃ＝ＣＨ２（ここに、Ｒ１は水素又はメチル
基であｐ、Ｒ２はアセトキシ基、ニトリル基、炭素数６
〜９のアリール基、電子吸引性の置換基で置換した炭素
数６〜９のアリール基又は一般式−〇 −０−Ｒ３で表
わされる基（こと１ に、Ｒ３は水素又は炭素数１〜８のアルキル基を表わす
。）を表わす。）で表わされる化合物が適当である。こ
のような化合物の例としては、酢酸ビニル、アクリルニ
トリル、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエ
ン、クロルスチレン、ブロムスチレン、ニトロスチレン
、シアノスチレン、メチルメタクリレート、エチルメタ
クリレート、ブチルメタクリレート、エチルアクリレー
ト、オクチルアクリレート等を挙げることができる。
ばＲＩＲ２Ｃ＝ＣＨ２（ここに、Ｒ１は水素又はメチル
基であｐ、Ｒ２はアセトキシ基、ニトリル基、炭素数６
〜９のアリール基、電子吸引性の置換基で置換した炭素
数６〜９のアリール基又は一般式−〇 −０−Ｒ３で表
わされる基（こと１ に、Ｒ３は水素又は炭素数１〜８のアルキル基を表わす
。）を表わす。）で表わされる化合物が適当である。こ
のような化合物の例としては、酢酸ビニル、アクリルニ
トリル、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエ
ン、クロルスチレン、ブロムスチレン、ニトロスチレン
、シアノスチレン、メチルメタクリレート、エチルメタ
クリレート、ブチルメタクリレート、エチルアクリレー
ト、オクチルアクリレート等を挙げることができる。
本発明に使用するレジスト用樹脂としては感度のよい点
でＭＶＫの単独重合体よシも、前記コモノマーとの共重
合体の方がすぐれている。
でＭＶＫの単独重合体よシも、前記コモノマーとの共重
合体の方がすぐれている。
該共重合体における重合されたＭ Ｖ Ｋの量は１〜９
９モル％、好ｉｔ、＜ｕｉｏ〜８０モル％、更に好まし
くは１８〜７０モル％である。
９モル％、好ｉｔ、＜ｕｉｏ〜８０モル％、更に好まし
くは１８〜７０モル％である。
ＭＶＫの重合体は、例えばＭＶＫ単独又はこれと、共重
合しようとする単量体とを精製し、窒素ガス気流中にて
ラジカル重合開始剤（例えばアゾビスイソブチロニトリ
ル）を用い、 ＴＨＦ溶媒中にて、６０°Ｃ前後で重合
することによシ得ることができる。その際の重合時間は
通常５〜１００時間である。生成した重合体（共重合体
を含む。以下同じ。）溶液をメタノールのような沈殿剤
中に性別することによシ、重合体が沈殿する。
合しようとする単量体とを精製し、窒素ガス気流中にて
ラジカル重合開始剤（例えばアゾビスイソブチロニトリ
ル）を用い、 ＴＨＦ溶媒中にて、６０°Ｃ前後で重合
することによシ得ることができる。その際の重合時間は
通常５〜１００時間である。生成した重合体（共重合体
を含む。以下同じ。）溶液をメタノールのような沈殿剤
中に性別することによシ、重合体が沈殿する。
重合収率は５０％前後以下に押え、共重合体にあっては
所定の共重合体組成になるようにし、ポリマーの分子量
分布を狭くすれば、画像の解像性を高めることができる
。このようにして得られた重合体の分子量ＣＧＰＣによ
る。）は、通常１５万〜７０万の範囲である。ポジ型し
ジス微細画像が形成される。
所定の共重合体組成になるようにし、ポリマーの分子量
分布を狭くすれば、画像の解像性を高めることができる
。このようにして得られた重合体の分子量ＣＧＰＣによ
る。）は、通常１５万〜７０万の範囲である。ポジ型し
ジス微細画像が形成される。
これら重合体を、これらが可溶な有機溶媒に溶解してレ
ジスト液とする。前記溶媒としてはクロロホルムとメチ
ルセロソルブアセテートの１：１混合液が好適であるが
、その他にエチルセロソルブアセテート、アセトン、メ
チルエチルケトン、クロルベンゼン、テトラヒドロフラ
ン（ＴＨＦ）なども使用することができる１゜次にこの
レジスト溶液をシリコンウエーノ・−などの基板上にス
ピナー等にて塗布するＵ塗布に際してはレジスト溶液の
樹）ｍ ＃！度は、１〜１５１量％程度がよい。一般に
しＦ、５重量％程度が最も好適であるが、分子量の高い
場合は２〜８Ｎ′Ｍ′％程度の濃度が最も好適である。
ジスト液とする。前記溶媒としてはクロロホルムとメチ
ルセロソルブアセテートの１：１混合液が好適であるが
、その他にエチルセロソルブアセテート、アセトン、メ
チルエチルケトン、クロルベンゼン、テトラヒドロフラ
ン（ＴＨＦ）なども使用することができる１゜次にこの
レジスト溶液をシリコンウエーノ・−などの基板上にス
ピナー等にて塗布するＵ塗布に際してはレジスト溶液の
樹）ｍ ＃！度は、１〜１５１量％程度がよい。一般に
しＦ、５重量％程度が最も好適であるが、分子量の高い
場合は２〜８Ｎ′Ｍ′％程度の濃度が最も好適である。
レジスト溶液を塗布する前に基板に密着向上剤を塗布す
る場合もおる。塗布終了後に、頑ｊ常プレベーりを行な
う。その温度は６０〜１５０’Ｃ好ましくは８０〜１２
０°Ｃ程度であシ、時間は２〜８０分間好ましくは８〜
２０分間程分間上い。
る場合もおる。塗布終了後に、頑ｊ常プレベーりを行な
う。その温度は６０〜１５０’Ｃ好ましくは８０〜１２
０°Ｃ程度であシ、時間は２〜８０分間好ましくは８〜
２０分間程分間上い。
次に、例えば０．５μｍまで解像されているクロムマス
クを、基板上に塗布したレジスト面に密着し、露光する
。露光に際しての使用光源はＤｅｅｐ Ｕ Ｖランプを
用い、ランプハウスからスリットを通した光源を利用し
うる。そのような光源の一使用例によれば光源距離は４
０４で基板上の照度は約２．５ ｍＷ／ｃ１ｉである。
クを、基板上に塗布したレジスト面に密着し、露光する
。露光に際しての使用光源はＤｅｅｐ Ｕ Ｖランプを
用い、ランプハウスからスリットを通した光源を利用し
うる。そのような光源の一使用例によれば光源距離は４
０４で基板上の照度は約２．５ ｍＷ／ｃ１ｉである。
次に現像を行なう。本発明に使用する現像液は、エーテ
ル結合と水酸基を有するセロソルブ系化合物を主成分と
する液体である。該セロソルブ系化合物は一般式Ｒ’−
ＯＣＨ，＋ＣＨｚ０３．（（ココにＲ４は炭素数１〜４
のアルキル基を表わす。）で表わされる。この化合物の
１種もしくは２種以上又はこれらと低級アルコールとの
混合物を使用することができる。
ル結合と水酸基を有するセロソルブ系化合物を主成分と
する液体である。該セロソルブ系化合物は一般式Ｒ’−
ＯＣＨ，＋ＣＨｚ０３．（（ココにＲ４は炭素数１〜４
のアルキル基を表わす。）で表わされる。この化合物の
１種もしくは２種以上又はこれらと低級アルコールとの
混合物を使用することができる。
現像後は、通常、リンス又は洗いを行なう。
そのリンス又は洗いに使用する液としては、低級アルコ
ール又はそれに前記セロソルブを混合したものを用い不
ことができる。これらリンス、洗いによって現像後の照
射部の残膜を取シ除くことができる。
ール又はそれに前記セロソルブを混合したものを用い不
ことができる。これらリンス、洗いによって現像後の照
射部の残膜を取シ除くことができる。
基板上に微細画像を形成した後、基板のエツチングを行
なうときの耐エツチング性を高めるために、通常空気中
にて加熱が行なわれる。
なうときの耐エツチング性を高めるために、通常空気中
にて加熱が行なわれる。
以下に実施例を示すが、本発明はこれらに限の共重合体
を意味する。
を意味する。
実施例１
ラジカル重合によって合成したポリ（メチルビニルケト
ン−スチレン）（メチルビニルケトン４８モル％含有、
ＧＰＣによるＭｗ／Ｍｎ＝１．７、Ｍｎ＝８７０，００
０）をりｏｏホルム−メチルセロソルブアセテート１：
１混合溶媒に溶解し、ポリマー濃度５．０％ｗｔ ／
ｖｏｔとしたものをレジスト溶液とし、これを、予め２
５０ ’０３０分間以上クリーンオーブン中で乾燥させ
た５ｉｎ２加エシリコンウエハー上に、スピナー回転数
１０００ ｒｐｍにて塗布した。
ン−スチレン）（メチルビニルケトン４８モル％含有、
ＧＰＣによるＭｗ／Ｍｎ＝１．７、Ｍｎ＝８７０，００
０）をりｏｏホルム−メチルセロソルブアセテート１：
１混合溶媒に溶解し、ポリマー濃度５．０％ｗｔ ／
ｖｏｔとしたものをレジスト溶液とし、これを、予め２
５０ ’０３０分間以上クリーンオーブン中で乾燥させ
た５ｉｎ２加エシリコンウエハー上に、スピナー回転数
１０００ ｒｐｍにて塗布した。
これを８０°Ｃ５分間（空気中）プリベークし、レジス
ト膜厚を約０．７１１？ｎとした。
ト膜厚を約０．７１１？ｎとした。
露光は室温で２０秒間行ない、現像はブチルセロソルブ
：メタノール７：３混合溶媒を用いて２分間浸漬（連続
攪拌を行ないつつ）を行ない、メタノールで１分間（い
ずれも２５°Ｃ）リンスした。
：メタノール７：３混合溶媒を用いて２分間浸漬（連続
攪拌を行ないつつ）を行ない、メタノールで１分間（い
ずれも２５°Ｃ）リンスした。
その後８０°Ｃ１０分間ボストベークを行ない、微細画
像を形成させた。これを光学顕微鏡にてパターンを観察
したところ、０．７５／１ｍまで解像されていることが
確認された。
像を形成させた。これを光学顕微鏡にてパターンを観察
したところ、０．７５／１ｍまで解像されていることが
確認された。
実施例２
ラジカル重合によって得たポリ（メチルビニルケトン−
メチルメタクリレート（メチルビニルケトン３０モル％
含有、ＧＰＣによるＭ ｗ／Ｍｎ＝２．８．Ｍｎ＝２１
０，０００）を用い、現像液としてブチルセロソルブと
エチルセロソルブ チルセロソルブとエチルセロソルブの２：３混合液）と
メタノールの１＝１混合液を用いて行なう他は、実施例
１と同様にして基板上に微細画像を形成させた。その結
果０．７５ Ｉｌｍまで解像されたパターンが形成され
た。
メチルメタクリレート（メチルビニルケトン３０モル％
含有、ＧＰＣによるＭ ｗ／Ｍｎ＝２．８．Ｍｎ＝２１
０，０００）を用い、現像液としてブチルセロソルブと
エチルセロソルブ チルセロソルブとエチルセロソルブの２：３混合液）と
メタノールの１＝１混合液を用いて行なう他は、実施例
１と同様にして基板上に微細画像を形成させた。その結
果０．７５ Ｉｌｍまで解像されたパターンが形成され
た。
実施例８
ウェーハー」二に予めシリコン化合物を含む密着向上剤
を塗布し、スピナーの回転数を２０００ｒｐｍとしてレ
ジスト溶液を塗布しレジスト膜厚を０．５μη２とした
ものへ、５秒間露光を行なう他は実施例１と同様にして
基板上に微細画像を形成させた。その結果０．７５ ｐ
ｍ ′まで解像されたパターンがウエーノ・−上に形成
された。
を塗布し、スピナーの回転数を２０００ｒｐｍとしてレ
ジスト溶液を塗布しレジスト膜厚を０．５μη２とした
ものへ、５秒間露光を行なう他は実施例１と同様にして
基板上に微細画像を形成させた。その結果０．７５ ｐ
ｍ ′まで解像されたパターンがウエーノ・−上に形成
された。
実施例４
スピナー８０００ ｒｐｍでレジスト溶液を塗布しレジ
スト膜厚を約０．４ ｐｍとしたものに２秒又は５秒間
露光を行なう他は、実施例１と同様にして微細画像を形
成させた。その結果いずれの場合も０．５μｙ＋ｙ’′
！ｆ、で解像されたパターンが形成された。
スト膜厚を約０．４ ｐｍとしたものに２秒又は５秒間
露光を行なう他は、実施例１と同様にして微細画像を形
成させた。その結果いずれの場合も０．５μｙ＋ｙ’′
！ｆ、で解像されたパターンが形成された。
参考例
実施例４にて微細画像を形成させたウエーノ・−を弗化
水素水と弗化アンモン（モル比８゜６８：１０．５）と
の混合液からなる５ｉｎ２用エツチング剤にてウェーハ
ーのＳｉＯ２露出部をエツチングし、水洗乾燥し、その
後有機溶剤又は過酸た。
水素水と弗化アンモン（モル比８゜６８：１０．５）と
の混合液からなる５ｉｎ２用エツチング剤にてウェーハ
ーのＳｉＯ２露出部をエツチングし、水洗乾燥し、その
後有機溶剤又は過酸た。
実施例５
予めウェーハー上に密着向上剤を下引きし、スピナーの
回転数を２００ Ｏｒｐｍとしてレジスト溶液を塗布し
、レジスト膜厚を０．５μｍとしたものへ１分間露光を
行ない、現像液としてブチルセロソルブとエチルセロソ
ルブの５：１混合液を用い、リンスを（ブチルセロソル
ブとエチルセロソルブの５：１混合液）とメタノールの
１：１混合液を用いて行ない、そして更にブチルアルコ
ールで５０秒洗浄する他は実施例２と同様にして微細画
像を形成させた。その結果Ｑ、 ５ ｐｉ）２まで解像
されたパターンがウェーハー上に形成された。
回転数を２００ Ｏｒｐｍとしてレジスト溶液を塗布し
、レジスト膜厚を０．５μｍとしたものへ１分間露光を
行ない、現像液としてブチルセロソルブとエチルセロソ
ルブの５：１混合液を用い、リンスを（ブチルセロソル
ブとエチルセロソルブの５：１混合液）とメタノールの
１：１混合液を用いて行ない、そして更にブチルアルコ
ールで５０秒洗浄する他は実施例２と同様にして微細画
像を形成させた。その結果Ｑ、 ５ ｐｉ）２まで解像
されたパターンがウェーハー上に形成された。
以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 メチルビニルケトンの単独重合体又はこれと−・般式Ｒ
ＩＲ２Ｃ＝ＣＨ２（ここに、Ｒ’は水素又はメｆル基で
あｊ９、Ｒ２はアセトキシ基、ニトリル基、炭素数６〜
９のアリール基、電子吸引性の置換基で置換した炭素数
６〜９のアリール基又は一般式−〇−０−Ｒ３で表わさ
れる基（ここにＲ３１ は水素又は炭素数１〜８のアルキル基を表わす。）を表
わす。）で表わされるモノマーとの共重合体の有機溶媒
溶液をレジスト溶液として基板上に塗布し、被膜を形成
させ、遠紫外線を照射し、現像液として一般式Ｒ’−０
−ＣＨｚＣＨ２０Ｈ（ここにＲ４は炭素数１〜４のアル
キル基を表わす。）で表わされるセロソルブ系化合物を
主成分とする液体を用いて現像し、必要に応じてリンス
又は洗いをすることを特徴とする微細画像形成法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57193642A JPS5983156A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 微細画像形成法 |
| US06/723,009 US4617254A (en) | 1982-11-04 | 1985-04-16 | Process for forming detailed images |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57193642A JPS5983156A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 微細画像形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5983156A true JPS5983156A (ja) | 1984-05-14 |
| JPH0153772B2 JPH0153772B2 (ja) | 1989-11-15 |
Family
ID=16311332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57193642A Granted JPS5983156A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 微細画像形成法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4617254A (ja) |
| JP (1) | JPS5983156A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003316003A (ja) * | 2002-02-20 | 2003-11-06 | Canon Inc | レジスト材料 |
| KR100512544B1 (ko) * | 2000-02-28 | 2005-09-06 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 현상 방법, 패턴 형성 방법과, 이들을 이용한 포토마스크또는 반도체 장치의 제조 방법 |
| JP2009279935A (ja) * | 2002-02-20 | 2009-12-03 | Canon Inc | インクジェット記録ヘッドの製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3705896A1 (de) * | 1986-02-24 | 1987-08-27 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Verfahren zur herstellung eines fotoresistmusters auf einer substratflaeche und ein dafuer geeignetes schaumentfernungsmittel |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4012536A (en) * | 1972-12-14 | 1977-03-15 | Rca Corporation | Electron beam recording medium comprising 1-methylvinyl methyl ketone |
| US4018937A (en) * | 1972-12-14 | 1977-04-19 | Rca Corporation | Electron beam recording comprising polymer of 1-methylvinyl methyl ketone |
| JPS5568630A (en) * | 1978-11-17 | 1980-05-23 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Pattern formation |
| US4302529A (en) * | 1980-01-08 | 1981-11-24 | Honeywell Inc. | Process for developing a positive electron resist |
| JPS5744143A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Composition and method for forming micropattern |
| NL8006947A (nl) * | 1980-12-22 | 1982-07-16 | Philips Nv | Werkwijze voor de vervaardiging van een optisch uitleesbare informatiedrager. |
-
1982
- 1982-11-04 JP JP57193642A patent/JPS5983156A/ja active Granted
-
1985
- 1985-04-16 US US06/723,009 patent/US4617254A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100512544B1 (ko) * | 2000-02-28 | 2005-09-06 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 현상 방법, 패턴 형성 방법과, 이들을 이용한 포토마스크또는 반도체 장치의 제조 방법 |
| JP2003316003A (ja) * | 2002-02-20 | 2003-11-06 | Canon Inc | レジスト材料 |
| JP2009279935A (ja) * | 2002-02-20 | 2009-12-03 | Canon Inc | インクジェット記録ヘッドの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0153772B2 (ja) | 1989-11-15 |
| US4617254A (en) | 1986-10-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5998092A (en) | Water soluble negative-working photoresist composition | |
| US5019488A (en) | Method of producing an image reversal negative photoresist having a photo-labile blocked imide | |
| JP4714394B2 (ja) | フォトレジスト組成物用の反射防止膜 | |
| JP2000029215A (ja) | 新規なポリマー及びフォトレジスト組成物 | |
| JPH09110938A (ja) | オルガノシリコンの側鎖を含むターポリマーおよびレリーフ構造を作成するためのその使用 | |
| JPH05249683A (ja) | 感放射線性組成物 | |
| US5346803A (en) | Photoresist composition comprising a copolymer having a di-t-butyl fumarate | |
| JPH0218564A (ja) | 感放射線混合物及びレリーフパターン作製方法 | |
| US4788127A (en) | Photoresist composition comprising an interpolymer of a silicon-containing monomer and an hydroxystyrene | |
| JP3495503B2 (ja) | 架橋されたポリマー | |
| TW201041908A (en) | Self-forming top anti-reflective coating compositions and, photoresist mixtures and method of imaging using same | |
| TW201319734A (zh) | Ｉ－ｌｉｎｅ光阻成分及使用其形成精細圖案的方法 | |
| JP2000239436A (ja) | フォトレジスト架橋単量体、フォトレジスト架橋剤、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子 | |
| JP2001106737A (ja) | フォトレジスト重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子 | |
| JPH08225617A (ja) | ポリマー | |
| JPH10330432A (ja) | 光吸収性ポリマー、光吸収膜形成性組成物及び光吸収膜とそれを用いた反射防止膜 | |
| EP0361906A2 (en) | Method of producing an image reversal negative photoresist having a photo-labile blocked imide | |
| EP0520654A1 (en) | Deep UV light sensitive positive photoresist compositions | |
| JPH01201654A (ja) | ポジ型フォトレジスト材料 | |
| JPS5983156A (ja) | 微細画像形成法 | |
| CA2020378A1 (en) | Maleimide containing, negative working deep uv photoresist | |
| JP2825543B2 (ja) | ネガ型放射線感応性樹脂組成物 | |
| CN115494697A (zh) | 一种化学放大光刻胶及其制备与使用方法 | |
| JPH0613584B2 (ja) | 感電子線及び感ｘ線重合体 | |
| US4808682A (en) | Copolymers having o-nitrocarbinol ester groups, production of two-layer resists, and fabrication of semiconductor components |