JP2664475B2 - 感放射線混合物及びレリーフパターンの製造方法 - Google Patents
感放射線混合物及びレリーフパターンの製造方法Info
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- JP2664475B2 JP2664475B2 JP1115255A JP11525589A JP2664475B2 JP 2664475 B2 JP2664475 B2 JP 2664475B2 JP 1115255 A JP1115255 A JP 1115255A JP 11525589 A JP11525589 A JP 11525589A JP 2664475 B2 JP2664475 B2 JP 2664475B2
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は40％までの疏水性コモノマー単位を重合含有
する水性アルカリ液に可溶性のポリマー結合剤と、酸に
より分裂可能の少なくとも１個の結合を有し、放射線の
作用下に強酸を形成し、これによりアルカリ性溶媒に対
する溶解性が酸の作用により高められる化合物とを含有
するポジチブ処理感放射線混合物に関するものである。
この混合物は紫外線、電子線及びＸ線に対して感応性を
有し、ことにレジスト材料として、またレリーフパター
ン作製用に適するものである。
する水性アルカリ液に可溶性のポリマー結合剤と、酸に
より分裂可能の少なくとも１個の結合を有し、放射線の
作用下に強酸を形成し、これによりアルカリ性溶媒に対
する溶解性が酸の作用により高められる化合物とを含有
するポジチブ処理感放射線混合物に関するものである。
この混合物は紫外線、電子線及びＸ線に対して感応性を
有し、ことにレジスト材料として、またレリーフパター
ン作製用に適するものである。
（従来技術） ポジチブ処理感放射線混合物は公知である。ことに、
水性アルカリ液に可溶性の結合剤、例えばノボラック中
にｏ−キノンジアジドを含有するポジチブ処理レジスト
材料は商業的に使用されている。このような組成物の感
度は、しかしながらことに短波長放射線に対して部分的
に不十分である。
水性アルカリ液に可溶性の結合剤、例えばノボラック中
にｏ−キノンジアジドを含有するポジチブ処理レジスト
材料は商業的に使用されている。このような組成物の感
度は、しかしながらことに短波長放射線に対して部分的
に不十分である。
一次的光反応において或る種の化合物をもたらし、こ
れが放射線と無関係に触媒的二次的反応をもたらす、感
放射線混合物の感度増大は公知である。例えば米国特許
3915706号明細書には、強酸を形成し、これが次いで二
次的反応においてポリアルデヒド基のような酸不安定基
を分裂させる光開始剤が記載されている。
れが放射線と無関係に触媒的二次的反応をもたらす、感
放射線混合物の感度増大は公知である。例えば米国特許
3915706号明細書には、強酸を形成し、これが次いで二
次的反応においてポリアルデヒド基のような酸不安定基
を分裂させる光開始剤が記載されている。
さらにまた、水性アルカリ液に可溶性のポリマー結合
剤と、光化学的に強酸を形成する化合物と、酸により分
裂可能の結合を有し、アルカリ現像剤に対する溶解性が
酸の作用により高められる他の化合物を含有する、酸に
より分裂可能の化合物を主体とする感放射線混合物も公
知である（例えば西独特許出願3406927号公報）。光化
学的に強酸を形成する化合物としては、ジアゾニウム、
ホスホニウム、スルホニウム及びヨードニウムならびに
ハロゲン化合物が挙げられる。このようなオニウム塩を
レジスト材料において光化学的酸供与体として使用する
ことは、例えば米国特許4491628号明細書からも公知で
ある。レジスト材料中にオニウム塩を使用することにつ
いての概説はOrg.Coatings and Appln.Polym.Sci.48（1
985）65−69頁におけるクリベロ（Crivello）の論稿に
なされている。しかしながら、このような光開始剤は、
放射線作用により、形成される酸のほかには、アルカリ
性現像剤に対する溶解性を高める光合成物を全く形成し
ないという欠点を有する。さらにこの混合物は３組成分
の使用が必須的である。
剤と、光化学的に強酸を形成する化合物と、酸により分
裂可能の結合を有し、アルカリ現像剤に対する溶解性が
酸の作用により高められる他の化合物を含有する、酸に
より分裂可能の化合物を主体とする感放射線混合物も公
知である（例えば西独特許出願3406927号公報）。光化
学的に強酸を形成する化合物としては、ジアゾニウム、
ホスホニウム、スルホニウム及びヨードニウムならびに
ハロゲン化合物が挙げられる。このようなオニウム塩を
レジスト材料において光化学的酸供与体として使用する
ことは、例えば米国特許4491628号明細書からも公知で
ある。レジスト材料中にオニウム塩を使用することにつ
いての概説はOrg.Coatings and Appln.Polym.Sci.48（1
985）65−69頁におけるクリベロ（Crivello）の論稿に
なされている。しかしながら、このような光開始剤は、
放射線作用により、形成される酸のほかには、アルカリ
性現像剤に対する溶解性を高める光合成物を全く形成し
ないという欠点を有する。さらにこの混合物は３組成分
の使用が必須的である。
酸不安定側鎖基を有するポリマーと、光化学的に酸を
形成供与する化合物とから成る感放射線混合物は、例え
ば米国特許4491628号明細書及び仏国特許出願2570844号
公報から公知である。しかしながら、このポリマー結合
剤は疏水性であり、露光後において始めてアルカリ可溶
性となる。このポリマー結合剤は酸の作用により極性の
大きな差違化がもたらされるようになされる。従ってこ
れは酸不安定基を有する反覆単位を含有し、この基の分
裂は大量の材料ロスを前提とする。
形成供与する化合物とから成る感放射線混合物は、例え
ば米国特許4491628号明細書及び仏国特許出願2570844号
公報から公知である。しかしながら、このポリマー結合
剤は疏水性であり、露光後において始めてアルカリ可溶
性となる。このポリマー結合剤は酸の作用により極性の
大きな差違化がもたらされるようになされる。従ってこ
れは酸不安定基を有する反覆単位を含有し、この基の分
裂は大量の材料ロスを前提とする。
西独特許出願3721741号公報には、アルカリ水溶液に
可溶性のポリマー結合剤と、水性アルカリ現像剤に対す
る溶解性が酸の作用により高められ、酸により分裂可能
の少なくも１個の基を有し、これにより放射線作用下に
強酸を形成する有機化合物とから成る感放射線混合物が
提案されている。しかしながらこの組成物は一定の使用
目的に対して欠点を有する。該組成物においては、この
有機化合物は２種類の役割、すなわちポリマー結合剤の
溶解性を露光前には低減させ、露光後には増大させるこ
とと、さらに感放射線性を有することを果たさねばなら
ない。しかしながらこれは一定の使用目的に対しては、
例えば短波長紫外線帯域（250nm範囲）において高度の
透明性を保持し、従って溶解性禁止乃至抑制の課題を他
の方法で達成せねばならないために、光活性有機化合物
の添加量を低減できる利点がある。
可溶性のポリマー結合剤と、水性アルカリ現像剤に対す
る溶解性が酸の作用により高められ、酸により分裂可能
の少なくも１個の基を有し、これにより放射線作用下に
強酸を形成する有機化合物とから成る感放射線混合物が
提案されている。しかしながらこの組成物は一定の使用
目的に対して欠点を有する。該組成物においては、この
有機化合物は２種類の役割、すなわちポリマー結合剤の
溶解性を露光前には低減させ、露光後には増大させるこ
とと、さらに感放射線性を有することを果たさねばなら
ない。しかしながらこれは一定の使用目的に対しては、
例えば短波長紫外線帯域（250nm範囲）において高度の
透明性を保持し、従って溶解性禁止乃至抑制の課題を他
の方法で達成せねばならないために、光活性有機化合物
の添加量を低減できる利点がある。
そこで本発明の目的乃至この分野の技術的課題は、ア
ルカリ水溶液で現像可能の、レリーフパターン作製用の
高活性感放射線組成物と、大量の材料ロスをもたらすこ
くなく、短波長紫外線における高い透明度を有する感光
性層の作製方法とを提供することである。
ルカリ水溶液で現像可能の、レリーフパターン作製用の
高活性感放射線組成物と、大量の材料ロスをもたらすこ
くなく、短波長紫外線における高い透明度を有する感光
性層の作製方法とを提供することである。
（発明の要約） しかるに上述の目的乃至課題は、前述した混合物にお
いて、アルキル基中に５乃至９個の炭素原子を有するア
ルキルカルボナート基を形成することにより極めて簡単
に達成乃至解決される。
いて、アルキル基中に５乃至９個の炭素原子を有するア
ルキルカルボナート基を形成することにより極めて簡単
に達成乃至解決される。
本発明の対象は、（ａ）水に不溶性、アルカリ水溶液
に可溶性のポリマー結合剤及び（ｂ）水性アルカリ現像
剤に対する溶解性が酸の作用により高められ、かつ少な
くとも１個の、酸により分裂され得る基ならびに放射線
の作用下に強酸を形成するさらに他の基を有する有機化
合物とを含有する感放射線混合物であって、上記ポリマ
ー結合剤（ａ）が、５乃至40モル％の、 を有するモノマー単位を重合乃至縮合させて含有し、或
は重合類似反応により （式中Ｒは５乃至９個の炭素原子を含有する）を導入し
て含有することを特徴とする混合物である。
に可溶性のポリマー結合剤及び（ｂ）水性アルカリ現像
剤に対する溶解性が酸の作用により高められ、かつ少な
くとも１個の、酸により分裂され得る基ならびに放射線
の作用下に強酸を形成するさらに他の基を有する有機化
合物とを含有する感放射線混合物であって、上記ポリマ
ー結合剤（ａ）が、５乃至40モル％の、 を有するモノマー単位を重合乃至縮合させて含有し、或
は重合類似反応により （式中Ｒは５乃至９個の炭素原子を含有する）を導入し
て含有することを特徴とする混合物である。
この場合、ポリマー結合剤（ａ）としてポリ−（ｐ−
ヒドロキシスチレン）、ポリ−（ｐ−ヒドロキシ−α−
メチルスチレン）或はｐ−ヒドロキシスチレンとｐ−ヒ
ドロキシ−α−メチルスチレンの共重合体が使用され、
上記ｐ−ヒドロキシ−α−メチルスチレン単位の５乃至
40モル％がフェノール性ヒドロキシル基の代わりにC5乃
至C9のアルキル−或はアルケニル−オキシカルボニルオ
キシ基を有することを特徴とする混合物或はポリマー結
合剤（ａ）としてｐ−クレゾール及びホルムアルデヒド
を主体とするノボラックが使用され、縮合されるｐ−ク
レゾール単位の５乃至40モル％が式 （式中Ｒはそれぞれ５乃至９個の炭素原子を有するアル
キル、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル或はシ
クロアルケニルの何れかの基を意味する）の基により代
替されることを特徴とする混合物がことに好ましい。
ヒドロキシスチレン）、ポリ−（ｐ−ヒドロキシ−α−
メチルスチレン）或はｐ−ヒドロキシスチレンとｐ−ヒ
ドロキシ−α−メチルスチレンの共重合体が使用され、
上記ｐ−ヒドロキシ−α−メチルスチレン単位の５乃至
40モル％がフェノール性ヒドロキシル基の代わりにC5乃
至C9のアルキル−或はアルケニル−オキシカルボニルオ
キシ基を有することを特徴とする混合物或はポリマー結
合剤（ａ）としてｐ−クレゾール及びホルムアルデヒド
を主体とするノボラックが使用され、縮合されるｐ−ク
レゾール単位の５乃至40モル％が式 （式中Ｒはそれぞれ５乃至９個の炭素原子を有するアル
キル、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル或はシ
クロアルケニルの何れかの基を意味する）の基により代
替されることを特徴とする混合物がことに好ましい。
また上記有機化合物（ｂ）が一般式（Ｉ） （式中R1、R2及びR3は互いに同じであるか或は異なるも
のであって、それぞれ場合によりヘテロ原子を含有する
脂肪族及び／或は芳香族基を意味するか、或はR1乃至R3
の２個の相結合して環を形成するが、R1乃至R3の少なく
とも１個は酸により分裂可能の基を少なくとも１個含有
し、R1乃至R3の１個は１個或は複数個のさらに他のスル
ホニウム塩の基と、場合により酸により分裂可能の基を
介して結合されることができ、Ｘ は非球核性反対イオ
ンを意味する）で表されるスルホニウム塩であることを
特徴とする混合物がことに好ましい。
のであって、それぞれ場合によりヘテロ原子を含有する
脂肪族及び／或は芳香族基を意味するか、或はR1乃至R3
の２個の相結合して環を形成するが、R1乃至R3の少なく
とも１個は酸により分裂可能の基を少なくとも１個含有
し、R1乃至R3の１個は１個或は複数個のさらに他のスル
ホニウム塩の基と、場合により酸により分裂可能の基を
介して結合されることができ、Ｘ は非球核性反対イオ
ンを意味する）で表されるスルホニウム塩であることを
特徴とする混合物がことに好ましい。
さらに上述の如き本発明による感放射線混合物を感光
性層形成材料として使用することを特徴とする、レリー
フパターン及びレリーフ画像の作製方法も本発明の対象
である。
性層形成材料として使用することを特徴とする、レリー
フパターン及びレリーフ画像の作製方法も本発明の対象
である。
この場合感放射線混合物を露光後、60乃至120℃の温
度に加熱することがことに好ましい。
度に加熱することがことに好ましい。
本発明による感放射線混合物は、250nm付近の波長帯
域における高い透明性、短波長紫外線（＜300nm）に対
する高い感度、弗素含有エッチングガスに対する良好な
耐性を示す。従ってこの混合物はディープUVリトグラフ
ィーにおける使用に極めて適する。本発明において使用
されるポリマー（ａ）はフォトレジストに使用される結
合剤としてことに好ましい。その表面特性が良好であ
り、非露光部分の洗除量が少なく、溶解限度膨潤をもた
らすことなく現像可能であるからである。
域における高い透明性、短波長紫外線（＜300nm）に対
する高い感度、弗素含有エッチングガスに対する良好な
耐性を示す。従ってこの混合物はディープUVリトグラフ
ィーにおける使用に極めて適する。本発明において使用
されるポリマー（ａ）はフォトレジストに使用される結
合剤としてことに好ましい。その表面特性が良好であ
り、非露光部分の洗除量が少なく、溶解限度膨潤をもた
らすことなく現像可能であるからである。
（発明の構成） 以下において本発明による混合物の組成分を逐一説明
する。
する。
ａ）水に不溶性、アルカリ水溶液に可溶性のポリマー結
合剤としては、例えばノボラック、ポリ−（ｐ−ヒドロ
キシスチレン）、ポリ−（ｐ−ヒドロキシ−α−メチル
スチレン）或はｐ−ヒドロキシスチレンとｐ−ヒドロキ
シ−α−メチルスチレンの共重合体であって、C5乃至C9
のアルキルカルボナート側鎖基を有するものが好まし
い。
合剤としては、例えばノボラック、ポリ−（ｐ−ヒドロ
キシスチレン）、ポリ−（ｐ−ヒドロキシ−α−メチル
スチレン）或はｐ−ヒドロキシスチレンとｐ−ヒドロキ
シ−α−メチルスチレンの共重合体であって、C5乃至C9
のアルキルカルボナート側鎖基を有するものが好まし
い。
例えば以下の一般式（II）のアルキルカルボナート基
含有ポリマーがこれに属する。
含有ポリマーがこれに属する。
式中、Ｒは一般式（III） を意味し、R4は水素、ハロゲン（例えば塩素）或はC1乃
至C3のアルキルを、R5は水素或はC1乃至C4のアルキル
を、R6、R7は水素、ハロゲン（例えば塩素）、C1乃至C4
のアルキル及び／或はC1乃至C4のアルコキシを、R8乃至
R11は水素、アルキル、アルケニル或はアルキニルを意
味するが、Ｒの炭素原子は５乃至９の範囲であり、また
R8乃至R11のうちの２個は結合して環を形成することも
可能であり、Ｘは0.05乃至0.4の数値を表す。
至C3のアルキルを、R5は水素或はC1乃至C4のアルキル
を、R6、R7は水素、ハロゲン（例えば塩素）、C1乃至C4
のアルキル及び／或はC1乃至C4のアルコキシを、R8乃至
R11は水素、アルキル、アルケニル或はアルキニルを意
味するが、Ｒの炭素原子は５乃至９の範囲であり、また
R8乃至R11のうちの２個は結合して環を形成することも
可能であり、Ｘは0.05乃至0.4の数値を表す。
同様にｐ−クレゾール／ホルムアルデヒドノボラック
であって、そのｐ−クレゾール単位が で表されるクレゾール単位５乃至40モル％まで代替され
ているもの（Ｒは前述の意味を有する）も適当である。
であって、そのｐ−クレゾール単位が で表されるクレゾール単位５乃至40モル％まで代替され
ているもの（Ｒは前述の意味を有する）も適当である。
ことに好ましいのは炭素原子５乃至９個、特に５乃至
７個の立体的に高度のアルコール基Ｒ−０−（エチレン
結合或はアセチレン結合不飽和であってもよい）、例え
ばシクロヘキシ−オキシ、１−メチル−シクロヘキシ−
オキシ、２−メチル−３−ブテン−２−オキシ、２−メ
チル−ブタン−２−オキシ、２−メチル−ヘキサン−２
−オキシ、３−メチル−１−ペンテン−３−オキシ、３
−メチル−ペンタン−３−オキシ、２−メチル−ペンタ
ン−２−オキシ、３−メチル−２−ブタノール及び２−
メチル−３−ブチン−２−オキシのような基である。
７個の立体的に高度のアルコール基Ｒ−０−（エチレン
結合或はアセチレン結合不飽和であってもよい）、例え
ばシクロヘキシ−オキシ、１−メチル−シクロヘキシ−
オキシ、２−メチル−３−ブテン−２−オキシ、２−メ
チル−ブタン−２−オキシ、２−メチル−ヘキサン−２
−オキシ、３−メチル−１−ペンテン−３−オキシ、３
−メチル−ペンタン−３−オキシ、２−メチル−ペンタ
ン−２−オキシ、３−メチル−２−ブタノール及び２−
メチル−３−ブチン−２−オキシのような基である。
ノボラックとしては、例えば「ソリッド、スティト、
テクノロジー」1984年６月号115−120頁におけるT.パン
パローン（Pampalone）の論稿「ノボラック、レジン
ス、ユーズド、イン、ポジチブ、レジスト、システム
ス」に記載されているものが原則的に使用される。
テクノロジー」1984年６月号115−120頁におけるT.パン
パローン（Pampalone）の論稿「ノボラック、レジン
ス、ユーズド、イン、ポジチブ、レジスト、システム
ス」に記載されているものが原則的に使用される。
特殊な用途、例えば短波長紫外線帯域における露光の
ためには、ｐ−クレゾール及びホルムアルデヒドから形
成されるノボラックが挙げられる。このノボラックは、
例えばテトラヒドロフラン中において、カリウム−ｔ−
ブチラートの存在下に例えばジ−ｔ−アミル−ジカルボ
ナートと反応させて、フェ−ル基５乃至40モル％が代替
される。
ためには、ｐ−クレゾール及びホルムアルデヒドから形
成されるノボラックが挙げられる。このノボラックは、
例えばテトラヒドロフラン中において、カリウム−ｔ−
ブチラートの存在下に例えばジ−ｔ−アミル−ジカルボ
ナートと反応させて、フェ−ル基５乃至40モル％が代替
される。
ヒドロキシスチレンを主体とするフェノール系樹脂
は、慣用の方法で種々の不飽和モノマーをラジカル共重
合乃至イオン共重合させて製造される。有利に共重合せ
しめられ得る不飽和モノマーとしては、例えば置換或は
非置換ヒドロキシスチレン、ことにｐ−ヒドロキシスチ
レン、ｍ−ヒドロキシスチレン、ｐ−（２−メチル−ヘ
キサン−２−オキシ−カルボニルオキシ）−スチレン、
ｐ−（ｔ−アミルオキシ−カルボニルオキシ）−スチレ
ン、ｐ−ヒドロキシ−α−メチル−スチレン或はｐ−
（シクロヘキシルオキシ−カルボニル−オキシ）−α−
メチルスチレンが挙げられる。
は、慣用の方法で種々の不飽和モノマーをラジカル共重
合乃至イオン共重合させて製造される。有利に共重合せ
しめられ得る不飽和モノマーとしては、例えば置換或は
非置換ヒドロキシスチレン、ことにｐ−ヒドロキシスチ
レン、ｍ−ヒドロキシスチレン、ｐ−（２−メチル−ヘ
キサン−２−オキシ−カルボニルオキシ）−スチレン、
ｐ−（ｔ−アミルオキシ−カルボニルオキシ）−スチレ
ン、ｐ−ヒドロキシ−α−メチル−スチレン或はｐ−
（シクロヘキシルオキシ−カルボニル−オキシ）−α−
メチルスチレンが挙げられる。
本発明において使用されるべき、ヒドロキシスチレン
を主体とするこのポリマーは、同様に、例えばポリ−
（ｐ−ヒドロキシスチレン）をそれぞれの理論量のピロ
炭酸ジアルキルエステル、炭酸アルキルエステル或はイ
ミダゾール−Ｎ−カルボン酸アルキルエステルと重合類
似反応させて製造されることができる。この場合、化合
物のアルキル基はそれぞれ５乃至９個の炭素原子とを有
する。
を主体とするこのポリマーは、同様に、例えばポリ−
（ｐ−ヒドロキシスチレン）をそれぞれの理論量のピロ
炭酸ジアルキルエステル、炭酸アルキルエステル或はイ
ミダゾール−Ｎ−カルボン酸アルキルエステルと重合類
似反応させて製造されることができる。この場合、化合
物のアルキル基はそれぞれ５乃至９個の炭素原子とを有
する。
この最後に述べた方法ではことに３級アルコールが有
利に使用され、この場合まず「アンゲバンテ、ヘミー」
12（1962）407−423頁におけるH.シュタープ（Staab）
の方法と同様にしてＮ−カルボン酸アルキルエステルを
製造し、次いでこれを高温において、場合により触媒的
量のアルコラート或はイミダゾールナトリウムと共に、
重合類似反応により例えばポリ−Ｐ−ヒドロキシスチレ
ン或はポリ−Ｐ−ヒドロキシ−α−メチルスチレンと反
応させる。
利に使用され、この場合まず「アンゲバンテ、ヘミー」
12（1962）407−423頁におけるH.シュタープ（Staab）
の方法と同様にしてＮ−カルボン酸アルキルエステルを
製造し、次いでこれを高温において、場合により触媒的
量のアルコラート或はイミダゾールナトリウムと共に、
重合類似反応により例えばポリ−Ｐ−ヒドロキシスチレ
ン或はポリ−Ｐ−ヒドロキシ−α−メチルスチレンと反
応させる。
クロル炭酸アルキルエステルとの反応は、一般に塩
基、例えばピリジンの存在下に公知の方法により行われ
る。
基、例えばピリジンの存在下に公知の方法により行われ
る。
５乃至９個の炭素原子を有するアルキルカルボナート
基をアルキル基に導入するため、さらに例えばポリ−
（Ｐ−ヒドロキシスチレン）をそれぞれの理論量におけ
るピロ炭酸ジアルキルエステルと反応させるが、この場
合ポリ−（Ｐ−ヒドロキシスチレン）をテトラヒドロフ
ランに溶解させ、相当する量のカリウム−ｔ−ブチラー
トを添加し、次いで例えばピロ炭酸−ｔ−アミルエステ
ルのテトラヒドロフラン溶液を適下する。このようにし
て本発明に使用される結合剤ポリマーは水中沈澱により
得られ、複数回の沈澱析出により精製される。
基をアルキル基に導入するため、さらに例えばポリ−
（Ｐ−ヒドロキシスチレン）をそれぞれの理論量におけ
るピロ炭酸ジアルキルエステルと反応させるが、この場
合ポリ−（Ｐ−ヒドロキシスチレン）をテトラヒドロフ
ランに溶解させ、相当する量のカリウム−ｔ−ブチラー
トを添加し、次いで例えばピロ炭酸−ｔ−アミルエステ
ルのテトラヒドロフラン溶液を適下する。このようにし
て本発明に使用される結合剤ポリマーは水中沈澱により
得られ、複数回の沈澱析出により精製される。
本発明に使用されるポリマー結合剤（ａ）は、５乃至
40モル％、ことに10乃至30モル％の、 を有するモノマー単位を重合乃至縮合させて含有し、或
は重合類似反応により を導入して含有する。
40モル％、ことに10乃至30モル％の、 を有するモノマー単位を重合乃至縮合させて含有し、或
は重合類似反応により を導入して含有する。
この共重合体の組成は熱重量分析及びＨ−NMRスペク
トロスコープにより測定される。
トロスコープにより測定される。
本発明は上述した共重合体のみに限定されるものでは
なく、 を有する疏水性コモノマーを含有するｐ−ヒドロキシス
チレンのアルカリ可溶性共重合体であればどれでもよ
い。しかしながら、他のコモノマー単位として、フェノ
ールOH基がアルキルカルボナートで保護されており、そ
のアルキル基が５乃至９個の炭素原子を有する、ｐ−ヒ
ドロキシスチレン誘導体を含有するものが好ましい。
なく、 を有する疏水性コモノマーを含有するｐ−ヒドロキシス
チレンのアルカリ可溶性共重合体であればどれでもよ
い。しかしながら、他のコモノマー単位として、フェノ
ールOH基がアルキルカルボナートで保護されており、そ
のアルキル基が５乃至９個の炭素原子を有する、ｐ−ヒ
ドロキシスチレン誘導体を含有するものが好ましい。
このようなポリマー結合剤（ａ）は、本発明による感
放射線混合物中、組成分（ａ）と（ｂ）の合計量に対
し、78乃至98重量％、ことに80乃至95重量％含有され
る。
放射線混合物中、組成分（ａ）と（ｂ）の合計量に対
し、78乃至98重量％、ことに80乃至95重量％含有され
る。
ｂ）有機化合物（ｂ）としては、少なくとも１個のスル
ホニウム塩基及び少なくとも１個のｔ−ブチルカルボナ
ート基或は少なくとも１個のシリルエーテル基を含有す
るものが好ましい。しかしながら、放射線照射により強
酸を形成し、同じ分子中に酸により分裂可能の結合を有
するものであれば上記以外の化合物も使用され得る。
ホニウム塩基及び少なくとも１個のｔ−ブチルカルボナ
ート基或は少なくとも１個のシリルエーテル基を含有す
るものが好ましい。しかしながら、放射線照射により強
酸を形成し、同じ分子中に酸により分裂可能の結合を有
するものであれば上記以外の化合物も使用され得る。
好ましい有機化合物（ｂ）は一般式（Ｉ） で表されるものがある。式中R1、R2及びR3は互いに同じ
であっても異なってもよく、それぞれ場合によりヘテロ
原子を含有する脂肪族基及び／或は芳香族基を意味し、
或はR1乃至R3のうちの２個は互いに結合して環を形成す
るが、このR1乃至R3の少なくとも１個は少なくとも１個
の酸分裂可能基を含有し、R1乃至R3の１個は１個或は複
数個のさらに他のスルホニウム塩基と、場合により酸分
裂基を介して、結合されることができ、Ｘ は非求核性
反対イオンを意味する。具体的には例えば反対イオンと
してヘキサフルオロアルセナート、ヘキサフルオロアン
チモナート、ヘキサフルオロホスファート及び／或はヘ
キサフルオロカルボナートを有するジメチル−４−ｔ−
ブトキシカルボニルオキシフェニル−スルホニウム塩、
上述反対イオンを有するフェニル−ビス−（４−ｔ−ブ
トキシカルボニルオキシフェニル）−スルホニウム塩、
上述反対イオンを有するトリス−（４−ｔ−ブトキシカ
ルボニルオキシフェニル）−スルホニウム塩、上述反対
イオンを有する４−ヒドロキシフェニル−ビス−（４−
ｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）−スルホニウ
ム塩或は上述反対イオンを有する１−ナフチル−４−ト
リメチルシリルオキシテトラメチレンスルホニウム塩で
ある。
であっても異なってもよく、それぞれ場合によりヘテロ
原子を含有する脂肪族基及び／或は芳香族基を意味し、
或はR1乃至R3のうちの２個は互いに結合して環を形成す
るが、このR1乃至R3の少なくとも１個は少なくとも１個
の酸分裂可能基を含有し、R1乃至R3の１個は１個或は複
数個のさらに他のスルホニウム塩基と、場合により酸分
裂基を介して、結合されることができ、Ｘ は非求核性
反対イオンを意味する。具体的には例えば反対イオンと
してヘキサフルオロアルセナート、ヘキサフルオロアン
チモナート、ヘキサフルオロホスファート及び／或はヘ
キサフルオロカルボナートを有するジメチル−４−ｔ−
ブトキシカルボニルオキシフェニル−スルホニウム塩、
上述反対イオンを有するフェニル−ビス−（４−ｔ−ブ
トキシカルボニルオキシフェニル）−スルホニウム塩、
上述反対イオンを有するトリス−（４−ｔ−ブトキシカ
ルボニルオキシフェニル）−スルホニウム塩、上述反対
イオンを有する４−ヒドロキシフェニル−ビス−（４−
ｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）−スルホニウ
ム塩或は上述反対イオンを有する１−ナフチル−４−ト
リメチルシリルオキシテトラメチレンスルホニウム塩で
ある。
このような有機化合物（ｂ）のうちことに好ましいの
は、一般式（IV） で表されるものであって、Ｒは水素、ｔ−ブトキシカル
ボニル及び或はトリアルキルシリルを意味するが、Ｒの
少なくとも１個は水素以外のものを意味する。
は、一般式（IV） で表されるものであって、Ｒは水素、ｔ−ブトキシカル
ボニル及び或はトリアルキルシリルを意味するが、Ｒの
少なくとも１個は水素以外のものを意味する。
有機化合物（ｂ）の合成は、例えば西独特許出願3721
741号、3721740号公報に記載された方法で行われる。
741号、3721740号公報に記載された方法で行われる。
組成分（ｂ）は本発明による感放射線混合物中組成分
（ａ）と（ｂ）の合計量に対して２乃至30重量％、こと
に５乃至20重量％の割合で含有される。
（ａ）と（ｂ）の合計量に対して２乃至30重量％、こと
に５乃至20重量％の割合で含有される。
本発明による感放射線混合物は、Ｘ線、電子線及び紫
外線に対して感応する。長波長紫外線から可視光線まで
感応させるため、場合により少量の増感剤、例えばピレ
ン、ペリレンを添加してもよい。特定の波長範囲、例え
ば短波長紫外線（＜300nm）における露光のためにはそ
れぞれの露光波長において層の高い澄明度が要求され
る。水銀灯を主体とする慣用露光装置において254nmラ
インが使用され、或は248nm（KrF）波長のエキシマレー
ザー光が使用される。従って感放射線記録材料は、この
波長範囲でなるべく低い光学密度を示すべきである。
外線に対して感応する。長波長紫外線から可視光線まで
感応させるため、場合により少量の増感剤、例えばピレ
ン、ペリレンを添加してもよい。特定の波長範囲、例え
ば短波長紫外線（＜300nm）における露光のためにはそ
れぞれの露光波長において層の高い澄明度が要求され
る。水銀灯を主体とする慣用露光装置において254nmラ
インが使用され、或は248nm（KrF）波長のエキシマレー
ザー光が使用される。従って感放射線記録材料は、この
波長範囲でなるべく低い光学密度を示すべきである。
C5乃至C9アルキルカルボニル基を有する疏水性コモノ
マーを40モル％まで含有する、本発明により使用される
べきアルカリ可溶性ポリマーで、250nm付近の波長範囲
における低光学密度が調節される。溶解性禁止組成物
（ｂ）の量割合は、例えば疏水性側鎖基を持たないポリ
−ｐ−ヒドロキシスチレンに対して低減され得るからで
ある。
マーを40モル％まで含有する、本発明により使用される
べきアルカリ可溶性ポリマーで、250nm付近の波長範囲
における低光学密度が調節される。溶解性禁止組成物
（ｂ）の量割合は、例えば疏水性側鎖基を持たないポリ
−ｐ−ヒドロキシスチレンに対して低減され得るからで
ある。
従来技術につき言及した米国特許4491628号明細書に
記載されたポリマーに対して材料ロスは著しく低減され
る。
記載されたポリマーに対して材料ロスは著しく低減され
る。
疏水性C5乃至C9アルキルカルボニル基を有する立体的
に高度のアルコール基、例えばｔ−アミル基、シクロヘ
キシル基、メチルヘキシル基或はメチルペンチル基を含
有するときは、疏水性モノマー単位の使用量は極めて有
利な態様で40％以下に低減せしめられる。
に高度のアルコール基、例えばｔ−アミル基、シクロヘ
キシル基、メチルヘキシル基或はメチルペンチル基を含
有するときは、疏水性モノマー単位の使用量は極めて有
利な態様で40％以下に低減せしめられる。
本発明によるレリーフパターン作製方法においては、
本質的に本発明感放射線混合物から成る感放射線記録層
は、露光領域のアルカリ水溶液に対する溶解性が60℃乃
至120℃の温度における加熱処理により著しく高めら
れ、この領域がアルカリ性現像剤により選択的に洗除さ
れ得る程度に放射線による画像形成露光に附される。
本質的に本発明感放射線混合物から成る感放射線記録層
は、露光領域のアルカリ水溶液に対する溶解性が60℃乃
至120℃の温度における加熱処理により著しく高めら
れ、この領域がアルカリ性現像剤により選択的に洗除さ
れ得る程度に放射線による画像形成露光に附される。
例えばポリマー結合剤（ａ）と、組成分（ａ）及び
（ｂ）の合計量に対して２乃至30重量％、ことに５乃至
20重量％の有機化合物（ｂ）は、メチルグリコールアセ
タート或はメチル−プロピレングリコールアセタートに
溶解せしめられ、溶液中固体分が10乃至30重量％となる
ようにする。この溶液は網目0.2μｍのフィルターで濾
過される。この溶液を1000乃至10000r.p.m.の回転数で
ウエハ上に遠心塗布してレジストフィルムを形成する。
このウエハを90℃乃至80℃で１乃至５分間乾燥する。こ
のフィルムを、クロム被覆した石英パターンマスクを介
して、水銀灯の紫外線、エキシマレーザー光、電子線或
はＸ線による露光に附し、60乃至120℃の温度で５秒乃
至２分間加熱処理する。このフィルムを場合によりアル
コールを含有するアルカリ性現像液で現像処理し、露光
領域を選択的に溶解除去し、非露光領域をほとんどロス
のないように残す。
（ｂ）の合計量に対して２乃至30重量％、ことに５乃至
20重量％の有機化合物（ｂ）は、メチルグリコールアセ
タート或はメチル−プロピレングリコールアセタートに
溶解せしめられ、溶液中固体分が10乃至30重量％となる
ようにする。この溶液は網目0.2μｍのフィルターで濾
過される。この溶液を1000乃至10000r.p.m.の回転数で
ウエハ上に遠心塗布してレジストフィルムを形成する。
このウエハを90℃乃至80℃で１乃至５分間乾燥する。こ
のフィルムを、クロム被覆した石英パターンマスクを介
して、水銀灯の紫外線、エキシマレーザー光、電子線或
はＸ線による露光に附し、60乃至120℃の温度で５秒乃
至２分間加熱処理する。このフィルムを場合によりアル
コールを含有するアルカリ性現像液で現像処理し、露光
領域を選択的に溶解除去し、非露光領域をほとんどロス
のないように残す。
以下の実施例及び対比例に示される部及びパーセント
は特に明示されない限り重量部及び重量％である。
は特に明示されない限り重量部及び重量％である。
実施例１ 10部のトリス−（４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ
フェニル）−スルホニウムヘキサフルオロアルセナー
ト、90部の、ｐ−ヒドロキシスチレン70モル％とｐ−te
rt−アミルオキシカルボニルオキシスチレン30モル％か
ら成る共重合体（ｗ（光散乱）65000g/モル）及び400
部のメチルプロピレングリコールアセタートからフォト
レジスト溶液を調製する。この溶液を網目0.2μｍのフ
ィルターで濾過し、SiO2被覆珪素ウエハ上に塗布して厚
さ約1.0μｍ（乾燥）の層を形成する。このウエハを90
℃で１分間乾燥し、次いで画像形成テストマスクを接触
装着し、248nmのエキシマレーザー光により３秒間露光
する。しかる後80℃で60秒間加熱処理し、pH値13.00の
現像剤で30秒間現像する。露光領域は完全に溶解洗除さ
れるが、非露光領域の洗除はプロフィロメータ（テンカ
ー（Tencor）社のα−ステップ）により全く認められな
い。レジストパターンの側壁は垂直である。
フェニル）−スルホニウムヘキサフルオロアルセナー
ト、90部の、ｐ−ヒドロキシスチレン70モル％とｐ−te
rt−アミルオキシカルボニルオキシスチレン30モル％か
ら成る共重合体（ｗ（光散乱）65000g/モル）及び400
部のメチルプロピレングリコールアセタートからフォト
レジスト溶液を調製する。この溶液を網目0.2μｍのフ
ィルターで濾過し、SiO2被覆珪素ウエハ上に塗布して厚
さ約1.0μｍ（乾燥）の層を形成する。このウエハを90
℃で１分間乾燥し、次いで画像形成テストマスクを接触
装着し、248nmのエキシマレーザー光により３秒間露光
する。しかる後80℃で60秒間加熱処理し、pH値13.00の
現像剤で30秒間現像する。露光領域は完全に溶解洗除さ
れるが、非露光領域の洗除はプロフィロメータ（テンカ
ー（Tencor）社のα−ステップ）により全く認められな
い。レジストパターンの側壁は垂直である。
対比例１ 10部のトリス−（４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ
フェニル）−スルホニウムヘキサフルオロアルセナー
ト、90部のポリ−（ｐ−ヒドロキシスチレン（ｗ（光
散乱）62000g/モル）及び400部のメチルプロピレングリ
コールアセタートからフォトレジスト溶液を調製する。
これを実施例１と同様にして処理する。露光領域は30秒
間の現像時間で完全に洗除されるが、非露光領域も著し
く洗除（52％ロス）される。
フェニル）−スルホニウムヘキサフルオロアルセナー
ト、90部のポリ−（ｐ−ヒドロキシスチレン（ｗ（光
散乱）62000g/モル）及び400部のメチルプロピレングリ
コールアセタートからフォトレジスト溶液を調製する。
これを実施例１と同様にして処理する。露光領域は30秒
間の現像時間で完全に洗除されるが、非露光領域も著し
く洗除（52％ロス）される。
非露光領域の洗除を低減するためにスルホニウム塩の
量割合を多くすることができる。そこで20部のトリス−
（４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）−スル
ホニウムヘキサフルオロアルセナート、80部のポリ−
（ｐ−ヒドロキシスチレン）及び300部のメチル−プロ
ピレングリコールアセタートからフォトレジスト溶液を
調製した。１μｍ厚さの層の光学密度は1.05を示す。実
施例１と同様に処理したが、同じ条件下に完全洗除を行
うためには11秒間露光する必要があった。さらにレジス
ト形態は傾斜側壁を示す。
量割合を多くすることができる。そこで20部のトリス−
（４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）−スル
ホニウムヘキサフルオロアルセナート、80部のポリ−
（ｐ−ヒドロキシスチレン）及び300部のメチル−プロ
ピレングリコールアセタートからフォトレジスト溶液を
調製した。１μｍ厚さの層の光学密度は1.05を示す。実
施例１と同様に処理したが、同じ条件下に完全洗除を行
うためには11秒間露光する必要があった。さらにレジス
ト形態は傾斜側壁を示す。
対比例２ この対比例は、市販のスルホニウム塩（酸安定基を含
有しない）を使用する場合、非露光領域洗除の望ましい
減少は５％以下に止まることを示す。
有しない）を使用する場合、非露光領域洗除の望ましい
減少は５％以下に止まることを示す。
10部のトリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアル
セナート、実施例１と同様に90部のポリ−（ｐ−ヒドロ
キシスチレン−CO−30モル％ｔ−アミルオキシカルボニ
ルオキシスチレン）及び400部のメチルプロピレングリ
コールアセタートからフォトレジスト溶液を調製する。
この溶液を0.2μｍ網目のフィルターで濾過し、SiO2被
覆を有する珪素ウエハ上に塗布して厚さ1.03μｍの層を
形成する。このウエハを90℃で１分間乾燥し、pH値13.0
の現像剤で30秒間処理する。非露光領域の著しく多量の
洗除（26％）をもたらす。
セナート、実施例１と同様に90部のポリ−（ｐ−ヒドロ
キシスチレン−CO−30モル％ｔ−アミルオキシカルボニ
ルオキシスチレン）及び400部のメチルプロピレングリ
コールアセタートからフォトレジスト溶液を調製する。
この溶液を0.2μｍ網目のフィルターで濾過し、SiO2被
覆を有する珪素ウエハ上に塗布して厚さ1.03μｍの層を
形成する。このウエハを90℃で１分間乾燥し、pH値13.0
の現像剤で30秒間処理する。非露光領域の著しく多量の
洗除（26％）をもたらす。
実施例２ 10部のトリス−（４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ
フェニル）−スルホニウムヘキサフルオロホスファー
ト、90部の、ｐ−ヒドロキシスチレン80モル％とｐ−２
−メチル−ヘキシル−２−オキシ−カルボニルオキシス
チレンから成る共重合体（フィケンチャーによるＫ値
（エチレンアセタート溶液で測定）30.5）及び400部の
メチルプロピレングリコールアセタートからフォトレジ
スト溶液を調製し、0.2μｍ網目のフィルターで濾過す
る。このフォトレジスト溶液を珪素ウエハ上に塗布して
厚さ約１μｍの層を形成する。次いでこのウエハを80℃
において５分間加熱し、テストマスクを接触装着し、波
長248nmのエキシマレーザー光により10秒間露光する。
次いで80℃で60秒間加熱し、pH12.5のアルカリ現像剤で
60秒間現像する。良好なレジストパターンが得られ、非
露光領域の洗除は認められない。
フェニル）−スルホニウムヘキサフルオロホスファー
ト、90部の、ｐ−ヒドロキシスチレン80モル％とｐ−２
−メチル−ヘキシル−２−オキシ−カルボニルオキシス
チレンから成る共重合体（フィケンチャーによるＫ値
（エチレンアセタート溶液で測定）30.5）及び400部の
メチルプロピレングリコールアセタートからフォトレジ
スト溶液を調製し、0.2μｍ網目のフィルターで濾過す
る。このフォトレジスト溶液を珪素ウエハ上に塗布して
厚さ約１μｍの層を形成する。次いでこのウエハを80℃
において５分間加熱し、テストマスクを接触装着し、波
長248nmのエキシマレーザー光により10秒間露光する。
次いで80℃で60秒間加熱し、pH12.5のアルカリ現像剤で
60秒間現像する。良好なレジストパターンが得られ、非
露光領域の洗除は認められない。
実施例３ 10部のトリス−（４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ
フェニル）−スルホニウムヘキサフルオロアルセナート
及び90部の、ｐ−ヒドロキシスチレン75モル％とｐ−シ
クロヘキシルオキシカルボニルオキシスチレン25モル％
から成る共重合体（フィケンチャーによるＫ値（エチル
アセタート溶液で測定）26）を400部のエチル−セロソ
ルブ−アセタート）に溶解させ、0.2μｍ網目のフィル
ターで濾過する。
フェニル）−スルホニウムヘキサフルオロアルセナート
及び90部の、ｐ−ヒドロキシスチレン75モル％とｐ−シ
クロヘキシルオキシカルボニルオキシスチレン25モル％
から成る共重合体（フィケンチャーによるＫ値（エチル
アセタート溶液で測定）26）を400部のエチル−セロソ
ルブ−アセタート）に溶解させ、0.2μｍ網目のフィル
ターで濾過する。
このレジスト溶液を珪素ウエハ上に遠心塗布して１μ
ｍ厚さの層を形成する。80℃に５分間加熱し、テストマ
スクを介して波長248nmのエキシマレーザー光で３秒間
露光する。90℃に60秒間加熱し、pH12.10のアルカリ性
現像剤で30秒間現像する。露光領域は完全に洗除される
が、非露光領域の材料ロスは２％以下に止まる。
ｍ厚さの層を形成する。80℃に５分間加熱し、テストマ
スクを介して波長248nmのエキシマレーザー光で３秒間
露光する。90℃に60秒間加熱し、pH12.10のアルカリ性
現像剤で30秒間現像する。露光領域は完全に洗除される
が、非露光領域の材料ロスは２％以下に止まる。
実施例４ 実施例３と同様にして、ただしポリマー結合剤として
88モル％のｐ−ヒドロキシスチレンと12モル％のｐ−
（ｔ−アミルオキシカルボニルオキシ）−スチレンから
成る共重合体（ｗ（光散乱）45000g/モル）を使用す
る。非露光領域の洗除は約７％に止まり、良好な品質の
レジストパターンが得られる。
88モル％のｐ−ヒドロキシスチレンと12モル％のｐ−
（ｔ−アミルオキシカルボニルオキシ）−スチレンから
成る共重合体（ｗ（光散乱）45000g/モル）を使用す
る。非露光領域の洗除は約７％に止まり、良好な品質の
レジストパターンが得られる。
Claims (6)
- 【請求項１】（ａ）水に不溶性、アルカリ水溶液に可溶
性のポリマー結合剤と、（ｂ）水性アルカリ現像剤に対
する溶解性が酸の作用により高められ、かつ少なくとも
１個の、酸により分裂され得る基ならびに放射線の作用
下に強酸を形成するさらに他の基を有する有機化合物と
を含有する感放射線混合物であって、上記ポリマー結合
剤（ａ）が、５乃至40モル％の、 を有するモノマー単位を重合乃至縮合させて含有し、或
は重合類似反応により （式中Ｒは５乃至９個の炭素原子を含有する）を導入し
て含有することを特徴とする混合物。 - 【請求項２】請求項（１）による感放射線混合物であっ
て、ポリマー結合剤（ａ）としてポリ−（ｐ−ヒドロキ
シスチレン）、ポリ−（ｐ−ヒドロキシ−α−メチルス
チレン）或はｐ−ヒドロキシスチレンとｐ−ヒドロキシ
−α−メチルスチレンの共重合体が使用され、上記ｐ−
ヒドロキシ−α−メチルスチレン単位の５乃至40モル％
がフェノール性ヒドロキシル基の代わりにC5乃至C9のア
ルキル−或はアルケニル−オキシカルボニルオキシ基を
有することを特徴とする混合物。 - 【請求項３】請求項（１）による感放射線混合物であっ
て、ポリマー結合剤（ａ）としてｐ−クレゾール及びホ
ルムアルデヒドを主体とするノボラックが使用され、縮
合されるｐ−クレゾール単位の５乃至40モル％が式 （式中Ｒはそれぞれ５乃至９個の炭素原子を有するアル
キル、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル或はシ
クロアルケニルの何れかの基を意味する）の基により代
替されることを特徴とする混合物。 - 【請求項４】上記請求項の何れか１項による感放射線混
合物において、上記有機化合物（ｂ）が一般式（Ｉ） （式中R1、R2及びR3は互いに同じであるか或は異なるも
のであって、それぞれ場合によりヘテロ原子を含有する
脂肪族及び／或は芳香族基を意味するか、或はR1乃至R3
の２個の相結合して環を形成するが、R1乃至R3の少なく
とも１個は酸により分裂可能の基を少なくとも１個含有
し、R1乃至R3の１個は１個或は複数個のさらに他のスル
ホニウム塩の基と、場合により酸により分裂可能の基を
介して結合されることができ、Ｘ は非求核性反対イオ
ンを意味する）で表されるスルホニウム塩であることを
特徴とする混合物。 - 【請求項５】上記請求項の何れか１項による感放射線混
合物を感光性層形成材料として使用することを特徴とす
る、レリーフパターン及びレリーフ画像の作成方法。 - 【請求項６】請求項（５）によるレリーフパターンの作
成方法であって、感放射線混合物の露光後、60乃至120
℃の温度に加熱することを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3817011.6 | 1988-05-19 | ||
| DE3817011A DE3817011A1 (de) | 1988-05-19 | 1988-05-19 | Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0218565A JPH0218565A (ja) | 1990-01-22 |
| JP2664475B2 true JP2664475B2 (ja) | 1997-10-15 |
Family
ID=6354664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1115255A Expired - Lifetime JP2664475B2 (ja) | 1988-05-19 | 1989-05-10 | 感放射線混合物及びレリーフパターンの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5075199A (ja) |
| EP (1) | EP0342496B1 (ja) |
| JP (1) | JP2664475B2 (ja) |
| CA (1) | CA1338177C (ja) |
| DE (2) | DE3817011A1 (ja) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0366590B2 (en) * | 1988-10-28 | 2001-03-21 | International Business Machines Corporation | Highly sensitive positive photoresist compositions |
| US5453341A (en) * | 1989-04-29 | 1995-09-26 | Schwalm; Reinhold | Radiation-sensitive polymers and positive-working recording materials |
| DE69029104T2 (de) * | 1989-07-12 | 1997-03-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | Polysiloxane und positiv arbeitende Resistmasse |
| DE3935451A1 (de) * | 1989-10-25 | 1991-05-02 | Basf Ag | Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern |
| JP2621533B2 (ja) * | 1990-01-30 | 1997-06-18 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
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