JP3147268B2 - 改良型フォトレジスト組成物 - Google Patents

改良型フォトレジスト組成物

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路の製造に使用
される改良されたリソグラフィ用フォトレジストに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】当業界では、リソグラフィ技術を使用し
て製造する超小型電子装置の回路密度を増大することが
望まれている。チップ１個当たりの部品数を増加させる
方法の１つは、チップ上の最小フィーチャ寸法を減少さ
せることであるが、これにはリソグラフィの解像度を高
める必要がある。現在使用されている中紫外スペクトル
範囲（たとえば３５０ｎｍないし４５０ｎｍ）より短い
波長の放射線（たとえば１９０ないし３１５ｎｍの深紫
外線）を使用すると、解像度が高くなる可能性がある。
しかし、深紫外線を使用すると、同じエネルギー・ドー
ズ量で移動する光子が少なくなり、同一の光化学応答を
得るために、露光線量（ドーズ量）を高める必要があ
る。さらに、現在のリソグラフィ装置は、深紫外スペク
トル領域では出力が大幅に減衰する。
【０００３】感度を改善するため、いくつかの酸触媒に
よる化学的に増強（増感）されたレジスト組成物が開発
されている。その例は、米国特許内４４９１６２８号明
細書、およびナラマス（Nalamasu）他、"An Overview o
f Resist Processing for Deep-UV Lithography”、J.
Photopolym. Sci. Technol.、４、２９９、（１９９１
年）に開示されている。これらのレジスト組成物は、一
般に感光性の酸発生体と、酸に対して感受性を有する重
合体とを含む。この重合体は、重合体の主鎖に結合し、
プロトンに向かって反応する、酸に対して感受性を有す
る側鎖（ペンダント）基を有する。光酸発生体は、像に
従って放射線で露光すると、プロトンを発生する。レジ
スト皮膜を加熱すると、プロトンが、重合体の主鎖から
のペンダント基の触媒的開裂を引き起こす。プロトンは
開裂反応では消費されず、次の開裂反応の触媒となり、
これによりレジストの光化学応答を化学的に増感する。
開裂した重合体は、アルコールや塩基水溶液などの極性
現像剤に可溶であるが、未露光の重合体はアニソールな
どの非極性有機溶剤に可溶である。このようにして、レ
ジストは、現像液溶剤の選択により、マスクのポジティ
ブまたはネガティブの像を形成する。
【０００４】化学的に増感されたレジスト組成物は一般
に適当なリソグラフィ感度を有するが、ある種の用途で
は、（i）熱分解および塑性流動に対する熱安定性を増
大し、（ii）空気中の化学汚染物質の存在下での安定性
を増大することにより、その性能を改善することができ
る。たとえば、ある半導体製造工程では、現像後の温度
（たとえばエッチング、イオン注入など）が、２００℃
に達する。米国特許第４９３９０７０号および第４９３
１３７９号明細書には、現像後の段階での熱安定性が増
大した、化学的に増感された酸に対して感受性を有する
レジスト組成物が開示されている。上記特許のレジスト
組成物は、酸に対して感受性を有する側鎖基の開裂後に
水素結合を生成して、重合体の熱安定性を増大させる。
上記特許では、水素結合が、酸に対して感受性を有する
側鎖を、容認できないほど熱的に不安定にすることが知
られているため、開裂反応前に水素結合が生じるのを避
けている。上記特許のレジストは適当な熱安定性を有す
るが、感度が低く、したがってある種の用途には適当で
はない。
【０００５】化学汚染に関して、マクドナルド（MacDon
ald）他、ＳＰＩＥ １４６６ ２、１９９１年は、作
像機構の触媒的性質により、化学的に増感されたレジス
ト・システムが、塩基性有機物質など、空気中の微量の
汚染物質に対して感受性を有することを報告している。
これらの物質は、皮膜中の現像された像を劣化させるた
め、現像された像の線幅が制御できなくなる。基板に皮
膜を付着させてから像を現像するまでの時間が長くかつ
変動の大きい製造工程では、この問題はさらに深刻にな
る。レジストをこのような空気中の汚染物質から保護す
るためには、コーティングした皮膜の周囲の空気を注意
深く濾過して、このような物質を除去する。代替方法と
しては、レジスト皮膜を保護重合体層でオーバーコート
する。しかし、これらは面倒な工程である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】したがって、当技術分
野ではなお、半導体製造に使用するための、熱安定性が
高く、空気中に化学汚染物質が存在しても安定な、酸に
対して感受性を有する化学的に増感されたフォトレジス
ト組成物が必要である。
【０００７】本発明の目的は、酸に対して感受性を有す
る化学的に増感されたフォトレジスト組成物を提供する
ことにある。
【０００８】本発明は、（i）感光性酸発生体と、（i
i）（ａ）ヒドロキシスチレン単位と、（ｂ）アクリレ
ート単位、メタクリレート単位、またはそれらを混合し
て含む重合体と、を含む、フォトレジスト組成物に関す
るものである。好ましい重合体は４−ヒドロキシスチレ
ンとメタクリレートの共重合体、４−ヒドロキシスチレ
ンとアクリレートの共重合体である。これらは、アセト
キシスチレンとメタクリレートまたはアクリレートとを
共重合し、非水性溶剤中で塩基により脱アシル化するこ
とにより得られる。好ましい酸発生体は、Ｎ−カンフォ
ルスルホニルオキシナフタルイミド、Ｎ−ペンタフルオ
ロフェニルスルホニルオキシナフタルイミドである。本
発明の好ましい感光性レジスト組成物は、Ｎ−カンフォ
ルスルホニルオキシナフタルイミドと、４−ヒドロキシ
スチレンとｔ−ブチルアクリレートとの共重合体と、を
含む。本発明のレジストは、高いリソグラフィ感度と、
高い熱安定性を有する。本発明のレジストはまた、空気
中に化学汚染物質が存在しても、驚異的な安定性を示
す。本発明はまた、レジスト組成物中の重合体の製法に
も関する。本発明のフォトレジスト組成物は、集積回路
チップを製造するための半導体製造に有用である。
【０００９】
【実施例】本発明は、（i）感光性酸発生体と、（ii）
重合体であって、（ア）ヒドロキシスチレンと、（イ）
アクリレート、メタクリレート、またはアクリレートと
メタクリレートの混合物との反応生成物を含む上記重合
体と、を含む、化学的に増感された感光性レジスト組成
物に関するものである。
【００１０】重合体中のヒドロキシスチレン単量体また
はオリゴマー成分は、レジスト組成物中の重合体に塩基
溶解性を与える。ヒドロキシスチレンは、パラまたはメ
タ異性体が適当であり（パラが好ましい）、ハロゲン、
メトキシ、低級アルキル（たとえばメチルまたはエチ
ル）など、重合体のリソグラフィ特性を損なわないもの
であれば、様々な置換基で置換することができる。α−
メチルヒドロキシスチレンも、本発明の重合体に使用で
きる。
【００１１】重合体中のアクリレートまたはメタクリレ
ートの単量体またはオリゴマー成分は、重合体に酸に対
する感受性を与える。アクリレートまたはメタクリレー
トのエステル基は、酸に不安定であり、重合体がアルカ
リ性現像液または極性溶剤に溶解するのを阻止する。像
に従って放射線で露光すると、光で発生した酸がエステ
ル基を開裂させ、それが溶解を阻止するエステルから塩
基に可溶性の有機酸官能基に変換され、それによって組
成物の現像が可能になる。アクリレートまたはメタクリ
レートは、各種のアルキルまたはアリールエステルで置
換したものでもよい。適当なエステル置換基は、ｔ−ブ
チル基およびα−メチルベンジル基である。
【００１２】本発明で使用される共重合体は、ランダム
共重合体を生成する標準のラジカル共重合により調製す
ることができる。たとえば、メタクリル酸ｔ−ブチル
を、（i）ｐ−ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン
（ヒドロキシスチレンの前駆単量体）と共重合させた
後、ｔ−ブトキシカルボニル基の熱開裂または温和な酸
分解によってｐ−ヒドロキシスチレンとメタクリル酸ｔ
−ブチルの共重合体を形成するか、または（ii）ｐ−ｔ
−ブチル（ジメチル）シリルオキシスチレンと共重合さ
せた後、フッ化物で脱シリル化することができる。別法
として、また好ましくは、アセトキシスチレンをアクリ
レートまたはメタクリレートと共重合させる。一般に、
アセトキシスチレンを窒素中で約５０ないし１００℃の
高い温度で、トルエンやＴＨＦなどの適当な溶剤に溶か
したエステル単量体および少量の過酸化ベンゾイルなど
のフリー・ラジカル触媒と混合する。生成した重合体、
すなわちアセトキシスチレンとアクリレートの共重合体
を、アルコール（メタノールまたはプロパノール）など
の非水性溶剤中で、温和な塩基（たとえばジメチルアミ
ノピリジン、水酸化アンモニウム、炭酸アンモニウム、
または重炭酸アンモニウム）で脱アシル化して、ヒドロ
キシスチレンとアクリレートの共重合体を形成する。ま
た別法として、ヒドロキシスチレンとアクリレートまた
はメタクリレートとの共重合体はブロック共重合体でも
よい。
【００１３】共重合体は、所期の溶解速度または感度に
応じて、５０ないし９０モル％の範囲のヒドロスチレン
単位を含有することが好ましい。重合体は、数平均分子
量（ポリスチレンを標準）が７０００ないし５０，００
０のものが適当である。この共重合体は、約１４０ない
し１７０℃の高いガラス転移温度を有する。この共重合
体はまた、酸に対する感受性が高い。共重合体の酸に不
安定なエステル基は、フェノール性水酸基の存在下で、
約１８０℃の温度まで驚異的に熱安定性が高い。これに
より、組成物の皮膜の露光前の加熱が可能になり、リソ
グラフィ性能がかなり改良される。
【００１４】本発明の組成物には、各種の感光性酸発生
体が使用できる。一般に、適当な酸発生体は熱安定性が
高い（たとえば１６０℃を超える温度まで）ので、露光
前の加工中に劣化することはない。本発明で使用する適
当な酸発生体には、ヘキサフルオロアンチモン酸トリア
リールスルホニウム、ジアリールヨードニウム金属ハラ
イド、およびピロガロールのトリススルホネート、Ｎ−
スルホニルオキシナフタルイミド類などある種の非イオ
ン性酸発生体がある。好ましいものは、トリフェニルス
ルホニウムトリフレート、およびＮ−カンフォルスルホ
ニルオキシナフタルイミドやＮ−ペンタフルオロフェニ
ルスルホニルオキシナフタルイミドなどのＮ−スルホニ
ルオキシナフタルイミド酸発生体である。
【００１５】本発明の組成物は、標準のリソグラフィ作
像工程で容易に使用できる。一般に、このような工程の
第１段階では、適当な溶剤に溶解した重合体と感光性酸
発生体とを含む皮膜で基板をコーティングする。適当な
基板には、シリコン、セラミック、重合体などがある。
適当な注型用有機溶剤には、エチルセロソルブアセテー
ト、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテートなどがある。皮膜は一般に、有機
溶剤に溶解した重合体約８０ないし９９．５重量％と、
酸発生体約０．５ないし２０重量％を含む。任意選択に
より、皮膜は、皮膜の溶解速度、耐エッチング性、光学
濃度、放射線感受性、接着力などを調整するため、重合
体や小分子（たとえばポリヒドロキシスチレン）などの
添加剤を含有してもよい。この皮膜は、スピン・コーテ
ィング、スプレイ・コーティング、ドクター・ブレーデ
ィング、電着など、周知の技術を使用して基板にコーテ
ィングすることができる。
【００１６】一般に、皮膜を露光する前に、皮膜を低温
で加熱して溶剤を除去する。しかし、重合体の本発明の
皮膜は、酸に不安定なエステル基の熱安定性を含めて、
重合体が独特な熱安定性を有するため、露光前の加熱工
程で高温に加熱することができる。好ましくは、皮膜を
重合体のガラス転移温度より少なくとも約２０℃低い温
度に加熱する。さらに好ましくは、皮膜を重合体のガラ
ス転移温度（Ｔｇ）またはこれより高く、酸に不安定な
エステルの熱開裂温度より低い温度に、少なくとも約１
０ないし１５秒（好ましくは最低３０秒）の短時間、ま
たは約１５分間加熱する。この高温の露光前加熱工程
は、皮膜中の像の現像前の長時間で変動する露光前時間
および露光後時間中、皮膜および皮膜中に形成された未
現像の像を、空気中の化学汚染物質による劣化から驚異
的に保護する働きをする。
【００１７】重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）は、差動
走査熱量計やダイナミック機械分析などの周知の方法で
測定することができる。重合体の酸に不安定な基の熱開
裂温度は、材料を一定の速度で加熱し、重量損失を記録
する熱重量分析により測定することができる。赤外分光
分析では、いくつかのサンプルを加熱し、サンプルの赤
外スペクトルを分析して、酸に不安定な基の熱開裂の程
度を決定する。溶解分析は、いくつかの皮膜を様々な温
度に加熱し、現像後の皮膜の厚みの減少を求める。
【００１８】一般に、露光前ベーキングの後、皮膜を像
に従って電子線または電磁放射線、好ましくは紫外線や
Ｘ線などの電磁放射線、好ましくは波長が１９０ないし
３１５ｎｍの深紫外線、最も好ましくは、２４８ｎｍの
深紫外線で露光する。適当な放射線源には、水銀、水銀
・キセノン、エキシマ・レーザ、キセノン・ランプ、電
子線、またはＸ線がある。一般に、露光線量は１００ミ
リジュール／ｃｍ2未満、好ましくは５０ミリジュール
／ｃｍ2未満である。一般に、皮膜の露光は常温で行
う。皮膜の露光領域で、感光性酸発生体が遊離酸を生成
する。放射線量が非常に低いため、放射線によって生じ
るエステル基の開裂と、放射線によって生じる重合体の
主鎖の切断分解は無視できる程度である。この遊離酸
が、露光領域の重合体のエステル基の酸触媒による開裂
を引き起こす。エステル基の開裂により、重合体の溶解
速度が変化し、皮膜の露光領域と非露光領域の溶解度の
差により、皮膜中の像の水溶性塩基による現像が可能に
なる。
【００１９】皮膜を放射線で露光した後、高温、好まし
くは約１１０℃ないし１６０℃、さらに好ましくは約１
３０℃ないし約１６０℃に、約３０ないし３００秒間再
び加熱する。この高温は、一部はエステルの側鎖基の酸
触媒による開裂を促進させる。しかし、この高温の露光
後ベーキングにより、本発明のフォトレジスト組成物中
の現像した像のコントラストおよび解像度も驚異的に大
きく改善される。
【００２０】本発明の工程の最終段階は、皮膜中の像の
現像である。適当な現像技術は、当業者には周知のもの
である。好ましくは、像は溶剤で現像し、環境保護のた
めに好ましくは水性塩基溶剤、好ましくは水酸化テトラ
アルキルアンモニウムなどの金属イオンを含有しない溶
剤で現像する。皮膜中の像は解像度が高く、側壁が垂直
で、空気中の化学汚染物質による欠陥がない。さらに、
この皮膜は後の処理で熱安定性を有するように、Ｔｇが
高い。また、皮膜は、後のデバイス製造に備えて、乾式
エッチングに対する抵抗力が高い。
【００２１】下記の例で、本発明の製法および工程の使
用を詳細に説明する。この詳細な製法は、上記で一般的
に記述した方法の範囲内に含まれ、その例を示すための
ものである。これらの例は、例示のためのものにすぎ
ず、本発明の範囲を限定するものではない。
【００２２】例１ ４−アセトキシスチレンとｔ−ブチ
ルメタクリレートの共重合体（８０：２０）の合成 ４−アセトキシスチレン２５．９０ｇ（０．１６モ
ル）、ｔ−ブチルメタクリレート５．７０ｇ（０．０４
モル）、および乾燥ＴＨＦ３２ｇを、磁気撹拌棒と還流
冷却器の付いた丸底フラスコに入れた。過酸化ベンゾイ
ル１．２５ｇをこの混合物に添加し、フラスコを排気
し、ファイヤストーン弁を使って４倍量の窒素でパージ
した。窒素中で内容物を撹拌しながら６５℃（オイル・
バス）で５４時間加熱した。その後、粘性の混合物を室
温まで冷却し、ＴＨＦ１５０ｍｌで希釈し、撹拌しなが
ら脱イオン水２リットル中に滴下した。沈殿した重合体
を濾過（フリット）し、６０℃で真空乾燥した。収量は
３０．６８ｇであった。
【００２３】例２ ４−ヒドロキシスチレンとｔ−ブチ
ルメタクリレートの共重合体（８０：２０）の合成 ４−アセトキシスチレンとｔ−ブチルメタクリレートの
共重合体２０ｇと、メタノール２００ｍｌを、磁気撹拌
棒、還流冷却器、および窒素導入口の付いた丸底フラス
コに入れた。４−ジメチルアミノピリジン２ｇ（０．０
１６モル）をこの懸濁液に添加し、内容物を撹拌しなが
ら加熱して、１７時間還流させた。反応生成物（ＮａＣ
ｌプレート上の薄膜）の赤外スペクトルは、この時点ま
でに反応が完了したことを示していた。内容物を室温ま
で冷却し、氷酢酸２．１６ｇ（０．０３６モル）をメタ
ノール５ｍｌに溶解した溶液を加え、３０分間撹拌し
た。その後、溶液を脱イオン水２リットル中に滴下し、
重合体を濾過し、真空乾燥した。この重合体をアセトン
１５０ｍｌに再び溶解し、脱イオン水１．５リットルか
ら再結晶した。重合体を濾過し、６０℃で真空乾燥し
た。収量は１３．１１ｇであった。
【００２４】例３ リソグラフィ特性 ３５モル％のｔ−ブチルメタクリレート単位を含有す
る、重量平均分子量が３６，１００の、メタクリレート
とｐ−ヒドロキシスチレンの共重合体を、４．７５重量
％のヘキサフルオロアンチモン酸トリフェニルスルホニ
ウムとともに、プロピレングリコールモノメチルエーテ
ルアセテートに溶解した。皮膜を１８０℃で２分間露光
前ベーキングし、キャノン・エキシマ２４８ｎｍストッ
パ・レーザで露光し、１３０℃で１分間露光後ベーキン
グを行い、ＭＦ３１９で６０秒間現像した。図１に、Ｔ
字形頂部構造のない真っ直ぐな側壁を有するポジティブ
像を示す皮膜の走査電子顕微鏡写真をスケッチした図を
示す。
【００２５】例４ リソグラフィ性能 ｐ−ヒドロスチレンとｔ−ブチルアクリレートの共重合
体（組成６５：３５、重量平均分子量３４，６００）
を、２．５重量％のＮ−カンフォルスルホニルオキシナ
フタルイミドをプロピレングリコールモノメチルエーテ
ルアセテートに溶解した溶液と混合した。皮膜をスピン
・コーティングし、１５０℃で２分間露光前ベーキング
を行い、開口数０．４２のＧＣＡ ＫｒＦエキシマ・レ
ーザ・ステッパで露光し、２時間放置した後、１５０℃
で２分間露光後ベーキングを行い、ＭＦ３２１で６０秒
間現像した。図２に、皮膜の走査電子顕微鏡写真をスケ
ッチした図を示す。この写真は、空気中の化学汚染物質
に露出したことによる線幅のシフトや像の劣化のない、
０．３５μｍの線とスペースのアレイを有するポジティ
ブ像を示す。
【００２６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば改良
された酸に対して感受性を有する化学的に増感されたフ
ォトレジスト組成物が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】現像後の本発明のレジストの走査顕微鏡写真を
スケッチした図である。
【図２】現像後の本発明のレジストの走査顕微鏡写真を
スケッチした図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 グレゴリー・ブレイタ アメリカ合衆国95141、カリフォルニア 州サンノゼ、マッキーン・ロード 23900 (72)発明者 クリストファー・ジョン・ノアズ アメリカ合衆国08800、ニュージャージ ー州バウンド・ブルック、ウェスト・メ ドウ・ドライブ 934 (72)発明者 伊藤 洋 アメリカ合衆国95120、カリフォルニア 州サンノゼ、エコー・リッジ・ドライブ 7149 (72)発明者 ラトナム・スーリヤクマラン アメリカ合衆国12524、ニューヨーク州 イースト・フィッシュキル、ラウドン・ ドライブ 15 ３ディー (56)参考文献 特開 平３−206458（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−260947（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−229242（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−196651（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−45439（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−62544（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−215661（ＪＰ，Ａ)

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】i．１６０℃を越える温度まで熱安定な感
    光性酸発生体、並びに ii．（ａ）ヒドロキシスチレン化合物由来の単位、及び （ｂ）溶解を阻止するような酸不安定エステル基を有す
    る、アクリレート及びメタクリレートからなる群から選
    択された化合物由来の単位を含む重合体を含む感光性レ
    ジスト組成物。
  2. 【請求項２】上記重合体は、共重合体であり、上記ヒド
    ロキシスチレン化合物由来の単位を５０〜９０モル％の
    範囲含むことを特徴とする請求項１記載の組成物
  3. 【請求項３】上記重合体が、４−ヒドロキシスチレン
    と、アクリレートまたはメタクリレート化合物との共重
    合体であることを特徴とする、請求項１に記載の組成
    物。
  4. 【請求項４】上記酸発生体が、Ｎ−カンフォルスルホニ
    ルオキシナフタルイミド、及びＮ−ペンタフルオロフェ
    ニルスルホニルオキシナフタルイミドからなる群から選
    択されることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれ
    か１つに記載の組成物。
  5. 【請求項５】（１）基板上に、 i．１６０℃を越える温度まで熱安定な感光性酸発生
    体、並びに ii．（ａ）ヒドロキシスチレン化合物由来の単位、及び （ｂ）溶解を阻止するような酸不安定エステル基を有す
    る、アクリレート及びメタクリレートからなる群から選
    択された化合物由来の単位を含む重合体を含む組成物の
    皮膜を形成するステップと、 （２）上記皮膜を露光前加熱して、上記皮膜に、空気中
    の化学汚染物質に対する耐性を持たせるステップと、 （３）上記皮膜を像に従って露光するステップと、 （４）上記皮膜を露光後加熱するステップと、 （５）上記皮膜中の像を現像するステップとを含む像形
    成方法。
  6. 【請求項６】上記露光前加熱ステップは、少なくとも上
    記重合体のガラス転移温度より２０℃低い温度より高
    く、かつ上記酸発生体の熱開裂温度より低い温度で加熱
    することを特徴とする、請求項５に記載の方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101764065B1 (ko) * 2016-08-23 2017-08-02 대신엠씨 주식회사 유수분리장치
KR102193640B1 (ko) * 2019-01-03 2020-12-21 방재영 오수 처리 장치

Families Citing this family (148)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0537524A1 (en) * 1991-10-17 1993-04-21 Shipley Company Inc. Radiation sensitive compositions and methods
KR960015081A (ko) * 1993-07-15 1996-05-22 마쯔모또 에이이찌 화학증폭형 레지스트 조성물
US5593812A (en) * 1995-02-17 1997-01-14 International Business Machines Corporation Photoresist having increased sensitivity and use thereof
US5547812A (en) * 1995-06-05 1996-08-20 International Business Machines Corporation Composition for eliminating microbridging in chemically amplified photoresists comprising a polymer blend of a poly(hydroxystyrene) and a copolymer made of hydroxystyrene and an acrylic monomer
US5609989A (en) * 1995-06-06 1997-03-11 International Business Machines, Corporation Acid scavengers for use in chemically amplified photoresists
US6165673A (en) * 1995-12-01 2000-12-26 International Business Machines Corporation Resist composition with radiation sensitive acid generator
US5585220A (en) * 1995-12-01 1996-12-17 International Business Machines Corporation Resist composition with radiation sensitive acid generator
JPH09166871A (ja) * 1995-12-15 1997-06-24 Sumitomo Chem Co Ltd フォトレジスト組成物
WO1997027515A1 (fr) 1996-01-26 1997-07-31 Nippon Zeon Co., Ltd. Composition de resist
US5861231A (en) * 1996-06-11 1999-01-19 Shipley Company, L.L.C. Copolymers and photoresist compositions comprising copolymer resin binder component
US5876899A (en) * 1996-09-18 1999-03-02 Shipley Company, L.L.C. Photoresist compositions
US5962184A (en) * 1996-12-13 1999-10-05 International Business Machines Corporation Photoresist composition comprising a copolymer of a hydroxystyrene and a (meth)acrylate substituted with an alicyclic ester substituent
US6319648B1 (en) 1997-07-15 2001-11-20 E. I. Du Pont De Nemours And Company Dissolution inhibition resists for microlithography
US5958654A (en) * 1997-08-25 1999-09-28 Lucent Technologies Inc. Lithographic process and energy-sensitive material for use therein
US7482107B2 (en) * 1997-08-28 2009-01-27 Shipley Company, L.L.C. Photoresist composition
US7026093B2 (en) * 1997-08-28 2006-04-11 Shipley Company, L.L.C. Photoresist compositions
US6057083A (en) * 1997-11-04 2000-05-02 Shipley Company, L.L.C. Polymers and photoresist compositions
JP3731328B2 (ja) * 1997-12-03 2006-01-05 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性樹脂組成物
US6107425A (en) * 1998-02-06 2000-08-22 Shipley Company, L.L.C. Narrow molecular weight distribution polymers and use of same as resin binders for negative-acting photoresists
ID26627A (id) 1998-02-23 2001-01-25 B F Goodrich Company Cs Komposisi-komposisi penahan polisiklik dengan tahanan etsa yang ditingkatkan
US6074800A (en) * 1998-04-23 2000-06-13 International Business Machines Corporation Photo acid generator compounds, photo resists, and method for improving bias
WO1999057163A1 (en) * 1998-05-05 1999-11-11 Triquest, Lp Preparation of co- and terpolymers of p-hydroxystyrene and alkyl acrylates
US6759483B2 (en) 1998-05-05 2004-07-06 Chemfirst Electronic Materials L.P. Preparation of homo-, co- and terpolymers of substituted styrenes
US6093517A (en) * 1998-07-31 2000-07-25 International Business Machines Corporation Calixarenes for use as dissolution inhibitors in lithographic photoresist compositions
US6221680B1 (en) 1998-07-31 2001-04-24 International Business Machines Corporation Patterned recess formation using acid diffusion
US6136501A (en) * 1998-08-28 2000-10-24 Shipley Company, L.L.C. Polymers and photoresist compositions comprising same
JP3120402B2 (ja) 1998-09-03 2000-12-25 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ−ション 不活性化芳香族アミン化合物を含むフォトレジスト組成物
US6884562B1 (en) * 1998-10-27 2005-04-26 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photoresists and processes for microlithography
US6114085A (en) * 1998-11-18 2000-09-05 Clariant Finance (Bvi) Limited Antireflective composition for a deep ultraviolet photoresist
US6090722A (en) * 1999-01-06 2000-07-18 International Business Machines Corporation Process for fabricating a semiconductor structure having a self-aligned spacer
US6770413B1 (en) 1999-01-12 2004-08-03 Shipley Company, L.L.C. Hydroxyphenyl copolymers and photoresists comprising same
JP3739227B2 (ja) 1999-03-04 2006-01-25 信越化学工業株式会社 フォトレジスト材料およびパターン形成方法
US6492092B1 (en) 1999-03-12 2002-12-10 Arch Specialty Chemicals, Inc. Hydroxy-epoxide thermally cured undercoat for 193 NM lithography
US6054248A (en) * 1999-03-12 2000-04-25 Arch Specialty Chemicals, Inc. Hydroxy-diisocyanate thermally cured undercoat for 193 nm lithography
JP3771739B2 (ja) * 1999-03-18 2006-04-26 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物
SG78412A1 (en) 1999-03-31 2001-02-20 Ciba Sc Holding Ag Oxime derivatives and the use thereof as latent acids
US6365321B1 (en) 1999-04-13 2002-04-02 International Business Machines Corporation Blends of hydroxystyrene polymers for use in chemically amplified positive resist formulations
US6969569B2 (en) * 1999-04-16 2005-11-29 Applied Materials, Inc. Method of extending the stability of a photoresist during direct writing of an image
US6727047B2 (en) 1999-04-16 2004-04-27 Applied Materials, Inc. Method of extending the stability of a photoresist during direct writing of an image upon the photoresist
TW550438B (en) * 1999-04-26 2003-09-01 Jsr Corp Radiation-sensitive resin composition
US6376149B2 (en) 1999-05-26 2002-04-23 Yale University Methods and compositions for imaging acids in chemically amplified photoresists using pH-dependent fluorophores
US6338931B1 (en) 1999-08-16 2002-01-15 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist compositions and patterning process
KR100538501B1 (ko) 1999-08-16 2005-12-23 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 신규한 오늄염, 레지스트 재료용 광산발생제, 레지스트재료 및 패턴 형성 방법
US6107177A (en) * 1999-08-25 2000-08-22 Siemens Aktienesellschaft Silylation method for reducing critical dimension loss and resist loss
KR100308423B1 (ko) 1999-09-07 2001-09-26 주식회사 동진쎄미켐 화학 증폭 레지스트용 폴리머 및 이를 이용한 레지스트 조성물
US6395446B1 (en) 1999-10-06 2002-05-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist compositions and patterning process
US6416928B1 (en) 1999-10-06 2002-07-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Onium salts, photoacid generators, resist compositions, and patterning process
TWI225184B (en) 2000-01-17 2004-12-11 Shinetsu Chemical Co Chemical amplification type resist composition
AU2001253582B2 (en) 2000-04-17 2006-02-02 Yale University Method for measuring diffusion of photogenerated catalyst in chemically amplified resists
JP3802732B2 (ja) * 2000-05-12 2006-07-26 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
FR2809829B1 (fr) * 2000-06-05 2002-07-26 Rhodia Chimie Sa Nouvelle composition photosensible pour la fabrication de photoresist
US6593431B2 (en) 2000-06-27 2003-07-15 Chemfirst Electronic Materials Lp Purification means
US6787611B2 (en) * 2000-06-27 2004-09-07 Chemfirst Electronic Materials L.P. Purification means
JP4694686B2 (ja) * 2000-08-31 2011-06-08 東京応化工業株式会社 半導体素子製造方法
JP4288445B2 (ja) 2000-10-23 2009-07-01 信越化学工業株式会社 新規オニウム塩及びレジスト材料用光酸発生剤並びにレジスト材料及びパターン形成方法
JP4288446B2 (ja) 2000-10-23 2009-07-01 信越化学工業株式会社 新規オニウム塩及びレジスト材料用光酸発生剤並びにレジスト材料及びパターン形成方法
US6641678B2 (en) 2001-02-15 2003-11-04 Micell Technologies, Inc. Methods for cleaning microelectronic structures with aqueous carbon dioxide systems
US6613157B2 (en) 2001-02-15 2003-09-02 Micell Technologies, Inc. Methods for removing particles from microelectronic structures
US6602351B2 (en) 2001-02-15 2003-08-05 Micell Technologies, Inc. Methods for the control of contaminants following carbon dioxide cleaning of microelectronic structures
US6905555B2 (en) 2001-02-15 2005-06-14 Micell Technologies, Inc. Methods for transferring supercritical fluids in microelectronic and other industrial processes
US6596093B2 (en) 2001-02-15 2003-07-22 Micell Technologies, Inc. Methods for cleaning microelectronic structures with cyclical phase modulation
US6562146B1 (en) 2001-02-15 2003-05-13 Micell Technologies, Inc. Processes for cleaning and drying microelectronic structures using liquid or supercritical carbon dioxide
US6610456B2 (en) * 2001-02-26 2003-08-26 International Business Machines Corporation Fluorine-containing styrene acrylate copolymers and use thereof in lithographic photoresist compositions
KR100419962B1 (ko) * 2001-03-07 2004-03-03 주식회사 하이닉스반도체 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법
US6509136B1 (en) 2001-06-27 2003-01-21 International Business Machines Corporation Process of drying a cast polymeric film disposed on a workpiece
KR100816342B1 (ko) * 2001-10-19 2008-03-24 삼성전자주식회사 고내열성 포토레지스트 조성물
KR100465866B1 (ko) * 2001-10-26 2005-01-13 주식회사 하이닉스반도체 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법
WO2003045915A1 (fr) 2001-11-30 2003-06-05 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Compose de bisimide, generateur d'acide et composition de reserve contenant ledit compose, procede de formation de motif au moyen de ladite composition
US20030190818A1 (en) * 2002-04-03 2003-10-09 Ruben Carbonell Enhanced processing of performance films using high-diffusivity penetrants
US6864324B2 (en) 2002-04-19 2005-03-08 Chem First Electronic Materials L.P. Anhydrous, liquid phase process for preparing hydroxyl containing polymers of enhanced purity
US7029821B2 (en) * 2003-02-11 2006-04-18 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoresist and organic antireflective coating compositions
JP3991222B2 (ja) 2003-02-13 2007-10-17 信越化学工業株式会社 新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
JP3991223B2 (ja) 2003-02-13 2007-10-17 信越化学工業株式会社 新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
US20040242798A1 (en) * 2003-05-08 2004-12-02 Sounik James R. Photoresist compositions and processes for preparing the same
US7834113B2 (en) * 2003-05-08 2010-11-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photoresist compositions and processes for preparing the same
US7560225B2 (en) * 2003-05-29 2009-07-14 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method of forming uniform features using photoresist
JP4284358B2 (ja) * 2004-04-30 2009-06-24 丸善石油化学株式会社 半導体リソグラフィー用共重合体とその製造方法、および組成物
TWI322334B (en) 2004-07-02 2010-03-21 Rohm & Haas Elect Mat Method for processing a photoresist composition in an immersion photolithography process and system and organic barrier composition used therein
JP4789599B2 (ja) 2004-12-06 2011-10-12 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． フォトレジスト組成物
KR20060068798A (ko) * 2004-12-17 2006-06-21 삼성전자주식회사 감광성 폴리머, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및이를 이용한 포토레지스트 패턴 형성 방법
US20080213699A1 (en) * 2004-12-17 2008-09-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Photoresist composition and method of forming a photoresist pattern using the photoresist composition
EP1691238A3 (en) 2005-02-05 2009-01-21 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Coating compositions for use with an overcoated photoresist
EP1762895B1 (en) 2005-08-29 2016-02-24 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Antireflective Hard Mask Compositions
EP1829942B1 (en) 2006-02-28 2012-09-26 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Coating compositions for use with an overcoated photoresist
TWI358613B (en) 2006-03-10 2012-02-21 Rohm & Haas Elect Mat Compositions and processes for photolithography
US9244355B2 (en) 2006-10-30 2016-01-26 Rohm And Haas Electronic Materials, Llc Compositions and processes for immersion lithography
TW200836002A (en) * 2006-12-19 2008-09-01 Cheil Ind Inc Photosensitive resin composition and organic insulating film produced using the same
TWI374478B (en) 2007-02-13 2012-10-11 Rohm & Haas Elect Mat Electronic device manufacture
US20080248331A1 (en) 2007-04-06 2008-10-09 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Coating composition
US7790350B2 (en) * 2007-07-30 2010-09-07 International Business Machines Corporation Method and materials for patterning a neutral surface
WO2009018217A2 (en) * 2007-07-30 2009-02-05 Brewer Science Inc. Non-covalently crosslinkable materials for photolithography processes
US8715918B2 (en) * 2007-09-25 2014-05-06 Az Electronic Materials Usa Corp. Thick film resists
TWI407262B (zh) 2007-11-05 2013-09-01 羅門哈斯電子材料有限公司 浸潤式微影組成物及製程
EP2071400A1 (en) 2007-11-12 2009-06-17 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Coating compositions for use with an overcoated photoresist
JP5115205B2 (ja) * 2008-01-15 2013-01-09 Ｊｎｃ株式会社 ポジ型感光性重合体組成物
JP4575479B2 (ja) 2008-07-11 2010-11-04 信越化学工業株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法
EP2189845B1 (en) 2008-11-19 2017-08-02 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Compositions and processes for photolithography
EP2189847A3 (en) 2008-11-19 2010-07-21 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Compositions comprising hetero-substituted carbocyclic aryl component and processes for photolithography
EP2189844A3 (en) 2008-11-19 2010-07-28 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Compositions comprising sulfonamide material and processes for photolithography
EP2189846B1 (en) 2008-11-19 2015-04-22 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Process for photolithography applying a photoresist composition comprising a block copolymer
EP2204392A1 (en) 2008-12-31 2010-07-07 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Compositions and processes for photolithography
EP2204694A1 (en) 2008-12-31 2010-07-07 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Compositions and processes for photolithography
EP2216684B1 (en) 2009-02-08 2015-10-07 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Method of forming a photoresist image comprising an undercoat layer
EP2216683B1 (en) 2009-02-08 2018-11-14 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Substrates coated with an antireflective composition and a photoresist
WO2010117102A1 (ko) 2009-04-09 2010-10-14 서강대학교 산학협력단 콜로이드 입자들을 단결정들로 정렬하는 방법
US9244352B2 (en) 2009-05-20 2016-01-26 Rohm And Haas Electronic Materials, Llc Coating compositions for use with an overcoated photoresist
US8501383B2 (en) 2009-05-20 2013-08-06 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Coating compositions for use with an overcoated photoresist
TWI468858B (zh) 2009-06-08 2015-01-11 羅門哈斯電子材料有限公司 光微影製程
US8883407B2 (en) 2009-06-12 2014-11-11 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Coating compositions suitable for use with an overcoated photoresist
TWI407252B (zh) 2009-06-22 2013-09-01 羅門哈斯電子材料有限公司 光酸產生劑及包含該光酸產生劑的光阻組成物
US9057951B2 (en) * 2009-08-26 2015-06-16 International Business Machines Corporation Chemically amplified photoresist composition and process for its use
EP2311888B1 (en) * 2009-10-13 2013-11-20 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Deprotection method of protected polymer
JP5809798B2 (ja) 2009-12-10 2015-11-11 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ コラート光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト
CN102225924B (zh) 2009-12-10 2015-04-01 罗门哈斯电子材料有限公司 光酸发生剂和包含该光酸发生剂的光致抗蚀剂
CN102180822B (zh) 2009-12-14 2014-08-13 罗门哈斯电子材料有限公司 磺酰光酸产生剂和包含该磺酰光酸产生剂的光刻胶
KR101846835B1 (ko) 2009-12-15 2018-04-09 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 포토레지스트 및 그 사용방법
JP5753681B2 (ja) 2009-12-15 2015-07-22 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ フォトレジストおよびその使用方法
TWI477911B (zh) 2009-12-15 2015-03-21 羅門哈斯電子材料有限公司 光阻劑及其使用方法
JP5854607B2 (ja) 2010-01-25 2016-02-09 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ 窒素含有化合物を含むフォトレジスト
CN102781911B (zh) 2010-02-24 2015-07-22 巴斯夫欧洲公司 潜酸及其用途
JP5969171B2 (ja) 2010-03-31 2016-08-17 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ 光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト
JP5782283B2 (ja) 2010-03-31 2015-09-24 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ 新規のポリマーおよびフォトレジスト組成物
JP5756672B2 (ja) 2010-04-27 2015-07-29 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ 光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト
IL213195A0 (en) 2010-05-31 2011-07-31 Rohm & Haas Elect Mat Photoresist compositions and emthods of forming photolithographic patterns
JP2012073612A (ja) 2010-09-14 2012-04-12 Rohm & Haas Electronic Materials Llc マルチアミド成分を含むフォトレジスト
JP2012113302A (ja) 2010-11-15 2012-06-14 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 塩基反応性成分を含む組成物およびフォトリソグラフィーのための方法
JP6144005B2 (ja) 2010-11-15 2017-06-07 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ 糖成分を含む組成物およびフォトリソグラフィ方法
JP2012136507A (ja) 2010-11-15 2012-07-19 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 塩基反応性光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト
JP5961363B2 (ja) 2010-11-15 2016-08-02 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ ラクトン光酸発生剤、これを含む樹脂およびフォトレジスト
EP2472320A2 (en) 2010-12-30 2012-07-04 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Compositions comprising base-reactive component and processes for photolithography
EP2472327A1 (en) 2010-12-30 2012-07-04 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Photoresists and methods for use thereof
EP2472329B1 (en) 2010-12-31 2013-06-05 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Coating compositions for use with an overcoated photoresist
EP2472328B1 (en) 2010-12-31 2013-06-19 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Coating compositions for use with an overcoated photoresist
US9011591B2 (en) 2011-09-21 2015-04-21 Dow Global Technologies Llc Compositions and antireflective coatings for photolithography
US9366964B2 (en) 2011-09-21 2016-06-14 Dow Global Technologies Llc Compositions and antireflective coatings for photolithography
US9962430B2 (en) 2012-02-15 2018-05-08 Chirhoclin, Inc. Methods for treating pain associated with chronic pancreatitis
TWI502031B (zh) * 2012-03-01 2015-10-01 Eternal Materials Co Ltd 抗蝕刻組成物及其應用
US11635688B2 (en) 2012-03-08 2023-04-25 Kayaku Advanced Materials, Inc. Photoimageable compositions and processes for fabrication of relief patterns on low surface energy substrates
US8846295B2 (en) 2012-04-27 2014-09-30 International Business Machines Corporation Photoresist composition containing a protected hydroxyl group for negative development and pattern forming method using thereof
US11406718B2 (en) 2012-05-29 2022-08-09 Chirhoclin, Inc. Methods of detecting pancreobiliary ductal leaks
US10527934B2 (en) 2012-10-31 2020-01-07 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoresists comprising ionic compound
US9541834B2 (en) 2012-11-30 2017-01-10 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Ionic thermal acid generators for low temperature applications
US9994538B2 (en) 2015-02-02 2018-06-12 Basf Se Latent acids and their use
CN106094431B (zh) 2015-04-30 2020-06-26 罗门哈斯电子材料韩国有限公司 光致抗蚀剂组合物和方法
TWI717543B (zh) 2016-08-09 2021-02-01 德商馬克專利公司 光阻組合物及其用途
JP6730417B2 (ja) 2017-12-31 2020-07-29 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ フォトレジスト組成物および方法
US11744878B2 (en) 2020-08-19 2023-09-05 Chirhoclin, Inc. Methods for treatment of COVID-19 syndrome
US11874603B2 (en) 2021-09-15 2024-01-16 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Photoresist composition comprising amide compound and pattern formation methods using the same

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4430419A (en) * 1981-01-22 1984-02-07 Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation Positive resist and method for manufacturing a pattern thereof
JPS58114030A (ja) * 1981-12-28 1983-07-07 Fujitsu Ltd ポジ型レジスト材料
US4476217A (en) * 1982-05-10 1984-10-09 Honeywell Inc. Sensitive positive electron beam resists
US4491628A (en) * 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
US4608281A (en) * 1982-09-28 1986-08-26 Exxon Research And Engineering Co. Improvements in sensitivity of a positive polymer resist having a glass transition temperature through control of a molecular weight distribution and prebaked temperature
US4897337A (en) * 1983-01-19 1990-01-30 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Method and apparatus for forming resist pattern
DE3406927A1 (de) * 1984-02-25 1985-08-29 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Strahlungsempfindliches gemisch auf basis von saeurespaltbaren verbindungen
GB8413395D0 (en) * 1984-05-25 1984-07-04 Ciba Geigy Ag Production of images
US4980264A (en) * 1985-12-17 1990-12-25 International Business Machines Corporation Photoresist compositions of controlled dissolution rate in alkaline developers
WO1987004810A1 (en) * 1986-01-29 1987-08-13 Hughes Aircraft Company Method for developing poly(methacrylic anhydride) resists
JPS62215265A (ja) * 1986-03-17 1987-09-21 Ushio Inc レジスト処理方法
US4939070A (en) 1986-07-28 1990-07-03 Brunsvold William R Thermally stable photoresists with high sensitivity
US4678843A (en) * 1986-09-29 1987-07-07 Celanese Corporation Process for the ammonium hydroxide hydrolysis of polymers of acetoxystyrene to polymers of vinylphenol
US4931379A (en) 1986-10-23 1990-06-05 International Business Machines Corporation High sensitivity resists having autodecomposition temperatures greater than about 160° C.
US4898916A (en) * 1987-03-05 1990-02-06 Hoechst Celanese Corporation Process for the preparation of poly(vinylphenol) from poly(acetoxystyrene) by acid catalyzed transesterification
JPH0740547B2 (ja) * 1987-03-24 1995-05-01 ウシオ電機株式会社 レジスト処理方法
DE3721741A1 (de) * 1987-07-01 1989-01-12 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch fuer lichtempfindliche beschichtungsmaterialien
US4824763A (en) * 1987-07-30 1989-04-25 Ekc Technology, Inc. Triamine positive photoresist stripping composition and prebaking process
EP0304313A3 (en) * 1987-08-21 1990-08-22 Oki Electric Industry Company, Limited Pattern forming material
US4912173A (en) * 1987-10-30 1990-03-27 Hoechst Celanese Corporation Hydrolysis of poly(acetoxystyrene) in aqueous suspension
US4869996A (en) * 1987-12-18 1989-09-26 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for preparing negative images on a positive-type tonable photosensitive element
US4962147A (en) * 1988-05-26 1990-10-09 Hoechst Celanese Corporation Process for the suspension polymerization of 4-acetoxystyrene and hydrolysis to 4-hydroxystyrene polymers
ES2044124T3 (es) * 1988-07-19 1994-01-01 Hoechst Celanese Corp Hidrogenacion sin mezcla (sin disolvente) de acetoxiacetofenona en la produccion de 4-acetoxiestireno y de sus productos polimeros y de hidrolisis.
JPH0296757A (ja) * 1988-10-03 1990-04-09 Mitsubishi Kasei Corp 感光性平版印刷版
US5024922A (en) * 1988-11-07 1991-06-18 Moss Mary G Positive working polyamic acid/imide and diazoquinone photoresist with high temperature pre-bake
DE69027799T2 (de) * 1989-03-14 1997-01-23 Ibm Chemisch amplifizierter Photolack
EP0440374B1 (en) * 1990-01-30 1997-04-16 Wako Pure Chemical Industries Ltd Chemical amplified resist material
US5164278A (en) * 1990-03-01 1992-11-17 International Business Machines Corporation Speed enhancers for acid sensitized resists
US5071730A (en) * 1990-04-24 1991-12-10 International Business Machines Corporation Liquid apply, aqueous processable photoresist compositions
DK0489550T3 (da) * 1990-12-06 1995-08-21 Hoechst Celanese Corp Fremgangsmåde til fremstilling af en polymer af 4-hydroxystyren ud fra 4-acetoxystyren med hydroxylamin
JP3003808B2 (ja) * 1991-03-14 2000-01-31 東京応化工業株式会社 マイクロレンズ及びその製造方法
DE4111283A1 (de) * 1991-04-08 1992-10-15 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch, enthaltend saeurelabile gruppierungen und verfahren zur herstellung von reliefmustern und reliefbildern
DE4112970A1 (de) 1991-04-20 1992-10-22 Hoechst Ag Saeurespaltbare strahlungsempfindliche verbindungen, diese enthaltendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
JPH05107757A (ja) * 1991-10-19 1993-04-30 Canon Inc 感光性樹脂組成物

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101764065B1 (ko) * 2016-08-23 2017-08-02 대신엠씨 주식회사 유수분리장치
KR102193640B1 (ko) * 2019-01-03 2020-12-21 방재영 오수 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP0605089A2 (en) 1994-07-06
DE69322946D1 (de) 1999-02-18
EP0605089B1 (en) 1999-01-07
DE69322946T2 (de) 1999-08-12
US5492793A (en) 1996-02-20
EP0605089A3 (en) 1994-09-21
JPH06266112A (ja) 1994-09-22
US5625020A (en) 1997-04-29

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