JP4002057B2 - 有機反射防止膜用組成物、及び有機反射防止膜パターン形成方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体製造工程中の超微細パターン形成工程において、フォトレジスト膜の下部膜層での反射を防ぐことができる有機反射防止膜用組成物と、その製造方法及びそれを用いたパターン形成方法とに関するもので、より詳しくは、有機反射防止膜の架橋剤として使用される化合物と、同化合物、光吸収剤、熱酸発生剤、及び有機溶媒を含む有機反射防止膜組成物と、同組成物の製造方法と、同組成物を用いたパターン形成方法とに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
超微細パターン形成工程においては、フォトレジスト膜の下部膜層の光学的性質及びレジスト厚さの変動による定在波(standing wave)及び反射ノッチング(reflective notching)と下部膜からの回折光及び反射光によるCD(Critical Dimension)の変動が起こるのは不可避である。したがって、露光源として使用する光の波長帯で光吸収が良好な物質を導入して、下部膜層での反射を防ぐことができる反射防止膜をフォトレジストの下部に積層して微細加工工程に使用することができる。
【0003】
光源から紫外線の光を受けると、フォトレジスト膜を透過してフォトレジスト膜の下部に入った光が散乱又は反射し、有機反射防止膜は散乱又は反射される光を吸収してフォトレジストの微細加工に直接的に影響を及ぼす。
【0004】
反射防止膜は物質の種類によって無機系反射防止膜と有機系反射防止膜とに区分でき、メカニズムによって吸収系反射防止膜干渉と干渉系反射防止膜とに大別される。
【0005】
i線(365nm)を用いる微細パターン形成工程では、主として無機系反射防止膜が使用されてきた。これらのうち、吸収系反射防止膜としては、TiN及びアモルファスカーボン(amorphous-C)が、干渉系反射防止膜としては、主としてSiONが使用されてきた。また、KrF光(248nm)を用いる超微細パターンの形成には主として無機系反射防止膜であるSiONが使用されてきたが、しばしば有機系反射防止膜も使用されている。
【0006】
しかし、ArF光を用いる超微細パターン形成工程では未だ適切な反射防止膜が開発されていない。無機系反射防止膜の場合には、光源である193nmでの干渉現象を制御できる物質が未だ発表されていないので、最近は有機系反射防止膜として使用し得る有機化合物を開発しようとする努力が続いている。
【0007】
一般に、有機反射防止膜が備えるべき基本条件は下記のようなものがある。
一番目に、工程の適用時、フォトレジスト溶媒により反射防止膜が溶解されて剥ける現象があってはならない。このためには、成形膜が架橋構造をなし得るように設計されなければならず、架橋反応の際に、化学物質が発生してはならない。
【0008】
二番目に、反射防止膜から酸又はアミンなどの化学物質の出入があってはならない。仮に、ポジティブフォトレジストの場合、反射防止膜から酸が非露光部のフォトレジスト膜に移行(migration)すると、フォトレジストパターンの下部にアンダーカッティング(undercutting)が起こり、アミンなどの塩基がフォトレジスト膜に移行すると、フッティング(footing)現象を誘発する傾向がある。
【0009】
三番目に、反射防止膜は上部の感光膜に比べて相対的に速いエッチング速度を有する場合にだけ、エッチング時、感光膜をマスクにして円滑なエッチング工程が行うことが可能である。
【0010】
四番目に、反射防止膜はなるべく薄い厚さで十分に反射防止膜としての役目を果たすことができなければならない。
したがって、本発明者らは適切な有機系反射防止膜用の樹脂を開発するために研究を行ってきたところ、前記の諸般要件を満足させるとともに、ArF光を用いる超微細パターンの形成時に使用し得る反射防止膜用樹脂を開発して本発明を完成した。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、半導体製造工程中、主としてArF(193nm)光源を用いる超微細パターン形成工程に使用される有機反射防止膜用組成物と、前記組成物を用いる有機反射防止膜パターン形成方法とを提供して、定在波効果を格段に減少させ得る優れたパターン形状を有する半導体素子を製造することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明は、下記化学式11の構造を有する化合物を架橋剤として、下記化学式12の構造を有する化合物、熱酸発生剤、及び有機溶媒を含む有機反射防止膜組成物を提供する。
【0013】
【化11】
【0014】
【化12】
前記式において、a:bは0.1〜1.0:0.1〜1.0であり、cは1であり、R′、R″はそれぞれ水素又はメチル基であり、R1、R2、R4は1〜5の炭素数を有する側鎖又は主鎖置換されたアルキル基であり、R3は0〜5の炭素数を有する側鎖又は主鎖置換されたアルキル基である。
【0015】
本発明による前記有機反射防止膜組成物において、前記有機溶媒としては、メチル3−メトキシプロピオネート、エチル3−エトキシプロピオネート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート及び2−ヘプタノン、テトラヒドロフランからなる群から選択された1種又はそれ以上であることが好ましく、前記有機溶媒は前記化学式11及び化学式12の化合物に対して2,000〜4,000重量%の比率であることが好ましい。
【0016】
また、本発明による前記有機反射防止膜組成物において、前記熱酸発生剤は、下記化学式7ないし化学式10の構造を有する化合物からなる群から選択された1種又はそれ以上であることが好ましく、前記熱酸発生剤は前記化学式11及び前記化学式12の化合物に対して0.1〜10重量%の比率で使用することが好ましい。
【0017】
【化13】
【0018】
【化14】
【0019】
【化15】
【0020】
【化16】
また、本発明による前記有機反射防止膜の組成物において、前記化学式11の構造を有する化合物の分子量は4,000〜12,000であることが好ましい。
【0021】
前記化学式11の構造を有する化合物は、前記化合物を構成する単量体を有機溶媒に溶解させた後、その結果物に重合開始剤を添加し、窒素又はアルゴン雰囲気下で反応させることを特徴として製造され、前記単量体としては、下記化学式1の構造を有する化合物と化学式2の構造を有する化合物を使用することが好ましい。
【0022】
【化17】
【0023】
【化18】
また、前記有機溶媒としては、テトラヒドロフラン、トルエン、ベンゼン、メチルエチルケトン及びジオキサンからなる群から選択された1種又はそれ以上を使用することが好ましく、前記重合開始剤は、2,2−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、ベンゾイルペルオキサイド、アセチルペルオキサイド、ラウリルペルオキサイド及びt−ブチルオキサイドからなる群から選択された1種又はそれ以上を使用することが好ましい。
【0024】
また、本発明は、本発明による前記有機反射防止膜用組成物を被食刻層の上部に塗布する段階と、前記過程の完了後、ベーキング工程を進行する段階と、前記過程の完了後、前記有機反射防止膜の上部にフォトレジストを塗布し、露光した後、現像してフォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンを食刻マスクとして有機反射防止膜を食刻した後、被食刻層を食刻して被食刻層のパターンを形成する段階とを含んでなることを特徴とする有機反射防止膜パターン形成方法を提供する。
【0025】
本発明による前記有機反射防止膜パターン形成方法において、前記ベーキング工程は、100〜250℃の温度で1〜5分間進行することが好ましい。
また、前記パターン形成工程において、前記露光前及び露光後の少なくともいずれか一方にベーキング工程を実施する段階を更に含むことができ、このときのベーキング工程は70〜200℃で行われることが好ましい。
【0026】
前記パターン形成工程における前記露光工程は、光源としてArF、KrF、EUVを含む遠紫外線(DUV;Deep Ultra Violet)、電子ビーム(Electron beam)、X−線及びイオンビームからなる群から選択された1種又はそれ以上を使用することが好ましく、0.1〜20mJ/cm2露光エネルギーにより進行されることが好ましい。
【0027】
また、本発明は前記パターン形成方法により製造されたことを特徴とする半導体素子を提供する。
【0028】
【発明の実施の形態】
以下、実施例に基づいて本発明による有機反射防止膜用組成物とその製造方法についてより具体的に説明する。
【0029】
本実施例により本発明の範囲が限定されるものではなく、下記の実施例はただ本発明の内容をより詳細に説明するための一部にすぎないものであることは自明である。
(実施例1:下記化学式3の化合物合成)
【0030】
【化19】
前記化学式1の単量体0.2モル(11.2g)と前記化学式2の単量体0.2モル(20.8g)をテトラヒドロフラン66gに溶解させた後、ここに重合開始剤である2,2−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)0.64gを250mlの丸底フラスコに入れた後、窒素又はアルゴン雰囲気下で、65℃で6時間反応させた。これをエチルエーテルに沈殿させて生成した化合物(収率40%;12.8g)をメタノール300gとともに500mlの丸底フラスコに入れ、ここにトリフルオロメタンスルホン酸(trifluoromethanesulfonic acid)0.08mlを添加した後、85℃で10時間還流させた。還流の終了後、ここにテトラメチルアンモニウムヒドロオキシド(tetramethylammonium hydroxide)を入れて、pH7となるようにした後、減圧増圧器で未反応のメタノールを蒸発させた後、水に沈殿させて、前記化学式3の化合物を得た(収率80%;10.24g)。
(実施例2:下記化学式4の化合物合成)
【0031】
【化20】
前記化学式1の単量体0.2モル(11.2g)と前記化学式2の単量体0.2モル(20.8g)をテトラヒドロフラン66gに溶解させた後、ここに重合開始剤である2,2−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)0.64gを250mlの丸底フラスコに入れた後、窒素又はアルゴン雰囲気下で、65℃で6時間反応させた。これをエチルエーテルに沈殿させて生成した化合物(収率40%;12.8g)をメタノール300gとともに500mlの丸底フラスコに入れ、ここにトリフルオロメタンスルホン酸(trifluoromethanesulfonic acid)0.08mlを添加した後、85℃で10時間還流させた。還流の終了後、ここにテトラメチルアンモニウムヒドロオキシド(tetramethylammonium hydroxide)を入れて、pH7となるようにした後、減圧増圧器で未反応エタノールを蒸発させた後、水に沈殿させて、前記化学式4の化合物を得た。
(実施例3:前記化学式3の化合物と下記化学式5の化合物とを用いた有機反射防止膜組成物の製造及びパターン形成)
前記化学式3の化合物20.0gと下記化学式5の化合物13.3gとをプロピレングリコールメチルエーテルアセテート溶媒1,000gに溶解させた。ここに、前記化学式7の熱酸発生剤0.33gを入れ、よく溶解させた後、0.2μmの微細フィルタを通過させて有機反射防止膜組成物を製造した。製造された有機反射防止膜組成物をシリコンウェハー上にスピン塗布した後、これを205℃で90秒間ベーキングして硬化させた。硬化された有機反射防止膜上にDHA1001感光剤をコーティングした後、110℃で90秒間ベーキングした。ベーキング後、ISI社のArFマイクロステッパー(Microstepper)を用いて露光させた後、110℃で90秒間再度ベーキングした。このウェハーを2.38重量%現像液にて現像して、添付の図1に示すような垂直の良好なパターンを得ることができた。
【0032】
【化21】
(実施例4:前記化学式3の化合物と下記化学式6の化合物とを用いた有機反射防止膜組成物の製造及びパターン形成)
前記化学式3の化合物20.0gと下記化学式6の化合物13.3gとをプロピレングリコールメチルエーテルアセテート溶媒1,000gに溶解させた。ここに、前記化学式7の熱酸発生剤0.33gを入れ、よく溶解させた後、0.2μmの微細フィルタを通過させて有機反射防止膜組成物を製造した。製造された有機反射防止膜組成物をシリコンウェハー上にスピン塗布した後、これを205℃で90秒間ベーキングして硬化させた。硬化された有機反射防止膜上にDHA1001感光剤をコーティングした後、110℃で90秒間ベーキングした。ベーキング後、ISI社のArFマイクロステッパー(Microstepper)を用いて露光させた後、110℃で90秒間再度ベーキングした。このウェハーを2.38重量%現像液にて現像して、垂直の良好なパターンを得ることができた。
【0033】
【化22】
(実施例5:前記化学式4の化合物と前記化学式5の化合物とを用いた有機反射防止膜組成物の製造及びパターン形成)
前記化学式4の化合物20.0gと前記化学式5の化合物13.3gとをプロピレングリコールメチルエーテルアセテート溶媒1,000gに溶解させた。ここに、前記化学式7の熱酸発生剤0.33gを入れ、よく溶解させた後、0.2μmの微細フィルタを通過させて有機反射防止膜組成物を製造した。製造された有機反射防止膜組成物をシリコンウェハー上にスピン塗布した後、これを205℃で90秒間ベーキングして硬化させた。硬化された有機反射防止膜上にDHA1001感光剤をコーティングした後、110℃で90秒間ベーキングした。ベーキング後、ISI社のArFマイクロステッパー(Microstepper)を用いて露光させた後、110℃で90秒間再度ベーキングした。このウェハーを2.38重量%現像液にて現像して、垂直の良好なパターンを得ることができた。
(実施例6:前記化学式4の化合物と前記化学式6の化合物とを用いた有機反射防止膜組成物の製造及びパターン形成)
前記化学式4の化合物20.0gと前記化学式6の化合物13.3gとをプロピレングリコールメチルエーテルアセテート溶媒1,000gに溶解させた。ここに、前記化学式7の熱酸発生剤0.33gを入れ、よく溶解させた後、0.2μmの微細フィルタを通過させて有機反射防止膜組成物を製造した。製造された有機反射防止膜組成物をシリコンウェハー上にスピン塗布した後、これを205℃で90秒間ベーキングして硬化させた。硬化された有機反射防止膜上にDHA1001感光剤をコーティングした後、110℃で90秒間ベーキングした。ベーキング後、ISI社のArFマイクロステッパー(Microstepper)を用いて露光させた後、110℃で90秒間再度ベーキングした。このウェハーを2.38重量%現像液にて現像して、垂直の良好なパターンを得ることができた。
【0034】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の前記化学式11の構造を有する架橋剤と、前記化学式12の構造のように有機反射基材及びアルコール基を有する化合物と、架橋がよくできる化合物とで、優れた有機反射防止膜を形成することができる。この反射防止膜は、その上に塗布されるフォトレジスト溶液に溶解されるなどの影響を受けることはなく、フォトレジスト膜を通過した遠紫外線領域の光を非常に良好に吸収して定在波効果を著しく減少させることができる。
【0035】
したがって、本発明の有機反射防止膜を用いて形成したパターンは非常に優れたパターン形状を有し、これにより半導体の高集積化に更に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による有機反射防止膜パターン形成方法によりパターンを形成して得た垂直の良好なパターンを示す図である。
Claims (13)
- 前記有機溶媒は、メチル3−メトキシプロピオネート、エチル3−エトキシプロピオネート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート及び2−ヘプタノン、テトラヒドロフランからなる群から選択された1種又はそれ以上であることを特徴とする請求項3に記載の有機反射防止膜用組成物。
- 前記有機溶媒は、前記化学式11及び化学式12の化合物に対して2,000〜4,000重量%の比率であることを特徴とする請求項3又は4に記載の有機反射防止膜用組成物。
- 前記熱酸発生剤は、前記化学式11の構造を有する化合物及び前記化学式12の構造を有する化合物に対して0.1〜10重量%の比率であることを特徴とする請求項3又は6に記載の有機反射防止膜用組成物。
- 請求項3に記載の有機反射防止膜用組成物を被食刻層の上部に塗布する段階と、
前記過程の完了後、ベーキング工程を進行する段階と、
前記過程の完了後、前記有機反射防止膜の上部にフォトレジストを塗布し、露光した後、現像してフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンを食刻マスクとして有機反射防止膜を食刻した後、被食刻層を食刻して被食刻層のパターンを形成する段階と
を含んでなることを特徴とする有機反射防止膜パターン形成方法。 - 前記ベーキング工程は、100〜250℃の温度で1〜5分間進行することを特徴とする請求項8に記載の有機反射防止膜パターン形成方法。
- 前記露光前及び露光後の少なくともいずれか一方にベーキング工程を実施する段階を更に含むことを特徴とする請求項8に記載の有機反射防止膜パターン形成方法。
- 前記露光前及び露光後の少なくともいずれか一方に実施されるベーキング工程は、70〜200℃で行われることを特徴とする請求項10に記載の有機反射防止膜パターン形成方法。
- 前記露光工程は、光源として、ArF、KrF、EUVを含む遠紫外線(DUV)、電子ビーム、X−線及びイオンビームからなる群から選択された1種又はそれ以上を使用することを特徴とする請求項8又は10に記載の有機反射防止膜パターン形成方法。
- 前記露光工程は0.1〜20 mJ/cm 2 露光エネルギーにより進行されることを特徴とする請求項8又は10に記載の有機反射防止膜パターン形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1999-37876 | 1999-09-07 | ||
KR10-1999-0037876A KR100533379B1 (ko) | 1999-09-07 | 1999-09-07 | 유기 난반사 방지막용 조성물과 이의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001092137A JP2001092137A (ja) | 2001-04-06 |
JP4002057B2 true JP4002057B2 (ja) | 2007-10-31 |
Family
ID=19610385
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000271670A Expired - Fee Related JP4002057B2 (ja) | 1999-09-07 | 2000-09-07 | 有機反射防止膜用組成物、及び有機反射防止膜パターン形成方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6593446B1 (ja) |
JP (1) | JP4002057B2 (ja) |
KR (1) | KR100533379B1 (ja) |
CN (1) | CN1181109C (ja) |
FR (1) | FR2798129B1 (ja) |
GB (1) | GB2354247B (ja) |
TW (1) | TWI268937B (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100533379B1 (ko) * | 1999-09-07 | 2005-12-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 난반사 방지막용 조성물과 이의 제조방법 |
KR100520181B1 (ko) * | 1999-10-11 | 2005-10-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 신규한 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물 |
KR100419962B1 (ko) * | 2001-03-07 | 2004-03-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법 |
US7070914B2 (en) * | 2002-01-09 | 2006-07-04 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Process for producing an image using a first minimum bottom antireflective coating composition |
KR100519516B1 (ko) * | 2002-11-25 | 2005-10-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 반사방지막 중합체, 이의 제조 방법과 상기 중합체를포함하는 유기 반사 방지막 조성물 |
KR100832247B1 (ko) * | 2002-11-27 | 2008-05-28 | 주식회사 동진쎄미켐 | 유기 난반사 방지막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성방법 |
US6933227B2 (en) * | 2003-10-23 | 2005-08-23 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor device and method of forming the same |
US20050255410A1 (en) * | 2004-04-29 | 2005-11-17 | Guerrero Douglas J | Anti-reflective coatings using vinyl ether crosslinkers |
KR101156969B1 (ko) * | 2005-03-02 | 2012-06-20 | 주식회사 동진쎄미켐 | 유기 반사방지막 형성용 유기 중합체 및 이를 포함하는 유기 조성물 |
KR101156973B1 (ko) * | 2005-03-02 | 2012-06-20 | 주식회사 동진쎄미켐 | 유기 반사방지막 형성용 유기 중합체 및 이를 포함하는 유기 조성물 |
CN101595139B (zh) * | 2007-01-17 | 2012-08-22 | 可乐丽则武齿科株式会社 | 含有聚合性单体的组合物 |
KR100960464B1 (ko) * | 2007-08-09 | 2010-05-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반사방지막용 중합체, 이를 포함하는 반사방지막 조성물 및이를 이용한 패턴 형성방법 |
US8455176B2 (en) * | 2008-11-12 | 2013-06-04 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Coating composition |
CN101982477A (zh) * | 2010-09-25 | 2011-03-02 | 西北工业大学 | 一种同时改性两种硅烷偶联剂的苯丙乳液及其制备方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3255156A (en) * | 1961-05-01 | 1966-06-07 | Du Pont | Process for polymerizing thiocarbonyl compounds |
US3919451A (en) * | 1973-07-09 | 1975-11-11 | Rohm & Haas | Method for finishing leather and leather substitutes |
DE3100077A1 (de) | 1981-01-03 | 1982-08-05 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Lichtempfindliches gemisch, das einen naphthochinondiazidsulfonsaeureester enthaelt, und verfahren zur herstellung des naphthochinondiazidsulfonsaeureesters |
US4822718A (en) | 1982-09-30 | 1989-04-18 | Brewer Science, Inc. | Light absorbing coating |
US5674648A (en) | 1984-08-06 | 1997-10-07 | Brewer Science, Inc. | Anti-reflective coating |
JP2740837B2 (ja) | 1987-01-30 | 1998-04-15 | コニカ株式会社 | 多色転写画像形成方法 |
US5641594A (en) * | 1993-12-27 | 1997-06-24 | Hoechst Japan Limited | Colored, photosensitive resin composition |
US5412041A (en) * | 1994-07-11 | 1995-05-02 | Rohm And Haas Company | Method for forming (meth)acrolein-containing polymers |
DE19500386A1 (de) * | 1995-01-09 | 1996-07-11 | Degussa | Verfahren zur Herstellung von seitenständige Aldehydgruppen tragenden Copolymeren |
US7147983B1 (en) * | 1996-10-07 | 2006-12-12 | Shipley Company, L.L.C. | Dyed photoresists and methods and articles of manufacture comprising same |
TW457403B (en) | 1998-07-03 | 2001-10-01 | Clariant Int Ltd | Composition for forming a radiation absorbing coating containing blocked isocyanate compound and anti-reflective coating formed therefrom |
US20020102483A1 (en) * | 1998-09-15 | 2002-08-01 | Timothy Adams | Antireflective coating compositions |
KR100400296B1 (ko) * | 1998-11-27 | 2004-03-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 신규의포토레지스트가교제및이를이용한포토레지스트조성물 |
KR100520670B1 (ko) * | 1999-05-06 | 2005-10-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 패턴의 형성방법 |
KR100533379B1 (ko) * | 1999-09-07 | 2005-12-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 난반사 방지막용 조성물과 이의 제조방법 |
-
1999
- 1999-09-07 KR KR10-1999-0037876A patent/KR100533379B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-09-06 GB GB0021863A patent/GB2354247B/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-09-07 CN CNB001317466A patent/CN1181109C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-09-07 JP JP2000271670A patent/JP4002057B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-09-07 FR FR0011421A patent/FR2798129B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 2000-09-07 US US09/657,069 patent/US6593446B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-09-08 TW TW089118504A patent/TWI268937B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2798129B1 (fr) | 2003-01-31 |
KR20010026523A (ko) | 2001-04-06 |
CN1288902A (zh) | 2001-03-28 |
TWI268937B (en) | 2006-12-21 |
US6593446B1 (en) | 2003-07-15 |
FR2798129A1 (fr) | 2001-03-09 |
GB0021863D0 (en) | 2000-10-18 |
GB2354247B (en) | 2002-12-31 |
CN1181109C (zh) | 2004-12-22 |
KR100533379B1 (ko) | 2005-12-06 |
JP2001092137A (ja) | 2001-04-06 |
GB2354247A (en) | 2001-03-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070731 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070816 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100824 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100824 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110824 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120824 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130824 Year of fee payment: 6 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |