KR100272115B1 - 평판인쇄법을반도체디바이스를제조하는방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 디바이스의 제조에 있어서 심자외선 평판 인쇄에 적합한 내식막의 특성을 현저히 향상시키는 삼원 공중합체의 용도에 관한 것이다. 당해 삼원 공중합체는 이산화황, 감산성 단량체, 및 최종 삼원 공중합체에 극성을 부여하는 단량체로부터 형성되는 중합체이다.

Description

평판 인쇄법으로 반도체 디바이스를 제조하는 방법
본 발명은 평판 인쇄법, 특히 디바이스(device) 제조와 관련된 평판 인쇄법에 관한 것이다.
평판 인쇄법은 전형적으로는 반도체 디바이스(semiconductor device)와 같은 디바이스를 제조하는 데 사용한다. 사용 가능한 평판 인쇄법 중에서, 사진 평판 인쇄법이 흔히 사용된다. 사진 평판 인쇄법의 이점은 블랭킷 노출법(blanket exposure technique)에 적합하다는 점이다. 즉, 빛에 대한 노출에 민감한 물질이 각종 장치를 제조하기 위해 가공될 기판(예: 실리콘 웨이퍼) 위에 피복된다. 이어서, 당해 피복 물질, 즉 당해 내식막은 마스크를 통과하여 도달되는 빛에 노출되고, 당해 내식막에 도달한 빛은 하부 기판에 전사될 목적하는 패턴에 상응한다. 노출이 기판(예: 실리콘 기판) 위에서 가공될 하나의 장치 전면에 대해 다수의 장치에 대해 동시에 일어나므로, 당해 방법을 블랭킷 노출방법으로 간주한다.
블랭킷 노출방법은, 내식막을 노출시키기 위해 사용되는 에너지가 전자 빔인 경우, 일반적으로 사용되는 래스터 스캔(raster scan)법과 같은 기타 방법에 비해 비교적 신속하기 때문에 유리하다. 그러나, 일반적으로는 자외선 또는 가시광선으로 블랭킷 노출시켜 얻은 해상도는 전자 평판 인쇄법과 같은 기타 방법으로 얻은 것보다 불량하다.
내식막의 하나인 폴리(메틸 메타크릴레이트)(PMMA)를 자외선 화학선에 노출시키면 통상적인 파장(300nm 이상)에서 사용되는 예의 내식막으로 성취할 수 있는 것보다 해상도가 우수하다. 예를 들면, PMMA는 약 250nm에서와 마찬가지의 양호한 해상도를 가질 수 있음을 보여준다[참조: B. J. Lin, Journal of Vacuum Science and Technology, 12, 1317(1975)]. PMMA가 우수한 해상도를 나타냄에도 불구하고, 화학선의 실제 공급원에 대한 이의 민감성은 매우 제한적이다. 그러므로, 실제적인 적용시에 노출 시간이 일반적으로 과도하게 된다. 추가로, PMMA의 플라즈마 내식성이 불량하므로, 기판에 전사된 패턴이 완전한 최적 상태가 아니다.
기타 제시된 감광성 내식막은 심자외선 방사시 산 잔기를 생성하는 화합물 및 촉매 사용 방법에 따라 생성된 산과 반응시 변형되어 산성 치환체를 생성하는 중합체를 사용한다. 전형적인 산 생성제/감산성 중합체 배합물은 감광성 산 생성제로서는 오늄 염을 포함하고 반응성 치환체를 갖는 중합체로서는 폴리(p-3급-부톡시카보닐옥시스티렌)(BOCS)과 같은 중합체를 포함한다.
심자외선에 반응성인 기타 감광성 시스템이 또한 제안되어 있다. 예를 들면, 1991년 2월 26일자 미국 특허 제4,996,136호(이는, 본 명세서에서 참조로 인용된다)에 기술한 바와 같이, 심자외선 방사에 대한 감광성이 우수한 유리한 내식막은 설폰 단위와 같은 쇄 절단 잔기 및, 광 생성 물질이 존재할 경우, 산성 잔기를 형성하는 반응을 하는 치환체를 포함하는 중합체로부터 형성된다. 이러한 화합물의 예는 광 생성 물질(예: 산)에 민감한 폴리(3급-부톡시카보닐옥시스티렌-설폰) 및 2,6-디니트로벤질 p-톨루엔설포네이트를 포함하며, 이는 광 생성 물질로 인한 것이다. 설포네이트 에스테르는 방사선 조사시 분해되어 모 설폰산(parent sulfonic acid)을 형성하며, 이러한 산은 3급-부톡시카보닐 그룹과 촉매적으로 반응하여 산성 관능성 그룹을 형성한다.
심자외선에 노출된 설폰 함유 중합체가 미러한 물질의 민감성을 현저히 향상시키고 실제로 우수한 특성을 지니게 함에도 불구하고, 디바이스 기판(반도체, 절연체, 및/또는 금속성 영역을 갖는 기판)에 대한 이들 물질의 부착성은 유리하게 향상될 수 있다. 또한, 이러한 물질은 방사선 조사시에 광 생성 물질과 반응하는 경우 특정 잔기의 손실에 기인하여 두께가 손실되는 경향이 있다. 이러한 두께 손실을 저하시킴으로써 해상도, 부착성 및 플라즈마 내식성이 향상된다.
심자외선 내식막의 조사 및 노출 후의 베이킹(post-exposure baking)시 내식막의 두께 손실을 실질적으로 감소시키고 적합한 치환체를 선택함으로써 부착성을 향상시키는 것은 내식막 중에 특정한 중합체를 사용함으로써 성취할 수 있다. 이러한 중합체는 3개 이상의 단량체의 상호작용에 의해 형성되는 물질을 나타낸다(여기서, 당해 중합체가 3개 이상의 단량체로부터 형성된다는 관점에서 기술되었음에도 불구하고, 특정 종류의 중합체는 이를 제조하는 데 사용되는 제조방법 또는 반응물에 상관 없이 유용하다). 3개의 단량체 단위는 (1) 중합체의 주쇄에 설폰 그룹을 유도하는 이산화황, (2) 광 생성 물질과 반응하는 잔기, 예를 들면, 산과 반응하는 3급-부톡시카보닐옥시 그룹을 포함하는 단량체, 및 (3) 광 생성 물질과 (2)의 방사선 생성 물질에 민감한 잔기와의 반응에 의해 제조된 중합체성 물질의 용해도를 향상시키는 극성 잔기를 포항하는 단량체를 포함해야만 한다. 이러한 종류의 물질 중에서 전형적인 화합물은 3급-부톡시카보닐옥시스티렌, 아세톡시스티렌 또는 메톡시스티렌, 및 이산화황으로부터 제조된 삼원공중합체이며, 여기서 3급-부톡시 카보닐옥시스티렌 단량체는 감산성 그룹을 제공하고 아세톡시스티렌 또는 메톡시스티렌 단량체는 극성 그룹을 제공한다.
본 발명의 물질이 주로 방사선 생성 물질과의 반응물로서 사용하도록 제형화됨에도 불구하고, 이들이 용해도 억제 시스템에서 매트릭스 물질로서 배제될 수는 없다. 즉, 방사선 생성 물질에 민감한 치환체를 현상액 가용성 잔기로 치환시킨 단량체 성분(2)를 갖는 본 발명의 중합체는 현상액에 가용성이지만, 현상액에 불용성인 적합한 물질을 가하면 불용성으로 된다. 현상액에 불용성인 물질의 광분해는 매트릭스가 이의 본래의 용해도로 회복되게 함으로써 매트릭스 물질을 선택적으로 제거할 수 있게 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 한 양태에서, 노출된 내식막은 기본 중합체, 예를 들면, 삼원공중합체와 반응하는 물질을 생성한다. 이러한 반응에 의해 노출된 물질은 노출되지 않은 물질과 상이한 산성 및 다소 상이한 분자량을 갖는다. 이러한 상이한 점을 이용함으로써 당해 내식막은 네가티브 및 포지티브 내식막 두가지로서 사용할 수 있다. 후자의 경우, 노출 영역은 노출 영역용 용매를 사용함으로써 제거할 수 있다. 전자의 경우, 노출되지 않은 영역을 적합한 용매를 사용하여 제거한다. 각 경우에서, 방사 전의 감광성 조성물의 용해도와 방사 후의 감광성 조성물의 용해도의 비가 1:n이라면, 포지티브 화상에서는 n은 2 이상이어야 하며, 바람직하게는 10 이상이어야만 한다(네가티브 화상에서는 0.5 이하이다). n 〈 2 (네가티브 화상에서는 〉 0.5)의 값을 갖는 상대적 용해도비는 통상 낮은 콘트라스트 및 열등한 화상질을 초래한다. 일반적으로, 네가티브 화상을 희망하는 경우, 노출 영역의 과도한 팽윤을 유도하지 않는 용매를 사용한다. 마찬가지로, 포지티브 화상을 희망하는 경우, 노출되지 않은 영역에서의 과도한 팽윤을 피하도록 용매를 선택한다. 방사선 생성 물질에 민감한 물질(거론된 기본 중합체)의 용해도는 내식막 중의 기본 중합체의 농도 및 극성 잔기 이외에도 방사선 생성 물질 민감성 잔기의 갯수에 따라 좌우된다. 통상, 노출 영역과 노출되지 않은 영역 사이의 용해도가 적합한 차이를 유지하기 위해서는, 중합체 중에서의 극성 단량체에 대한 방사선 생성 물질 민감성 단량체의 몰 비는 0.5 내지 2.3의 범위이고, (1) 중합체 중에서의 극성 단량체와 방사선 생성 물질 민감성 단량체의 합과 (2) S02의 몰비는 1.5 내지 4, 바람직하게는 1.5 내지 3인 것이 바람직하다. S02가 줄어들면 수성 염기 용해도와 같은 용해도가 감소되고; 방사선 생성 물질 민감성 잔기가 많아지면 허용될 수 없을 정도로 막 두께가 손실되고 기판 부착성이 감소되며; 극성 단량체가 많아지면 현상액 중에서의 용해도가 실질적으로 억제되는 반면; S02가 많아지면 중합체의 합성이 어려워진다. 극성도 및 극성 잔기의 농도는 사용되는 방사선 생성 물질 민감성 잔기에 따라 좌우된다. 일반적으로, 3급-부톡시카보닐옥시스티렌과 같은 방사선 생성 물질 민감성 단량체 및 아세톡시스티렌과 같은 극성 단량체의 경우, 상술한 바와 같은 비율이 일반적으로 사용된다. 방사선 생성 물질 민감성 잔기에 대한 극성 잔기의 특정 농도는 대조용 샘플을 사용하여 용이하게 측정한다. 각종 치환체를 사용하여 방사선 생성 산과 같은 방사선 생성 물질과의 반응성을 목적하는 정도로 달성시킬 수 있다. 3급-부틸, 3급-부톡시카보닐, 3급-아밀 옥시카보닐과 같은 치환체가 적합한 치환체이다. 한 양태에서, 이들 치환체는, 산의 존재하에, 수득한 α-수소를 제거하기에 충분히 안정한 카보늄 이온을 생성하도록 선택한다. 이들 치환체를 방사선 생성 물질 민감성 단량체 중에 사용하여 당해 단량체 일부와 S02및 극성 단량체가 반응하여 중합체를 형성시킨다. 그러나, (1) 희망하는 물질의 방사선에 의한 생성 및 뒤이은 바람직한 반응을 방해하거나 (2) 중합체의 바람직하지 못한 불안정한 상태를 유도하는 치환체는 상기 단량체에 존재하지 않아야 한다.
또한 각종 치환체를 사용하여 극성 단량체, 즉, 쌍극자 모멘트가 1.5Debye 이상이고 물(pH=7)에 대한 용해도가 물 100g당 0.5g 이상인 단량체가 바람직한 극성을 갖도록 한다. 이들 치환체의 예는 아세톡시, 메톡시 및 하이드록시이다. 이들 치환체는 부착성을 향상시키고, 방사선 생성 물질 민감성 잔기의 감소에 의해 막 두께 손실을 감소시키도록 선택한다. 마찬가지로, 이들 치환체는 S02및 방사선 생성 물질 민감성 단량체와 반응하는 단량체에 사용한다. 서로간에 S02와 반응하는 이들 단량체에 대한 관능성 그룹은 공지되어 있으며 문헌에 기재되어 있다[참조: K. J. Ivin and J. B. Rose, Advances in Macromolecular Chemistry, 7,335(1968)].
제조된 중합체는 30℃보다 높고, 바람직하게는 50℃보다 높은 유리전이온도(Tg)를 가져야만 바람직하다. 유리전이온도가 주어진 하한보다 실질적으로 낮은 경우, 후속 공정에서 내식막의 유동 경향이 생김으로써 화상의 질이 떨어지게 된다. 일반적으로, 치환된 스티렌과 같은 단량체를 사용하여 적합한 유리전이온도를 수득한다. 또한, 당해 물질은 적합한 피복기술로 처리할 기판 위에 핀홀이 없는 연속 피복물을 형성해야만 한다. 예를 들면, 가공된 실리콘 디바이스 웨이퍼와 같은 실리콘을 기본으로 하는 기판에서, 당해 중합체는 우수한 피복물을 형성한다. 전형적으로는, 사용되는 중합체 피복물의 두께는 0.2 내지 2.0μm, 바람직하게는 0.3 내지 1.0μm의 범위이다. 이보다 얇은 피복물에서는 핀홀이 없도록 유지하기가 어렵다. 또한, 이보다 두꺼운 피복물에서는 해상도가 일반적으로 불량한데, 이는 폭이 좁은 피쳐(feature)들의 윤곽이 현상된 패턴에서 좁은 세로 열을 형성시키고 이러한 세로 열은 변형되기가 쉽기 때문이다. 두꺼운 층은 또한 흡착성을 더크게 하여 화상의 질을 훼손시킨다. 피복물의 질 또한 기판에 대한 부착성을 개선시킴으로써 향상된다. 일반적으로, 이는 극성 치환체를 도입함으로써 공중합체와 비교해서 개선된다. 상응하는 단량체는 일반적으로 쌍극자 모멘트가 1.5Debye 이상이고 물(pH=7)에 대한 용해도가 물 100g당 0.5g 이상이다. 용이하게 측정하기 위해, 스티렌계 단량체의 경우에 요구되는 용해도는 상응하는 치환된 벤젠(비닐 그룹이 제거된 스티렌)의 용해도가 물 100g당 1g 이상인 경우를 만족시키는 것으로 간주한다. 산소 함유 단량체의 경우, 극성 치환체의 산소원자 대 탄소원자 비는 1.0 이상이어야만 한다. 그러나, 상술한 수용성에 대한 조건만 충족된다면 기타 헤테로 원자의 존재 또한 배제할 수 없다. 이와 같은 극성 치환체는 부착성을 향상시키고 막 두께 손실을 감소시키는 데 있어서 유용하다(하나 이상의 극성 잔기의 사용 또한 배제할 수 없다).
노출시 사용된 파장 범위 내에서 적합한 광학 농도는 내식막의 질을 향상시킨다. 광학 농도가 너무 낮으면 노출된 방사선의 흡수가 불충분하고 불필요하게 노출 시간이 길어진다. 광학 농도가 너무 높으면 주변/중합체 막 계면으로부터 가장 멀리 위치하는 제거되어야 할 중합체 막 영역에 빛이 충분하게 도달하지 못한다. 이렇게 불충분하게 노출되면 내식막의 화상 질이 저하된다. 일반적으로, 노출 파장에서 중합체에 도달하는 화학 방사선이 30% 이상이기 위해서는 전체 내식막의 광학 농도가 바람직하게는 0.5 미만인 것이 바람직하다. 또한, 흡수된 노출 방사선의 40% 이상은 당해 물질 생성제에 의해 흡수되어야 한다.
광학 농도는 당해 중합체 뿐만 아니라 산 생성제 중의 흡수성 물질의 농도에 달려 있다. 그러므로, 일단 내식막 피복물의 적합한 막 두께가 선택되면, 내식막 조성물은 바람직한 광학 농도를 제공하도록 조절된다. 막 연속성과 관련하여 상술한 막 두께에서 바람직한 광학 농도가 유지된다면, 유용한 결과가 얻어진다.
일반적으로, 분자량 범위가 30,000 내지 300,000인 중합체를 사용하는 것이 바람직하다. 분자량이 300,000보다 크면 용해도 및 해상도가 저하되기 때문에 바람직하지 못한 반면, 분자량이 30,000보다 적으면 피복물의 질이 실질적으로 저하되어 적합하지 않다. 분자량은 개시제, 반응 온도 및 단량체 농도와 같은 중합 반응 조건에 의해 결정된다. 이러한 파라미터는 상호 관련이 있고, 대조용 샘플을 사용하여, 바람직한 분자량을 수득하는 데 필요한 특정 조건을 결정한다. 그러나, 바람직한 범위의 분자량을 얻기 위해서는, 일반적으로, 유리 라디칼 용액 중합으로 50 내지 70℃의 온도에서 아조-비스-이소부티로니트릴과 같은 개시제를 사용하고 개시제 대 총 단량체의 화학양론적 몰 비를 1:33 내지 1:100의 범위로 하여 중합체를 제조한다.
본 발명의 내식막의 용도에 적합한 산과 같은 물질의 광 생성 반응은 본 명세서에서 참조로 인용되는 1990년 8월 9일자 미국 특허원 제07/565,074호 뿐만 아니라 미국 특허 제4,996,136호에 기재되어 있는 것을 포함한다. 또한, 디바이스 기판에 내식막을 피복시키는 공정 조건 및 뒤이은 노출 또한 미국 특허 제 4,996,136호에 기재되어 있다. 피복 후에 당해 물질을 90 내지 120℃의 온도 범위에서 예비 베이킹하는 것이 바람직하다. 또한, 노출 후에는 90 내지 135℃에서 베이킹하는 것이 바람직하다. 0.25 내지 2.0μm 범위의 해상도를 얻는 데 사용되는 전형적인 심자외선 조사량은 20 내지 100mJ/cm2이다. 노출된 화상을 현상하기에 적합한 용매는 수성 테트라메틸암모늄 하이드록사이드와 같은 물질이다. 일반적으로, 1.0 내지 5.0분 동안 현상액에 침지시키면 목적하는 피쳐가 현상된다. 이어서, 현상된 내식막은 디바이스 기판의 후속 공정(예: 에칭)에서 사용한다.
하기 실시예는 본 발명과 관련된 물질에서의 패턴의 합성 및 피쳐 윤곽 설정에 사용되는 조건을 설명한다.
[실시예 1]
중합반응은 진공 조작 및 반응물 이송에 적합한 정지 콕이 장착된 변형된 두꺼운 킬달 플라스크에서 수행한다. 갓 증류한 4-아세톡시스티렌(AS)(75℃, 0.05Torr의 진공하에서 증류된 혼합물인 페노티아진 억제제 25ppm을 함유, 200g, 0.12몰) 및 배기된 4-3급-부톡시카보닐옥시스티렌(TBS)[27g, 0.12몰, 코닥 스페셜티 케미칼즈(Kodak Specialty Chemicals)로부터 구입])을 진공하에서 반응기로 이송시킨다. 이어서, 반응기를 -75℃의 욕에 둔다. 아조-비스-이소부티로니트릴(AIBN) [0.81g, 0.005몰, 알파 케미칼 캄파니(Alpha Chemical Company)로부터 구입] 및 톨루엔 10ml를 시린지를 사용하여 주입 포트를 통해 반응 매질 속으로 이송시킨다. 이어서, 주입 포트를 추가의 톨루엔 15ml로 세척한다.
이산화황을 오산화인 컬럼을 통해 이송시키고, 진공 라인을 통해 눈금 플라스크 속에서 응축시킨 후, 동결 단계에서는 77 °K를, 해동 단계에서는 주위온도를 사용하여 동결 해동 과정을 2 내지 4회 반복하여 탈기시킨 다음, 눈금 플라스크 속에서 진공하에 증류시킨다. 이산화황(0.55몰, -75℃, 22ml)을 반응기 속에서 증류시킨 다음, 반응기를 밀봉하고, 65℃의 욕에 둔다. 반응기를 4시간 동안 당해 욕에 정치시킨 다음, 아세톤 약 100ml를 가하면서 0℃로 냉각시킴으로써 켄칭시킨다.
반응 매질을 이소프로판올 2 ℓ와 메탄올 2 ℓ의 혼합물에 적가함으로써 당해 반응 매질로부터 생성된 삼원 공중합체를 침전시킨다. 당해 중합체는 아세톤에 용해시키고 이소프로판올과 메탄올의 1:1(체적비) 혼합물로부터 재침전시킴으로써 2회 이상 재용해 및 재침전시킨다. 이어서, 침전된 중합체를 실온의 진공 오븐에서 건조시킨다. 수율은 약 60%이다.
[실시예 2]
여러 가지 중합체를 표 1에 나타낸 반응물, 반응물 비율 및 반응 조건을 사용하는 실시예 1의 과정에 따라 합성된다. 반응 1은 AS와 TBS의 공충합체를 나타낸다. 반응 2, 3 및 5 내지 8은 AS, TBS 및 이산화황의 삼원 공중합체를 나타내고, 반응 4는 AS와 S02(S)의 공중합체를 나타낸다.
[실시예 3]
비스-(2-니트로-6-트리플루오로메틸벤질)-1,3-디설포네이트 약 1.59g을 에틸-3-에톡시프로피오네이트 50ml에 용해시킨다. 이어서, 실시예 1에 제조방법이 기재되어 있는 중합체 약 10g을 당해 용액에 추가로 용해시킨다. 생성된 용액을 입구부터 배출구까지 여러 개의 여과기가 장착된 여과기를 통해 3회 여과하는데, 여과기의 공극 크기는 각각 1μm, 0.5μm 및 0.2μm이다. 여액 약 5ml를 점착 증진제 헥사메틸디실라진으로 미리 처리한 5in 실리콘 웨이퍼의 거의 중심에 공급한다. 내식막을 약 1분 동안 약 4,000rpm의 속도로 스피닝하면 약 0.8μm 두께의 내식막 피복물이 수득된다. 피복된 기판을 SVG 시스템 88 웨이퍼 트랙 상의 열판의 진공 샘플 지지대에 두고 약 105℃의 온도로 약 1분 동안 가열한다. 웨이퍼를 248nm 엑시머(excimer) KrF 레이저 노출원을 갖는 0.35NA GCA 레이저스텝(Laserstep)평판 인쇄 장치의 샘플 지지대로 이동시킨다. 웨이퍼를 약 60mJ/cm2의 조사량으로 7mm2노출 영역에 대하여 피쳐 0.3 내지 2.0μm의 해상도 시험 패턴으로 노출시킨다. 이어서, 웨이퍼를 진공 상태의 샘플 지지대를 사용하여 1분 동안 약 115℃의 온도에서 SSI 시스템 150 웨이퍼 트랙 상에서 노출 후의 베이킹을 수행한다. 이로 인한 노출 영역에서의 두께 손실은 18%이다. 용액을 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 0.5N 수용액 속에 2분 동안 침지시킨다. 이어서, 웨이퍼를 탈이온수로 30초 동안 세척하고 스핀 건조시킨다. 해상도는 0.3μm의 피쳐이다.
[실시예 4]
실시예 3의 과정을 표1에 나타낸 2 내지 8의 중합체를 사용하여 반복한다. 표2는 이러한 노출 결과 및 노출 후의 베이킹시의 두께 손실을 나타낸다.
[실시예 5]
표 1에서 나타낸 1번의 공중합체 약 10gm를 사용하는 것을 제외하고, 실시예 3의 과정을 반복한다. 노출 후의 베이킹 후, 약 20%의 두께가 손실되고, 현상액에서의 침지 후, 피쳐의 해상도가 더 개선되지 않는다. 테트라메틸암모늄 하이드록사이드를 이소프로판올로 대체해도 해상도가 향상되지는 않는다.

Claims (6)

  1. 감방사선 물질을 기판 위에 형성시키는 단계(1), 감방사선 물질을 방사선에 노출시켜 잠상(latent image)을 형성시키는 단계(2), 당해 감방사선 물질을 용매로 처리하여 감방사선 물질에 형성된 잠상을 현상시키는 단계(3) 및 이러한 잠상을 사용하여 기판을 후속 처리하는 단계(4)를 포함하여 반도체 디바이스(semiconductor device)를 제조하는 방법에 있어서, 감방사선 물질이 SO2(A), 극성이 1.5Debye 이상이고 pH 7의 물에 대한 용해도가 물 100g당 0.5g 이상인 극성 단량체(B) 및 단계(3)의 용매에 최종 중합체가 용해(i)되도록 하거나 감방사선 물질과 방사선과의 상호 작용에 의해 생성된 물질과 반응하여 방사선에 대한 노출이 부족한 감방사선 물질 영역의 용매에 대한 용해도와는 상이한 용해도를 갖는 조성물을 형성(ii)하는 치환체를 갖는 단량체(C)의 반응 생성물인 중합체를 포함함을 특징으로 하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 단량체(B)가 아세톡시, 메톡시 및 하이드록시로 이루어진 그룹 중에서 선택된 관능성 그룹을 갖는 단량체를 포함하는 방법.
  3. 제2항에 있어서, 단량체(B)가 아세톡시스티렌, 메톡시스티렌 또는 하이드록시스티렌을 포함하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 단량체(C)가 산과 반응하여 방사선에 대한 노출이 부족한 감방사선 물질 영역의 용매에 대한 용해도와는 상이한 용해도를 갖는 조성물을 형성하는 치환체를 갖는 방법.
  5. 제4항에 있어서, 치환체가 3급-부톡시카보닐옥시를 포함하는 방법.
  6. 제5항에 있어서, 단량체(C)가 3급-부톡시카보닐옥시스티렌을 포함하는 방법.
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